KR20030001176A

KR20030001176A - Method for Coating of PhotoResist

Info

Publication number: KR20030001176A
Application number: KR1020010037570A
Authority: KR
Inventors: 나상훈
Original assignee: 주식회사 하이닉스반도체
Priority date: 2001-06-28
Filing date: 2001-06-28
Publication date: 2003-01-06

Abstract

PURPOSE: A method for coating a photoresist is provided to improve thickness uniformity and CD(Critical Dimension) uniformity. CONSTITUTION: After setting a wafer(12) on a rotation coater(11), a photoresist(13) is coated on the wafer(12). At this time, by controlling the spin speed and the spin time of the rotation coater(11), the coated thickness of the photoresist(13) is controlled. After covering a hood(14) on the wafer(12), the photoresist(13) is dried while slowly rotating the rotation coater(11). Preferably, the hood(14) is composed of a semi-transmitting film in order to prevent the rapid vaporization of solvents when rotating the coater(11).

Description

Method for Coating of PhotoResist

본 발명은 반도체 소자 제조방법에 관한 것으로 특히, 레지스트 코팅시 필름(Film) 두께 균일도를 개선하여 CD 균일도를 향상시키기 위한 포토레지스 도포방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a photoresist coating method for improving CD uniformity by improving film thickness uniformity during resist coating.

최근，소자 집적도가 증가함에 따라서 초미세 패턴에 대한 요구가 점점 증가하고 있으며，초미세 패턴이 요구되는 디바이스(Device)일수록 CD(Critical Dimension)균일도의 개선은 중요한 이슈(Issue)가 되고 있다Recently, as the device density increases, the demand for ultra fine patterns is increasing, and the improvement of CD (critical dimension) uniformity becomes an important issue for devices requiring ultra fine patterns.

CD 균일도에 영향을 미치는 요인은 여러 가지가 있지만, 그 중 하나는 포토레지스트 코팅시에 필름 두께의 균일도이다.There are many factors that affect CD uniformity, but one of them is the uniformity of the film thickness during photoresist coating.

종래 포토레지스트 코팅 방법은 스핀 코팅(Spin Coating) 방식으로, 회전　코터(Coater)위에 셋팅된 기판위에 포토레지스트를 뿌리고, 상기 회전 코터의 스핀속도와 스핀 시간을 단계별로 조절하여 원하는 두께와 균일도를 얻고 있다.Conventional photoresist coating method is a spin coating method, by spraying the photoresist on the substrate set on the rotary coater (Coater), by adjusting the spin speed and spin time of the rotary coater step by step to obtain the desired thickness and uniformity have.

이때, 상기 회전 코터는 뚜껑이 없어서 스핀 속도를 빠르게 하면 상기 포토레지스트 성분 중 솔벤트(Solvent)가 날아가 원하는 두께를 형성하게 되는 것이다.In this case, when the spin coater has no lid and the spin speed is increased, the solvent (Solvent) of the photoresist component is blown to form a desired thickness.

그러나, 상기 솔벤트의 증발 속도가 급격함에 따라서 포토레지스트는 기판의각 부분에서 균일하게 형성되지 않게 되며 특히, 기판의 위쪽과 아래쪽 및 안쪽과바깥쪽에서 두께 균일도 차이가 크게 발생된다.However, as the evaporation rate of the solvent is rapid, the photoresist is not formed uniformly in each part of the substrate, and in particular, a difference in thickness uniformity is generated at the top, bottom, inside, and outside of the substrate.

따라서, 상기와 같은 종래의 포토레지스트 도포방법은 포토레지스트가 기판의 각 부분에서 균일하게 도포되지 않으므로 이를 이용하여 패터닝되는 소자의 CD 균일도가 저하되는 문제점이 있다.Therefore, the conventional photoresist coating method as described above has a problem in that the CD uniformity of the device patterned using the photoresist is not uniformly applied to each part of the substrate.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로 포토레지스트막의　균일성을　확보하여　CD　균일도를　향상시킬　수　있는　포토레지스트　도포방법을 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a photoresist application method that can improve the CD uniformity by securing the uniformity of a photoresist film.

도 1a 내지 도 1d 는 본 발명에 따른 포토레지스트 도포 방법을 도시한 도면1A to 1D illustrate a photoresist coating method according to the present invention.

도면의 주요 부분에 대한 부호 설명Explanation of symbols for the main parts of drawings

11：회전 코터　　　　　 12：웨이11: rotary coater 12: way

13：포토레지스트　　　　 14：후드13: Photoresist 14: Hood

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 포토레지스트 도포방법은회전 코터상에 웨이퍼를 셋팅하고 상기 회전 코터를 느리게 회전시키면서 상기 이퍼상에 포토레지스트를 뿌리는 단계와, 상기 회전 코터의 회전 속도 및 시간을　조절하여 상기 웨이퍼상에 포토레지스트를 원하는 두께로 형성하는 단계와, 상기　회전 코터를 느리게 회전시키면서 상기 웨이퍼 상부에 후드를 덮고 상기 포토레지스트를 드라이시키는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 한다.The photoresist coating method according to the present invention for achieving the above object is the step of spraying the photoresist on the wiper while setting the wafer on the rotary coater and slowly rotating the rotary coater, and the rotational speed of the rotary coater And controlling the time to form a photoresist on the wafer to a desired thickness, and drying the photoresist by covering the hood on the wafer while slowly rotating the rotational coater. .

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 포토레지스트 도포방법을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a photoresist coating method according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 １a 내지 도 １d는 본 발명에 따른 포토레지스트 도포 방법을 도시한 도면이다.1A to 1D are diagrams illustrating a photoresist coating method according to the present invention.

본 발명에 따른 포토레지스트 도포방법은 우선, 도 １a에 도시된 바와 같이, 회전 코터(11)상에 웨이퍼(12)를 셋팅(Setting)하고, 상기 회전 코터(11)의 스핀(Spin)을 느리게 회전시키면서 상기 웨이퍼(12)상에 포토레지스트(13)을 뿌린다.In the photoresist coating method according to the present invention, first, as shown in FIG. 1A, the wafer 12 is set on the rotary coater 11, and the spin of the rotary coater 11 is slowed. The photoresist 13 is sprayed onto the wafer 12 while rotating.

이어, 원하는 두께의 포토레지스트(13)를 얻기 위하여 도 １b에 도시된 바와같이, 스핀 속도와 스핀 시간을 조절하면서 회전시킨다.Then, in order to obtain a photoresist 13 having a desired thickness, it is rotated while adjusting the spin speed and spin time, as shown in FIG.

이어, 상기 포토레지스트(13)가 원하는 두께로 형성되면 드라이(Dry)하기 위하여 반투과 특성을 갖는 후드(14)로 상기 웨이퍼(12) 상부의 공간을 밀폐시키고　상기 회전 코터(11)를 느리게 회전시킨다.Subsequently, when the photoresist 13 is formed to a desired thickness, the top of the wafer 12 is sealed with a hood 14 having a semi-transmissive property in order to dry and slowly rotate the rotating coater 11. Let's do it.

여기서, 상기 후드(14)는 회전 코터(11)가 회전할 때 순간적으로 많은 양의　솔벤트가 날아가는 것을 방지하기 위한 것으로, 어느 정도의 공기만을 투과할　수 있는 반투과성 물질로 구성된다.Here, the hood 14 is for preventing the instantaneous amount of solvent is blown away when the rotary coater 11 is rotated, it is made of a semi-permeable material that can penetrate only a certain amount of air.

이어, 공정이 완료되면 도１d에 도시된 바와 같이 회전 코터(11)를 멈추고　상기 후드(14)를 벗겨내어 공정을 완료한다.Subsequently, when the process is completed, as shown in FIG. 1D, the rotation coater 11 is stopped and the hood 14 is removed to complete the process.

상기와 같은 본 발명의 포토레지스트 도포방법은 다음과 같은 효과가 있다.The photoresist coating method of the present invention as described above has the following effects.

첫째, 레지스트 코팅시 드라이 단계에서 솔벤트의 빠른 증발을 억제시킬 수있으므로 포토레지스트 도포막의 두께 균일도를 향상시킬 수 있다.First, since the rapid evaporation of the solvent in the dry step during the resist coating can be suppressed, the thickness uniformity of the photoresist coating film can be improved.

둘째, 포토레지스트의 균일도가 향상되므로 이를 이용하여 패터닝되는 소자의 CD 균일도가 증가되어 초미세 패턴을 형성할 수 있다.Second, since the uniformity of the photoresist is improved, the CD uniformity of the patterned device may be increased to form an ultrafine pattern.

Claims

Setting a wafer on a rotating coater and slowly spraying the photoresist on the wafer while rotating the rotating coater slowly;

Adjusting the rotational speed and time of the rotary coater to form a photoresist on the wafer to a desired thickness;

And slowly drying the photoresist by covering the hood over the wafer while slowly rotating the rotary coater.

The method of claim 1, wherein the hood is formed of a semi-permeable membrane through which only a certain amount of air can pass.