KR200297162Y1 - 정전기 제거장치의 방전침 설치구조 - Google Patents

Abstract

본 고안은 정전기 제거장치에서 방전침에서 발생하는 양이온과 음이온들이 서로 결합 또는 반발하지 못하도록 각각의 방전침 사이마다 격벽을 설치하여, 각각의 방전침에서 발생하는 이온들이 서로 극성이 다른 이온일 경우에는 이온결합을 통하여 중화되는 것을 방지하고, 서로 극성이 동일한 이온일 경우에는 반발력을 차단함으로써, 대전물체까지 도달하는 음이온 및 양이온의 양을 최대화하고 빠른 시간 안에 대전물체에 접촉하도록 하여 대전물체의 제전효과를 향상시키는 정전기 제거장치의 방전침 설치구조에 관한 것이다.

본 고안의 정전기 제거장치의 방전침 설치구조는 고전압이 인가될 때 양이온 또는 음이온을 발생시키는 다수의 방전침(2)이 설치되어 있는 정전기 제거장치에 있어서, 상기 다수의 방전침(2)에서 각각 양이온 또는 음이온이 발생할 때, 인접하는 방전침(2)에서 발생한 양이온 또는 음이온과의 사이에 인력 또는 반발력이 작용하지 못하도록, 상기 다수의 방전침(2) 사이마다 격벽(6)(6')이 설치되어 있다.

Description

정전기 제거장치의 방전침 설치구조{The installation structure of electric discharge needle for static electricity removal apparatus}

본 고안은 반도체, LCD 등 각종 전자제품의 생산공정 중에 발생하는 정전기를 제거하기 위하여 양이온 및 음이온을 생성하여 대전물체의 정전기에 반응시켜 중성화함으로써 정전기를 제거하는 정전기 제거장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 방전침에 의해 발생하는 양이온과 음이온들이 결합 또는 반발하지 못하도록 각각의 방전침 사이마다 격벽을 설치하여, 각각의 방전침에서 발생하는 이온들이 서로 극성이 다른 이온일 경우에는 이온결합을 통하여 중화되는 것을 방지하고, 서로 극성이 동일한 이온일 경우에는 반발력을 차단함으로써, 대전물체까지 도달하는 음이온 및 양이온의 양을 최대화하고 빠른 시간 안에 대전물체에 접촉하도록 하여 대전물체의 제전효과를 향상시키는 정전기 제거장치의 방전침 설치구조에 관한 것이다.

일반적으로 반도체, LCD 등 각종 전자부품의 생산공정에서 정전기가 발생하게 되는데 그때 발생한 정전기에 의해 전자부품에 영향을 준다.

이와 같이 정전기가 발생하면 전자부품 고장 및 성능 불안정을 야기시키는 요인이 될 수 있으며, 인체에도 영향을 미치기 때문에 정전기 제거장치에서 양이온 및 음이온을 발생시켜 대전물체의 정전기를 중성화시킴으로써 정전기를 제거하고 있다.

도 1은 종래 정전기 제거장치의 방전침 설치구조를 나타낸 일부 절개 측면도이고, 도 2는 도 1의 방전침의 설치구조를 나타내는 정면도이며, 도 3은 도 2의 방전침에 전압을 공급하는 회로의 개략적인 블록도이다.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 종래의 정전기 제거장치의 방전침 설치구조는 환형의 침설치부(1)에 90도 각도마다 방전침(2)들이 설치되어 있는 구조로서, 양이온 및 음이온을 발생하는 방전침(2), 상기 방전침(2)의 후방에 모타(3a) 및 펜(3b)으로 구성된 블로워(3)로 이루어져 있으며, 방전침(2)에서 발생하는 양이온과 음이온을 블로워(3)에 의하여 대전물체에 발생한 정전기 쪽으로 불어주도록 되어 있다.

상기 침설치부(1)에 설치된 각각의 방전침(2)에서 음이온 또는 양이온을 발생시키기 위해, 도 3에 도시된 바와 같이 낮은 DC전압을 입력받아 높은 DC전압으로 승압하여 출력하는 고전압 발생부(4)를 구비하여 방전침(2)에 (+)고전압 또는 (-)고전압을 인가하도록 되어 있다.

상기 고전압 발생부(4)에는 (＋)고전압 발생부와 (-)고전압 발생부를 포함하고 있으며, (＋)고전압 발생부에서는 12V의 직류전압을 ＋6KV의 고전압으로 승압하여 해당 방전침(2)에 인가하고, (-)고전압발생부에서는 12V의 직류전압을 －6KV의 고전압으로 승압하여 해당 방전침(2)에 인가한다.

고전압이 방전침(2)에 인가될 때, 방전침에 의해 코로나방전 발생하고 코로나방전을 통하여 양이온 또는 음이온을 발생한다. (＋)고전압 발생부에서는 양이온을 발생하고 (-)고전압 발생부에서는 음이온을 발생한다. 이들 양이온과 음이온은후방에 설치된 펜(3b)에 의하여 대전물체쪽으로 이동하여 대전물체의 정전기와 반응하여 정전기를 제거한다.

여기서 대전물체에 발생한 정전기의 특성에 따라 양전기가 대전되어 있는 경우에는 음이온이 반응하고 음전기가 대전되어 있는 경우에는 양이온이 반응한다.

그러나 상기와 같은 정전기 제거장치는 방전침에서 양이온과 음이온이 발생할 때 일부 양이온과 음이온이 서로 반응하여 중화되어 버리고, 또한 같은 극성의 이온들은 서로 반발하며 그 반발한 공간 사이에 아무런 이온이 존재하지 않는 부분이 생겨 대전물체의 제전효율이 떨어지는 문제점이 있다.

도 4는 종래 다른 실시예의 정전기 제거장치의 방전침 설치구조를 나타내는 사시도이다.

이 실시예의 방전침 설치구조는 전면과 후면이 개구되어 있고 함체형상의 침설치부(5)에 중간에 횡방향으로 차단벽을 설치하여 상하의 2개 공간이 형성하고, 상기 상하 공간에 방전봉(5a)을 횡방향으로 설치하여 그 방전봉(5a)에 다수의 방전침(2)들이 일정간격으로 설치되는 구조로 되어 있다.

상부 공간에 설치된 방전침(2)에서는 양이온을 발생하고, 하부공간에 설치된 방전침(2)에서는 음이온을 발생한다. 그리고 침설치부(5)의 후방에는 도 1과 같은 블로워를 설치하여 방전침(2)에서 발생하는 양이온과 음이온을 대전물체쪽으로 불어주도록 되어 있다.

방전침(2)에 고전압을 인가시키는 회로는 도 3의 회로와 유사하게 구성된다.

그러나 이 실시예의 정전기 제거장치도 전술한 바와 마찬가지로 각방전침(2)에서 양이온 또는 음이온이 발생할 때 일부 양이온 및 음이온이 중화되어 버리고, 또한 같은 극성을 이온들은 서로 반발하며 그 반발한 공간에 이온이 존재하지 않은 부분이 발생하여 대전물체의 제전효과가 감소하는 문제점이 있다.

본 고안은 전술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 고안의 목적은 침설치부에 일정간격으로 설치된 다수의 방전침 사이마다 격벽을 설치하여, 상기 방전침에서 음이온 또는 양이온이 발생할 때, 인접하는 이온과 반응하지 못하도록 하여 대전물체까지 도달하는 음이온 및 양이온의 양을 많게 하고 빠른 시간 안에 대전물체에 접촉하도록 하여 대전물체의 제전효율을 향상시키는 정전기 제거장치의 방전침 설치구조를 제공하는데 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 고안의 정전기 제거장치의 방전침 설치구조는 고전압이 인가될 때 양이온 또는 음이온을 발생시키는 다수의 방전침이 설치되어 있는 정전기 제거장치에 있어서, 상기 다수의 방전침에서 각각 양이온 또는 음이온이 발생할 때, 인접하는 방전침에서 발생한 양이온 또는 음이온과의 사이에 인력 또는 반발력이 작용하지 못하도록, 상기 다수의 방전침 사이마다 격벽이 설치되어 있다.

여기서 상기 격벽의 두께는 상기 방전침에서 발생하는 양이온 및 음이온이 각각의 극성에 의해 인력 또는 반발력이 발생하지 않도록 일정두께를 가지도록 제작한다.

상기와 같이 구성된 본 고안은 각 방전침에서 음이온 또는 양이온이 발생할때 격벽에 의하여 인접하는 방전침의 이온과 반응하지 않으므로 대전물체까지 도달하는 음이온 및 양이온의 양을 최대로 하고 빠른 시간 안에 대전물체의 접촉하게 하므로 대전물체의 제전효율을 향상시키는 효과를 발휘한다.

도 1은 종래 정전기 제거장치의 방전침 설치구조를 나타낸 일부 절개 측면도,

도 2는 도 1의 방전침의 설치구조를 나타내는 정면도,

도 3은 도 2의 방전침에 고전압을 인가하는 회로의 개략적인 블록도,

도 4는 종래 다른 실시예의 정전기 제거장치의 방전침 설치구조를 나타내는 사시도,

도 5는 본 고안에 따른 일실시예의 정전기 제거장치의 방전침 설치구조를 나타낸 정면도,

도 6은 본 고안에 따른 다른 실시예의 정전기 제거장치의 방전침 설치구조를 나타내는 사시도이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호설명>

1 : 침설치부 2 : 방전침

3 : 블로워 3a: 모터

3b: 펜 4 : 고전압발생부

5 : 침설치부 5a: 방전봉

6,6': 격벽

이하 본 고안의 실시예의 구성 및 작용에 대하여 첨부한 도면을 참조하면서 상세히 설명하기로 한다.

도 5는 본 고안의 일시예의 정전기 제거장치의 방전침 설치구조를 나타낸 정면도이고, 도 6은 본 고안의 다른 실시예의 정전기 제거장치의 방전침 설치구조를 나타내는 사시도이다.

도시된 바와 같이, 본 고안의 정전기 제거용 방전침의 설치구조는 정전기 제거 장치 내부에 고전압을 인가하여 양이온, 음이온을 발생하는 방전침(2)이 다수 설치되어 있다. 각각의 방전침(2)에서 양이온 또는 음이온이 발생할 때, 인접하는 방전침(2)에서 발생한 양이온 또는 음이온과의 사이에 인력 또는 반발력이 작용하지 못하도록 각각의 방전침(2)사이에 격벽(6)(6')이 설치되어 있다. 인접하는 방전침(2)에서 발생한 이온이 다른 극성일 때에는 인력이 작용하지 못하도록 하고 동일한 극성일 때에는 반발력이 작용하지 못하도록 한다.

도 5의 방전침 설치구조는 도 1 및 도 2의 방전침 설치구조와 대응되는 것으로서 환형의 침설치부(1)에 90도 간격으로 설치되어 있는 방전침(2)사이에 격벽(6)이 십자형으로 형성되어 있다. 따라서 각 방전침(2)에서 양이온 또는 음이온이 발생할 때 인접하는 방전침(2)에서 발생하는 양이온 또는 음이온과 반응하지 않고 그대로 대전물체 쪽으로 불어 주게 된다.

도 6의 방전침 설치구조는 도 4의 방전침 설치구조와 대응되는 것으로서 함체형상의 침설치부(5)의 방전봉(5a)에 횡방향으로 일정간격으로 설치되어 있는 다수의 방전침(2)사이에 격벽(6')이 형성되어 있다. 따라서 각 방전침(2)에서 양이온 또는 음이온이 발생할 때 인접하는 방전침(2)에서 발생하는 양이온 또는 음이온과의 사이에 반발력이 작용하지 않고 그대로 대전물체의 정전기와 반응하게 된다.

또한 상기 격벽(6)(6')의 두께는 방전침(2)에서 발생하는 양이온 및 음이온이 각각의 극성에 의해 인력 및 반발력이 발생하지 않은 두께로 제작하는 것이 바람직하다.

상기와 같이 구성된 본 고안의 작용효과를 설명한다.

정전기 제거장치의 고전압 발생부(4)에서 12V의 직류전압을 ＋6KV 또는 －6KV의 고전압으로 승압하여 이를 침설치부(1)(5)에 설치된 해당 방전침(2)에 인가한다.

(+)고전압이 인가된 방전침(2)에서는 코로나 방전에 의하여 양이온이 발생하고 (-)고전압이 인가된 방전침(2)에서는 코로나 방전에 의하여 음이온이 발생한다.

상기와 같이 방전침(2)에서 양이온 또는 음이온이 발생할 때 각 방전침(2) 사이에는 격벽(6)(6')이 구성되어 있으므로 발생된 양이온 또는 음이온은 인접하는 이온들과 사이에 극성에 따른 인력 또는 반발력이 작용하지 않으므로 인접하는 이온들끼리 반응하지 않은 채 그대로 대전물체의 정전기와 반응한다. 그리고 서로 반발력이 작용하지 않으므로 각 방전침(2)에서 발생한 이온들도 대전물체의 모든 면에 균일하게 접촉하게 된다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 고안은 정전기 제거장치의 방전침 설치구조는 침설치부(1)(5)에 일정간격으로 설치된 다수의 방전침(2) 사이마다 격벽(6)(6')이 설치되어 있으므로, 상기 방전침(2)에서 음이온 또는 양이온이 발생할 때, 인접하는 이온과 인력 및 반발력이 작용하지 않아 대전물체까지 도달하는 음이온 및 양이온의 양을 최대한 많은 양을 빠른 시간 안에 모든 면에 균일하게 이온들이 접촉하도록 하여 대전물체의 제전효율을 향상시키는 효과를 발휘한다.

본 고안은 기재된 구체예 대해서만 상세히 설명되었지만 본 고안의 사상과 범위내에서 변형이나 변경할 수 있음은 본 고안이 속하는 분야의 당업자에게는 명백한 것이며, 그러한 변형이나 변경은 첨부한 실용신안등록청구범위에 속한다 할 것이다.

Claims (1)

1. 고전압이 인가될 때 양이온 또는 음이온을 발생시키는 다수의 방전침(2)이 설치되어 있는 정전기 제거장치에 있어서,

   상기 다수의 방전침(2)에서 각각 양이온 또는 음이온이 발생할 때, 인접하는 방전침(2)에서 발생한 양이온 또는 음이온과의 사이에 인력 또는 반발력이 작용하지 못하도록, 상기 다수의 방전침(2) 사이마다 격벽이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 정전기 제거장치의 방전침 설치구조.