KR200235611Y1 - Thermocouples for semiconductor manufacturing vertical furnace - Google Patents
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Abstract
본 고안은 반도체 제조용 종형로의 열전대에 관한 것으로, 종래 기술에 의한 반도체 제조용 종형로의 열전대는 온도제어용과 과온감시용 열전대(4)(5)가 각각 구분되어 있고, 형상 및 사양이 상이하여 서로 혼용하여 사용할 수 없는 제한이 따르며, 이에 따라 부품의 관리로 별도로 이루어져야 하고, 설치되는 부위가 다르기 때문에 온도감지위치가 달라 각각의 열전대에서 감지하는 온도값이 차이를 갖는 등의 문제가 있는 바, 온도제어용 열전대 도선(4a)과 과온감시용 열전대 도선(5a)을 하나의 몸체(6) 안에 구비한 본 고안을 제공하여 하나의 열전대가 온도제어기능과, 과온감시기능을 수행할 수 있기 때문에 부품의 관리가 용이해지고, 원가가 절감되는 등의 효과가 있으며, 온도를 읽어들이는 위치가 동일하므로, 두개의 열전대 간의 측정온도를 비교할 수 있고, 사양이 동일하므로 호환가능도록 한 것이다.The present invention relates to a thermocouple of a vertical furnace for semiconductor manufacturing, and the thermocouple of a vertical furnace for semiconductor manufacturing according to the prior art is divided into thermocouples (4) and (5) for temperature control and overtemperature monitoring, respectively, and have different shapes and specifications. There is a restriction that cannot be used in combination, and accordingly, the parts must be managed separately, and since the installed parts are different, there is a problem such that the temperature value detected by each thermocouple has a difference. The present invention is provided with a control thermocouple lead (4a) and a thermocouple lead (5a) for overtemperature monitoring in one body (6), so that one thermocouple can perform temperature control and overtemperature monitoring. It is easy to manage, reduce cost, and the temperature reading location is the same, so it is not possible to compare the measured temperature between two thermocouples. The specifications are the same, so they are compatible.
Description
제1도는 종래 기술에 의한 반도체 제조용 종형로의 개략적인 단면도.1 is a schematic cross-sectional view of a vertical furnace for manufacturing a semiconductor according to the prior art.
제2도는 종래 기술에 의한 열전대를 보인 것으로,Figure 2 shows a thermocouple according to the prior art,
(a)도는 온도제어용 열전대의 구성도.(a) is a block diagram of a thermocouple for temperature control.
(b)도는 과온감시용 열전대의 구성도.(b) is a block diagram of a thermocouple for overtemperature monitoring.
제3도는 본 고안에 의한 열전대가 설치된 반도체 제조용 종형로의 개략적인 단면도.3 is a schematic cross-sectional view of a vertical furnace for manufacturing a semiconductor in which a thermocouple according to the present invention is installed.
제4도는 본 고안에 의한 열전대의 구성도.4 is a block diagram of a thermocouple according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
4a : 온도제어용 열전대 도선 5a : 과온감시용 열전대 도선4a: thermocouple wire for temperature control 5a: thermocouple wire for overtemperature monitoring
6 : 일체형 열전대 몸체6: integral thermocouple body
본 고안은 반도체 제조용 종형로(Vertical Furnace)의 온도제어용 열전대와, 과온감시용 열전대에 관한 것으로, 특히 하나의 열전대에 온도제어용 열전대와 과온감시용 열전대를 일체화한 반도체 제조용 종형로의 열전대에 관한 것이다.The present invention relates to a thermocouple for temperature control of a vertical furnace and a thermocouple for overtemperature monitoring, and more particularly to a thermocouple for a semiconductor furnace in which a thermocouple for controlling temperature and a thermocouple for overtemperature monitoring are integrated into one thermocouple. .
일반적인 반도체 제조용 종형로는 제1도에 도시한 바와 같이, 반도체 제조용 종형로의 본체(1) 내부에 열을 발산하는 발열체(2)가 직립해 있고, 상기 발열체(2)의 내부에 공정이 진행되는 반응관(3)이 설치되어 있다.As shown in FIG. 1, a heat generator 2 for dissipating heat is erected upright inside a main body 1 of a vertical furnace for semiconductor manufacturing, and a process proceeds inside the heat generator 2. The reaction tube 3 to be installed is provided.
또한, 상기 반응관(3)과 발열체(2) 사이의 공간부에는 온도제어용 열전대(4)가 구비되어 있어 공정에 필요한 온도로 반응관(3)의 내부온도를 제어하도록 하고 있다.In addition, a temperature control thermocouple 4 is provided in the space portion between the reaction tube 3 and the heating element 2 so as to control the internal temperature of the reaction tube 3 to a temperature necessary for the process.
상기 발열체(2)는 내부에 나선형으로 열선(2a)이 권회되어 있는 구성으로서, 열선(2a)과 열선 사이에는 과온감시용 열전대(5)가 장착되어 과열로 인한 발열체(2)의 손상을 방지하도록 한다.The heating element (2) is a configuration in which the heating wire (2a) is wound spirally therein, between the heating wire (2a) and the heating wire is equipped with a thermocouple (5) for overheating monitoring to prevent damage to the heating element (2) due to overheating Do it.
제2(a)도는 온도제어용 열전대, (b)도는 과온감시용 열전대의 구성을 보인 것으로, 4a는 온도제어용 열전대 도선, 5a는 과온감시용 열전대 도선을 나타낸 것이다.FIG. 2 (a) shows a thermocouple for temperature control, (b) shows a thermocouple for overtemperature monitoring, 4a shows a thermocouple wire for temperature control, and 5a shows a thermocouple wire for overtemperature monitoring.
상기 발열체는 크게 4부분으로 구분되어 각 부분을 별도로 제어하도록 하고 있으며, 각 부분별로는 온도제어용 열전대(4)와, 과온감시용 열전대(5)가 각각 1개씩 구비되어 전체적으로 8개의 열전대가 설치되어 있다.The heating element is largely divided into four parts to control each part separately, and each part includes one thermocouple 4 for temperature control and one thermocouple 5 for supervision and monitoring, and eight thermocouples are installed in total. .
또한, 상기 4개의 온도제어용 열전대는 하나의 온도 조절기(미도시)에 연결되어 있고, 4개의 과온감시용 열전대도 하나의 과온감시 조절기(미도시)에 연결되어 있다.In addition, the four temperature control thermocouples are connected to one temperature controller (not shown), and the four overtemperature thermocouples are also connected to one overtemperature controller (not shown).
그러나 상기한 바와 같은 종래 기술에 의한 반도체 제조용 종형로의 열전대는 온도제어용과 과온감시용 열전대(4)(5)가 각각 구분되어 있고, 형상 및 사양이 상이하여 서로 혼용하여 사용할 수 없는 제한이 따르며, 이에 따라 부품의 관리로 별도로 이루어져야 하고, 설치되는 부위가 다르기 때문에 온도감지위치가 달라 각각의 열전대에서 감지하는 온도값이 차이를 갖는 등의 문제가 있다.However, the thermocouple of the vertical furnace for semiconductor manufacturing according to the prior art as described above is divided into thermocouples (4) and (5) for temperature control and over-temperature monitoring, respectively, and have different limitations in shape and specification, which cannot be used in combination with each other. Therefore, the parts must be separately managed by the parts, and since the installed parts are different, there is a problem that the temperature values detected by the thermocouples are different due to different temperature sensing positions.
이와 같은 문제점을 착안하여 안출한 본 고안의 목적은 하나의 열전대에 온도제어기능과 과온감시기능을 구현하도록 하여 온도의 감지위치가 동일한 위치에서 이루어지도록 함으로써 정확한 온도값을 감지하려는 것이다.The object of the present invention devised in view of such a problem is to implement a temperature control function and an overtemperature monitoring function in one thermocouple to detect the correct temperature value by making the temperature sensing position at the same position.
또한, 하나의 열전대를 사용함으로써 부품의 관리가 편리해지며, 기기의 원가를 절감하려는 데 있다.In addition, the use of a single thermocouple to facilitate the management of parts and to reduce the cost of the device.
이러한 본 고안의 목적은 반응관 내부의 온도를 제어하는 온도제어용 열전대 도선과, 발열체의 과열을 방지하는 과온감시용 열전대 도선을 하나의 열전대 몸체 내부에 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 종형로의 열전대를 제공하여 달성되는 것이다.The purpose of the present invention is to provide a thermocouple conductor for controlling temperature inside the reaction tube, and a thermocouple conductor for overtemperature monitoring to prevent overheating of the heating element in one thermocouple body. It is achieved by providing.
이하에서는 본 발명을 첨부도면에 도시한 일실시례에 의거하여 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the embodiment shown in the accompanying drawings.
첨부도면 제3도는 본 고안에 의한 열전대가 설치된 반도체 제조용 종형로의 개략적인 단면도이고, 제4도는 본 고안에 의한 열전대의 구성도로서, 도시한 바와 같이, 본 고안에 의한 반도체 제조용 종형로의 열전대는 온도제어용 열전대 도선(4a)과 과온감시용 열전대 도선(5a)을 하나의 몸체(6) 안에 구비한 것을 특징으로 한다.FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a vertical furnace for manufacturing a semiconductor in which a thermocouple according to the present invention is installed, and FIG. 4 is a configuration diagram of the thermocouple according to the present invention, and as shown, a thermocouple of a vertical furnace for manufacturing a semiconductor according to the present invention. Is characterized in that it is provided with a thermocouple conductor 4a for temperature control and a thermocouple conductor 5a for overtemperature monitoring in one body 6.
즉, 본 고안에 의한 열전대는 하나의 열전대 몸체(6) 안에 종래 온도제어용 열전대에 구비되어 있던 온도제어용 열전대 도선(4a)과, 종래 과온감시용 열전대에 구비되어 있던 과온감시용 열전대 도선(5a)이 설치되어 있어 하나의 열전대를 반도체 제조용 종형로의 반응관(3)과 발열체(2) 사이에 설치함으로써 공정에 필요한 온도로 반응관(3)의 내부온도를 제어하도록 함과 아울러 과열로 인한 발열체(2)의 손상을 방지하도록 한 것이다.That is, the thermocouple according to the present invention is a thermocouple conductor 4a for temperature control, which is provided in a thermocouple for temperature control in one thermocouple body 6, and a thermocouple conductor 5a for overtemperature monitoring, which is conventionally provided for a thermocouple for overtemperature monitoring. This thermocouple is installed between the reaction tube 3 and the heating element 2 of the vertical furnace for semiconductor manufacturing to control the internal temperature of the reaction tube 3 to the temperature required for the process and the heating element due to overheating. (2) to prevent damage.
이러한 일체형 열전대에서 온도제어용 열전대 도선(4a)은 온도조절기(미도시)와 연결되고, 과온감시용 열전대 도선(5a)은 과온감시 조절기(미도시)에 연결되어 각각의 역할을 수행하게 된다.In such an integrated thermocouple, the thermocouple conductor 4a for temperature control is connected to a temperature controller (not shown), and the thermocouple conductor 5a for overtemperature monitoring is connected to an overtemperature controller (not shown) to perform each role.
이상과 같이, 본 고안에 의한 반도체 제조용 종형로의 열전대는 하나의 열전대가 온도제어기능과, 과온감시기능을 수행할 수 있기 때문에 부품의 관리가 용이해지고, 원가가 절감되는 등의 효과가 있으며, 온도를 읽어들이는 위치가 동일하므로, 두개의 열전대 간의 측정온도를 비교할 수 있고, 사양이 동일하므로 호환가능한 이점이 있다.As described above, the thermocouple of the vertical furnace for semiconductor manufacturing according to the present invention has an effect such that one thermocouple can perform the temperature control function and the overtemperature monitoring function, thereby facilitating the management of parts and reducing the cost. Since the temperature reading position is the same, the measurement temperature can be compared between two thermocouples, and the specifications are the same, so there is a compatible advantage.
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KR2019950038257U KR200235611Y1 (en) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | Thermocouples for semiconductor manufacturing vertical furnace |
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KR2019950038257U KR200235611Y1 (en) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | Thermocouples for semiconductor manufacturing vertical furnace |
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KR970047023U KR970047023U (en) | 1997-07-31 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20040003885A (en) * | 2002-07-04 | 2004-01-13 | 삼성전자주식회사 | Temperature detecting device of a diffusion furnace |
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1995
- 1995-12-05 KR KR2019950038257U patent/KR200235611Y1/en not_active IP Right Cessation
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20040003885A (en) * | 2002-07-04 | 2004-01-13 | 삼성전자주식회사 | Temperature detecting device of a diffusion furnace |
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