KR101218113B1 - 반도체 처리 장치 - Google Patents

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KR101218113B1 KR1020050135433A KR20050135433A KR101218113B1 KR 101218113 B1 KR101218113 B1 KR 101218113B1 KR 1020050135433 A KR1020050135433 A KR 1020050135433A KR 20050135433 A KR20050135433 A KR 20050135433A KR 101218113 B1 KR101218113 B1 KR 101218113B1
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Abstract

본 발명은 이중 밀봉으로 인한 가스 누설을 방지하고자 챔버 본체와 별도로 구성된 가스 유도부를 포함하는 반도체 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 처리 장치는 챔버 본체, 챔버 본체를 복개하는 복개판, 복개판의 주변부에 관통 형성된 제 1 가스 유로, 제 1 가스 유로와 연통되는 제 2 가스 유로를 포함하고 챔버 본체와 분리된 가스 유도부, 및 제 1 가스 유로와 연통되며 챔버 본체 내부에 가스를 공급하는 가스 공급 수단을 포함한다. 따라서, 본 발명에 의해 챔버 본체와 별도로 가스 유도부를 형성하여 이들을 각각 밀봉함으로써 이중 밀봉의 레벨 차이로 인한 누설 문제를 방지할 수 있고, 가스 유도부를 챔버 본체와 분리함으로써 챔버 내부로 공급되는 가스의 온도를 용이하게 제어할 수 있다. 또한, 본 발명에 의해 가스 유로를 추가하고자 할 때 가스 유로를 챔버 본체와는 별도로 형성함으로써 챔버 본체 자체의 개조 없이 가스 유로를 추가할 수 있다.
반도체 처리 장치, O-링, 밀폐 결합 수단

Description

반도체 처리 장치 {SEMICONDUCTOR PROCESSING APPARATUS}
도 1은 CVD 장치의 챔버 본체 일부의 개략적 사시도.
도 2는 CVD 장치의 개략적 단면도.
도 3은 도 2에 도시된 CVD 장치의 개략적 사시도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 CVD 장치의 개략적 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 가스 유도부의 사시도.
도 6은 본 발명에 따른 가스 유도부에서 밀폐 결합 수단을 조이기 전의 단면도.
도 7은 본 발명에 따른 가스 유도부에서 밀폐 결합 수단을 조인 후의 단면도.
※도면의 주요 부재에 대한 부호의 설명※
200 : 가스 유도부 400 : 지지 블록
500 : 제 3 개구 510 : 가이드 핀
520 : 제 4 개구 600 : 밀폐 결합 수단
610 : 제 1 개구 611 : 단턱부
620 : 제 2 개구 630 : 제 2 고정 부재
640 : 탄성 부재 650 : 제 1 고정 부재
660, 670 : 면판
본 발명은 반도체 처리 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 이중 밀봉으로 인한 가스 누설을 방지하고자 챔버 본체와 별도로 구성된 가스 유도부를 포함하는 반도체 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 기판에 박막을 제조하는 방법은 물리 기상 증착(PVD, Physical Vapor Deposition)법과 화학 기상 증착(CVD, Chemical Vapor Deposition)법으로 크게 나눌 수 있으나, 최근에는 스텝 커버리지(step coverage)이나 박막 균일도가 우수한 CVD법이 주로 사용되고 있다.
CVD도 APCVD(Atmospheric Pressure CVD), LPCVD(Low Pressure CVD), PECVD(Plasma Enhanced CVD), ALD(Atomic Layer Deposition, 원자층 증착) 등의 방법으로 나눌 수 있는데, 이 중에서도 저온 증착이 가능하고 박막 형성 속도가 빠른 PECVD법과, 종래 방식에 비하여 박막 균일도나 스텝 커버리지가 매우 우수하며 미세패턴이 요구되는 게이트 산화막(gate-oxide layer), 커패시터 유전막(capacitor dielectric layer), 확산 방지막(diffusion barrier layer) 등의 증착 공정에 사용되는 ALD법이 최근 많이 사용되고 있다.
도 1은 이러한 CVD 장치의 챔버 본체의 개략적 사시도이며, 도 2는 CVD 장치의 개략적 단면도이며, 도 3은 CVD 장치의 개략적 사시도이다. 도 1 내지 도 3을 참조하면, CVD 장치는 일반적으로 기판이 안착되는 서셉터(도시 않음)를 구비하는 챔버 본체(20)와, 상기 챔버 본체(20) 상단에 결합되는 복개판(30)과, 상기 복개판(30)을 통해 상기 챔버(20) 내부로 가스를 공급하기 위한 가스 공급 수단(50)을 포함한다.
상기 가스 공급 수단(50)은 도 2에 도시된 바와 같이, 챔버(20)의 측면에 형성된 가스 유로(21) 및 이와 연통하는 복개판(30)의 가스 유로(31)와 연결되어 공정에 필요한 가스를 챔버 내부로 분사시킨다. 이때, 챔버 본체(20) 및 복개판(30)에 형성된 가스 유로(21, 31)를 밀봉시키고 챔버 내부를 밀봉시키기 위해, 챔버 본체(20)의 가스 유로(21) 주변에 그리고 챔버 본체(20)와 복개판(30) 사이에 각각 이중 O-링 즉, 제 1 및 제 2 O-링(60 및 70)이 마련된다.
그러나, 상기와 같은 밀봉 구조에서 챔버 내부 및 가스 유로를 밀봉하기 위해 이중 O-링을 통해 밀봉하면 각각의 O-링의 레벨이 맞지 않을 경우 챔버 외부 또는 내부에 누설이 발생하여 공정에 악영향을 미친다.
또한, 챔버 본체 자체에 가스 유로를 형성한 결과 챔버 본체와 상이하게 가스의 온도 제어가 곤란한 문제점이 있다.
한편, 가스 유로를 추가로 형성하기 위해서는 챔버 본체 이외의 부품을 챔버 본체로부터 분리하고 챔버 본체 자체에 가스 유로를 형성해야 하므로 많은 난점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 챔버 본체와 별도로 가스 유도부를 형성하여 이들 을 각각 밀봉함으로써 이중 밀봉으로 인한 누설 문제를 해결할 수 있는 반도체 처리 장치를 제공하고자 하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 가스 유도부를 챔버 본체와 분리함으로써 챔버 내부로 공급되는 가스의 온도를 용이하게 제어할 수 있는 반도체 처리 장치를 제공하고자 하는 것이다.
한편, 본 발명의 다른 목적은 가스 유로를 추가하고자 할 때 가스 유로를 챔버 본체와는 무관하게 별도로 형성함으로써 챔버 본체를 개조하는 문제를 해결할 수 있는 반도체 처리 장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명에 따른 반도체 처리 장치는 챔버 본체, 상기 챔버 본체를 복개하는 복개판, 상기 복개판의 내부에 형성되어 상기 챔버 본체 내부에 가스를 공급하는 제 1 가스 유로, 상기 제 1 가스 유로와 연통되는 제 2 가스 유로를 포함하고 상기 챔버 본체와 분리된 가스 유도부, 상기 제 1 가스 유로와 상기 제 2 가스 유로를 밀봉 연결하기 위해 마련된 밀봉 부재, 및 상기 가스 유도부를 지지하는 지지 블록을 포함한다.
이때, 상기 가스 유도부와 상기 지지 블록은 이들 사이가 소정 간격 내에서 이동하도록 결합된다. 상기 가스 유도부에는 상기 밀봉 부재를 가압시키기 위해 상기 가스 유도부를 상향 편의시키는 밀폐 결합 수단이 마련된다. 상기 밀폐 결합 수단은 상기 가스 유도부를 관통 형성된 제 1 개구 내에 삽입되어 하단이 상기 지지 블록 내에 형성된 제 2 개구에 삽입 고정되는 제 1 고정 부재, 상기 제 1 고정 부재 상단에 마련된 탄성 부재, 및 상기 제 1 개구의 상단에 나사결합되어 상기 탄성 부재의 복원력을 조절하는 제 2 고정 부재를 포함한다. 상기 제 1 고정 부재와 상기 탄성 부재 사이 및 상기 제 2 고정 부재와 탄성 부재 사이 중 하나 이상에 면판이 마련될 수 있다. 상기 제 1 개구 하부에는 상기 가스 유도부의 상향 이동을 저지하는 단턱부가 형성되어 있다. 한편, 상기 밀폐 결합 수단은 상기 가스 유도부 하단에 형성된 제 3 개구 내에서 소정 간격으로 이동 가능하도록 삽입되어 있는 가이드 부재를 더 포함할 수 있다. 상기 가이드 부재의 일단은 상기 지지 블록 내에 형성된 제 4 개구와 나사결합한다. 상기 제 2 가스 유로는 상기 가스 유도부의 측면 및 저면 중 하나 이상에 형성될 수 있다. 상기 복개판과 상기 제 1 가스 유로가 관통 형성된 주변부가 별개의 부재로 형성될 수 있다. 상기 복개판과 상기 주변부 사이에는 절연 부재가 개재될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 본 실시예들은 단지 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면 상에서 동일 부호는 동일한 부재를 지칭한다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 CVD 장치의 개략적 단면도이다. 도 4를 참조하면, CVD 장치는 일반적으로 기판이 안착되는 서셉터(도시 않음)를 구비하는 챔버 본체(120)와, 상기 챔버 본체(120)를 복개하는 복개판(130)과, 상기 복개판 (130)의 내부에 형성되어 챔버 본체(120) 내부에 가스를 공급하는 제 1 가스 유로(310)와, 상기 복개판(130)을 통해 상기 챔버 본체(120) 내부로 가스를 공급하기 위한 가스 공급 수단(150)을 포함한다. 또한, 본 발명에 따른 CVD 장치는 챔버 본체(120)의 측면에 이격 배치되고 제 2 가스 유로(210)가 내부에 관통 형성되는 가스 유도부(200)를 더 포함한다. 상기 복개판(130)의 주변부에 관통 형성된 제 1 가스 유로(310)는 가스 유도부(200)에 관통 형성된 제 2 가스 유로(210)와 연통되며, 이들 가스 유로를 밀봉하기 위해 상기 가스 유도부(200)의 상면에 O-링(160)이 마련된다. 또한, 상기 복개판(130)과 챔버 본체(120) 사이에도 이들을 밀봉하기 위해 챔버 본체(120) 상면에 O-링(170)이 마련된다. 상기 제 1 및 제 2 가스 유로(310 및 210)는 가스 공급 수단(150)과 연결되어 챔버 내부에 소정의 가스를 공급한다.
한편, 도 4에서는 제 1 가스 유로(310)가 관통 형성된 복개판(130)의 주변부가 별도의 부재로 제조되어 절연체인 온도 제어 스페이서(180)에 의해 복개판(130)에 결합된 것으로 도시되나, 본 발명은 이에 한정되지 않고 제작을 용이하게 하기 위하여 제 1 가스 유로(310)가 관통 형성된 복개판(130)의 주변부가 복개판(130)과 일체로 형성될 수도 있다.
도 5는 본 발명에 따른 가스 유도부의 사시도이다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 가스 유도부(200) 아래에는 상기 가스 유도부(200)를 지지하기 위한 지지 블록(400)이 마련되며, 상기 지지 블록(400)은 챔버 본체(120)와 함께 챔버 프레임(도시 않음) 상에 고정된다. 챔버 본체(120)와 가스 유도부(200)가 챔버 프레임(도시 않음) 상에 장착될 때, 이들은 동일 높이에 있지 않고 가스 유도부(200)가 챔버 본체(120) 보다 약 1mm 정도 높게 배치된다. 이에 대해서는 후술한다.
도 5에 도시된 바와 같이, 가스 유도부(200) 단변의 중앙 하단에는 가스 유도부(200)의 상하 이동을 가이드하는 가이드 핀(510)이 삽입될 수 있는 제 3 개구(500)가 형성되어 있다. 또한, 상기 지지 블록(400)에도 상기 가이드 핀(510)의 나사산과 대응하는 나사산이 형성된 제 4 개구(520)가 형성되어 있다. 상기 지지 블록(400)의 제 4 개구(520)를 통해 상기 가이드 핀(510)을 삽입시켜 조인 후 가스 유도부(200)의 제 3 개구(500)에 상기 가이드 핀(510)을 삽입함으로써 상기 가이드 핀(510)이 가스 유도부(200)를 가이드하는 역할을 한다.
도 6은 본 발명에 따른 가스 유도부에서 밀폐 결합 수단을 조으기 전의 단면도이다. 도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 가스 유도부(200)의 모서리 부근에는 본 발명에 따른 밀폐 결합 수단(600)이 삽입될 수 있는 제 1 및 제 2 개구(610 및 620)가 가스 유도부(200) 및 지지 블록(400)에 각각 형성되어 있다. 상기 가스 유도부(200)의 제 1 개구(610) 상부에는 나사산이 형성되어 있다.
본 발명에 따른 밀폐 결합 수단(600)은 제 2 고정 부재(630), 탄성 부재(640) 및 제 1 고정 부재(650)를 포함한다. 상기 제 1 고정 부재(650)는 볼트 형태이나 나사산은 지지 블록(400)과 체결되는 부분에만 형성되어 있다. 상기 제 1 고정 부재(650)는 가스 유도부(200)의 제 1 개구(610)와 지지 블록(400)의 제 2 개구(620)를 통해 삽입된다. 상기 제 1 개구(610)의 하단에는 단턱부(611)가 형성되어 있어 가스 유도부(200)의 상향 이동을 저지시킨다. 또한, 상기 제 1 고정 부재 (650)의 헤드와 제 1 개구(610)의 단턱부(611) 사이에는 약 2mm 정도의 간격이 형성되어 있어 가스 유도부(200)의 상승을 보장한다.
상기 제 1 고정 부재(650) 상에는 탄성 부재(640)가 설치된다. 상기 제 1 고정 부재(650)와 탄성 부재(640) 사이에는 탄성 부재(640)를 평탄하게 지지하기 위한 면판(660)이 개재될 수도 있다. 상기 탄성 부재(640)는 코일 스프링(coiled spring)인 것이 바람직하다. 상기 탄성 부재(640) 상에는 제 2 고정 부재(630)가 설치된다. 상기 제 2 고정 부재(630)에는 가스 유도부(200)의 제 1 개구(610) 상부에 형성된 나사산과 치합되는 나사산이 형성되어 있다. 본 발명에 따른 가스 유도부(200)가 복개판(130, 도 4 참조)과 조립될 때, 상기 제 2 고정 부재(630)는 상기 가스 유도부(200)와 동일 평면 또는 그 아래에 있도록 조여진 상태에 있게 된다. 이때, 제 2 고정 부재(630)의 조여진 정도가 너무 크면 탄성 부재(640)의 복원력이 너무 커서 복개판(130)을 상승시켜 O-링(160)이 존재하는 복개판(130)과 가스 유도부(200) 사이에 틈이 형성되어 누설이 발생하게 된다. 또한, 제 2 고정 부재(630)의 조여진 정도가 너무 작으면 탄성 부재(640)의 복원력이 작아 가스 유도부(200)가 O-링(160)을 가압하는 힘이 작게 된다. 이 경우에는 복개판(130)과 가스 유도부(200) 사이에 O-링(160)이 개재되어 있어도 균일한 접촉을 보장할 수 없게 된다. 따라서, 제 2 고정 부재(630)의 조임 정도는 상기 두 경우 사이의 정도로 유지되어야 한다. 한편, 상기 탄성 부재(640)와 제 2 고정 부재(630) 사이에도 탄성 부재(640)를 평탄하게 지지하기 위한 면판(670)이 개재될 수도 있다.
도 5를 다시 참조하면, 상기 가스 유도부(200) 중앙에는 가스 공급원(도시 않음)에 연결된 가스 유입 라인(410)과 연결되는 제 2 가스 유로(210)가 형성되어 있다. 가스 유도부(200)의 상면에는 상기 제 2 가스 유로(210)를 밀봉시키기 위해 제 2 가스 유로(210) 둘레에 O-링(160)이 마련된다. 비록 도 5에서는 가스 유도부(200)의 상면에 5개의 제 2 가스 유로(210)가 형성되어 있으나 본 발명은 이에 한정되지 않고 공정에서 요구되는 가스의 종류에 따라 다양한 개수로 제 2 가스 유로(210)를 형성할 수 있다. 또한, 도 5에서는 도 4와 달리 가스 유도부(200)의 저면으로부터 가스 유입 라인(410)이 연결되나 본 발명은 이에 한정되지 않고 가스 유도부(200)의 측면 및 저면 중 어느 하나 이상에 형성될 수 있다.
도 7은 본 발명에 따른 가스 유도부에서 밀폐 결합 수단을 조인 후의 단면도이다. 상기 탄성 부재(640)가 복개판(130)과 가스 유도부(200) 사이에 일정한 접촉 탄성력을 제공하도록 상기 제 2 고정 부재(630)를 조임으로써 상기 탄성 부재(640)는 도 7에 도시된 바와 같이 압축된 상태에 있게 된다. 상기 제 2 고정 부재(630)를 조임에 따라 탄성 부재(640)가 압축되며, 상기 탄성 부재(640)의 복원력에 의해 제 1 고정 부재(650)가 하향 가압된다. 제 1 고정 부재(650)가 가압됨으로써 가스 유도부(200)를 상승시키게 된다. 이때, 가스 유도부(200)는 제 1 고정 부재(650)와 제 1 개구(610)의 단턱부(611) 사이의 간격 만큼 상승된다. 이러한 가스 유도부(200)의 상승은 가이드 핀(510) 및 제 1 고정 부재(650)와 제 1 개구(610)의 단턱부(611) 사이의 간격으로 인해 가능하다.
챔버 프레임(도시 않음) 상에 챔버 본체(120)와 가스 유도부(200)가 장착된 상태에서 복개판(130)을 챔버 본체(120)와 가스 유도부(200) 상에 장착한다. 여기 서, 복개판(130)이 가스 유도부(200) 상에 놓이게 되면, 가스 유도부(200)는 챔버 본체(120)보다 약 1mm 높게 배치되어 있으므로 복개판(130)의 무게로 인해 압축된다. 즉, 탄성 부재(640)는 더 압축된 상태에 있게 된다. 이때, 지지 블록(400)은 챔버 프레임(도시 않음)에 고정되어 있으므로 움직일 수 없다. 따라서, 가스 유도부(200) 자체가 탄성 부재(640)의 추가 압축에 의해 가스 유도부(200)와 지지 블록(400) 사이의 간격에 의해 아래로 이동하게 된다. 이러한 가스 유도부(200)의 하향 이동으로 인해 압축된 탄성 부재(640)에는 복원력이 작용하여 가스 유도부(200)와 복개판(130) 사이에서 제 2 가스 유로(210)를 밀봉하기 위해 개재된 O-링(160)을 가압하게 된다. 이를 통해, 가스 유도부(200)의 제 2 가스 유로(210) 둘레에 마련된 O-링(160)과 복개판(130)의 하부면이 균일하게 접촉하게 된다. 따라서, 챔버 본체(120) 자체에 이중 O-링을 형성함으로써 발생할 수 있는 가스 누설을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 가스 유도부(200)를 챔버 본체(120)와 별도로 구성함으로써 챔버 본체(120)의 온도와 독립적으로 가스 유도부(200)를 통해 공급되는 가스의 온도를 제어할 수 있다. 또한, 가스 유로를 추가하고자 할 때에도 챔버 본체 자체를 변경함이 없이 본 발명에 따른 가스 유도부를 추가 설치하면 되므로 보다 용이하게 가스 유로를 추가할 수 있다.
한편, 상기 복개판(130)의 상부에는 상기 제 1 및 제 2 가스 유로(310 및 210)와 연결되어 챔버 내부로 가스를 공급하는 가스 공급 수단(150)이 마련된다. 또한, 본 발명의 실시예에서는 상기 지지 블록(400)을 별도의 부재로 구성하였으 나, 챔버 본체(120)와 일체로 형성할 수도 있다.
이하에서는 도 4 내지 도 7을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 처리 장치의 조립 순서에 대해 설명한다.
먼저, 기판이 안착되는 서셉터(도시 않음)를 구비하는 챔버 본체(120), 상기 챔버 본체(120)와 별도로 구성된 가스 유도부(200) 및 지지 블록(400)을 챔버 프레임(도시 않음) 상에 장착한다. 이때, 가스 유도부(200)의 높이는 챔버 본체(120)의 높이 보다 약 1mm 정도 높게 배치된다. 이는 가스 유도부(200)가 챔버 본체(120)와 동일 평면 상에 있게 되면 복개판(130)을 장착할 때 가스 유도부(200)에 아무런 힘도 가할 수 없기 때문이다. 상기 가스 유도부(200)의 상면에는 제 2 가스 유로(210)를 밀봉시키기 위한 O-링(160)이 마련되고, 상기 챔버 본체(120) 상면에는 챔버 공간을 밀봉하기 위한 O-링(170)이 마련된다. 상기 챔버 본체(120) 상단에는 주변부에 관통 형성된 제 1 가스 유로(310)를 포함하는 복개판(130)이 결합된다. 제 1 가스 유로(310)가 형성된 주변부는 복개판(130)과 별도의 부재로 형성되어 온도 제어 스페이서(180)에 의해 복개판(130)에 결합될 수도 있다. 상기 복개판(130)의 상부에는 상기 제 1 및 제 2 가스 유로(310 및 210)와 연결되어 챔버 내부로 가스를 공급하는 가스 공급 수단(150)이 마련된다.
상기 가스 유도부(200)와 지지 블록(400)의 조립에 대해 보다 구체적으로 설명하면, 상기 지지 블록(400)의 제 4 개구(520)를 통해 상기 가이드 핀(510)을 삽입시켜 조인 후 가스 유도부(200)의 제 3 개구(300)에 삽입함으로써 상기 가이드 핀(510)이 가스 유도부(200)를 가이드하는 역할을 한다. 즉, 상기 가스 유도부 (200)는 가이드 핀(510)과 관계 없이 후술하는 밀폐 결합 수단(600)에 의해 상하 이동할 수 있다.
본 발명에 따른 밀폐 결합 수단(600)은 제 2 고정 부재(630), 탄성 부재(640) 및 제 1 부재(650)를 포함한다. 상기 제 1 고정 부재(650)는 볼트 형태이나 나사산은 지지 블록(400)과 체결되는 부분에만 형성되어 있다. 상기 제 1 고정 부재(650)는 가스 유도부(200)의 제 1 개구(610)와 지지 블록(400)의 제 2 개구(620)를 통해 삽입된다. 상기 제 1 개구(610)의 하단에는 단턱부(611)가 형성되어 있어 가스 유도부(200)의 상향 이동을 저지시킨다. 또한, 상기 제 1 고정 부재(650)의 헤드와 제 1 개구(610)의 단턱부(611) 사이에는 약 2mm 정도의 간격이 형성되어 있어 가스 유도부(200)의 상승을 보장한다.
상기 제 1 고정 부재(650) 상에는 탄성 부재(640)가 설치된다. 상기 제 1 고정 부재(650)와 탄성 부재(640) 사이에는 탄성 부재(640)를 평탄하게 지지하기 위한 면판(660)이 개재될 수도 있다. 상기 탄성 부재(640)는 코일 스프링(coiled spring)인 것이 바람직하다.
상기 탄성 부재(640) 상에는 제 2 고정 부재(630)가 설치된다. 상기 제 2 고정 부재(630)에는 가스 유도부(200)의 제 1 개구(610) 상부에 형성된 나사산과 치합되는 나사산이 형성되어 있다. 본 발명에 따른 가스 유도부(200)가 복개판(130, 도 4 참조)과 조립될 때, 상기 제 2 고정 부재(630)는 상기 가스 유도부(200)와 동일 평면 또는 그 아래에 있도록 조여진 상태에 있게 된다. 한편, 상기 탄성 부재(640)와 제 2 고정 부재(630) 사이에도 탄성 부재(640)를 평탄하게 지지 하기 위한 면판(670)이 개재될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에서는 CVD 장치를 중심으로 본 발명을 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고 에칭, PVD 등을 수행하기 위해 챔버와 복개판으로 구성되는 모든 반도체 및 표시 소자 처리 장치에 적용될 수 있음을 당업자라면 용이하게 인식할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명에 의해 챔버 본체와 별도로 가스 유도부를 형성하여 이들을 각각 밀봉함으로써 이중 밀봉의 레벨 차이로 인한 누설 문제를 방지할 수 있다.
또한, 가스 유도부를 챔버 본체와 분리함으로써 챔버 내부로 공급되는 가스의 온도를 용이하게 제어할 수 있다.
한편, 본 발명에 의해 가스 유로를 추가하고자 할 때 가스 유로를 챔버 본체와는 별도로 형성함으로써 챔버 본체 자체의 개조 없이 가스 유로를 추가할 수 있다.

Claims (11)

  1. 챔버 본체;
    상기 챔버 본체를 복개하는 복개판;
    상기 복개판의 주변부에 관통 형성되어 상기 챔버 본체 내부에 가스를 공급하는 제 1 가스 유로;
    상기 제 1 가스 유로와 연통되는 제 2 가스 유로를 포함하고 상기 챔버 본체와 별개의 구조로 밀봉되는 가스 유도부;
    상기 제 1 가스 유로와 상기 제 2 가스 유로를 별개로 밀봉 연결하기 위해 마련된 밀봉 부재; 및
    상기 가스 유도부를 지지하는 지지 블록을 포함하고,
    상기 가스 유도부와 상기 지지 블록은 이들 사이가 소정 간격 내에서 이동하도록 결합된 것을 특징으로 하는,
    반도체 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 가스 유도부에는 상기 밀봉 부재를 가압시키기 위해 상기 가스 유도부를 상승시키는 밀폐 결합 수단이 마련된 것을 특징으로 하는,
    반도체 처리 장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 밀폐 결합 수단은,
    상기 가스 유도부를 관통하여 형성된 제 1 개구 내에 삽입되어 하단이 상기 지지 블록 내에 형성된 제 2 개구에 삽입 고정되는 제 1 고정 부재,
    상기 제 1 고정 부재 상단에 마련된 탄성 부재, 및
    상기 제 1 개구의 상단에 나사결합되어 상기 탄성 부재의 복원력을 조절하는 제 2 고정 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는,
    반도체 처리 장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 제 1 고정 부재와 상기 탄성 부재 사이 및 상기 제 2 고정 부재와 탄성 부재 사이 중 하나 이상에 상기 탄성 부재를 평탄하게 지지하기 위한 면판이 마련된 것을 특징으로 하는,
    반도체 처리 장치.
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 제 1 개구 하부에는 상기 가스 유도부의 상향 이동을 저지하는 단턱부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는,
    반도체 처리 장치.
  7. 청구항 4에 있어서,
    상기 가스 유도부 하단에 형성된 제 3 개구 내에서 소정 간격으로 이동 가능하도록 삽입되어 있는 가이드 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,
    반도체 처리 장치.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 가이드 부재의 일단은 상기 지지 블록 내에 형성된 제 4 개구와 나사결합하는 것을 특징으로 하는,
    반도체 처리 장치.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 2 가스 유로는 상기 가스 유도부의 측면 및 저면 중 하나 이상에 형성되는 것을 특징으로 하는,
    반도체 처리 장치.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 복개판과 상기 제 1 가스 유로가 관통 형성된 주변부가 별개의 부재로 형성되는 것을 특징으로 하는,
    반도체 처리 장치.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 복개판과 상기 주변부 사이에는 절연 부재가 개재되는 것을 특징으로 하는,
    반도체 처리 장치.
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