KR20020082527A - 기능성 마이크로 소자의 희생층 제거 방법 - Google Patents
기능성 마이크로 소자의 희생층 제거 방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (5)
- 실리콘 웨이터(20)의 상부에 기능성 막을 형성하는 단계와;상기 기능성 막의 상부에 상기 기능성 막을 보호하는 막을 형성하는 단계와;상기 기능성 막을 식각시켜 실리콘 웨이퍼(20)를 오픈시키는 단계와;상기 오픈된 실리콘 웨이퍼(20)를 통하여 고체 상태로부터 승화된 XeF₂가스를 사용하여 상기 실리콘 웨이퍼(20)를 식각함으로써 상기 기능성 막을 상기 실리콘 웨이퍼(20)으로부터 부상된 형태를 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 기능성 마이크로 소자의 희생층 제거 방법.
- 제 1 항에 있어서,보호하는 막을 형성하는 단계에서 상기 보호하는 막은 실리콘 산화막, 포토레지스터(PR), 금속막 중에 선택된 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 기능성 마이크로 소자의 희생층 제거 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 기능성 막을 형성하는 단계에서 상기 기능성 막은 마이크로 가속도 센서, 마이크로 적외선 센서, 마이크로 광학 소자, 마이크로 압전 캔틸레버의 기능 중 선택된 어느 하나의 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 기능성 마이크로 소자의 희생층 제거 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 상기 기능성 막의 상부에 상기 기능성 막을 보호하는 막을 형성하는 단계와 상기 기능성 막을 식각시켜 실리콘 웨이퍼(20)를 오픈시키는 단계는,실리콘 웨이퍼(20)의 상부에 기능성 막을 지지하는 실리콘 산화막(21)을 형성하는 단계와; 상기 실리콘 산화막(21)의 상부에 하부전극(22)을 증착하는 단계와; 상기 하부전극(22)의 상부에 압전소자층(23)을 증착하는 단계와; 상기 압전소자층(23)의 상부에 상부전극(24)을 증착하는 단계와; 상기 상부전극(24)과 상기 압전소자층(23)을 보호막인 포토레지스터(25)로 패터닝하고 식각하는 단계와; 상기 하부전극(22)을 식각하기 위해 보호막인 포토레지스터(25)로 패터닝하고 식각하는 단계와; 상기 실리콘산화막(21)을 식각하기 위해 보호막인 포토레지스터(25)로 패터닝하고 식각하여 상기 실리콘 웨이퍼(20)를 오픈하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 기능성 마이크로 소자의 희생층 제거 방법.
- 제 1 항 또는 제 4항에 있어서,상기 기능성 막을 상기 실리콘 웨이퍼(20)으로부터 부상된 형태를 형성하는 단계에서, 상기 실리콘 웨이퍼(20)를 식각하는 깊이는 식각으로 부상되는 기능성막의 폭의 절반이상 깊이 만큼 식각을 수행하는 것을 특징으로 하는 기능성 마이크로 소자의 희생층 제거 방법.
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KR10-2001-0021944A KR100377454B1 (ko) | 2001-04-24 | 2001-04-24 | 기능성 마이크로 소자의 희생층 제거 방법 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7281304B2 (en) | 2003-04-22 | 2007-10-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for fabricating a film bulk acoustic resonator |
-
2001
- 2001-04-24 KR KR10-2001-0021944A patent/KR100377454B1/ko active IP Right Grant
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US7281304B2 (en) | 2003-04-22 | 2007-10-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for fabricating a film bulk acoustic resonator |
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KR100377454B1 (ko) | 2003-03-26 |
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