KR200231854Y1 - 반도체 웨이퍼 건조장치 - Google Patents
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Abstract
본 고안은 반도체 웨이퍼 건조장치에 관한 것으로 본 고안의 반도체 웨이퍼 건조장치는 웨이퍼(W)가 놓이는 챔버(15)에 마이크로웨이브를 발사하는 마이크로웨이브 발생수단(15)을 설치하여 마이크로웨이브 발생수단(15)에서 발사되는 마이크로웨이브에 의해 웨이퍼(W)를 건조시키게 됨으로써 웨이퍼(W)에 이물질이 부착되거나 손상되는 것을 방지하게 될 뿐만 아니라 건조능력을 높여 건조시간을 단축시킬 수 있도록 한 것이다.
Description
본 고안은 반도체 웨이퍼 건조장치에 관한 것으로, 특히 웨이퍼에 이물질이 부착되거나 화확적 반응이 일어남이 없이 짧은 시간내에 웨이퍼의 건조과정을 이룰수 있도록 한 반도체 웨이퍼 건조장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 웨이퍼(WAFER)를 제조함에 있어, 웨이퍼의 수분을 제거하는 건조공정이 이루어지게 된다.
상기 반도체 웨이퍼를 건조하는 건조장치로 웨이퍼를 회전시켜 원심력에 의해 웨이퍼의 수분을 제거하여 건조시키는 스핀 드라이어(SPIN DRYER)와 이소프로필알콜(IPA)을 가열하여 수분과 치환하여 수분을 제거하여 건조시키는 베이퍼 드라이어(VAPOR DRYER) 등이 있다.
제1도는 상기 스핀 드라이어의 일예를 도시한 것으로 이에 도시한 바와 같이, 스핀 드라이어는 원통령 챔버(1)내에 내부용기(2)가 설치되어 있고 상기 내부용기(2)내에 모터(3)가 설치되어 있으며 상기 모터(3)에 멀티 포지션 턴테이블(MULTI POSIT10N TURNTABLE)(4)이 결합되어 있고 상기 턴테이블(4)위에는 웨이퍼(W)가 장착된 카세트(5)가 설치되어 있다. 그리고 내부용기(2)에는 챔버(1)의 외부로 통하도록 배출구(6)가 형성되어 있다. 그리고 상기 내부용기의 상부에 필터링된 공기가 유입되도록 형성되어 있다.
상기한 바와 같은 스핀 드라이어는 모터(3)의 구동에 의해 멀티포지션 턴테이블(4)이 회전하게 되고 상기 멀티포지션 턴테이블(4)의 회전에 의해 발생되는 원심력에 의해 웨이퍼(W) 표면에 부착된 물이 웨이퍼(W)에서 이탈되어 원통 챔버(1)의 내주면에 부착됨과 더불어 하부로 흘러 배출구(6)를 통해 외부로 배출되어 웨이퍼(W)가 건조된다.
한편, 제2도는 베이퍼 건조장치의 일예를 도시한 것으로, 이에 도시한 바와 같이 베이퍼 건조장지는 챔버(7)의 내부에 용기(8)가 설치되어 있고 상기 용기(8)의 외면에는 다수개의 히터(9)가 장착되어 있으며 살기 용기(8)의 내부에는 이소프로필 알콜(L)이 채워져 있을 뿐만 아니라 용기(8)에는 이소프로필알콜(L)을 공급하는 알콜용기(10)가 연통되어 있다. 또한 상기 용기(8)내에는 웨이퍼(W)가 놓이는 리시버(RECEIVER)(11)가 설치되어 있다.
미설명 부호 12는 필터를 도시한 것이고, 미설명 부호 13은 팬을 도시한 것이다. 상기한 바와 같은 구성요소를 포함하여 이루어진 베이퍼 건조장치는 히터(9)에서 발생하는 열에 의해 이소프로필알콜(L)이 가열되어 이소프로필알콜 증기가 챔버(7) 내부에 가득찬 상태에서 용기(8)내부에 설치된 리시버(11)에 웨이퍼(W)를 장착하여 웨이퍼(W)에 뭍어 있는 수분이 이소프로필알콜 증기와 치환되도록 하여 웨이퍼(W)표면에 부착된 수분을 제거하여 건조시키게 된다.
그러나 상기한 바와 같은 구조에서, 스핀드라이어 건조장치는 기계적 운동에 의해 이물질이 발생하여 이물질이 웨이퍼에 부작된는 것이 용이하며 또한 베이퍼드라이어는 화학물질을 사용하게 됨으로 웨이퍼에 오염을 유발시키는 단점이 있었다. 따라서 본 고안의 목적은 웨이퍼에 이물질이 부착되거나 화학적 반응이 일어남이 없이 짧은 시간내에 웨이퍼의 건조과정을 이룰수 있도록 한 반도체 웨이퍼 건조장치를 제공함에 있다.
제1도는 종래 반도체 웨이퍼를 건조시키는 스핀드라이어를 개략적으로 도시란 개략도.
제2도는 종래 반도체 웨이퍼를 건조시키는 베이퍼드라이어를 개략적으로 도시한 개략도.
제3도는 본 고안의 반도체 웨이퍼 건조장치를 개략적으로 도시한 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
14 : 보우트 15 : 챔버
15a : 도파관 15c : 반사면
16 : 마이크로웨이브 발생수단 W : 웨이퍼
상기한 바와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여 내부에 웨이퍼가 장착되는 보우트를 포함하여 구비한 챔버에 있어서 상기 챔버의 양측에 마이크로 웨이브를 발사하는 마이크로 웨이브 발생수단이 설치되고 상기 마이크 웨이브 발생수단에서 발사되는 마이크로 웨이브를 상기 챔버내부로 안내도록 챔버와 내면에 경사지게 도파관이 형성되며 상기 챔버의 내면이 도파관을 통한 마이크로 웨이브의 반사면을 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 건조장치가 제공된다.
이하, 본 고안의 반도체 웨이퍼 건조장치를 첨부도면에 도시한 실시예에 따라 설명하면 다음과 같다.
본 고안의 반도체 웨이퍼 건조장치는 제3도에 도시한 바와 같이 내부에 웨이퍼(W)가 장착되는 보우트(BOAT)(14)를 포함하여 구비한 챔버(15)에서 상기 챔버(15)내에 마이크로웨이브(MICROWAVE)를 발사하는 마이크로웨이브 발생수단(16)과 발사된 마이크로웨이브를 챔버(15)내로 안내하는 도파관(15a)을 구비하여 이루어진다. 상기 챔버(15)에는 웨이퍼(W)를 보우트(14)에 장착할 수 있도록 도어(15b)가 형성됨이 바람직하다.
상기 마이크로웨이브 발생수단(16)은 마그네트론이 사용됨이 바람직하다. 그리고 상기 마이크로웨이브 발생수단(16)은 챔버(15)에 다수개 설치됨이 바람직하고 설치되는 위치는 제한되지 않는다.
또한 상기 챔버(15)의 내부에는 챔버(15)의 내부에 발사된 마이크로웨이브를 균일하게 퍼지도록 하는 반사면(15c)이 형성됨이 바람직하다. 상기 반사면(15c)은 챔버(15)의 내면으로 함이 바람직하고 경우에 따라 별도의 경사면을 형성할 수 있다. 그리고 상기 마이크로 웨이브 발생수단(16)에서 발사된 마이크로 웨이브를 챔버(15)내부로 안내하는 도파관(15a)은 상기 반사면(15c)에 경사지도록 형성된다.
이하, 본 고안의 반도체 웨이퍼 건조장치의 작용효과를 설명하면 다음과 같다. 먼저 웨이퍼(W)를 챔버(15)의 도어(15b)를 통해 챔버(15)내의 보우트(14)에 장착하고 마이크로웨이브 발생수단(16)에 전원을 공급하여 마이크로웨이브를 챔버(15)내에 발사하게 된다. 챔버(15)내에 발사된 마이크로웨이브는 반사면(15c)에 의해 골고루 웨이퍼(W)에 도달하게 되어 웨이퍼(W) 표면에 부착된 수분을 가DUF 증발시켜 웨이퍼(W)를 건조시키게 된다.
상기 웨이퍼(W)의 건조가 끝나게 되면 챔버(15)의 도어(15b)를 통해 웨이퍼(W)를 꺼내게 된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼 건조장치는 웨이퍼가 놓이는 챔버에 마이크로웨이브를 발사하는 마이크로웨이브 발생수단을 설치하여 마이크로웨이브 발생수단에서 발사되는 마이크로웨이브에 의해 웨이퍼를 건조시키게 됨으로써 웨이퍼에 이물질이 부착되거나 손상되는 것을 방지하게 될 뿐만 아니라 건조능력을 높여 건조시간을 단축시킬 수 있는 효과가 있다.
Claims (1)
- 내부에 웨이퍼가 장착되는 보우트를 포함하여 구비한 챔버에 있어서 상기 챔버의 양측에 마이크로 웨이브를 발사하는 마이크로 웨이브 발생수단이 설치되고 상기 마이크 웨이브 발생수단에서 발사되는 마이크로 웨이브를 상기 챔버내부로 안내도록 챔버의 내면에 경사지게 도파관이 형성되며 상기 챔버의 내면이 도파관을 통한 마이크로 웨이브의 반사면을 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 건조장치.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR2019970002509U KR200231854Y1 (ko) | 1997-02-19 | 1997-02-19 | 반도체 웨이퍼 건조장치 |
Applications Claiming Priority (1)
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KR2019970002509U KR200231854Y1 (ko) | 1997-02-19 | 1997-02-19 | 반도체 웨이퍼 건조장치 |
Publications (2)
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KR19980058137U KR19980058137U (ko) | 1998-10-26 |
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KR2019970002509U KR200231854Y1 (ko) | 1997-02-19 | 1997-02-19 | 반도체 웨이퍼 건조장치 |
Country Status (1)
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KR102228968B1 (ko) * | 2019-07-26 | 2021-03-17 | 주식회사 엠디케이 | 경사 도파관을 갖는 마이크로 웨이브 챔버 |
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- 1997-02-19 KR KR2019970002509U patent/KR200231854Y1/ko not_active IP Right Cessation
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KR19980058137U (ko) | 1998-10-26 |
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