KR20020081421A - 능동 매트릭스 일렉트로크로믹 디스플레이 디바이스 - Google Patents

능동 매트릭스 일렉트로크로믹 디스플레이 디바이스 Download PDF

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KR20020081421A
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마르크 티. 욘손
이아인 엠. 훈터
파울 반데어슬루이스
안나-마리아 야너
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코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
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Abstract

일렉트로크로믹 능동 매트릭스 디스플레이 디바이스는 반사 상태와 투과 또는 흡수 상태 사이에서 가역적으로 스위칭가능한 일렉트로크로믹 광 스위칭 소자를 포함한다. 각 소자는, 스위칭이 수소의 농도를 변화시킴으로써 달성되는 물질의 스위칭가능 층(3)을 포함한다. 각 소자는, 사이에 소자가 연결되는 2개의 상보 스위칭 소자{TFT(31, 32. 31', 32')}의 2개의 직렬 연결부와, 스위칭 소자를 제어하기 위한 선택 및 저장 수단{TFT(34)+커패시터(33)}을 갖는 구동기 회로(21)를 추가로 또한 포함한다.

Description

능동 매트릭스 일렉트로크로믹 디스플레이 디바이스{ACTIVE MATRIX ELECTROCHROMIC DISPLAY DEVICE}
US 5,905,590호는 다른 3가 금속을 갖는 마그네슘의 수산화물을 포함하는 스위칭 막을 포함하는 스위칭 디바이스를 기재한다. 수소의 교환에 의해, 스위칭 막은 투명 상태로부터 중간 블랙 흡수 상태를 통해 0의 투과율(transmission)을 갖는 미러형(mirror-like)(완전한 반사 또는 산란) 상태로 가역적으로 스위칭될 수 있다. 스위칭 막은 투명 기판 상에 증착된 층의 스택으로 구성된다. 광학 효과로 인해, 디바이스는 광학 스위칭 소자, 예를 들어 가변 빔 스플리터(variable beam splitter), 광학 셔터(optical shutter)로서 사용될 수 있고, 조명 기기에서 광 빔의 조도(illuminance) 또는 형태를 제어하기 위해 사용될 수 있다. 스위칭 디바이스는 데이터 저장, 및 광학적 연산, 및 건축용 유리(architectural glass), 시각 제어 유리, 선루프 및 백미러와 같은 응용에 또한 사용될 수 있다. 스위칭 막에서 패턴을 제작하고 투명 전극을 패턴화된 스위칭 막에 제공함으로써 얇은 디스플레이가 제조될 수 있다.
스위칭 효과의 속도가 수소의 전달에 의해 결정되기 때문에, 디바이스가 비교적 느려진다는 문제가 이러한 유형의 디바이스에서 발생한다.
본 발명은 광을 반사하는 적어도 제 1 상태와 제 2 상태 사이에서 가역적으로(reversibly) 스위칭가능한 광 스위칭 디바이스에 관한 것으로, 상기 제 2 상태는 광을 흡수하는 상태 또는 투과 상태이고, 상기 디바이스는, 디바이스의 제 1 상태로부터 제 2 상태로의 스위치를 야기하는 광학적으로 스위칭가능한 물질, 특히 스위칭이 수소의 농도를 변화시킴으로써 얻어지는 물질로 된 스위칭가능한 층을 포함하는 층의 스택을 포함한다.
도 1a 및 1b는 종래 기술에 따른 스위칭 미러 디스플레이의 층의 스택에 대한 단면도.
도 2는 본 발명에 따른 스위칭 미러 디바이스의 화소 매트릭스의 일부분을 도시한 도면.
도 3 및 도 4는 본 발명에 따른 디바이스의 다양한 실시예를 도시한 개략도.
본 발명의 목적은 향상된 속도를 갖는 스위칭 디바이스를 제공하는 것이다. 이 때문에, 본 발명은 청구항 1에 따른 디스플레이 디바이스를 제공한다.
본 발명은, 한편으로 픽셀을 어드레싱하는데 필요한 전하의 양이 너무 커서, 이러한 전하가 다수의 후속적인 어드레싱 기간 동안 픽셀에 로딩될 수 없는 한편, 다른 한 편으로 픽셀이 재충전 배터리에 필적한다는 인식에 기초한다. 스위칭 미러 디바이스에서, H-이온은 하나의 H-포함 층으로부터 다른 H-포함 층으로 확산하는 한편, 전기 전류는 디바이스 주위에 흐른다. 광학 특성은 이러한 수소 배터리의 충전 상태에 따른다. 인가된 전압의 극성을 변화시킴으로써, H-이온은 역으로 흐를 것이다.
본 발명에 따라, 각 화소에 대해 2개의 전압 노드 사이에 2개의 상보 스위치의 제 1 직렬 연결부를 도입하고, 상기 직렬 연결부의 공통 지점이 화소의 제 1 연결부에 연결되고, 중간 전압이 화소의 제 2 연결부에 제공되고, 상보 스위치가 저장 수단에 의해 제어됨으로써, 대량의 전류가 양쪽 방향으로 주입될 수 있는데, 이것은 픽셀의 빠른 스위칭을 허용한다.
제 1 실시예에서, 디스플레이 디바이스는 상기 2개의 전압 노드 사이에 있는 2개의 상보 스위치의 제 1 직렬 연결부에 관해 반대 방식으로 배열된 2개의 상보 스위치의 제 2 직렬 연결부를 포함하며, 화소의 제 2 연결부는 상기 제 2 직렬 연결부의 공통 지점에 연결되고, 상보 스위치의 제 2 직렬은 상기 저장 수단에 의해 제어된다.
추가 실시예에서, 화소의 제 2 연결부는 고정된 기준 전압에 있다. 이러한 방식으로, 2개의 상보 스위치의 제 2 직렬 연결부는 불필요할 수 있는데, 이것은 투과 모드에서, 더 높은 애퍼처(aperture)를 초래한다.
저장 수단이 상보 스위치의 상기 제 1 직렬 연결부의 공통 지점에 연결된 커패시터 소자를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 이러한 양상 및 다른 양상은 이제 도면을 참조하여 설명될 것이다.
도면은 개략적이고, 축척대로 도시되지 않았다. 일반적으로 동일한 참조 번호는 동일한 요소를 나타낸다.
도 1a 및 1b는 스위칭 미러 디바이스의 단면도를 도시한다. 디바이스는, 투명 유리 플레이트(1)를 포함하는데, 상기 투명 유리 플레이트(1)상에는 층의 스택이 진공 증기 증착(vacuum evaporation), 스퍼터링(sputtering), 레이저 식각(laser ablation), 화학 진공 증착 또는 전기 도금과 같은 종래의 방법에 의해 증착된다. 스택은, 약 200nm의 두께를 갖는 스위칭 막으로서 LMgHx{L은 원소 주기율 표의 란탄 계열의 원소(Sc, Y 또는 Ni)이다} 층(3)과, 약 5nm의 두께를 갖는 팔라듐 층(5)과, 0,1 내지 10㎛의 범위의 두께를 갖는 이온-전도 전해질 층(7)과, 수소 저장 층(9)을 포함한다.
GdMgHx는 광학 특성 및 스위칭 시간이 고려되는 한 매우 적합한 스위칭 물질이지만, 다른 마그네슘-란탄 합금도 또한 사용될 수 있다. 스위칭 막(3)은 적은 수소(low-hydrogen)의 조성물 및 많은 수소의 조성물 사이에서 가역적으로 스위칭될 수 있다. 중간 H 조성물에서, 막은 다양한 정도(degrees)로 흡수하고 있다. 다양한 조성물은 상이한 광학 특성을 갖는다. 적은 수소 함유량에서, 막은 금속 특성을 갖고, 불투명이다. 그 다음에 막은 거울같이 반사한다. 많은 수소 함유량에서, 막(3)은 반전도성이고, 투명한 반면에, 중간 수소 농도에서 스위칭 막은 흡수한다.
팔라듐 층(5)은 수소화(hydriding) 속도 또는 탈수소화(dehydriding) 속도, 이에 따라 스위칭 속도를 증가시키는데 도움을 준다. 백금 또는 니켈과 같은 다른전기 촉매 금속 또는 합금이 또한 사용될 수 있다. 더욱이, 이러한 금속 층은 전해질에 의한 부식으로부터 밑에 있는(underlying) 스위칭 막(3)을 보호한다. 팔라듐 층(5)은 2nm와 100nm 사이의 범위에 있는 두께를 가질 수 있다. 그러나, 2nm 내지 10nm의 얇은 층이 바람직한데, 그 이유는 막의 두께가 스위칭 디바이스의 최대 투과율을 결정하기 때문이다.
적절한 작용을 위해, 또한 H-저장 층(9) 및 H-이온 전도 전해질 층(7)이 필요하다. 우수한 H-이온 전도 전해질은 ZrO2+xHy이다. 전해질은 우수한 이온 전도체임이 틀림없지만, 디바이스의 자가 방전을 방지하기 위해 전자에 대한 절연체이어야 한다. 디바이스의 단순함 때문에 투명 고체 상태의 전해질을 사용하는 것이 가장 바람직한데; 상기 전해질은 밀봉(sealing) 문제를 예방하고, 디바이스는 더 쉽게 가공 처리된다.
스위칭 미러의 투명 상태가 필요하면, 저장 층에 대한 우수한 후보 물질(candidate)은 WO3이다.
스택은, 예를 들어 인듐-주석 산화물(ITO)로 된 2개의 투명 전기 전도 전극 층(11, 13) 사이에 삽입된다. 전극 층(11, 13)은 (외부) 전류원(미도시)에 연결된다. DC 전류를 인가함으로써, 적은 수소의 미러형 조성물은 많은 수소의 조성물로 변환되는데, 이것은 투명하고 중간 회색(neutral gray)이다. 점선으로 도 1a에 도시된 바와 같이, 디바이스는 현재 투명 윈도우의 역할을 한다. 전류가 반대로 흐를 때, 스위칭 막(3)은 도 1b에 도시된 바와 같이 미러 형태이고 불투명한 적은 수소의 상태로 되돌아간다. 스위칭 시간은 종래의 일렉트로크로믹 디바이스의 스위칭 시간에 필적한다. 디바이스는 실온에서 동작할 수 있다. 일단 미러가 원하는 광학 상태에 도달하면, 사실상 어떠한 전류도 디바이스에 흐르지 않을 것이다. 이것은, 디스플레이가 매우 낮은 전력으로 정보를 유지할 수 있음을 의미한다. 더욱이, 전류원을 사용함으로써, 디바이스에 걸친 높은 전압은 방지되는데, 이것은 스위칭 미러 디바이스의 열화(degradation)를 피한다.
도 2는, m개의 행 전극(22)(선택 전극) 및 n개의 열 전극(23)(데이터 전극)의 교차 영역에서 디스플레이 회로 소자(21)의 매트릭스를 포함하는 디스플레이 디바이스(20)의 일부분을 도시한다. 행 전극(22)은 행 구동기(24)에 의해 선택되는 한편, 열 전극(23)에는 열 구동기(25)를 통해 데이터 전압이 제공된다. 필요시, 인입하는 데이터 신호(26)는 프로세서(27)에서 처리된다. 제어 라인(28)을 통해 상호 동기(mutual synchronization)가 발생한다.
본 발명에 따른 디스플레이 회로 소자(21)의 일실시예는 이제 도 3을 참조하여 설명될 것이다. 상기 디스플레이 회로 소자(21)는 도 1a, 1b를 참조하여 설명된 것으로 스위칭 미러 디바이스(30)를 포함하는데, 이것은 간략함을 위해 커패시터로 표시된다. 이 예에서, 하나의 투명 전기 전도 전극 층(11)은 전압 라인(29)에 의해 공급된 고정 기준 전압(이 예에서는 0V)에 연결된다. 다른 투명 전기 전도 전극 층(13)은 상보 스위치의 직렬 연결의 공통 지점에 연결되는데, 상기 상보 스위치는 이 예에서 양의 전압 라인(35)과 음의 전압 라인(36) 사이에 있는 n형 전계 효과 트랜지스터(TFT)(31) 및 p형 전계 효과 트랜지스터(TFT)(32)이다. n형 TFT(31) 및p형 TFT(32)의 게이트 연결은 상호 연결되고, 동시에 커패시터(33)의 한 플레이트에 연결되는데, 상기 커패시터(33)는 저장 커패시터의 기능을 하고, m개의 행 전극(22)(선택 전극) 및 n개의 열 전극(23)(데이터 전극)을 통해 TFT(34)에 의해 어드레싱된다. 다른 플레이트는 음의 전압 라인(36)에 연결된다.
전극(22)을 통해 행을 선택할 동안, 데이터 전극(23)에 의해 공급된 데이터 전압은 n형 TFT(31) 및 p형 TFT(32)의 게이트{노드(37)}에 전달된다. 전계 효과 트랜지스터(데이터 전압의 부호에 따른) 중 어느 하나는 도통을 시작하고, 전류원의 역할을 하고, 데이터 전압의 부호에 따라, 스위칭 미러 소자(30)를 충전{화살표(38)} 또는 방전{화살표(39)}하기 시작한다. 유지 시간(hold time) 동안, 디스플레이에서의 나머지 행이 선택된다. 저장 커패시터(33){TFT(31)의 고유 게이트-드레인 커패시턴스로 형성될 수 있는}는, 이러한 유지 시간 동안, 전류원이 스위칭 미러 소자(30)를 스위칭하는데 필요한 전류를 계속해서 전달하는 것을 보장한다. 이것은 하나의 프레임 기간(모든 라인이 한번 선택되는 시간) 동안 이루어 질 수 있지만, 또한 수 프레임 시간(디스플레이의 크기, 미러 및 TFT의 크기에 따라)을 지속할 수 있다. 충전(예를 들어 전류 검출기에 의해 결정될)의 완료 이후에, 전류는 스위치 오프되고, 스위칭 미러 소자(30)는 도달된 상태로 유지할 것이다.
이것과 별도로, n형 및 p형 트랜지스터는 (다른 저장 커패시터를 추가하여) 2개의 개별적인 선택 라인에 의해 어드레싱될 수 있다.
도 4는, 예비 n형 전계 효과 트랜지스터(TFT)(31') 및 예비 p형 전계 효과트랜지스터(TFT)(32')를 희생하여 도 3의 전압 라인(29)이 필요 없어지는 일실시예를 도시한다. 2개의 상보 스위치{TFT(31', 32')}의 제 2 직렬 연결부는 2개의 전압 라인(35, 36) 사이에 있는 2개의 상보 스위치{TFT(31, 32)}의 제 1 직렬 연결부에 관해 반대 방식으로 배열된다. 투명 전기 전도 전극 층(11)은 TFT(31', 32')의 직렬 연결부의 공통 지점에 이제 연결된다. 노드(37)로 전달된 데이터 전압에 따라, TFT(31, 31')는 스위칭 미러 소자(30)를 도통 및 충전{화살표(38)}하기 시작하거나, TFT(32, 32')는 스위칭 미러 소자(30)를 도통 및 방전{화살표(39)}하기 시작한다. 도 4에서의 다른 참조 번호는 도 3에서의 참조 번호와 동일한 의미를 갖는다.
본 발명의 보호 범위는 설명된 실시예에 한정되지 않는다. 예를 들어, 본 발명은 광학 스위칭 층이 수소, 리튬 또는 산소 이온의 농도에서의 변화를 야기하는 일렉트로크로믹 디바이스에 적용될 수 있다. 본 발명은 각각의 새로운 특징적인 특성, 및 특징적인 특성의 각각의 새로운 조합에 있다. 청구항 내의 참조 번호는 보호 범위를 한정하지 않는다. 단어 "포함하는" 및 그 활용어의 사용은 기술된 요소 이외의 다른 요소의 존재를 배제하지 않는다. 요소 앞의 단수의 사용은 복수의 그러한 요소의 존재를 배제하지 않는다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 광을 반사하는 적어도 제 1 상태와 제 2 상태 사이에서 반대로 스위칭가능한 광 스위칭 디바이스 등에 이용된다.

Claims (9)

  1. 반사형 모드(L) 또는 투과형 모드(R)에서 동작가능하고, 광을 변조하기 위한 화소(pixel elements)를 구비하는, 디스플레이 디바이스(20)로서, 각 상기 화소는,
    상기 화소를 제 1 상태로부터 제 2 상태로 스위칭하는 광학적으로 스위칭가능한 물질로 된 스위칭가능한 층(3)을 포함하는 층의 스택(stack)으로서, 상기 제 2 상태는 상기 제 1 상태와 다르고, 상기 제1 상태 및 제 2 상태는 다음 상태, 즉 반사 또는 산란 상태, 투과 상태, 또는 흡수 상태 중 하나인, 층의 스택과,
    반사 상태로부터 비반사 상태로 스위칭함으로써 반사 모드(L)에서 광을 변조하고, 투과 상태로부터 비투과 상태로 스위칭함으로써 투과 모드(R)로 광을 변조하는 수단으로서, 상기 비반사 상태는 투과 상태 또는 흡수 상태이고, 상기 비투과 상태는 반사 또는 산란 상태 또는 흡수 상태인, 광을 변조하는 수단을 포함하며,
    상기 광을 변조하는 수단은, 각 화소에 대해 2개의 전압 연결부(35, 36) 사이에 있는 2개의 상보 스위치(31, 32)의 제 1 직렬 연결부를 포함하며, 상기 직렬 연결부의 공통 지점은 상기 화소의 제 1 연결부(13)에 연결되고, 중간 전압은 상기 화소의 제 2 연결부(11)에 제공되고, 상기 상보 스위치는 저장 수단(33)에 의해 제어되고, 상기 디스플레이 디바이스는 상기 저장 수단을 제어하기 위한 추가 수단(22, 23, 24)을 포함하는, 디스플레이 디바이스.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 광학 스위칭가능 층은 수소의 농도를 변화시킴으로써스위칭을 야기하는, 디스플레이 디바이스.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 화소의 제 2 연결부는 고정된 기준 전압(29)에 있는, 디스플레이.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 2개의 전압 사이에 2개의 상보 스위치(31, 32)의 상기 제 1 직렬 연결부에 관해 반대 방식으로(in reverse sense) 배열된 2개의 상보 스위치(31', 32')의 제 2 직렬 연결부를 포함하며, 상기 화소의 제 2 직렬 연결부(11)는 상기 제 2 직렬 연결부의 공통 지점에 연결되고, 상기 상보 스위치의 제 2 직렬부는 상기 저장 수단에 의해 제어되는, 디스플레이 디바이스.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 저장 수단은 상보 스위치의 상기 제 1 직렬 연결부의 공통 지점에 연결된 커패시터 소자를 포함하는, 디스플레이 디바이스.
  6. 제 4항에 있어서, 상기 저장 수단은 상보 스위치의 상기 제 1 및 제 2 직렬 연결부의 공통 지점에 연결된 커패시터 소자를 포함하는, 디스플레이 디바이스.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 화소는 매트릭스 구조로 제공되고, 상기 추가 수단은 데이터 라인(23)을 통해 데이터가 제공되는 선택 라인(22)에 의해 제어된 선택 스위치(34)를 포함하는, 디스플레이 디바이스.
  8. 제 4항 또는 제 7항에 있어서, 상기 상보 트랜지스터는 개별적인 선택 스위치를 갖는, 디스플레이 디바이스.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 스위치는 박막 트랜지스터를 포함하는, 디스플레이 디바이스.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7286281B2 (en) 2004-12-28 2007-10-23 Samsung Electronics, Co., Ltd. Electrophoretic display and method of manufacturing thereof

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005012993A1 (ja) 2003-07-31 2005-02-10 Sanyo Electric Co., Ltd. エレクトロクロミック表示装置
JP2005049770A (ja) 2003-07-31 2005-02-24 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロクロミック表示装置
JP2005049772A (ja) 2003-07-31 2005-02-24 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロクロミック表示装置
JP2005084216A (ja) * 2003-09-05 2005-03-31 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
NL1030299C2 (nl) * 2005-10-28 2007-05-03 Advanced Chem Tech Optische schakelinrichting.
EP1935452A1 (en) * 2006-12-19 2008-06-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electrochromic device and photodynamic treatment device comprising such an electrochromic device
JP5200700B2 (ja) * 2008-07-02 2013-06-05 セイコーエプソン株式会社 電気泳動表示装置及び電子機器
CN102110416B (zh) * 2009-12-29 2012-12-12 上海天马微电子有限公司 电泳显示器及其驱动方法
KR101754799B1 (ko) * 2010-03-26 2017-07-07 삼성전자주식회사 화소 회로, 이를 포함하는 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 구동방법
RU2446972C1 (ru) * 2010-07-23 2012-04-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский государственный университет путей сообщения" (УрГУПС) Способ контроля целостности рельсовой линии и устройство для его осуществления

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5319788A (en) * 1976-08-06 1978-02-23 Seiko Epson Corp Driving method of display body
NL7904282A (nl) * 1979-05-31 1980-12-02 Philips Nv Weergeefinrichting.
JPS569791A (en) * 1979-07-04 1981-01-31 Seiko Instr & Electronics Drive circuit for electroochromism
DE3008768C2 (de) * 1980-03-07 1985-04-04 Schott Glaswerke, 6500 Mainz Elektrochromer Spiegel
JPS58184130A (ja) * 1982-04-10 1983-10-27 Nippon Seiki Co Ltd エレクトロクロミツク表示素子の駆動回路
US5238867A (en) * 1991-07-09 1993-08-24 Posco Educational Foundation Method for preparing an optical switching device having multiple quantum wells
JP3332130B2 (ja) * 1994-05-16 2002-10-07 シャープ株式会社 画像表示装置
US5686979A (en) * 1995-06-26 1997-11-11 Minnesota Mining And Manufacturing Company Optical panel capable of switching between reflective and transmissive states
WO1998008139A1 (en) * 1996-08-22 1998-02-26 Philips Electronics N.V. Electro-optical switching device
ES2215228T3 (es) * 1996-09-05 2004-10-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Dispositivo optico de conmutacion.
US6084647A (en) * 1996-11-22 2000-07-04 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
US6111684A (en) * 1997-04-02 2000-08-29 Gentex Corporation Electrochromic rearview mirror incorporating a third surface metal reflector and a display/signal light
KR20020081423A (ko) * 2001-01-12 2002-10-26 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 리셋을 갖는 광 스위칭 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7286281B2 (en) 2004-12-28 2007-10-23 Samsung Electronics, Co., Ltd. Electrophoretic display and method of manufacturing thereof

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Publication number Publication date
WO2002056106A1 (en) 2002-07-18
US20020101413A1 (en) 2002-08-01
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