KR20030016553A - Phase locked loop circuit - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A phase locked loop(PLL) circuit is provided, which reduces a locked time and noise, by reducing a loop band width. CONSTITUTION: According to the PLL circuit, a phase detector(PD)(120) receives an external clock and the first and the second internal clock, and compares the first internal clock with the second internal clock and the external clock with the first internal clock periodically, and generates four up/down signals according to a phase difference of two signals. A phase frequency detector(PFD)(110) receives the external clock and the first internal clock and generates four up/down signals according to a phase difference of the two signals. A multiplexer part(MUX)(130) outputs one of a signal received from the phase detector and a signal received from the phase frequency detector selectively by the first control signal. A charge pump part(140) generates a constant signal according to an output signal from the phase detector or the phase frequency detector received through the multiplexer part, and controls a current source supplied to a circuit by the first control circuit. A locked state part(150) generates the first control signal to the multiplexer part and the charge pump part by counting the external clock. And a voltage controlled oscillator(VCO)(180) receives a signal generated from the charge pump part and generates a signal having a frequency and a phase proportional or inversely proportional to the signal received from the charge pump part.

Description

페이스 락 루프 회로{PHASE LOCKED LOOP CIRCUIT}Face lock loop circuit {PHASE LOCKED LOOP CIRCUIT}

본 발명은 반도체 메모리 장치의 페이스 락 루프(Phase locked loop ; 이하'PLL'이라고도 함) 회로에 관한 것으로, 특히 락 타임(locked time)을 줄이고 노이즈를 줄인 페이스 락 루프 회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a phase locked loop (also referred to as a 'PLL') circuit of a semiconductor memory device, and more particularly to a face lock loop circuit having a reduced locked time and a reduced noise.

일반적으로, PLL 회로는 시스템의 외부에서 입력되는 클럭 신호를 수신하여 시스템 내부에 필요한 내부 클럭 신호를 상기 외부에서 입력된 클럭 신호의 위상과 동기화되도록 발생시키는 장치이다. 이때 상기 시스템은 외부의 클럭 신호를 사용하는 논리 장치 또는 반도체 장치 등을 모두 포함한다. 예를들어, PLL 회로는 다양한 종류의 논리 장치는 물론이고 컴퓨터의 중앙처리 장치와 디램(DRAM) 간의 데이터 처리 속도를 높여주는 캐쉬 메모리 장치에 이용되거나 싱크로노스 디램, 램버스 디램 등에 적용될 수 있다.In general, a PLL circuit is a device that receives a clock signal input from the outside of the system and generates an internal clock signal required inside the system to be synchronized with the phase of the clock signal input from the outside. In this case, the system includes all of a logic device or a semiconductor device using an external clock signal. For example, PLL circuits can be used in various types of logic devices, as well as in cache memory devices that speed up data processing between the central processing unit and DRAM (DRAM) of a computer, or can be applied to synchro DRAM, Rambus DRAM, and the like.

도 1은 종래의 PLL 회로의 블록도이다.1 is a block diagram of a conventional PLL circuit.

종래의 PLL 회로는 위상 검출부(12), 전하 펌프부(14), 루프 필터부(16), 전압조절 발생부(18)로 구성되어 있으며, 네가티브 피드백 루프(Negative Feedback Loop)로써 동작한다. 상기 PLL 회로는 전압조절 발생부(19)의 출력 주파수와 위상 검출부(12)의 피드백 입력 주파수를 일치시키면 된다.The conventional PLL circuit is composed of a phase detector 12, a charge pump 14, a loop filter 16, and a voltage regulation generator 18, and operates as a negative feedback loop. The PLL circuit needs to match the output frequency of the voltage regulation generator 19 with the feedback input frequency of the phase detector 12.

상기 PLL 회로의 위상 검출부(18)는 외부에서 들어오는 외부 클럭(eCLK)과 내부 전압조절 발생부(18)의 출력인 내부 클럭(iCLK)의 위상을 주기적으로 비교하여 두 신호의 위상차에 따라 업(up) 및 다운(down) 신호를 전하 펌프부(14)로 보낸다. 상기 전하 펌프부(14)는 업(up) 및 다운(down) 신호에 따라 일정한 출력 전압(Vd)을 만들어 루프 필터부(16)로 보낸다. 상기 루프 필터부(16)는 저역 통과 필터(Low Pass Filter)로 전하 펌프부(14)의 출력 전압을 필터링하여 고주파 성분을 제거하고 전압조절 발생부(18)를 조절하기 위한 DC 조절 전압(Vc)을 출력한다. 마지막으로 전압조절 발생부(18)는 루프 필터부(16)의 출력 전압(Vc)를 입력으로 하여 Vc에 비례하는 주파수를 출력하는 발진기이다.The phase detector 18 of the PLL circuit periodically compares the phases of the external clock eCLK coming from the outside and the internal clock iCLK, which is the output of the internal voltage regulation generator 18, to increase the phase according to the phase difference between the two signals. The up and down signals are sent to the charge pump unit 14. The charge pump unit 14 generates a constant output voltage Vd according to the up and down signals and sends it to the loop filter unit 16. The loop filter unit 16 uses a low pass filter to filter the output voltage of the charge pump unit 14 to remove high frequency components and to adjust the DC regulation voltage Vc for adjusting the voltage regulation generator 18. ) Finally, the voltage regulation generator 18 is an oscillator that outputs a frequency proportional to Vc by inputting the output voltage Vc of the loop filter unit 16.

이러한 PLL에서는 루프의 네가티브 피드백(Negative Feedback) 동작이 여러 번 반복되면서 전압조절 발생부(18)의 출력이 외부에서 입력되는 외부 클럭(eCLK)과 주파수가 같게 될 때 클럭의 동기가 이루어진다. 이 때 외부 클럭(eCLK)과 내부 클럭(iCLK)은 일정한 위상차를 가지면서 주파수는 서로 같은 상태가 되므로 위상 검출부(12)는 일정한 연속적인 펄스를 발생하게 된다. 그러나 주파수가 일치하였다 하더라도 두 입력 신호 사이의 위상차가 크다면 위상 검출부(12)에서 발생하는 업(up) 및 다운(down) 신호의 펄스의 수가 서로 일치하지 않아 전압조절 발생부(18)의 조절 전압이 계속 변화하게 되므로 루프는 다시 언락(Unlock)상태가 되어 락킹(Locking) 과정을 계속 진행하게 된다. 이처럼 PLL이 완전히 락(Lock)이 되기 위해서는 두 신호의 주파수가 같아야 하면 위상차 또한 작은 값이 되어야 한다.In such a PLL, when a negative feedback operation of a loop is repeated several times, the clock is synchronized when the output of the voltage regulation generator 18 becomes the same as the external clock eCLK input from the outside. At this time, since the external clock eCLK and the internal clock iCLK have a constant phase difference and the frequencies are the same, the phase detector 12 generates a constant continuous pulse. However, even if the frequencies match, if the phase difference between the two input signals is large, the number of pulses of the up and down signals generated by the phase detector 12 do not coincide with each other. As the voltage continues to change, the loop is unlocked again to continue the locking process. In order for the PLL to be fully locked, the two signals must have the same frequency, and the phase difference must be small.

그런데, 이와 같이 구성된 종래의 PLL 회로는 빠른 동작을 위해서 루프 밴드폭(loop band width)을 높일 경우 빠른 록 타임(lock time)을 얻을 수 있지만, 이 경우 출력 신호의 위상 지터(phase jitter)가 커지거나 노이즈(noise)가 많이 존재하게 된다. 즉, 루프 밴드폭이 크면 빠른 동작을 수행하나 노이즈(noise)가 많이 존재하고 반대로 노이즈를 줄일려고 루프 밴드폭을 작게 하면 PLL이 정상 상태에도달하는 시간, 즉 록 타임이 길어지는 문제점이 있었다.However, the conventional PLL circuit configured as described above can obtain a fast lock time when the loop band width is increased for fast operation, but in this case, the phase jitter of the output signal becomes large. Or there is a lot of noise. In other words, if the loop bandwidth is large, fast operation is performed, but there is a lot of noise. On the contrary, if the loop bandwidth is reduced to reduce the noise, the time for reaching the steady state, that is, the lock time is long.

따라서, 본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 초기 동작시에는 루프 밴드폭을 크게하고 일정시간이 지나 입력 신호와 기준 신호의 위상 차이가 줄어들면 루프 밴드폭을 작게하므로써, 락 타임(locked time)을 줄이고 노이즈를 줄인 페이스 락 루프(PLL) 회로를 제공하는데 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to increase the loop bandwidth in the initial operation and to reduce the loop bandwidth when the phase difference between the input signal and the reference signal decreases after a predetermined time. In addition, the present invention provides a face lock loop (PLL) circuit that reduces lock time and reduces noise.

도 1은 종래의 PLL 회로의 블록도1 is a block diagram of a conventional PLL circuit

도 2는 본 발명에 의한 페이스 락 루프 회로의 블록도2 is a block diagram of a face lock loop circuit according to the present invention.

도 3a 및 도 3b는 도 2에 도시된 위상 검출부(120)의 회로 및 동작 파형도3A and 3B are circuit and operation waveform diagrams of the phase detector 120 shown in FIG. 2.

도 4a 및 도 4b는 도 2에 도시된 위상 주파수 검출부(110)의 회로 및 동작 파형도4A and 4B are circuit and operation waveform diagrams of the phase frequency detector 110 shown in FIG.

도 5a는 도 2에 도시된 전압 조절 발생부(180)의 회로도5A is a circuit diagram of the voltage regulation generator 180 shown in FIG. 2.

도 5b는 도 5a에 도시된 차동 딜레이 셀(182∼188)의 회로도5B is a circuit diagram of the differential delay cells 182 to 188 shown in FIG. 5A.

도 6은 도 2에 도시된 전하 펌프부(140)의 회로도6 is a circuit diagram of the charge pump unit 140 shown in FIG.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

120 : 위상 검출부130 : 멀티플렉서부120: phase detector 130: multiplexer

140 : 전하 펌프부150 : 락 스테이트부140: charge pump portion 150: lock state portion

160 : 루프 필터부180 : 전압 조절 발생부160: loop filter unit 180: voltage regulation generating unit

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 PLL 회로는 외부 클럭과 제 1 및 제 2 내부 클럭을 수신하여 상기 제 1 내부 클럭과 상기 제 2 내부 클럭 그리고 상기 외부 클럭과 상기 제 1 내부 클럭을 각각 주기적으로 비교하여 두 신호의 위상차에 따라 4개의 업/다운 신호를 발생하는 위상 검출부와, 상기 외부 클럭과 상기 제 1 내부 클럭을 수신하여 두 신호의 위상차에 따라 4개의 업/다운 신호를 발생하는 위상 주파수 검출부와, 상기 위상 검출부로부터 수신된 신호 또는 상기 위상 주파수 검출부로부터 수신된 신호를 제 1 제어 신호에 의해 선택하여 출력하는 멀티플렉서부와, 상기 멀티플렉서부를 통해 수신된 상기 위상 검출부 또는 상기 위상 주파수 검출부로 부터의 출력 신호에 따라 일정한 신호를 발생하며, 상기 제 1 제어 신호에 의해 회로로 공급되는 전류원을 조절하는 전하 펌프부와, 상기 외부 클럭을 카운터하여 미리 세팅된 값에 도달되면 상기 멀티플렉서부와 상기 전하 펌프부로 상기 제 1 제어 신호를 발생하는 락 스테이트부와, 상기 전하 펌프부로부터 발생된 신호를 수신하여 이 신호에 비례하는 또는 반비례하는 주파수와 위상을 갖는 신호를 발생하는 전압 조절 발생부를 구비한 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the PLL circuit of the present invention receives an external clock and a first internal clock and a second internal clock to periodically perform the first internal clock, the second internal clock, and the external clock and the first internal clock, respectively. The phase detection unit generates four up / down signals according to the phase difference between the two signals, and the phase which receives the external clock and the first internal clock and generates four up / down signals according to the phase difference between the two signals. A multiplexer section for selecting and outputting a frequency detector, a signal received from the phase detector, or a signal received from the phase frequency detector by a first control signal, and the phase detector or phase frequency detector received through the multiplexer section A constant signal is generated according to the output signal from the second control signal and supplied to the circuit by the first control signal. A charge pump unit for adjusting a current source, a lock state unit for generating the first control signal to the multiplexer unit and the charge pump unit when the preset value is reached by countering the external clock, and generated from the charge pump unit And a voltage regulation generator for receiving a signal and generating a signal having a frequency and a phase proportional or inversely proportional to the signal.

상기 전하 펌프부와 상기 전압 조절 발생부 사이에 저역 통과 필터부가 추가로 구비된 것을 특징으로 한다.A low pass filter unit is additionally provided between the charge pump unit and the voltage regulation generating unit.

상기 저역 통과 필터부는 상기 전하 펌프부와 상기 전압 조절 발생부 사이에 연결된 노드와 접지 전압 사이에 병렬로 접속된 제 1 및 제 2 커패시터와, 상기 제 1 커패시터의 일측에 접속된 저항을 구비한 것을 특징으로 한다.The low pass filter unit includes first and second capacitors connected in parallel between a ground voltage and a node connected between the charge pump unit and the voltage regulation generating unit, and a resistor connected to one side of the first capacitor. It features.

상기 저역 통과 필터부는 상기 전하 펌프부와 상기 전압 조절 발생부 사이에 상기 제 1 제어 신호에 의해 스위칭되는 스위칭 소자를 추가로 구비한 것을 특징으로 한다.The low pass filter part may further include a switching element switched by the first control signal between the charge pump part and the voltage regulation generating part.

상기 스위칭 소자는 전달 게이트인 것을 특징으로 한다.The switching element is characterized in that the transfer gate.

상기 스위칭 소자는 PMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하다.The switching device is characterized in that the PMOS transistor.

상기 스위칭 소자는 NMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 한다.The switching device is characterized in that the NMOS transistor.

상기 전압 조절 발생부의 전압 이득을 조절하여 신호의 밴드폭을 변화시키는 것을 특징으로 한다.The bandwidth of the signal is changed by adjusting the voltage gain of the voltage regulation generator.

이하, 본 발명의 실시예에 관하여 첨부도면을 참조하면서 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

또, 실시예를 설명하기 위한 모든 도면에서 동일한 기능을 갖는 것은 동일한 부호를 사용하고 그 반복적인 설명은 생략한다.In addition, in all the drawings for demonstrating an embodiment, the thing with the same function uses the same code | symbol, and the repeated description is abbreviate | omitted.

도 2는 본 발명에 의한 PLL 회로의 블록도로서, 위상 검출부(120), 위상 주파수 검출부(110), 멀티플렉서부(130), 전하 펌프부(140), 루프 필터부(160), 전압조절 발생부(180) 및 락 스테이트부(150)를 구비한다.2 is a block diagram of a PLL circuit according to the present invention, in which a phase detector 120, a phase frequency detector 110, a multiplexer 130, a charge pump 140, a loop filter 160, and voltage regulation are generated. The unit 180 and the lock state unit 150 are provided.

상기 구성을 갖는 PLL 회로는 네가티브 피드백 루프(Negative Feedback Loop)로써 동작하며, 상기 전압조절 발생부(180)의 출력 주파수와 상기 위상 검출부(120)의 피드백 입력 주파수가 일치되도록 한다.The PLL circuit having the above configuration operates as a negative feedback loop, so that the output frequency of the voltage regulation generation unit 180 and the feedback input frequency of the phase detection unit 120 are coincident with each other.

상기 위상 검출부(Phase Detector: PD)(120)는 외부에서 수신된 외부 클럭(IN)과 상기 전압조절 발생부(180)의 출력인 내부 클럭(clk1 및 clk3)의 위상을 주기적으로 비교하여 두 신호의 위상차에 따라 4개의 업(up) 및 다운(down) 신호를 발생한다.The phase detector (PD) 120 periodically compares the phases of the external clock IN received from the outside with the phases of the internal clocks clk1 and clk3 that are outputs of the voltage regulation generation unit 180. Four up and down signals are generated according to the phase difference of?.

상기 위상 주파수 검출부(Phase Frequency Detector: PFD)(110)는 외부에서 들어오는 상기 외부 클럭(IN)과 상기 전압조절 발생부(180)의 출력인 내부 클럭(clk1)의 위상을 주기적으로 비교하여 두 신호의 위상차에 따라 4개의 업(up) 및 다운(down) 신호를 발생한다.The phase frequency detector (PFD) 110 periodically compares the phases of the external clock IN coming from the outside and the internal clock clk1, which is an output of the voltage regulation generator 180, to compare two signals. Four up and down signals are generated according to the phase difference of?.

상기 멀티플렉서부(MUX)(130)는 상기 위상 검출부(120)에서 수신된 신호와 상기 위상 주파수 검출부(110)에서 수신된 신호를 상기 락 스테이트부(150)에서 출력된 신호에 의해 선택하여 상기 전하 펌프부(140)로 출력한다.The multiplexer unit (MUX) 130 selects the signal received from the phase detector 120 and the signal received from the phase frequency detector 110 based on a signal output from the lock state unit 150 to charge the charge. Output to the pump unit 140.

상기 전하 펌프부(140)는 상기 멀티플렉서부(130)를 통해 수신된 상기 위상 검출부(120) 또는 상기 위상 주파수 검출부(110)로 부터의 출력 신호에 따라 일정한 출력 신호를 발생하며, 상기 락 스테이트부(150)의 출력 신호에 의해 전류원을 조절하여 루프 밴드폭의 크기를 조절하도록 한다.The charge pump unit 140 generates a constant output signal according to an output signal from the phase detector 120 or the phase frequency detector 110 received through the multiplexer 130, and the lock state unit. By controlling the current source by the output signal of 150 to adjust the size of the loop bandwidth.

상기 락 스테이트부(150)는 외부에서 수신된 상기 외부 클럭(IN)을 카운터하여 미리 세팅된 값에 도달되면 락(lock) 신호를 상기 멀티플렉서부(130)와 전하 펌프부(140)로 발생한다.The lock state unit 150 counters the external clock IN received from the outside and generates a lock signal to the multiplexer unit 130 and the charge pump unit 140 when a preset value is reached. .

상기 전하 펌프부(140)와 상기 전압 조절 발생부(180) 사이에 접속된 상기 루프 필터부(160)는 저역 통과 필터(Low Pass Filter)로 상기 전하 펌프부(140)의 출력 전압을 필터링하여 고주파 성분을 제거하고 상기 전압조절 발생부(180)를 조절하기 위한 직류(DC) 조절전압(Vc)을 출력한다.The loop filter unit 160 connected between the charge pump unit 140 and the voltage regulation generating unit 180 filters the output voltage of the charge pump unit 140 by using a low pass filter. The high frequency component is removed and a direct current (DC) control voltage Vc for controlling the voltage regulation generator 180 is output.

상기 전압 조절 발생부(Voltage Controlled Oscillator: VCO)(180)는 상기 루프 필터부(160)로부터 수신된 직류 조절전압(Vc)에 비례하는 클럭 신호(clk1)(clk3)를 발생한다.The voltage controlled oscillator (VCO) 180 generates a clock signal clk1 and clk3 in proportion to the DC regulated voltage Vc received from the loop filter unit 160.

도 3a 및 도 3b는 도 2에 도시된 위상 검출부(120)의 회로 및 동작 파형도이다.3A and 3B are circuit and operation waveform diagrams of the phase detector 120 illustrated in FIG. 2.

상기 위상 검출부(120)는 상기 전압 조절 발생부(180)로 부터의 클럭 신호(clk1)(clk3)를 수신하여 다운 신호(DOWN)를 발생하는 익스크루시브 NOR 게이트(EXNOR)와, 상기 다운 신호(DOWN)를 수신하여 반전된 다운 바 신호(/DOWN)를 출력하는 인버터(INV1)와, 상기 전압 조절 발생부(180)로 부터의 클럭 신호(clk1)와 상기 외부 클럭(IN)을 수신하여 업 신호(UP)를 발생하는 익스크루시브 OR 게이트(EXOR)와, 상기 업 신호(UP)를 수신하여 반전된 업 바 신호(/UP)를 출력하는 인버터(INV2)로 구성된다.The phase detection unit 120 receives the clock signals clk1 and clk3 from the voltage regulation generator 180 to generate a down signal DOWN, and the down signal EXNOR and the down signal. Inverter INV1 for receiving (DOWN) and outputting the inverted down bar signal / DOWN, and receiving the clock signal clk1 and the external clock IN from the voltage regulation generator 180. An exclusive OR gate EXOR for generating an up signal UP and an inverter INV2 for receiving the up signal UP and outputting an inverted up bar signal / UP.

도 3b의 EXNOR 게이트(EXNOR) 및 EXOR 게이트(EXOR)의 출력이 듀티(duty)가 50%이고 일정한 펄스 형태를 가질 때 - 즉, 락킹(Locking)되었을 때 - 두 입력 신호 사이의 위상차는 90°가 된다. 이 때의 위상 검출부(120) 출력 펄스의 평균 전압은 반전압(Vcc/2)이 된다.When the outputs of the EXNOR gate EXNOR and EXOR gate EXOR of FIG. Becomes At this time, the average voltage of the output pulses of the phase detector 120 is half voltage (Vcc / 2).

도 4a 및 도 4b는 도 2에 도시된 위상 주파수 검출부(110)의 회로 및 동작 파형도이다.4A and 4B are circuit and operation waveform diagrams of the phase frequency detector 110 shown in FIG. 2.

상기 위상 주파수 검출부(110)는 전원 전압(Vcc)을 입력 신호(D)로, 상기 전압 조절 발생부(180)로 부터의 클럭 신호(clk1)를 클럭 입력신호(clk)로, 업(UP) 신호와 다운(DOWN) 신호를 조합한 신호를 리세트(Reset: R) 신호로 수신하여 상기 업(UP) 신호를 출력하는 제 1 동기식 RS 플립 플롭(112)과, 상기 전원 전압(Vcc)을 입력 신호(D)로, 상기 외부 클럭(IN)을 클럭 입력신호(clk)로, 업(UP) 신호와 다운(DOWN) 신호를 조합한 신호를 리세트(R) 신호로 수신하여 상기 다운(DOWN) 신호를 출력하는 제 2 동기식 RS 플립 플롭(114)과, 상기 업(UP) 신호와 다운(DOWN) 신호를 수신하여 조합된 신호를 상기 제 1 및 제 2 동기식 RS 플립 플롭(112)(114)의 리세트(R) 신호로 출력하는 AND 게이트(AND)와, 상기 업(UP) 신호를 수신하여 반전된 업 바 신호(/UP)를 출력하는 인버터(INV3)와, 상기 다운(DOWN) 신호를 수신하여 반전된 다운 바 신호(/DOWN)를 출력하는 인버터(INV4)로 구성된다.The phase frequency detector 110 converts a power supply voltage Vcc into an input signal D, a clock signal clk1 from the voltage regulation generator 180 into a clock input signal clk, and ups UP. A first synchronous RS flip-flop 112 which receives a signal combining the signal and the DOWN signal as a reset (R) signal and outputs the up signal, and the power supply voltage Vcc. As the input signal D, the external clock IN is used as a clock input signal clk, and a signal obtained by combining a UP signal and a DOWN signal as a reset R signal is received. A second synchronous RS flip flop 114 for outputting a DOWN signal and a combined signal by receiving the UP signal and a DOWN signal and combining the first and second synchronous RS flip flops 112 ( AND gate (AND) output as the reset (R) signal of 114, the inverter (INV3) for receiving the up (UP) signal and outputs the inverted up bar signal / UP, and the down (DOWN) A) can signal And it consists of an inverter (INV4) for outputting the turn-down bar signal (/ DOWN).

상기 위상 주파수 검출부(110)는 에지 트리거 방식을 사용하므로 신호의 듀티 래티오(Duty Ratio)와 무관하게 동작하며 업(UP)/다운(DOWN) 신호의 조합에 따라 전하 펌프의 출력이 '하이', '하이 임피던스', '로우'의 세 가지 상태를 가진다. 그러므로, PLL 회로는 이 세 가지 상태 사이를 천이하며 락킹 프로세스를 진행하고 PLL이 락(Lock)되었을 때는 '하이 임피던스' 상태로 되어 두 신호의 위상차는 0이 된다.Since the phase frequency detector 110 uses an edge trigger method, the phase frequency detector 110 operates regardless of the duty ratio of the signal, and the output of the charge pump is 'high' according to the combination of the UP and DOWN signals. It has three states, 'high impedance' and 'low'. Therefore, the PLL circuit transitions between these three states and goes through a locking process, and when the PLL is locked, it is in a 'high impedance' state, and the phase difference of the two signals becomes zero.

도 5a는 도 2에 도시된 전압 조절 발생부(180)의 회로도로서, 4단의 디퍼런셜 딜레이 셀(Differential Delay Cell)(182∼188)로 구성된다.FIG. 5A is a circuit diagram of the voltage regulation generator 180 shown in FIG. 2, and is configured of four stages of differential delay cells 182 to 188.

도시된 바와 같이, 마지막 단의 피드백 출력을 처음 단에 반대로 연결함으로써 딜레이 셀단을 짝수로 구현한 것이다. 상기 전압 조절 발생부(180)의 전체 단을 짝수로 구성하였으므로 중간 단에서 얻은 전압 조절 발생부(180)의 출력은 마지막 단의 출력의 위상과 90도의 차이가 나므로 멀티페이스(Multiphase) 출력을 쉽게 얻을 수 있다.As shown, the delay cell stage is evenly implemented by connecting the feedback output of the last stage to the first stage in reverse. Since the entire stage of the voltage regulation generator 180 is configured as an even number, the output of the voltage regulation generator 180 obtained in the middle stage is 90 degrees different from the phase of the output of the last stage, so that the multiphase output can be easily performed. You can get it.

도 5b는 도 5a에 도시된 차동 딜레이 셀(182∼188)의 회로도로서, 전원 전압(Vcc)과 노드(Nd1) 사이에 다이오드 구조로 연결된 PMOS 트랜지스터(P1)와, 상기 전원 전압(Vcc)과 노드(Nd2) 사이에 다이오드 구조로 연결된 PMOS 트랜지스터(P4)와, 제어 신호(CTL)에 의해 상기 노드(Nd1)로 전원 전압(Vcc)을 전송하는 PMOS 트랜지스터(P2)와, 상기 제어 신호(CTL)에 의해 상기 노드(Nd2)로 전원 전압(Vcc)을 전송하는 PMOS 트랜지스터(P3)와, 상기 전하 펌프부(140)로부터 수신된 신호(IN)에 의해 상기 노드(Nd1)의 신호를 노드(Nd3)로 전송하는 NMOS 트랜지스터(N1)와, 상기 전하 펌프부(140)로부터 수신된 신호(IN)의 반전 신호(/IN)에 의해 상기 노드(Nd2)의 신호를 노드(Nd3)로 전송하는 NMOS 트랜지스터(N2)와, 바이어스 신호(bias)에 의해 상기 노드(Nd3)의 신호를 접지 전압(Vss)으로 방전시키는 NMOS 트랜지스터(N3)로 구성된다.FIG. 5B is a circuit diagram of the differential delay cells 182 to 188 shown in FIG. 5A, and a PMOS transistor P1 connected in a diode structure between a power supply voltage Vcc and a node Nd1, and the power supply voltage Vcc. A PMOS transistor P4 connected in a diode structure between the nodes Nd2, a PMOS transistor P2 for transmitting a power supply voltage Vcc to the node Nd1 by a control signal CTL, and the control signal CTL The signal of the node Nd1 is transferred to the node Nd2 by the PMOS transistor P3 for transmitting the power supply voltage Vcc to the node Nd2 and the signal IN received from the charge pump unit 140. Transmitting the signal of the node Nd2 to the node Nd3 by the NMOS transistor N1 transmitted to the Nd3 and the inversion signal / IN of the signal IN received from the charge pump unit 140. NMOS transistor N2 and an NMOS transistor for discharging the signal of node Nd3 to ground voltage Vss by bias signal bias It is configured as an emitter (N3).

도 6은 도 2에 도시된 전하 펌프부(140)의 회로도로서, 상기 멀티플렉서부(130)를 통해 수신된 상기 위상 검출부(120) 또는 상기 위상 주파수검출부(110)의 출력 신호를 수신하여 이들 신호에 따라 차동 증폭된 신호를 발생하는 차동 증폭부(142)와, 제 1 제어 신호에 의해 상기 차동 증폭단(142)으로 전원 전압(Vcc)을 공급하며 상기 제 1 제어 신호가 액티브된 상태에서 상기 차동 증폭단(142)으로 공급되는 전원 전압(Vcc)의 양을 제 2 제어 신호에 의해 조절하는 풀업 바이어스부(144)와, 제 3 제어 신호에 의해 상기 차동 증폭단(142)으로 접지 전압(Vss)을 공급하며 상기 제 3 제어 신호가 액티브된 상태에서 상기 차동 증폭단(142)에서 접지 전압단자(Vss)로 흐르는 전류의 양을 상기 제 2 제어 신호에 의해 조절하는 풀다운 바이어스부(146)와, 상기 전원 전압단자(Vcc)과 접지 전압단자(Vss) 사이에 병렬로 연결된 저항에 의해 상기 제 1 및 제 3 제어 신호를 발생하는 바이어스 제어부(148)로 구성된다.FIG. 6 is a circuit diagram of the charge pump 140 shown in FIG. 2, and receives the output signals of the phase detector 120 or the phase frequency detector 110 received through the multiplexer 130, and then receives these signals. A differential amplification unit 142 for generating a differentially amplified signal according to the present invention, and supplying a power supply voltage Vcc to the differential amplifying stage 142 by a first control signal, wherein the differential signal is activated when the first control signal is active. The pull-up bias unit 144 adjusts the amount of the power supply voltage Vcc supplied to the amplifier stage 142 by the second control signal, and the ground voltage Vss is supplied to the differential amplifier stage 142 by the third control signal. A pull-down bias unit 146 for supplying a current flowing from the differential amplifier terminal 142 to the ground voltage terminal Vss by the second control signal when the third control signal is activated and the power supply; Voltage terminal (Vcc) and ground It is constituted by a resistance connected in parallel to the voltage terminal (Vss) to bias control unit 148 for generating the first and the third control signal.

상기 차동 증폭부(142)는 노드(Nd11)와 노드(Nd12) 사이에 직렬로 연결되며 상기 멀티플렉서부(130)로부터 수신된 업(UP) 신호와 다운(DOWN) 신호에 의해 각각 동작되는 PMOS 트랜지스터(P11)와 NMOS 트랜지스터(N11)와, 상기 노드(Nd11)와 출력 단자(out) 사이에 연결되며 상기 멀티플렉서부(130)로부터 수신된 업 바 신호(/UP)에 의해 스위칭되는 PMOS 트랜지스터(P12)와, 상기 출력 단자(out)와 상기 노드(Nd12) 사이에 연결되며 상기 멀티플렉서부(130)로부터 수신된 다운 바 신호(/DOWN)에 의해 스위칭되는 NMOS 트랜지스터(N12)로 구성된다.The differential amplifier 142 is connected in series between a node Nd11 and a node Nd12 and is operated by a PMOS transistor and an DOWN signal respectively received from the multiplexer 130. A PMOS transistor P12 connected between a P11 and an NMOS transistor N11 and the node Nd11 and an output terminal out and switched by an up bar signal / UP received from the multiplexer 130. ) And an NMOS transistor N12 connected between the output terminal out and the node Nd12 and switched by a down bar signal / DOWN received from the multiplexer 130.

상기 풀업 바이어스부(144)는 상기 전원 전압단자(Vcc)와 상기 차동 증폭부(142)의 노드(Nd11) 사이에 직렬로 연결되며 상기 제 1 제어신호와 제 2 제어 신호(lock)에 의해 각각 스위칭되는 PMOS 트랜지스터(P14) 및 전달 게이트(G1)와, 상기 전원 전압단자(Vcc)와 상기 노드(Nd11) 사이에 접속되며 상기 제 1 제어신호에 의해 스위칭되는 PMOS 트랜지스터(P5)로 구성된다.The pull-up bias unit 144 is connected in series between the power supply voltage terminal Vcc and the node Nd11 of the differential amplifier 142 and is respectively connected by the first control signal and the second control signal lock. A PMOS transistor P14 and a transfer gate G1 to be switched, and a PMOS transistor P5 connected between the power supply voltage terminal Vcc and the node Nd11 and switched by the first control signal.

상기 풀다운 바이어스부(146)는 상기 차동 증폭부(142)의 노드(Nd12)와 접지 전압단자(Vss) 사이에 직렬로 연결되며 상기 제 2 제어신호(lock)와 제 3 제어 신호에 의해 각각 스위칭되는 전달 게이트(G2) 및 NMOS 트랜지스터(N15)와, 상기 노드(Nd12)와 접지 전압단자(Vss) 사이에 접속되며 상기 제 3 제어신호에 의해 스위칭되는 NMOS 트랜지스터(N16)로 구성된다.The pull-down bias unit 146 is connected in series between the node Nd12 of the differential amplifier 142 and the ground voltage terminal Vss and is switched by the second control signal lock and the third control signal, respectively. The transfer gate G2 and the NMOS transistor N15, and the NMOS transistor N16 connected between the node Nd12 and the ground voltage terminal Vss and switched by the third control signal.

상기 바이어스 제어부(148)는 상기 전원 전압단자(Vcc)와 상기 제 3 제어 신호를 전송하는 노드(Nd15) 사이에 접속된 저항(R1)과, 상기 전원 전압단자(Vcc)와 상기 제 1 제어 신호를 전송하는 노드(Nd16) 사이에 다이오드 구조로 연결된 PMOS 트랜지스터(P13)와, 상기 노드(Nd15)의 신호에 의해 상기 노드(Nd15) 및 상기 노드(Nd16)의 신호를 접지 전압(Vss)으로 방전시키는 커런트 미러 구조의 NMOS 트랜지스터(N13)(N14)로 구성된다.The bias control unit 148 includes a resistor R1 connected between the power supply voltage terminal Vcc and the node Nd15 for transmitting the third control signal, the power supply voltage terminal Vcc, and the first control signal. Discharges the signals of the node Nd15 and the node Nd16 to the ground voltage Vss by the signal of the node Nd15 and the PMOS transistor P13 connected in a diode structure between the node Nd16 transmitting the NMOS transistors N13 and N14 having a current mirror structure.

상기 구성을 갖는 PLL 회로는 초기 동작에서는 루프 밴드폭을 크게하고 일정시간이 지나 입력 신호(IN)와 기준 신호, 즉 전압 조절 발생부(180)로 부터의 클럭 신호(clk1)의 위상 차이가 줄어들면 루프 밴드폭을 작게하여 락 타임(locked time)을 줄이고 노이즈를 줄였다.The PLL circuit having the above configuration increases the loop bandwidth in an initial operation and decreases the phase difference between the input signal IN and the reference signal, that is, the clock signal clk1 from the voltage regulation generator 180 after a predetermined time. The smaller loop bandwidth reduces the lock time and reduces the noise.

루프 밴드폭은 다음과 같이 나타낼 수 있다.The loop bandwidth can be expressed as follows.

밴드폭(Bandwidth: BW) = IP·KVCO·RBandwidth (Bandwidth: BW) P = I · R · K VCO

여기서, KVCO및 R는 상수이고, IP는 변수이다.Where K VCO and R are constants and I P is a variable.

초기 PLL 동작은 빠른 락(lock)을 수행해야 하므로 IP를 높여 K를 크게한다.Initial PLL operation requires fast lock, so increase I P to increase K.

그리고 나서, 상기 락 스테이트부(150)에서는 입력 펄스를 카운터하여 미리 세팅된 값에 도달되면 락 신호(lock)를 보내 전하 펌프부(140)의 전류원(I)의 크기를 바꾸게 된다. 즉, 상기 락 스테이트부(150)에서 발생된 락(lock) 신호에 의해 상기 전하 펌프부(140)의 풀업 바이어스부(144)의 전달 게이트(G1)를 턴오프함으로써 PMOS 트랜지스터(P14)를 통해 전류가 흐르는 것을 차단하게 된다. 따라서, PLL 회로의 동작 초기에 병렬로 접속된 풀업 바이어스부(144)의 PMOS 트랜지스터(P14)(P15)를 통해 차동 증폭부(140)의 풀업 노드로 전원 전압(Vcc)이 공급되는 것을 락 스테이트부(150)에서 발생된 락 신호(lock)에 의해 두 개의 경로 중 하나의 경로를 차단시킴으로써 차동 증폭부(142)의 풀업 노드로 흐르는 전류의 양을 조절할 수 있다.Then, the lock state unit 150 counters an input pulse and sends a lock signal to change the size of the current source I of the charge pump unit 140 when the preset value is reached. That is, by turning off the transfer gate G1 of the pull-up bias unit 144 of the charge pump unit 140 by the lock signal generated by the lock state unit 150 through the PMOS transistor P14. It blocks the flow of current. Therefore, the lock state that the power supply voltage Vcc is supplied to the pull-up node of the differential amplifier 140 through the PMOS transistors P14 and P15 of the pull-up bias unit 144 connected in parallel at the beginning of the operation of the PLL circuit. The amount of current flowing to the pull-up node of the differential amplifier 142 may be adjusted by blocking one of two paths by the lock signal generated by the block 150.

마찬가지로, 상기 락 스테이트부(150)에서 발생된 락(lock) 신호에 의해 상기 전하 펌프부(140)의 풀다운 바이어스부(146)의 전달 게이트(G2)를 턴오프함으로써 NMOS 트랜지스터(N15)를 통해 전류가 흐르는 것을 차단하게 된다. 따라서, PLL 회로의 동작 초기에 병렬로 접속된 풀다운 바이어스부(146)의 NMOS 트랜지스터(N15)(N16)를 통해 차동 증폭부(142)의 풀다운 노드로 접지 전압(Vss)이 공급되는 것을 락 스테이트부(150)에서 발생된 락 신호(lock)에 의해 두 개의 경로 중 하나의 경로를 차단시킴으로써 차동 증폭부(142)의 풀다운 노드로 흐르는 전류의 양을 조절할 수 있다.Similarly, by turning off the transfer gate G2 of the pull-down bias unit 146 of the charge pump unit 140 by the lock signal generated by the lock state unit 150 through the NMOS transistor N15. It blocks the flow of current. Accordingly, the lock state of supplying the ground voltage Vss to the pull-down node of the differential amplifier 142 through the NMOS transistors N15 and N16 of the pull-down bias unit 146 connected in parallel at the beginning of the operation of the PLL circuit. The amount of current flowing to the pull-down node of the differential amplifier 142 may be adjusted by blocking one of two paths by the lock signal generated by the block 150.

이와 같이, 차동 증폭부(142)의 풀업 및 풀다운 노드로 흐르는 전류의 양을 조절함으로써 루프 밴드폭을 반(1/2)으로 줄일 수 있다.As such, the loop bandwidth can be reduced by half (1/2) by adjusting the amount of current flowing through the pull-up and pull-down nodes of the differential amplifier 142.

한편, 상기 멀티플렉서부(130)는 상기 위상 주파수 검출부(110)로 부터의 출력 신호를 상기 전하 펌프부(140)로 전달하던 것을 상기 락 스테이트부(150)에서 발생된 락 신호(lock)에 의해 상기 위상 검출부(120)로 부터의 출력 신호를 상기 전하 펌프부(140)로 전달하게 된다.Meanwhile, the multiplexer unit 130 transmits the output signal from the phase frequency detector 110 to the charge pump unit 140 by a lock signal generated by the lock state unit 150. The output signal from the phase detector 120 is transferred to the charge pump 140.

이때, 상기 위상 검출부(120)는 도 3a에 도시한 바와 같이, EXOR 게이트로 구성되어 있기 때문에 입력 신호(IN)의 코드 미싱(code missing)인 경우에도 출력은 원래 입력 신호로 복원되어 출력된다. 즉, 클럭 복원 기능을 한다. 이러한 기능은 OSD나 TV 신호의 수평 동기신호가 미싱되었을 때도 유용하게 사용될 수 있다.In this case, since the phase detector 120 is configured as an EXOR gate as shown in FIG. 3A, the output is restored to the original input signal and output even in the case of code missing of the input signal IN. That is, the clock recovery function. This can also be useful when the horizontal sync signal of an OSD or TV signal is missing.

또한, 본 발명의 PLL 회로는 전류원을 제어하지 않고 전압 조절 발생부(180)의 이득, 즉 밴드폭(BW) = IP·KVCO·R 에서 KVCO를 제어하거나 R을 제어하여 밴드폭을 변화시킬 수가 있다.In addition, the PLL circuit of the present invention controls the band width by controlling K VCO or controlling R at the gain of the voltage regulation generator 180, that is, the bandwidth BW = I P · K VCO · R without controlling the current source. You can change it.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 PLL 회로에 의하면, 초기 동작시에는 루프 밴드폭을 크게하고 일정시간이 지나 입력 신호와 기준 신호의 위상 차이가 줄어들면 루프 밴드폭을 작게하므로써, 락 타임(locked time)을 줄이고 노이즈를 줄일 수 있다.As described above, according to the PLL circuit according to the present invention, the loop bandwidth is increased during initial operation and the loop bandwidth is reduced when the phase difference between the input signal and the reference signal decreases after a predetermined time, thereby reducing the lock time ( locked time) and reduce noise.

아울러 본 발명의 바람직한 실시예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가등이 가능할 것이며, 이러한 수정 변경등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.In addition, preferred embodiments of the present invention are disclosed for the purpose of illustration, those skilled in the art will be able to various modifications, changes, additions, etc. within the spirit and scope of the present invention, these modifications and changes should be seen as belonging to the following claims. something to do.

Claims (20)

반도체 메모리 장치의 페이스 락 루프(PLL) 회로에 있어서,In a face lock loop (PLL) circuit of a semiconductor memory device, 외부 클럭과 제 1 및 제 2 내부 클럭을 수신하여 상기 제 1 내부 클럭과 상기 제 2 내부 클럭 그리고 상기 외부 클럭과 상기 제 1 내부 클럭을 각각 주기적으로 비교하여 두 신호의 위상차에 따라 4개의 업/다운 신호를 발생하는 위상 검출부와,Receiving an external clock and first and second internal clocks and periodically comparing the first internal clock and the second internal clock and the external clock and the first internal clock, respectively, according to the phase difference of the two signals, A phase detector for generating a down signal, 상기 외부 클럭과 상기 제 1 내부 클럭을 수신하여 두 신호의 위상차에 따라 4개의 업/다운 신호를 발생하는 위상 주파수 검출부와,A phase frequency detector for receiving the external clock and the first internal clock and generating four up / down signals according to a phase difference between the two signals; 상기 위상 검출부로부터 수신된 신호 또는 상기 위상 주파수 검출부로부터 수신된 신호를 제 1 제어 신호에 의해 선택하여 출력하는 멀티플렉서부와,A multiplexer unit which selects and outputs a signal received from the phase detector or a signal received from the phase frequency detector by a first control signal; 상기 멀티플렉서부를 통해 수신된 상기 위상 검출부 또는 상기 위상 주파수 검출부로 부터의 출력 신호에 따라 일정한 신호를 발생하며, 상기 제 1 제어 신호에 의해 회로로 공급되는 전류원을 조절하는 전하 펌프부와,A charge pump unit which generates a constant signal according to the output signal from the phase detector or the phase frequency detector received through the multiplexer, and regulates a current source supplied to the circuit by the first control signal; 상기 외부 클럭을 카운터하여 미리 세팅된 값에 도달되면 상기 멀티플렉서부와 상기 전하 펌프부로 상기 제 1 제어 신호를 발생하는 락 스테이트부와,A lock state unit for generating the first control signal to the multiplexer unit and the charge pump unit when the external clock is countered and a preset value is reached; 상기 전하 펌프부로부터 발생된 신호를 수신하여 이 신호에 비례하는 또는 반비례하는 주파수와 위상을 갖는 신호를 발생하는 전압 조절 발생부를 구비한 것을 특징으로 하는 페이스 락 루프(PLL) 회로.And a voltage regulation generator which receives a signal generated from the charge pump unit and generates a signal having a frequency and a phase proportional to or inversely proportional to the signal. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전하 펌프부와 상기 전압 조절 발생부 사이에 저역 통과 필터부가 추가로 구비된 것을 특징으로 하는 페이스 락 루프(PLL) 회로.A low pass filter unit is further provided between the charge pump unit and the voltage regulation generating unit. 제 2 항에 있어서, 상기 저역 통과 필터부는,The method of claim 2, wherein the low pass filter, 상기 전하 펌프부와 상기 전압 조절 발생부 사이에 연결된 노드와 접지 전압 사이에 병렬로 접속된 제 1 및 제 2 커패시터와, 상기 제 1 커패시터의 일측에 접속된 저항을 구비한 것을 특징으로 하는 페이스 락 루프(PLL) 회로.And a first and second capacitors connected in parallel between a node connected between the charge pump unit and the voltage regulation generating unit and a ground voltage, and a resistor connected to one side of the first capacitor. Loop (PLL) circuit. 제 3 항에 있어서, 상기 저역 통과 필터부는,The method of claim 3, wherein the low pass filter, 상기 전하 펌프부와 상기 전압 조절 발생부 사이에 상기 제 1 제어 신호에 의해 스위칭되는 스위칭 소자를 추가로 구비한 것을 특징으로 하는 페이스 락 루프(PLL) 회로.And a switching element that is switched by the first control signal between the charge pump section and the voltage regulation generation section. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 스위칭 소자는 전달 게이트인 것을 특징으로 하는 페이스 락 루프(PLL) 회로.And the switching element is a transfer gate. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 스위칭 소자는 PMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 페이스 락루프(PLL) 회로.And the switching element is a PMOS transistor. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 스위칭 소자는 NMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 페이스 락 루프(PLL) 회로.The switching element is a phase lock loop (PLL) circuit, characterized in that the NMOS transistor. 제 1 항에 있어서, 상기 위상 검출부는,The method of claim 1, wherein the phase detection unit, 상기 제 1 및 제 2 내부 클럭을 수신하여 다운 신호(DOWN)를 발생하는 익스크루시브 NOR 게이트와,An exclusive NOR gate receiving the first and second internal clocks and generating a down signal DOWN; 상기 다운 신호(DOWN)를 수신하여 반전된 다운 바 신호(/DOWN)를 출력하는 제 1 인버터와,A first inverter receiving the down signal DOWN and outputting an inverted down bar signal / DOWN; 상기 제 1 내부 클럭과 상기 외부 클럭을 수신하여 업 신호(UP)를 발생하는 익스크루시브 OR 게이트와,An exclusive OR gate configured to receive the first internal clock and the external clock and generate an up signal UP; 상기 업 신호(UP)를 수신하여 반전된 업 바 신호(/UP)를 출력하는 제 2 인버터로 구성된 것을 특징으로 하는 페이스 락 루프(PLL) 회로.And a second inverter configured to receive the up signal (UP) and output an inverted up bar signal (/ UP). 제 1 항에 있어서, 상기 위상 주파수 검출부는,The method of claim 1, wherein the phase frequency detector, 전원 전압을 입력 신호로, 상기 제 1 내부 클럭을 클럭 입력신호로, 업(UP) 신호와 다운(DOWN) 신호를 조합한 신호를 리세트 신호로 수신하여 상기 업(UP) 신호를 발생하는 제 1 동기식 플립 플롭과,Generating a UP signal by receiving a power supply voltage as an input signal, receiving the first internal clock as a clock input signal, and a signal combining a UP signal and a DOWN signal as a reset signal; 1 synchronous flip flop, 상기 전원 전압을 입력 신호로, 상기 외부 클럭을 클럭 입력신호로, 상기 업(UP) 신호와 상기 다운(DOWN) 신호를 조합한 신호를 리세트 신호로 수신하여 상기 다운(DOWN) 신호를 발생하는 제 2 동기식 플립 플롭과,Generating a DOWN signal by receiving the power voltage as an input signal, the external clock as a clock input signal, and receiving a combination signal of the UP signal and the DOWN signal as a reset signal; A second synchronous flip flop, 상기 업(UP) 신호와 다운(DOWN) 신호를 수신하여 조합된 신호를 상기 제 1 및 제 2 동기식 플립 플롭의 리세트 신호로 발생하는 AND 게이트와,An AND gate receiving the UP signal and the DOWN signal and generating a combined signal as a reset signal of the first and second synchronous flip-flops; 상기 업(UP) 신호를 수신하여 반전된 업 바 신호(/UP)를 출력하는 제 1 인버터와,A first inverter receiving the up signal and outputting an inverted up bar signal / UP; 상기 다운(DOWN) 신호를 수신하여 반전된 다운 바 신호(/DOWN)를 출력하는 제 2 인버터로 구성된 것을 특징으로 하는 페이스 락 루프(PLL) 회로.And a second inverter configured to receive the down signal and output an inverted down bar signal (/ DOWN). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전압 조절 발생부는 4단의 디퍼런셜 딜레이 셀(Differential Delay Cell)로 구성된 것을 특징으로 하는 페이스 락 루프(PLL) 회로.And the voltage regulation generator comprises four stages of differential delay cells. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 디퍼런셜 딜레이 셀은 상기 전하 펌프부로부터 수신된 신호와 이 신호의 반전된 신호를 수신하여 차동 증폭된 신호를 출력하는 차동 증폭기로 구성된 것을 특징으로 하는 페이스 락 루프(PLL) 회로.And the differential delay cell comprises a differential amplifier for receiving a signal received from the charge pump unit and an inverted signal of the signal and outputting a differentially amplified signal. 제 1 항에 있어서, 상기 전하 펌프부는,The method of claim 1, wherein the charge pump unit, 상기 멀티플렉서부를 통해 수신된 상기 위상 검출부 또는 상기 위상 주파수 검출부의 출력 신호를 수신하여 이들 신호에 따라 차동 증폭된 신호를 발생하는 차동 증폭부와,A differential amplifier which receives an output signal of the phase detector or the phase frequency detector received through the multiplexer and generates differentially amplified signals according to these signals; 제 2 제어 신호에 의해 상기 차동 증폭부로 전원 전압을 공급하며 상기 제 2 제어 신호가 액티브된 상태에서 상기 차동 증폭부로 공급되는 전원 전압의 양을 상기 제 1 제어 신호에 의해 조절하는 풀업 바이어스부와,A pull-up bias unit which supplies a power supply voltage to the differential amplifier by a second control signal and adjusts the amount of the power supply voltage supplied to the differential amplifier by the first control signal when the second control signal is activated; 제 3 제어 신호에 의해 상기 차동 증폭부로 접지 전압을 공급하며 상기 제 3 제어 신호가 액티브된 상태에서 상기 차동 증폭부에서 접지 전압단자로 흐르는 전류의 양을 상기 제 1 제어 신호에 의해 조절하는 풀다운 바이어스부와,A pull-down bias supplying a ground voltage to the differential amplifier by a third control signal and adjusting the amount of current flowing from the differential amplifier to the ground voltage terminal by the first control signal when the third control signal is active; Wealth, 상기 전원 전압단자와 접지 전압단자 사이에 병렬로 연결된 저항에 의해 상기 제 2 및 제 3 제어 신호를 발생하는 바이어스 제어부로 구성된 것을 특징으로 하는 페이스 락 루프(PLL) 회로.And a bias controller configured to generate the second and third control signals by a resistor connected in parallel between the power supply voltage terminal and the ground voltage terminal. 제 12 항에 있어서, 상기 차동 증폭부는,The method of claim 12, wherein the differential amplifier, 풀업 노드와 풀다운 노드 사이에 직렬로 연결되며 상기 멀티플렉서부로부터 수신된 업(UP) 신호와 다운(DOWN) 신호에 의해 각각 동작되는 제 1 PMOS 트랜지스터와 제 1 NMOS 트랜지스터와,A first PMOS transistor and a first NMOS transistor connected in series between a pull-up node and a pull-down node and operated by an UP signal and a DOWN signal received from the multiplexer, 상기 노드와 출력 단자 사이에 연결되며 상기 멀티플렉서부로부터 수신된 업 바 신호에 의해 스위칭되는 제 2 PMOS 트랜지스터와,A second PMOS transistor connected between the node and an output terminal and switched by an up bar signal received from the multiplexer unit; 상기 출력 단자와 상기 풀다운 노드 사이에 연결되며 상기 멀티플렉서부로부터 수신된 다운 바 신호(/DOWN)에 의해 스위칭되는 제 2 NMOS 트랜지스터로 구성된 것을 특징으로 하는 페이스 락 루프(PLL) 회로.And a second NMOS transistor coupled between the output terminal and the pull-down node and switched by a down bar signal (/ DOWN) received from the multiplexer section. 제 13 항에 있어서, 상기 풀업 바이어스부는,The method of claim 13, wherein the pull-up bias unit, 상기 전원 전압단자와 상기 풀업 노드 사이에 직렬로 연결되며 상기 제 2 제어신호와 상기 제 1 제어 신호에 의해 각각 스위칭되는 제 3 PMOS 트랜지스터 및 제 1 스위칭 소자와,A third PMOS transistor and a first switching element connected in series between the power supply voltage terminal and the pull-up node and switched by the second control signal and the first control signal, respectively; 상기 전원 전압단자와 상기 풀업 노드 사이에 접속되며 상기 제 2 제어신호에 의해 스위칭되는 제 4 PMOS 트랜지스터로 구성된 것을 특징으로 하는 페이스 락 루프(PLL) 회로.And a fourth PMOS transistor connected between the power supply voltage terminal and the pull-up node and switched by the second control signal. 제 14 항에 있어서,The method of claim 14, 상기 제 1 스위칭 소자는 전달 게이트로 구성된 것을 특징으로 하는 페이스 락 루프(PLL) 회로.And said first switching element comprises a transfer gate. 제 14 항에 있어서, 상기 풀다운 바이어스부는,The method of claim 14, wherein the pull-down bias unit, 상기 풀다운 노드와 접지 전압단자 사이에 직렬로 연결되며 상기 제 1 제어신호와 제 3 제어 신호에 의해 각각 스위칭되는 제 2 스위칭 소자 및 제 3 NMOS 트랜지스터와,A second switching element and a third NMOS transistor connected in series between the pull-down node and a ground voltage terminal and respectively switched by the first control signal and a third control signal; 상기 풀다운 노드와 접지 전압단자 사이에 접속되며 상기 제 3 제어신호에의해 스위칭되는 제 4 NMOS 트랜지스터로 구성된 것을 특징으로 하는 페이스 락 루프(PLL) 회로.And a fourth NMOS transistor connected between the pull-down node and a ground voltage terminal and switched by the third control signal. 제 16 항에 있어서,The method of claim 16, 상기 제 2 스위칭 소자는 전달 게이트로 구성된 것을 특징으로 하는 페이스 락 루프(PLL) 회로.And said second switching element comprises a transfer gate. 제 16 항에 있어서, 상기 바이어스 제어부는,The method of claim 16, wherein the bias control unit, 상기 전원 전압단자와 상기 제 3 제어 신호를 전송하는 제 1 노드 사이에 접속된 제 1 저항과,A first resistor connected between the power supply voltage terminal and a first node for transmitting the third control signal; 상기 전원 전압단자와 상기 제 2 제어 신호를 전송하는 제 2 노드 사이에 접속된 제 2 저항과,A second resistor connected between the power supply voltage terminal and a second node for transmitting the second control signal; 상기 제 1 노드의 신호에 의해 상기 제 1 노드 및 상기 제 2 노드의 신호를 접지 전압으로 방전시키는 커런트 미러 구조의 제 5 및 제 6 NMOS 트랜지스터로 구성된 것을 특징으로 하는 페이스 락 루프(PLL) 회로.And a fifth and sixth NMOS transistors having current mirror structures that discharge the signals of the first node and the second node to ground voltages by the signal of the first node. 제 18 항에 있어서,The method of claim 18, 상기 제 2 저항은 다이오드 구조를 갖는 PMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 페이스 락 루프(PLL) 회로.And the second resistor is a PMOS transistor having a diode structure. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전압 조절 발생부의 전압 이득을 조절하여 신호의 밴드폭을 변화시키는 것을 특징으로 하는 페이스 락 루프(PLL) 회로.And controlling the voltage gain of the voltage regulation generator to change the bandwidth of the signal.
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