KR20030016057A - 플래시 메모리 - Google Patents
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- G11C29/78—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
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- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/08—Address circuits; Decoders; Word-line control circuits
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- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
Description
Claims (5)
- 복수개의 셀들을 갖는 플래시 메모리 셀 어레이와 불량 셀 발생시에 이를 대체하기 위한 리던던시 메모리 셀들;상기 플래시 메모리 셀 어레이와 리던던시 메모리 셀들을 액세스하기 위한 로우 어드레스를 디코딩하는 각각의 셀 X-디코더와 리던던시 X-디코더 그리고 컬럼 어드레스를 디코딩하는 Y-디코더;상기 디코딩된 셀 로우 어드레스를 이용하여 불량 셀 발생시에 어드레스의 점프를 위해 점프 어드레스를 지정하는 셀 어드레스 제어 블록;상기 디코딩된 리던던시 로우 어드레스를 이용하여 리던던시 메모리 셀의 특정 셀을 액세스하는 리던던시 어드레스 제어 블록;리드/라이트 동작시의 에러 발생시에 불량 셀을 정의하기 위해 세팅되는 값을 달리하여 해당 어드레스가 점프되도록 하는 셀 태그 블록;상기 셀 태그 블록의 세팅값에 따라 에러가 발생한 플래시 메모리 셀 어레이의 로우 어드레스를 가져와서 그 영역으로 치환되도록 하는 리던던시 태그 블록을 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리.
- 제 1 항에 있어서, 점프 어드레스 블록은 15 비트의 크기를 갖고, 각각의 리던던시 태그 블록,셀 태그 블록은 각가 1 비트의 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리.
- 제 1 항에 있어서, 에러가 발생한 플래시 메모리 셀 어레이의 로우 어드레스를 가져와서 그 영역으로 치환되도록 한후 새로운 에러 영역이 발생하면 셀 태그 블록의 해당 영역값을 새롭게 세팅하고 상기한 치환 과정을 반복하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리.
- 제 1 항에 있어서, 플래시 메모리 셀 어레이에서 아무 문제가 없는 경우에는 태그 값의 새로운 세팅없이 셀 어드레스 제어 블록에서는 점프 어드레스 블록을 거치지 않고 직접 플래시 메모리 셀 어레이을 액세스하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리.
- 제 1 항에 있어서, 셀 태그 블록은 플래시 메모리 셀 어레이의 로우에 대응하여 각각의 영역이 구성되고 리던던시 태그 블록은 리던던시 메모리 셀의 로우에 대응하여 각각의 영역이 구성되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리.
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Family Applications (1)
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- 2001-08-20 KR KR10-2001-0049969A patent/KR100437826B1/ko active IP Right Grant
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