KR200233847Y1 - 반도체소자 제조를 위한 피·에스·지 증착공정용 챔버의 압력 조절용 스로틀 밸브 - Google Patents

반도체소자 제조를 위한 피·에스·지 증착공정용 챔버의 압력 조절용 스로틀 밸브 Download PDF

Info

Publication number
KR200233847Y1
KR200233847Y1 KR2019990012403U KR19990012403U KR200233847Y1 KR 200233847 Y1 KR200233847 Y1 KR 200233847Y1 KR 2019990012403 U KR2019990012403 U KR 2019990012403U KR 19990012403 U KR19990012403 U KR 19990012403U KR 200233847 Y1 KR200233847 Y1 KR 200233847Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plug
throttle valve
chamber
mounting stand
deposition process
Prior art date
Application number
KR2019990012403U
Other languages
English (en)
Other versions
KR20010001892U (ko
Inventor
박상규
Original Assignee
김영환
현대반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김영환, 현대반도체 주식회사 filed Critical 김영환
Priority to KR2019990012403U priority Critical patent/KR200233847Y1/ko
Publication of KR20010001892U publication Critical patent/KR20010001892U/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR200233847Y1 publication Critical patent/KR200233847Y1/ko

Links

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Details Of Valves (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

본 고안은 반도체소자 제조공정중의 하나인 피·에스·지(Phospho-Silicate Glass) 증착 공정 진행시 챔버 내부의 압력을 제어하는 스로틀 밸브의 구조를 개선하여 부산물로 인한 스로틀 밸브의 기능 저하를 방지할 수 있도록 한 것이다.
이를 위해, 본 고안은 플러그 설치가대(1)와, 상기 설치가대(1) 내부에 설치되는 C자형 플러그(6)를 구비한 피·에스·지 증착 공정용 챔버의 압력 조절용 스로틀 밸브에 있어서; 상기 플러그(6) 상·하부측에, 플러그(6) 설치가대(1) 상·하부면상의 홈(100)내에 실링을 위해 설치되는 오-링(8)과, 상기 오-링(8) 내측에 위치하여 플러그(6) 외주면상에 하면이 접하도록 설치되는 테플론 씰(9)과, 상기 테플론 씰(9) 상부에 설치되는 오-링(8)이 각각 순차적으로 설치됨을 특징으로 하는 반도체소자 제조를 위한 피·에스·지 증착공정용 챔버의 압력 조절용 스로틀 밸브가 제공된다.

Description

반도체소자 제조를 위한 피·에스·지 증착공정용 챔버의 압력 조절용 스로틀 밸브{throttle valve for controlling pressure of PSG deposition process chamber in fabrication of semiconductor}
본 고안은 반도체소자 제조공정용 스텝퍼의 스로틀 밸브에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체소자 제조공정중의 하나인 피·에스·지(Phospho-SilicateGlass) 증착 공정 진행시 챔버 내부의 압력을 제어하는 스로틀 밸브의 구조를 개선하여 부산물로 인한 스로틀 밸브의 기능 저하를 방지할 수 있도록 한 것이다.
종래의 피·에스·지 증착 공정용 챔버의 압력 조절장치인 스로틀 밸브는 도 1에 나타낸 바와 같이, 압력 조절용으로서 통공(600)을 구비한 C자형 플러그(6)와, 상기 플러그(6)가 내부에 설치되며 상·하부를 관통하는 통공(7)이 형성된 플러그 설치가대(1)와, 상기 설치가대(1) 상부측에 배치되는 절연밸브(3)와, 상기 설치가대(1) 하부측에 배치되는 설치가대 고정용 베이스(5)와, 상기 플러그(6)를 지지하도록 플러그(6) 상·하부에 각각 설치되는 스프링과, 상기 플러그(6)와 각 스프링(2) 사이에 설치되는 오-링(8)(O-Ring)으로 구성된다.
이와 같이 구성된 종래의 챔버 압력 조절장치는 C자형의 플러그(6)가 오픈 및 클로우즈 방향으로 움직이면서, 실제 챔버 내부의 압력을 조절하게 된다.
한편, 이와 같이 챔버 내부의 압력 조절시, 플러그(6) 상·하부에 설치되는 어퍼 스프링(2) 및 로우어 스프링(2)은 압력 조절시 C자형 플러그(6)가 상부측의 챔버 쪽이나 하부측의 펌핑라인 쪽으로 휘어지지 않도록 양측에서 지지하는 역할을 하게 된다.
즉, C자형 플러그(6)는 상부측의 챔버 내의 압력이 펌핑라인측의 압력에 비해 고진공일 경우에는 통공(600)이 형성된 부위가 챔버쪽으로 끄는 힘을 받으므로 위쪽으로 휘어 플러그 축(601)이 아래로 처지게 되고, 펌핑라인측의 압력이 챔버 내의 압력에 비해 고진공일 경우에는 통공(600)이 형성된 부위가 펌핑라인 쪽으로 끄는 힘을 받아 아래쪽으로 휘어 플러그 축(601)이 상부로 올라가게 되는데, 상기어퍼 스프링(2) 및 로우어 스프링(2)이 정위치에서 플러그(6)가 회동할 수 있도록 플러그(6)를 지지하게 된다.
그러나, 이와 같은 종래의 스로틀 밸브는 피·에스·지 공정에서 많이 발생되는 부산물인 파우더가 어퍼 및 로우어 스프링(2)의 골과 골사이에 누적되어 C자형 플러그(6)의 구동을 마비시켜 스로틀 밸브의 기능을 상실시키게 되는 문제점이 있었다.
즉, 종래에는 주로 어퍼 스프링(upper spring)(2)보다 로우어 스프링(lower spring)(2)에 파우더가 많이 누적되어 스로틀 밸브의 기능이 마비되는데, 이 경우 챔버의 압력이 정상적으로 제어되지 않는 현상이 발생하게 됨과 동시에 파티클로 인한 공정수율 저하 등의 여러 가지 문제점이 야기된다.
따라서, 통상 2일에 1회 정도로 발생하는 압력 제어의 결함으로 인해 스로틀 밸브를 점검하여 보수해야 하는 등 많은 문제점이 있었다.
본 고안은 상기한 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 반도체소자 제조공정중의 하나인 피·에스·지(Phospho-Silicate Glass) 증착 공정 진행시 챔버 내부의 압력을 제어하는 스로틀 밸브의 구조를 개선하여 부산물로 인해 발생하는 스로틀 밸브의 기능 저하를 방지할 수 있도록 한 반도체소자 제조를 위한 피·에스·지 증착공정용 챔버의 압력 조절용 스로틀 밸브를 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 종래의 기술장치를 나타낸 분해 사시도
도 2는 본 고안의 기술장치를 나타낸 분해 사시도
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
1:설치가대 100:홈
2:어퍼 및 로우어 스프링 3:절연밸브
4:어퍼 및 로우어 와셔 5:베이스
6:C자형 플러그 600:통공
601:플러그 축 7:통공
8:오-링 9:테플론 씰
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 고안은 플러그 설치가대와, 상기 설치가대내부에 설치되는 C자형 플러그를 구비한 피·에스·지 증착 공정용 챔버의 압력 조절용 스로틀 밸브에 있어서; 상기 플러그 상·하부측에, 플러그 설치가대 상·하부면상의 홈에 실링을 위해 설치되는 오-링과, 상기 오-링 내측에 위치하여 플러그 외주면상에 하면이 접하도록 설치되는 테플론 씰과, 상기 테플론 씰 상부에 설치되는 오-링이 각각 순차적으로 설치됨을 특징으로 하는 반도체소자 제조를 위한 피·에스·지 증착공정용 챔버의 압력 조절용 스로틀 밸브가 제공된다.
이하, 본 고안의 일실시예를 첨부도면 도 2를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 고안의 기술장치를 나타낸 분해 사시도로서, 본 고안은 플러그 설치가대(1)와, 상기 설치가대(1) 내부에 설치되는 C자형 플러그(6)를 구비한 피·에스·지 증착 공정용 챔버의 압력 조절용 스로틀 밸브에 있어서; 상기 플러그(6) 상·하부측에, 플러그(6) 설치가대(1) 상·하부면상의 홈(100)에 실링을 위해 설치되는 오-링(8)(O-Ring과, 상기 오-링(8) 내측에 위치하여 플러그(6) 외주면상에 하면이 접하도록 설치되는 테플론 씰(9)(Teflon seal)과, 상기 테플론 씰(9) 상부에 설치되는 오-링(8)이 각각 순차적으로 설치되어 구성된다.
이와 같이 구성된 본 고안의 작용은 다음과 같다.
본 고안의 챔버 압력 제어용 스로틀 밸브에서는 C자형 플러그(6)를 상·하부에서 각각 지지하여 C자형 플러그(6)의 처짐을 방지하던 어퍼 스프링(2) 및 로우어 스프링(2) 대신 통공이 형성된 테플론 씰(9)과 어퍼 및 로우어 와셔(4)를 사용하므로써 피·에스·지 공정의 부산물인 파우더가 누적되는 현상을 방지할 수 있게 된다.
즉, 본 고안의 경우에는 C자형 플러그(6) 상·하부측에 테플론 씰(9) 및 와셔(4)가 설치되므로 인해, 종래의 어퍼 스프링(2) 및 로우어 스프링(2)에서 보이는 골이 없어지므로, 챔버의 압력 조절시 공정 부산물인 파우더가 테플론 씰(9)에 누적되지 않고 펌핑라인 쪽으로 원할하게 배출되기 때문이다.
따라서, 본 고안의 스로틀 밸브는 종래의 장치와는 달리 파우더 누적으로 인해 발생하는 스로틀 밸브의 압력 제어 결함이 발생하지 않아 피·에스·지 공정의 수율을 향상시킬 수 있게 될 뿐만 아니라, 스로틀 밸브의 유지 보수 사이클이 현저히 연장되므로 유지 보수 및 관리 측면에서도 시간 및 인력을 절약할 수 있는 등 여러 가지 면에서 매우 유리해진다.
이상에서와 같이, 본 고안은 반도체소자 제조공정중의 하나인 피·에스·지(Phospho-Silicate Glass) 증착 공정 진행시 챔버 내부의 압력을 제어하는 스로틀 밸브의 구조를 개선하여 부산물로 인한 스로틀 밸브의 기능 저하를 방지할 수 있도록 한 것이다.
이에 따라, 본 고안은 파우더 누적으로 인해 발생하는 스로틀 밸브의 압력 제어 결함을 최소화하여 피·에스·지 공정의 수율을 향상시킬 수 있게 되며, 이와 더불어 스로틀 밸브의 유지 보수를 위한 사이클을 종래에 비해 현저히 연장시키므로써 시간 및 인력을 절약할 수 있는 등의 효과를 가져오게 된다.

Claims (1)

  1. 플러그 설치가대와, 상기 설치가대 내부에 설치되어 회전하는 C자형 플러그를 구비한 피·에스·지 증착 공정용 챔버의 압력 조절용 스로틀 밸브에 있어서;
    상기 플러그 상·하부측에, 플러그 설치가대 상·하부면상의 홈에 실링을 위해 설치되는 오-링과,
    상기 오-링 내측에 위치하여 플러그 외주면상에 하면이 접하도록 설치되는 테플론 씰과,
    상기 테플론 씰 상부에 설치되는 오-링이 각각 순차적으로 설치됨을 특징으로 하는 반도체소자 제조를 위한 피·에스·지 증착공정용 챔버의 압력 조절용 스로틀 밸브.
KR2019990012403U 1999-06-30 1999-06-30 반도체소자 제조를 위한 피·에스·지 증착공정용 챔버의 압력 조절용 스로틀 밸브 KR200233847Y1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019990012403U KR200233847Y1 (ko) 1999-06-30 1999-06-30 반도체소자 제조를 위한 피·에스·지 증착공정용 챔버의 압력 조절용 스로틀 밸브

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019990012403U KR200233847Y1 (ko) 1999-06-30 1999-06-30 반도체소자 제조를 위한 피·에스·지 증착공정용 챔버의 압력 조절용 스로틀 밸브

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010001892U KR20010001892U (ko) 2001-01-26
KR200233847Y1 true KR200233847Y1 (ko) 2001-09-29

Family

ID=54765200

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2019990012403U KR200233847Y1 (ko) 1999-06-30 1999-06-30 반도체소자 제조를 위한 피·에스·지 증착공정용 챔버의 압력 조절용 스로틀 밸브

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR200233847Y1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040024899A (ko) * 2002-09-17 2004-03-24 삼성전자주식회사 이온주입 설비의 디퍼런셜 씨일과 센터링
KR102385542B1 (ko) * 2017-11-16 2022-04-12 삼성전자주식회사 압력 조절 밸브 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010001892U (ko) 2001-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101985745B (zh) 化学气相沉积装置以及基板处理装置
KR200233847Y1 (ko) 반도체소자 제조를 위한 피·에스·지 증착공정용 챔버의 압력 조절용 스로틀 밸브
JP2000029535A (ja) 流体制御装置
KR101564583B1 (ko) 로드락 챔버 및 그를 포함하는 기판처리장비
CN114196942B (zh) 半导体工艺腔室
CN109837527B (zh) 一种进气机构
KR101592657B1 (ko) 연료전지 차량의 스택 냉각수 조절용 밸브
CN107905986B (zh) 一种隔膜稳压泵
KR200250705Y1 (ko) 정수기용 감압 밸브
KR20030063716A (ko) 압축기의 터미널조립체
US20220243737A1 (en) Vacuum assembly and vacuum pump with an axial through passage
KR20010015596A (ko) 판형기판 피복장치
KR200250717Y1 (ko) 듀플렉스 밸브
KR20100010659A (ko) 기판처리장치
KR101218113B1 (ko) 반도체 처리 장치
KR20220100588A (ko) 진공 프로세스 챔버들을 위한 가스 유입구 밸브
KR20070090658A (ko) 플라즈마 처리장치
KR200244931Y1 (ko) 반도체증착장비의웨이퍼접촉면조절장치
KR100444148B1 (ko) 박막증착장치용 웨이퍼블럭 승강장치
KR950008497Y1 (ko) 자동온도 조절장치
KR20220108499A (ko) 기판 지지 장치, 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법
KR19980017628A (ko) 펌프의 콘트롤 밸브장치
KR20240022106A (ko) 기판처리장치
KR100280981B1 (ko) 스퍼터링장치의 파티클 실드장치
KR200263343Y1 (ko) 솔레노이드 밸브 취부구조

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
REGI Registration of establishment
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120424

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee