KR20030004742A - Wet etching apparatus for liquid crystal display - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An LCD wet etching device is provided to prevent the flowing or leaking of a liquid among adjacent units by mounting a prevention plate at an upper part of a boundary wall surface of each unit, thereby preventing the loss of the chemicals. CONSTITUTION: An LCD wet etching device includes a loader part for securing a substrate(305) to etch, an etching part supplied with an etching solution to carry out etching, a first rinsing part for removing the etching solution from the substrate, a mega sonic part for removing fine particles from the substrate by high frequency, a second rinsing part for removing the remaining from the substrate, an air knife part for removing the humidity from the substrate, a chemical tank for storing the etching solution, and a prevention plate(401) mounted on each boundary wall surface(302) of the respective units for preventing the introduction or leak of liquid(303) such as the etching solution sprayed from a nozzle(301), stripper, or DI water into adjacent units when a shutter(304) is opened.

Description

액정디스플레이의 습식 식각 장비{WET ETCHING APPARATUS FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY}Wet etching equipment of liquid crystal display {WET ETCHING APPARATUS FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY}

액정디스플레이의 습식 식각 장비에 관한 것으로, 상세하게는 트랙형 습식 식각 장비에서 발생하는 약액의 손실 및 혼합을 방지하기 위한 것이다.The present invention relates to a wet etching apparatus of a liquid crystal display, and in particular, to prevent loss and mixing of chemical liquids generated in a track type wet etching apparatus.

액정에 신호전압을 인가하고 차단하는 스위칭 역할을 하는 박막트랜지스터 어레이(thin film transistor array)는 여러 단계의 증착 및 식각 공정을 거쳐서 이루어진다.A thin film transistor array, which switches and applies a signal voltage to a liquid crystal, is formed through a plurality of deposition and etching processes.

도 1에 나타낸 박막트랜지스터를 통하여 그 구조와 기능을 상세히 설명한다.The structure and function will be described in detail through the thin film transistor shown in FIG.

박막트랜지스터는 유리 기판(101)위에 게이트(102)와 소오스(103) 그리고 드레인(104)의 세 개의 전극과, 액정셀에 전압을 인가하기 위한 화소 전극(105)과, 상기 게이트 전극에 양의 전압이 인가 될 때 전계에 의해서 소오스와 드레인 전극 사이에 전류가 흐르도록 하는 전도성 채널(conductive channel)을 형성하는 비정질 실리콘 채널 영역(106)과, 소자를 보호하기 위해 실리콘 질화막(SiNx)으로 형성된 보호막(107)으로 구성되어 있다. 박막트랜지스터는 전계에 의하여 전류의 흐름을 조절하는 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor)이다. 박막트랜지스터의 설계는 액정디스플레이의 패널에 의하여 얻을 수 있는 화질을 결정하는 가장 중요한 요소이다. 상기 완성된 박막트랜지스터가 만들어지기 위해서는 여러 번의 증착과 식각 공정이 이루어진다.The thin film transistor includes three electrodes of the gate 102, the source 103 and the drain 104 on the glass substrate 101, the pixel electrode 105 for applying a voltage to the liquid crystal cell, and the positive electrode to the gate electrode. An amorphous silicon channel region 106 that forms a conductive channel through which an electric current flows between the source and drain electrodes by an electric field when a voltage is applied, and a silicon nitride film SiN x to protect the device. It is comprised by the protective film 107. The thin film transistor is a field effect transistor that controls the flow of current by an electric field. The design of the thin film transistor is the most important factor in determining the image quality obtained by the panel of the liquid crystal display. In order to produce the completed thin film transistor, a plurality of deposition and etching processes are performed.

일반적으로 식각은 건식 식각 방법과 습식 식각 방법이 있다.In general, the etching is a dry etching method and a wet etching method.

건식 식각 방법은 플라즈마 가스를 이용하여 반도체층이나 금속등을 제거하는 방법으로 주로 화학작용에 의한 플라즈마 식각과, 아르곤(Ar)과 같은 불활성 기체를 이온화하여 기판에 가속시켜 식각 하고자 하는 원자들을 표면으로부터 제거하는 스퍼터링 식각과 상기 화학적 식각과 스퍼터링 식각을 조합한 이온 반응성 식각방법이 있다. 식각하고자 하는 물질에 따라 적절한 식각 방법을 선택하게 된다.The dry etching method is a method of removing a semiconductor layer or metal by using plasma gas. The plasma etching is mainly performed by chemical reaction, and an inert gas such as argon (Ar) is ionized to accelerate the substrate to be etched from the surface. There is an ion reactive etching method combining the sputtering etching to remove and the chemical etching and sputtering etching. An appropriate etching method is selected according to the material to be etched.

상기 건식 식각은 습식 식각에 비해 이방적으로 식각이 이루어지는 경향이 있다.The dry etching tends to be anisotropically etched compared to wet etching.

일반적으로 식각 용액을 이용하는 습식 식각 방식은 딥 식각(dip etching) 방식과 스프레이 식각(spray etching) 방식이 있다.In general, a wet etching method using an etching solution includes a dip etching method and a spray etching method.

딥 식각 방식은 식각 하고자 하는 시료를 식각용액에 완전히 담그는 것으로 등방적(isotropic)으로 식각 되는 경향이 있으며, 스프레이 방식은 식각 하고자 하는 시료 위에 노즐을 통해 식각 용액이 분사되어 식각이 이루어지는 방식으로 이방적(anisotropic)으로 식각이 이루어진다.The deep etching method is to completely immerse the sample to be etched into the etching solution, and the etching method tends to be isotropic. (anisotropic) is etched.

통상적으로 습식 식각 장비는 도 2a에 도시한 바와 같이 구성되어 있다.Typically, wet etching equipment is configured as shown in FIG. 2A.

식각 하고자 하는 기판이 놓이게 되는 로더부(201)와, 강한 산성 용액으로부터 로더부의 부식을 막기 위한 완충 공간으로 설치된 고립부(202)와, 식각 용액이 공급되어 실질적으로 식각이 이루어지는 식각부(203)와, 드레인부(204)와, 식각이 이루어진 기판 위에 존재하는 식각 용액을 씻어내기 위한 제1 세정부(205)와, 상기의 제1 세정부(205)에서 제거하지 못한 상기의 기판 위의 미세한 입자들을 고주파를 통해서 완전히 없애기 위한 메가 소닉(mega sonic)부(206)와, 메가 소닉 과정에서 상기의 기판에서 떨어져 나온 입자들이 녹아있는 세정액을 완전히 씻어내기 위한 제2 세정부(207)와, 다량의 나이프 형태의(knife) DI 물줄기가 액정디스플레이의 기판의 상하에서 뿌려지면서 기판을 이동시키는 아쿠아 나이프(aqua knife)부(208)와, 상기의 기판 위에 잔류하고 있는 물기가 외부로 제거되는 에어 나이프(air knife) 부분(209)과, 그리고 기판의 식각이 이루어지는 구간에 공급되어지는 식각 용액이 저장되어 있는 약액 저장소(chemical tank)로 구성되어 있다. 상기의 습식 식각 장비에서 식각과 세정은 상부에서 노즐을 통해 분사되어 나오는 스프레이 방식으로 이루어진다.The loader portion 201 on which the substrate to be etched is placed, the isolation portion 202 provided as a buffer space for preventing corrosion of the loader portion from a strong acid solution, and the etching portion 203 where the etching solution is supplied to be etched substantially. And a first cleaning part 205 for washing away the etching solution existing on the etched substrate, the drain part 204, and the fine substrate on the substrate that was not removed by the first cleaning part 205. A mega sonic unit 206 for completely removing particles through high frequency, a second cleaner 207 for completely washing away the cleaning liquid in which particles separated from the substrate in the mega sonic process are dissolved, and a large amount Aqua knife portion 208 for moving the substrate while the knife-like DI water is sprayed up and down the substrate of the liquid crystal display, and the water remaining on the substrate. That is composed of an air knife (air knife) portion 209 and, and the drug solution storage (chemical tank) in the etching solution are stored to be etched is supplied on the section made of the substrate being removed to the outside. Etching and cleaning in the wet etching equipment is a spray method that is injected through the nozzle from the top.

그러나, 상기 습식 장비 설계시 공간 제한을 고려하여 각각의 부분들은 최소한의 크기로 설계되어 있어서, 스프레이 노즐과 유니트의 경계벽과의 거리가 가까워져서 이에 따른 문제점들이 발생하게 된다.However, in consideration of space limitations in the design of the wet equipment, each part is designed to a minimum size, so that the distance between the spray nozzle and the boundary wall of the unit is close, thereby causing problems.

도 3를 이용하여 상기의 문제점을 상세히 설명한다.The above problem will be described in detail with reference to FIG. 3.

공간적 제한을 받는 상태에서 제작된 습식 식각 장비는 최소한의 크기로 설계되어야 하므로 도 3에 도시된 바와 같이, 스프레이용 노즐(301)과 유니트 경계벽(302)과의 거리가 가까워진다. 스프레이용 노즐(301)과 유니트 경계벽(302)과의 거리가 가까워지게 되면 노즐에서 분사되어 나오는 액체(303)의 각도에 의하여 경계면의 바로 옆에 부착되어 있는 첫 번째 노즐에서 분사되어 나오는 분사액은 유니트 경계벽(302)에 분사가 되며, 기판의 반송을 위해서 셔터(304)가 열린 경우에는 많은 양의 액체가 옆 유니트로 흘러 들어가게 된다. 유니트 경계벽 면의 셔터(304)가 닫힌 상태에서도 적은 양의 액체가 유출되는 현상이 발생한다.Since the wet etching equipment manufactured in the space-restricted state should be designed with a minimum size, as shown in FIG. 3, the distance between the spray nozzle 301 and the unit boundary wall 302 becomes close. When the distance between the spray nozzle 301 and the unit boundary wall 302 is close, the injection liquid ejected from the first nozzle attached to the boundary surface by the angle of the liquid 303 ejected from the nozzle is When sprayed to the unit boundary wall 302, a large amount of liquid flows into the next unit when the shutter 304 is opened for conveyance of the substrate. Even when the shutter 304 of the unit boundary wall surface is closed, a small amount of liquid leaks.

약액은 하부의 저장소에 저장된 상태로 일정한 레벨을 유지하면서 공급과 리턴을 연속적으로 진행하여, 일정 기간동안 사용해야 한다.The chemicals should be used for a period of time, with a continuous supply and return, while maintaining a constant level, stored in the reservoir below.

그러나, 저장소로 리턴이 되어야 할 상기의 약액이 옆에 있는 유니트로 흘러들어가 밖으로 흘려지게 되면 저장소에서 일정하게 유지되는 약액의 레벨이 낮아지게 되어된다. 약액을 저장하는 저장소의 레벨이 낮아지게 되면 저장소의 에러가 발생하여 더 이상 습식 식각 장비를 가동할 수 없게 된다.However, when the above-mentioned chemical liquid to be returned to the reservoir flows into the next unit and flows out, the level of the chemical liquid held constant in the reservoir is lowered. If the level of the reservoir storing the chemical liquid is lowered, an error of the reservoir will occur and the wet etching equipment can no longer be operated.

또한, 상기의 문제로 인하여 식각 공정을 진행중인 기판은 식각이 덜되거나, 과식각이 이루어지게 되고, 액정디스플레이의 기판 위에 약액의 얼룩 등이 생겨 공정 불량을 발생시킨다.In addition, due to the above problem, the substrate undergoing the etching process may be less etched or overetched, and chemical defects may occur on the substrate of the liquid crystal display, resulting in process defects.

경계면의 바로 옆에 부착되어 있는 첫 번째 노즐에서 분사되어 나오는 분사액이 다른 약액이 있는 부분으로 유출될 경우 약액 간의 혼합을 야기시켜 상기의 약액을 희석시키거나 오염시키게 되어 약액의 기능을 제대로 할 수 없게 한다.If the jetting liquid ejected from the first nozzle attached next to the interface spills into the part with other chemicals, it may cause mixing between the chemicals and dilute or contaminate the chemicals to function properly. It should not be.

또한, 경계면의 바로 옆에 부착되어 있는 첫 번째 노즐에서 분사되어 나오는 분사액이 DI 물이 있는 영역으로 유출하게 되면 DI 물의 약액과의 혼합 및 오염 생긴다.In addition, when the jetting liquid ejected from the first nozzle attached to the interface immediately flows into the DI water region, the DI water is mixed with the chemical liquid and contaminated.

상기의 약액간의 혼합 및 희석과 DI 물과의 혼합 및 오염은 액정디스플레이 기판의 불량을 유발하게 된다.The mixing and dilution between the chemical liquids and the mixing and contamination with the DI water cause a defect of the liquid crystal display substrate.

본 발명의 목적은 상기의 기술한 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로, 각각의 유니트의 경계벽의 상단에 방지판을 두어, 다른 종류의 약액의 혼합에 의해발생하는 공정 불량을 막는데 있다.An object of the present invention is to solve the above-described problems, and to prevent a process defect caused by mixing different types of chemical liquids by placing a barrier plate on the top of the boundary wall of each unit.

본 발명의 다른 목적은 약액이 저장소로 다시 리턴되지 않고 밖으로 흘러 유실되는 약액의 손실을 막는데 있다.Another object of the present invention is to prevent the loss of chemical liquids that flow out and are lost without being returned back to the reservoir.

본 발명의 다른 목적은 약액 저장소에서 약액의 일정한 레벨이 맞지 않아서 발생하는 장비 에러로 인한 공정 불량을 방지하는데 있다.Another object of the present invention is to prevent a process failure due to equipment error caused by a certain level of the chemical solution in the chemical reservoir.

기타 본 발명의 목적 및 특징은 이하의 발명의 구성 및 특허청구범위에서 상세히 기술될 것이다.Other objects and features of the present invention will be described in detail in the configuration and claims of the following invention.

도 1은 일반적인 박막트랜지스터를 나타낸 것이다.1 shows a general thin film transistor.

도 2a는 습식 식각 장비를 구성하는 전체적인 구성 단계에 대해서 나타낸 것이다.Figure 2a shows the overall configuration steps constituting the wet etching equipment.

도 2b는 습식 식각시 공급되는 약액을 저장하는 약액의 저장 탱크를 나타낸 것이다.Figure 2b shows a storage tank of the chemical liquid for storing the chemical liquid supplied during the wet etching.

도 3은 기존의 습식 식각 장비로 습식 식각 유니트간의 경계벽 부위를 나타낸 것이다.Figure 3 shows the boundary wall portion between the wet etching unit with a conventional wet etching equipment.

도 4는 유니트의 경계벽면의 상부에 방지판을 설치한 것을 나타낸 것이다.4 shows that the prevention plate is installed on the upper boundary wall of the unit.

도 5a는 방지판과 유니트 사이의 경계벽면이 이루어지는 각도가 90°이하로 설치된 습식 식각 장비를 나타낸 것이다.FIG. 5A illustrates a wet etching apparatus in which an angle at which a boundary wall between a preventive plate and a unit is formed is 90 ° or less.

도 5b는 도 5a와 같이 방지판을 설치한 경우에 액정디스플레이의 기판 위에 발생하는 불량 얼룩을 나타낸 것이다.FIG. 5B illustrates defects occurring on the substrate of the liquid crystal display when the prevention plate is installed as shown in FIG. 5A.

도 6a는 방지판과 유니트 사이의 경계벽면이 이루어지는 각도가 90°이상으로 설치된 습식 식각 장비를 나타낸 것이다.6A illustrates a wet etching apparatus in which an angle at which a boundary wall between a preventive plate and a unit is formed is set to 90 ° or more.

도 6b는 도 6a와 같이 방지판을 설치한 경우 액체의 흐름이 기판에 영향을주지 않음을 나타내는 도식도 이다.FIG. 6B is a schematic diagram showing that the flow of liquid does not affect the substrate when the prevention plate is installed as shown in FIG. 6A.

** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 **** Explanation of symbols for main parts of drawings **

211: 약액의 저장소304: 유니트간의 셔터211: reservoir of chemical liquid 304: shutter between units

303: 액체401: 방지판303: liquid 401: preventive plate

본 발명은 상기의 서술한 문제점들을 해결하기 위하여 안출된 습식 식각 장비에 관한 것으로, 식각 하고자 하는 기판(305)이 놓이게 되는 로더부(201)와, 강한 산성 용액으로부터 로더부(201)의 부식을 막기 위한 완충 공간으로 설치된 고립부(202)와, 식각 용액이 공급되어 실질적으로 식각이 이루어지는 식각부(203)와, 드레인부(204)와, 식각이 이루어진 기판 위에 존재하는 를 씻어내기 위한 제1 세정부(205)와, 상기의 제1 세정부에서 제거하지 못한 상기의 기판 위의 미세한 입자들을 고주파를 통해서 완전히 제거하기 위한 메가 소닉부(206)와, 메가 소닉 과정에서 상기의 기판에서 떨어져 나온 입자들이 녹아있는 세정액을 말끔히 씻어내기 위한 제2 세정부(207)와, 다량의 나이프 형태의 DI 물줄기가 액정디스플레이의 기판(305)의 상하에서 뿌려지면서 기판(305)을 이동시키는 아쿠아 나이프(208)부와, 상기의 기판 위에 잔류하고 있는 물기가 외부로 제거되는 에어 나이프(209)부와, 그리고 기판의 식각이 이루어지는 구간에 공급되어지는 식각 용액이 저장되어있는 약액 저장소(207)로 구성되어 있으며, 각각의 공정이 이루어지는 부분의 경계벽의 상부에 방지판이 설치된 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a wet etching apparatus devised to solve the above-described problems, the loader 201 is placed on the substrate 305 to be etched, and the corrosion of the loader 201 from the strong acid solution The isolation part 202 provided as a buffer space for blocking, the etching part 203 which supplies an etching solution, and the etching part is substantially etched, the drain part 204, and the 1st which wash | cleans the thing which exists on the board | substrate with which it was etched. A cleaning part 205, a megasonic part 206 for completely removing the fine particles on the substrate that are not removed by the first cleaning part through a high frequency, and being separated from the substrate in the mega sonic process. The second cleaning unit 207 for washing away the cleaning liquid in which the particles are dissolved, and a large amount of DI water in the form of a knife are sprayed on the upper and lower sides of the substrate 305 of the liquid crystal display, thereby providing the substrate 305. A chemical liquid reservoir in which an aqua knife 208 for moving, an air knife 209 for removing water remaining on the substrate, and an etching solution supplied to an area where the substrate is etched are stored. It is comprised by 207, It is characterized by the prevention plate provided in the upper part of the boundary wall of the part in which each process is performed.

상기의 습식 장비에서 식각과 세정은 공정이 이루어지는 각 부분의 상부에서 노즐을 통해 분사되어 나오는 스프레이 방식으로 진행되므로, 다른 약액과의 혼합을 막기 위하여 방지판을 설치하였다.Etching and cleaning in the wet equipment is carried out by a spray method that is sprayed through the nozzle from the top of each part of the process, the prevention plate was installed to prevent mixing with other chemicals.

이하, 도면을 참조하여 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 4은 액정디스플레이 기판이 출입하는 각 부의 경계벽면의 상부에 액체간의 혼합을 막기 위하여 설치된 방지판을 나타낸 것이다.Fig. 4 shows a preventive plate provided on the upper part of the boundary wall surface of each part through which the liquid crystal display substrate enters and prevents mixing of liquids.

도 4에 도시한 바와 같이 각 부의 경계벽면(302) 사이의 방지판(401)을 설치함으로써, 스프레이 노즐(301)을 통해서 분사되어 나오는 식각 용액이나, 혹은 스트립퍼, 혹은 DI 물과 같은 액체들(303)이 셔터(304)가 열린 상태에서 바로 옆 유니트로 유입되거나 혹은 유출되는 현상을 방지할 수 있어 액정디스플레이의 공정 불량을 막을 수 있다.As shown in FIG. 4, by installing the barrier plate 401 between the boundary wall surfaces 302 of each part, liquids such as an etching solution, a stripper, or DI water sprayed through the spray nozzle 301 ( 303 may prevent a phenomenon in which the shutter 304 is opened or flows out to the next unit in the open state, thereby preventing a process defect of the liquid crystal display.

이때 설치되는 방지판은 유니트 내부의 재질과 동일한 재질을 이용하는 것이 바람직하다.In this case, it is preferable to use the same material as that of the prevention plate installed.

또한, 상기의 방지판(401)을 이용해 액체들(303)이 다른 유니트를 통해 흘러 들어가는 것을 막음으로써 습식 식각 부분의 하부에 설치되어 있는 약액 저장소(211)의 레벨을 일정하게 유지하도록 하여 약액 저장소(211)의 에러를 막을 수 있다.In addition, by using the preventive plate 401 to prevent the liquids 303 from flowing through the other unit to maintain a constant level of the chemical liquid reservoir 211 installed in the lower portion of the wet etching portion of the chemical liquid reservoir The error of 211 can be prevented.

약액 저장소(211)(도 2b)는 약액의 공급과 리턴을 연속적으로 진행하면서 약액이 일정한 양을 유지하게 된다. 그러나, 약액이 다른 곳으로 유실될 경우 저장소에 있는 약액의 레벨이 줄어서 저장소의 에러가 발생하여 장비의 가동을 저하시킨다.The chemical liquid reservoir 211 (FIG. 2B) maintains a constant amount of the chemical liquid while continuously supplying and returning the chemical liquid. However, if the chemical liquid is lost elsewhere, the level of the chemical liquid in the reservoir is reduced, resulting in an error in the reservoir, which lowers the operation of the equipment.

그러나, 상기의 방지판을 적절한 각도로 설치해야만 방지판의 효과를 볼 수 가 있다.However, the effect of the prevention plate can be seen only if the above-mentioned prevention plate is installed at an appropriate angle.

도 5a는 상기의 방지판이 유니트간의 경계벽의 면에 대하여 90。이상으로 설치된 것을 나타낸 것이다.Fig. 5A shows that the above-mentioned prevention plate is installed at 90 DEG or more with respect to the surface of the boundary wall between the units.

도 5a에 도시한 바와 같이, 방지판(401)이 유니트간 경계벽의 면(302)에 대하여 90。이상 기울어져 설치된 경우, 스프레이 노즐(301)로부터 분사되어 나오는 액체(303)가 상기의 방지판(401)위로 분사되면 상기의 액체는 방지판을 따라 액정디스플레이의 기판(305) 위에 흘러내리게 된다. 이때 기판(305) 위로 흘러내린 액체에 의해서 기판위에 불필요한 얼룩이 형성되어 액정디스플레이의 공정 불량을 야기 시키게 된다.As shown in FIG. 5A, when the preventive plate 401 is installed at an angle of 90 ° or more with respect to the surface 302 of the boundary wall between units, the liquid 303 ejected from the spray nozzle 301 is the preventive plate. When sprayed onto the 401, the liquid flows down the substrate 305 of the liquid crystal display along the barrier plate. At this time, unnecessary stains are formed on the substrate by the liquid flowing down the substrate 305, causing a process defect of the liquid crystal display.

도 5b는 상기의 방법으로 방지판을 설치함으로써, 액정디스플레이의 기판 위에 생긴 얼룩을 나타낸 것이다.Fig. 5B shows spots formed on the substrate of the liquid crystal display by providing the prevention plate in the above manner.

방지판(401)이 유니트간 경계벽의 면(302)에 대하여 90。이상 기울어져 설치된 경우, 스프레이 노즐로부터 분사되어 나오는 액체가 다른 유니트로 유출되거나 유입되는 현상은 줄일 수 있으나, 방지판(401)을 따라 흘러내리는 액체들로 인해 액정디스플레이의 기판에 발생하는 얼룩 불량은 막을 수 없다.When the prevention plate 401 is installed at an angle of 90 ° or more with respect to the surface 302 of the boundary wall between the units, the phenomenon that the liquid ejected from the spray nozzle flows out or flows into another unit can be reduced, but the prevention plate 401 Due to the liquids flowing along the surface, defects occurring on the substrate of the liquid crystal display cannot be prevented.

도 6a는 방지판(401)이 유니트간 경계벽의 면(302)에 대하여 90。이하 기울여 설치된 또 다른 실시 예를 보여준다.6A shows another embodiment in which the prevention plate 401 is installed at an angle of 90 ° or less with respect to the surface 302 of the boundary wall between units.

도 6a에 도시한 바와 같이, 방지판(401)을 유니트간 경계벽의 면(302)에 대하여 90。이하로 기울여 설치하면 스프레이 노즐(301)에서 분사되어 나오는 액체(303)의 각도에 의하여 유니트의 출입구의 바로 옆에 위치한 첫 번째 노즐의 분사액이 경계벽(302)에 분사되어도 방지판(401)으로 인해 옆 유니트로 유입되거나 유출되는 현상을 막을 수 있다. 또한, 셔터(304)가 닫힌 상태에서도 방지판(401)이 설치되지 않았을 때에는 적은 양의 액체(303)가 유출되는 현상이 발생하였다. 그러나, 상기의 방지판(401)을 설치함으로써 비록 적은 양이지만 셔터(304)가 닫힌 상태에서도 액체(303)의 유출을 막을 수 있다.As shown in FIG. 6A, when the prevention plate 401 is installed at an angle of 90 ° or less with respect to the surface 302 of the boundary wall between the units, the angle of the liquid 303 ejected from the spray nozzle 301 is determined. Even if the injection liquid of the first nozzle located immediately next to the entrance and exit is injected into the boundary wall 302, the phenomenon that the prevention plate 401 flows into or out of the next unit can be prevented. In addition, when the prevention plate 401 is not installed even when the shutter 304 is closed, a small amount of liquid 303 leaks. However, by providing the preventive plate 401 described above, the liquid 303 can be prevented from leaking even in a small amount even when the shutter 304 is closed.

다른 유니트로의 액체의 유출과 유입이 없으면, 공정 중에 발생하는 약액 저장소의 에러 발생이나, 액정디스플레이 기판의 식각이 덜되거나 혹은 과식각이 이루어지거나 혹은 약액의 얼룩등으로 인해 발생하는 공정 불량을 막을 수 있다.If there is no spillage or inflow of liquid to another unit, it will prevent the chemical reservoir error from occurring during the process, process defects caused by less etching or overetching of the liquid crystal display substrate, or staining of the chemical liquid. Can be.

본 발명의 또 다른 이점으로, 만약 노즐에서 분사되어 나오는 분사액이 유입되는 옆 유니트가 다른 약액이나 혹은 DI 물이 있는 영역인 경우 상기의 약액과 다른 약액 및 DI 물의 오염으로 인해 발생하는 공정의 불량을 막을 수 있다.As another advantage of the present invention, if the side unit into which the injection liquid injected from the nozzle flows is another chemical liquid or DI water region, a process defect caused by contamination of the chemical liquid and other chemical liquid and DI water is Can be prevented.

도 6b에 나타낸 것은 도 6a와 같이 방지판(401)이 설치된 경우 노즐(301)로부터 분사되는 약액(303)의 흐름에 상관없이 액정디스플레이의 기판(305)에 불량이 발생하지 않는 것을 나타낸 것이다.In FIG. 6B, when the prevention plate 401 is installed as shown in FIG. 6A, no defect occurs in the substrate 305 of the liquid crystal display regardless of the flow of the chemical liquid 303 injected from the nozzle 301.

상기의 방지판(401)이 액정디스플레이의 기판(305)으로 흘러 불량을 야기할 수 있는 모든 액체를 막아줌으로써, 정상적으로 습식 식각과 세정 공정이 이루어진액정디스플레이 기판을 얻을 수 있다.The prevention plate 401 flows to the substrate 305 of the liquid crystal display to prevent all liquids that may cause defects, thereby obtaining a liquid crystal display substrate in which wet etching and cleaning processes are normally performed.

상기의 트랙형 습식 식각 장비는 액정디스플레이의 습식 공정 뿐 아니라 습식 식각 공정을 필요로 하는 모든 소자의 습식 공정에 적용될 수 있다.The track type wet etching equipment may be applied to wet processes of all devices requiring a wet etching process as well as a wet process of a liquid crystal display.

상술한 바와 같이, 트랙형 습식 식각 장비의 각각의 유니트들 사이의 경계벽면의 상부에 방지판을 설치함으로써, 유니트간 사이에 액체들이 유입되거나 혹은 유출되는 현상을 막을 수 있다. 상기의 문제가 해결됨에 따라 습식 식각 공정시 발생하는 공정 불량을 막아 공정 수율을 높이고, 약액이 다른 유니트로 손실되는 것을 방지하여 재료비를 절감할 수 있으며, 약액 저장소가 일정한 약액을 지속적으로 유지함으로써 다운되지 않고 정상적으로 계속해서 가동됨에 따라 공정 시간도 단축할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.As described above, by installing a barrier plate on the boundary wall surface between the units of the track type wet etching equipment, it is possible to prevent the liquid from flowing in or out between the units. As the above problem is solved, it can prevent process defects that occur during wet etching process, increase the process yield, reduce the material cost by preventing the chemical liquid from being lost to other units, and reduce the chemical liquid reservoir by maintaining the constant chemical liquid. As a result, the process time can be shortened as it continues to operate normally.

Claims (6)

식각하고자 하는 기판이 놓이게 되는 로더부와, 약액이 공급되어 식각이 이루어지는 식각부와, 상기 기판 위의 식각용액을 제거하는 제1 세정부와, 상기 기판 위의 미세한 입자들을 고주파를 통해서 제거하는 메가 소닉부와, 상기 기판 위의 잔여물을 세정하는 제2 세정부와, 상기의 기판 위에 잔류하고 있는 물기를 제거하는 에어 나이프부와, 식각 용액이 저장되어 있는 약액 저장소(chemical tank)와, 각각의 유니트 경계벽면의 상부에 방지판이 설치된 것을 특징으로 하는 액정디스플레이의 습식 식각 장비.The loader portion on which the substrate to be etched is placed, the etching portion supplied with the chemical solution, the first portion to remove the etching solution on the substrate, and the mega to remove the fine particles on the substrate through high frequency. A sonic portion, a second cleaning portion for cleaning residue on the substrate, an air knife portion for removing water remaining on the substrate, a chemical tank in which an etching solution is stored, and Wet etching equipment of the liquid crystal display, characterized in that the prevention plate is installed on top of the unit boundary wall surface. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유니트 상부의 노즐에서 분사되어 나오는 약액에 의한 스프레이 방식인 것을 특징으로 하는 액정디스플레이의 습식 식각 장비.Wet etching equipment of the liquid crystal display, characterized in that the spray method by the chemical liquid ejected from the nozzle of the upper unit. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유니트 상부의 노즐에서 분사되어 나오는 증류수에 의한 스프레이 방식인 것을 특징으로 하는 액정디스플레이의 습식 식각 장비.Wet etching equipment of the liquid crystal display, characterized in that the spray method by distilled water is injected from the nozzle of the upper unit. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 방지판은 해당 유니트 내부의 재질과 동일한 재질로 설치된 것을 특징으로 하는 액정디스플레이의 습식 식각 장비.The prevention plate is a wet etching equipment of the liquid crystal display, characterized in that the material installed in the same material as the unit. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 방지판은 유니트의 경계벽면에 대하여 기울어지는 소정의 각도 θ는 0。이상 90。이하인 것을 특징으로 하는 액정디스플레이의 습식 식각 장비.The prevention plate is a wet etching equipment of the liquid crystal display, characterized in that the predetermined angle θ that is inclined with respect to the boundary wall surface of the unit is 0 ° or more and 90 ° or less. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판의 상부와 하부에서 DI 물줄기가 뿌려지면서 상기 시판을 이동시키는 아쿠아 나이프부를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 액정디스플레이의 습식 식각 장비.Wet etching equipment of the liquid crystal display characterized in that it further comprises an aqua knife portion for moving the market while DI water is sprayed from the upper and lower portions of the substrate.
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KR100798144B1 (en) * 2006-08-24 2008-01-28 세메스 주식회사 Apparatus for manufacturing flat panel display

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