KR20020096083A - Unit for providing a washing water of chemical mechanical polishing apparatus - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A unit for providing a washing water of chemical mechanical polishing apparatus is provided to improve a uniformity of wafer by previously preventing contamination of wafer due to slurry residues. CONSTITUTION: The cleaning water supply unit(200) comprises a first nozzle(210) and a second nozzle(102). The first nozzle(210) supplies a slurry to the center portion of a polishing pad(10) during polishing of a wafer(35), and supplies a cleaning water to the center portion of the polishing pad(10) during pad conditioning. Also, the second nozzle(102) supplies a cleaning water to edge portions of the polishing pad(10) when the pad conditioning is performed.

Description

화학적 기계 연마 장치의 세척수 공급 유닛{UNIT FOR PROVIDING A WASHING WATER OF CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS}Unit for washing water supply of chemical mechanical polishing equipment {UNIT FOR PROVIDING A WASHING WATER OF CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS}

본 발명은 화학적 기계 연마(CHEMICAL MECHANICAL POLISHING; CMP) 장치의 세척수 공급 유닛에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼 연마가 끝난 후 패드 컨디셔닝을 실시할 때에 연마 패드의 중앙부 및 가장자리부에 세척수를 공급하는 CMP 장치의 세척수 공급 유닛에 관한 것이다.The present invention relates to a washing water supply unit of a chemical mechanical polishing device (CMP), and more particularly, to a CMP for supplying washing water to a center portion and an edge portion of a polishing pad when pad conditioning is performed after wafer polishing is completed. A washing water supply unit of an apparatus.

주지와 같이, CMP는 반도체 에칭기술의 하나로 기존의 화학물질을 사용하여 불필요한 박막층을 녹여버리는 방법과는 달리 화학적 요소와 기계적인 요소를 결합한 고 효율 및 고 평탄도를 제공하는 연마방법이다.As is well known, CMP is one of semiconductor etching techniques, and unlike conventional methods for melting unnecessary thin film layers using conventional chemicals, CMP is a polishing method that provides high efficiency and high flatness by combining chemical and mechanical elements.

도 1은 종래 기술에 따른 세척수 공급 유닛이 적용된 CMP 장치의 구성도이다.1 is a block diagram of a CMP apparatus to which a washing water supply unit according to the prior art is applied.

CMP 장치는 웨이퍼(35)를 잡기 위한 캐리어(30) 및 연마 패드(10)에 부착된 정반(도시 생략됨)과 함께 제공된다. 웨이퍼(35)는 캐리어(30)에 의하여 연마 패드(10)의 정상부에 대하여 압착되며, 이러한 상태에서 정반(연마 패드) 및 캐리어(30)(웨이퍼)는 상대 운동, 즉 서로에 관하여 회전된다.The CMP apparatus is provided with a carrier 30 for holding the wafer 35 and a surface plate (not shown) attached to the polishing pad 10. The wafer 35 is pressed against the top of the polishing pad 10 by the carrier 30, and in this state, the surface plate (polishing pad) and the carrier 30 (wafer) are rotated relative to each other, that is, with respect to each other.

슬러리와 세척수(50)는 슬러리 공급 유닛의 기능을 겸비한 세척수 공급 유닛(20)을 통하여 공급되며, 세척수로는 탈이온수(D.I Water)가 주로 사용된다.The slurry and the washing water 50 are supplied through the washing water supply unit 20 having the function of the slurry supply unit, and deionized water (D.I Water) is mainly used as the washing water.

슬러리는 세척수 공급 유닛(20)의 노즐(21)을 통하여 연마 패드(10)의 정상부로 연속적으로 공급되어 웨이퍼(35)의 연마 및 연마율의 정밀도를 향상시키며, 세척수는 웨이퍼 연마가 끝난 후 패드 컨디셔너(40)에 의한 패드 컨디셔닝을 실시할 때에 세척수 공급 유닛(20)의 노즐(21)을 통하여 연마 패드(10)의 중앙부로 공급되어 연마 패드(10)에 남아 있는 슬러리 잔존물을 세척한다.The slurry is continuously supplied to the top of the polishing pad 10 through the nozzle 21 of the washing water supply unit 20 to improve the accuracy of polishing and polishing rate of the wafer 35, and the washing water is a pad after polishing the wafer. When pad conditioning by the conditioner 40 is performed, the slurry residue supplied to the center of the polishing pad 10 through the nozzle 21 of the washing water supply unit 20 is washed.

그런데, 전술한 바와 같이 종래의 CMP 장치는, 세척수가 세척수 공급 유닛(20)에 의하여 연마 패드(10)의 중앙부로만 공급되는 것을 알 수 있다.However, as described above, the conventional CMP apparatus can be seen that the washing water is supplied only to the center portion of the polishing pad 10 by the washing water supply unit 20.

여기서, 웨이퍼 연마 후 패드 컨디셔닝을 실시할 때에 연마 패드(10)의 중앙부에 남은 슬러리는 세척수에 의하여 쉽게 제거되나 연마 패드(10)의 가장자리부에 남은 슬러리 잔존물(55)은 세척수의 공급이 충분하지 않아 쉽게 제거되지 않는다.Here, when performing pad conditioning after wafer polishing, the slurry remaining in the center portion of the polishing pad 10 is easily removed by washing water, but the slurry residue 55 remaining at the edge portion of the polishing pad 10 is not sufficiently supplied with the washing water. It is not easy to remove.

따라서, 캐리어(30)가 오버 행(Over hang) 할 때에 슬러리 잔존물(55)에 의하여 웨이퍼(35)가 오염될 우려가 매우 높은 문제점이 있었다.Therefore, when the carrier 30 overhangs, there is a very high problem that the wafer 35 may be contaminated by the slurry residue 55.

본 발명은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 제안한 것으로, 그 목적하는 바는 웨이퍼 연마가 끝난 후 패드 컨디셔닝을 실시할 때에 연마 패드의 중앙부는 물론이고 가장자리부에도 세척수를 공급하는 CMP 장치의 세척수 공급 유닛을 제공함으로써, 웨이퍼 연마 후 연마 패드상에 남아있는 슬러리를 완전히 제거할 수 있도록 하는 데 있다.The present invention has been proposed to solve such a conventional problem, and its purpose is to supply the washing water of a CMP apparatus that supplies the washing water to the center as well as the edge of the polishing pad when the pad conditioning is performed after wafer polishing. By providing the unit, it is possible to completely remove the slurry remaining on the polishing pad after wafer polishing.

이와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명에 따른 CMP 장치의 세척수 공급 유닛은, 슬러리 공급 유닛에 의한 연마 패드 상부로의 슬러리 공급 상태에서 연마 패드와 웨이퍼의 상대 운동에 의하여 상기 웨이퍼를 연마하고, 웨이퍼 연마 후 세척수 공급 유닛에 의한 상기 연마 패드 상부로의 세척수 공급 상태에서 패드 컨디셔너에 의한 패드 컨디셔닝을 통하여 상기 연마 패드 상부에 남아 있는 슬러리를 제거하는 화학적 기계 연마 장치에 있어서: 상기 세척수 공급 유닛은, 상기 패드 컨디셔닝을 실시할 때에 상기 연마 패드의 중앙부에 세척수를 공급하는 제 1 노즐과, 상기 패드 컨디셔닝을 실시할 때에 상기 연마 패드의 가장자리부에 세척수를 공급하는 제 2 노즐을 포함한다.The washing water supply unit of the CMP apparatus according to the present invention for achieving the above object is to polish the wafer by the relative movement of the polishing pad and the wafer in the slurry supply state to the upper surface of the polishing pad by the slurry supply unit, the wafer polishing A chemical mechanical polishing apparatus for removing a slurry remaining on an upper surface of a polishing pad by pad conditioning by a pad conditioner in a state of supplying water to the upper surface of the polishing pad by a washing water supply unit. And a first nozzle for supplying the washing water to the center portion of the polishing pad when the conditioning is performed, and a second nozzle for supplying the washing water to the edge portion of the polishing pad when the pad conditioning is performed.

도 1은 종래 기술에 따른 세척수 공급 유닛이 적용된 화학적 기계 연마(CMP) 장치의 구성도,1 is a block diagram of a chemical mechanical polishing (CMP) apparatus to which a washing water supply unit according to the prior art is applied;

도 2는 본 발명에 따른 세척수 공급 유닛이 적용된 CMP 장치의 구성도.2 is a block diagram of a CMP apparatus to which a washing water supply unit according to the present invention is applied.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

200 : 세척수 공급 유닛 210 : 제 1 노즐200: washing water supply unit 210: first nozzle

102 : 제 2 노즐102: second nozzle

본 발명의 실시예로는 다수개가 존재할 수 있으며, 이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 바람직한 실시예에 대하여 상세히 설명하기로 한다. 이 실시예를 통해 본 발명의 목적, 특징 및 이점들을 보다 잘 이해할 수 있게 된다.There may be a plurality of embodiments of the present invention. Hereinafter, preferred embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. This embodiment allows for a better understanding of the objects, features and advantages of the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 세척수 공급 유닛이 적용된 CMP 장치의 구성도로서, 도 1에 도시된 CMP 장치와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조부호를 명기하였다.2 is a configuration diagram of a CMP apparatus to which a washing water supply unit according to the present invention is applied, and the same reference numerals are designated for the same components as the CMP apparatus illustrated in FIG.

동 도면에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 세척수 공급 유닛(200)은, 웨이퍼(35) 연마시 연마 패드(10)의 중앙부에 슬러리를 공급함과 아울러 패드 컨디셔닝을 실시할 때에 연마 패드(10)의 중앙부에 세척수를 공급하는 제 1 노즐(210)과, 상기 패드 컨디셔닝을 실시할 때에 연마 패드(10)의 가장자리부에 세척수(51)를 공급하는 제 2 노즐(102)을 포함하여 구성된다.As shown in the figure, the washing water supply unit 200 according to the present invention supplies the slurry to the center portion of the polishing pad 10 during polishing of the wafer 35, and at the same time performs the pad conditioning of the polishing pad 10. And a first nozzle 210 for supplying the washing water to the center portion, and a second nozzle 102 for supplying the washing water 51 to the edge portion of the polishing pad 10 when the pad conditioning is performed.

이와 같이 구성된 본 발명에 따른 세척수 공급 유닛이 적용된 CMP 장치의 웨이퍼 연마 과정을 설명하면 다음과 같다.Referring to the wafer polishing process of the CMP apparatus to which the washing water supply unit according to the present invention configured as described above is as follows.

먼저, 웨이퍼(35)는 캐리어(30)에 의하여 연마 패드(10)의 정상부에 대하여 압착되며, 이러한 상태에서 정반(연마 패드) 및 캐리어(30)(웨이퍼)는 상대 운동, 즉 서로에 관하여 회전된다.First, the wafer 35 is pressed against the top of the polishing pad 10 by the carrier 30, and in this state, the surface plate (polishing pad) and the carrier 30 (wafer) rotate relative to each other, that is, with respect to each other. do.

슬러리와 세척수(50)는 슬러리 공급 유닛의 기능을 겸비한 세척수 공급 유닛(200)을 통하여 공급되며, 세척수로는 탈이온수(D.I Water)가 주로 사용된다.The slurry and the washing water 50 are supplied through the washing water supply unit 200 having the function of the slurry supply unit, and deionized water (D.I Water) is mainly used as the washing water.

세척수 공급 유닛(200)은 제 1 노즐(210)을 통하여 연마 패드(10)의 정상부에 슬러리를 연속적으로 공급하여 웨이퍼(35)의 연마 및 연마율의 정밀도를 향상시킨다.The washing water supply unit 200 continuously supplies the slurry to the top of the polishing pad 10 through the first nozzle 210 to improve the accuracy of polishing and polishing rate of the wafer 35.

아울러, 세척수 공급 유닛(200)은 웨이퍼 연마가 끝난 후 패드 컨디셔너(40)에 의한 패드 컨디셔닝을 실시할 때에 제 1 노즐(210)을 통하여 연마 패드(10)의중앙부에 세척수를 공급하여 연마 패드(10)의 중앙부에 남아 있는 슬러리 잔존물을 세척하며, 제 2 노즐(102)을 통하여 연마 패드(10)의 가장자리부에 세척수(51)를 공급하여 연마 패드(10)의 가장자리부에 남아 있는 슬러리 잔존물을 세척한다.In addition, the washing water supply unit 200 supplies the washing water to the center of the polishing pad 10 through the first nozzle 210 when performing pad conditioning by the pad conditioner 40 after the wafer polishing is finished. The slurry residue remaining in the center portion of 10) is washed, and the slurry residue remaining at the edge portion of the polishing pad 10 is supplied by supplying the washing water 51 to the edge portion of the polishing pad 10 through the second nozzle 102. Wash.

전술한 바와 같이 본 발명은 웨이퍼 연마 후 패드 컨디셔닝을 실시할 때에 연마 패드의 중앙부는 물론이고 가장자리부에도 세척수가 공급되므로 연마 패드의 가장자리부에 슬러리 잔존물이 남지 않도록 완전 세척한다.As described above, when the pad conditioning is performed after polishing the wafer, the washing water is supplied not only to the center portion but also to the edge portion of the polishing pad so that the slurry remains completely at the edge portion of the polishing pad.

따라서, 캐리어가 오버 행(Over hang) 할 때에 슬러리 잔존물에 의하여 웨이퍼가 오염될 우려를 미연에 방지하여 웨이퍼의 균일성(Uniformity)이 향상되는 효과가 있다.Therefore, there is an effect that the uniformity of the wafer is improved by preventing the risk of contamination of the wafer due to the slurry residue when the carrier is over hanged.

Claims (2)

슬러리 공급 유닛에 의한 연마 패드 상부로의 슬러리 공급 상태에서 상기 연마 패드와 웨이퍼의 상대 운동에 의하여 상기 웨이퍼를 연마하고, 웨이퍼 연마 후 세척수 공급 유닛에 의한 상기 연마 패드 상부로의 세척수 공급 상태에서 패드 컨디셔너에 의한 패드 컨디셔닝을 통하여 상기 연마 패드 상부에 남아 있는 슬러리를 제거하는 화학적 기계 연마 장치에 있어서:The wafer is polished by the relative movement of the polishing pad and the wafer in the slurry supply state to the polishing pad top by the slurry supply unit, and the pad conditioner in the washing water supply state to the polishing pad top by the washing water supply unit after wafer polishing. A chemical mechanical polishing apparatus for removing slurry remaining on top of a polishing pad through pad conditioning by: 상기 세척수 공급 유닛은,The washing water supply unit, 상기 패드 컨디셔닝을 실시할 때에 상기 연마 패드의 중앙부에 세척수를 공급하는 제 1 노즐과, 상기 패드 컨디셔닝을 실시할 때에 상기 연마 패드의 가장자리부에 세척수를 공급하는 제 2 노즐을 포함하는 것을 특징으로 한 화학적 기계 연마 장치의 세척수 공급 유닛.And a first nozzle for supplying the washing water to the center portion of the polishing pad when the pad conditioning is performed, and a second nozzle for supplying the washing water to the edge portion of the polishing pad when the pad conditioning is performed. Washing water supply unit of chemical mechanical polishing device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 세척수 공급 유닛은,The washing water supply unit, 상기 슬러리 공급 유닛의 기능을 겸비하며, 상기 웨이퍼 연마시 상기 제 1 노즐을 통하여 상기 연마 패드의 중앙부에 상기 세척수 및 슬러리를 공급하는 것을 특징으로 한 화학적 기계 연마 장치의 세척수 공급 유닛.The washing water supply unit of the chemical mechanical polishing apparatus, which combines the function of the slurry supply unit and supplies the washing water and the slurry to the center portion of the polishing pad through the first nozzle during polishing of the wafer.
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