KR20020079618A - Fusible resistor and method of fabricating the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A fuse resistor and a method for fabricating the same are provided to improve a resistor characteristic and a fusing characteristic without increasing a size of the fuse resistor though rated current is increased. CONSTITUTION: A conductive layer is deposited on a surface of a rod-shaped resistant body. A fusible element layer is deposited on a surface of the conductive layer. The fusible element layer is fabricated by a material including copper. An anti-oxide layer is deposited on a surface of the fusible element layer. The first structure is formed by the conductive layer, the fusible element layer, and the anti-oxide layer. The second structure is formed by installing a cap on both ends of the first structure. The fusible element layer is electrically connected to the outside by the cap. The third structure is completed by forming a spiral groove on the conductive layer, the fusible element layer, and the anti-oxide layer. A lead line(7) is adhered to an outside of the cap. A fuse resistor(40) is completed by forming a protective layer(8) on the third structure(30).

Description

퓨즈 저항기 및 그 제조 방법{FUSIBLE RESISTOR AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}Fuse resistor and its manufacturing method {FUSIBLE RESISTOR AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}

본 발명은 퓨즈 저항기 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 전기적 특성이 우수하며 저렴한 퓨즈 저항기 및 그 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a fuse resistor and a method of manufacturing the same.

퓨즈 저항기는 전자 기기에 포함되어 있는 회로 소자를 보호하기 위한 것으로서, 안정 시에는 일반 저항기로서 작용하며, 과부하 이상 시에는 용단(溶斷) 특성에 의해 회로 차단기로서 작용한다.Fuse resistors are intended to protect circuit elements contained in electronic equipment. They function as general resistors during stability and as circuit breakers due to blown-out characteristics during overload abnormalities.

종래의 퓨즈 저항기는, 저항체에 탄소, 주석-니켈(Sn-Ni), 니켈-크롬(Ni-Cr) 등의 화합물로 이루어진 박막층을 무전해 도금 방식으로 피착한 후, 그 표면에 나선형 커팅 [이하, "트리밍(trimming)"이라고도 함]을 수행함으로써 형성된다. 이러한 종래의 퓨즈 저항기는 비교적 저렴한 비용으로 제조할 수는 있으나, 제조 방법 상 0.1 Ω 이하의 저항치 형성이 불가능하고 또한 트리밍 시에 저항치가 상승되어 통상 0.22 Ω 이하의 퓨즈 저항기의 제조는 불가능하다고 알려져 있다. 이로 인해, 특정값 이상의 전류가 전자 기기의 회로에 인가되는 경우, 퓨즈 저항기가 과다하게 발열하는 문제가 있었다. 이를 극복하기 위해, 퓨즈 저항기의 정격 전력을 증가시키거나 마이크로 퓨즈(micro fuse)를 사용하는 방법이 제안되고 있다. 그러나, 단순히 퓨즈 저항기의 정격 전류를 증가시키는 경우에는 퓨즈 저항기의 크기가 증대되며, 마이크로 퓨즈의 경우에는 제품의 구조적 특성 상 단위 생산성 및 재료비 측면에서 가격이 비싸다는 문제점이 있다.In the conventional fuse resistor, a thin film layer made of a compound such as carbon, tin-nickel (Sn-Ni), nickel-chromium (Ni-Cr), or the like is deposited on the resistor by electroless plating, and then spiral cut on the surface thereof. , Also referred to as "trimming". Such a conventional fuse resistor can be manufactured at a relatively low cost, but it is known that it is impossible to form a resistance value of 0.1 kPa or less in the manufacturing method, and that the resistance is increased during trimming, so that it is not possible to manufacture a fuse resistor of 0.22 kPa or less. . For this reason, when a current of a specific value or more is applied to the circuit of the electronic device, there is a problem that the fuse resistor excessively generates heat. To overcome this, a method of increasing the rated power of a fuse resistor or using a micro fuse has been proposed. However, when the rated current of the fuse resistor is simply increased, the size of the fuse resistor is increased, and in the case of the micro fuse, there is a problem in that the cost is high in terms of unit productivity and material cost due to the structural characteristics of the product.

따라서, 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 정격 전류를 증가시킬 경우 퓨즈 저항기의 크기를 증가시키지 않더라도, 우수한 저항 특성과 퓨징 특성을 나타내는 저렴한 퓨즈 저항기 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to solve such problems, and an object of the present invention is to provide an inexpensive fuse resistor and a method of manufacturing the same, which exhibit excellent resistance characteristics and fusing characteristics even when the rated current is not increased. It is.

본 발명의 특징에 따르면, 전자 기기에 포함되어 있는 회로 소자를 보호하기 위한 퓨즈 저항기가 제공된다. 이 퓨즈 저항기는 저항체와, 저항체를 둘러싸도록 형성되는 퓨저블 엘리먼트(fusible element)층과, 퓨저블 엘리먼트층의 양단을 외부와 전기적으로 연결시키기 위한 캡(cap)과, 퓨저블 엘리먼트층 및 캡을 절연시키기 위한 절연층을 포함한다.According to a feature of the invention, a fuse resistor for protecting a circuit element included in an electronic device is provided. The fuse resistor includes a resistor, a fusible element layer formed to surround the resistor, a cap for electrically connecting both ends of the fusible element layer to the outside, a fusible element layer, and a cap. And an insulating layer for insulating.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 전자 기기에 포함되어 있는 회로 소자를 보호하기 위한 퓨즈 저항기를 제조하는 방법이 제공된다. 이 방법은 저항체를 마련하는 단계와, 저항체를 둘러싸도록 퓨저블 엘리먼트층을 형성하는 단계와, 퓨저블 엘리먼트층의 양단을 외부와 전기적으로 연결시키는 캡을 형성하는 단계와, 퓨저블 엘리먼트층 및 캡을 절연시키기 위한 절연층을 형성하는 단계를 포함한다.According to another feature of the invention, a method of manufacturing a fuse resistor for protecting a circuit element included in an electronic device is provided. The method includes providing a resistor, forming a fusible element layer to surround the resistor, forming a cap that electrically connects both ends of the fusible element layer to the outside, the fusible element layer and the cap. Forming an insulating layer for insulating the.

도 1a ∼ 도 1f는 본 발명의 일 실시예에 따른 퓨즈 저항기의 제조 방법을 단계별로 예시한 단면도.1A to 1F are cross-sectional views illustrating step by step methods of manufacturing a fuse resistor according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1 : 저항체1: resistor

2 : 도전층2: conductive layer

3 : 퓨저블 엘리먼트층3: fusible element layer

4 : 산화 방지층4: antioxidant layer

5 : 캡(cap)5: cap

6 : 나선형 홈6: spiral groove

7 : 리드선(lead wire)7: lead wire

8 : 보호막8: protective film

다음으로, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명한다.Next, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1a ∼ 도 1f는 본 발명의 일 실시예에 따른 퓨즈 저항기의 제조 방법을 단계별로 예시한 단면도이다.1A to 1F are cross-sectional views illustrating step by step methods of manufacturing a fuse resistor according to an embodiment of the present invention.

먼저, 도 1a에 도시한 바와 같이, 봉(rod) 형상의 저항체(1)의 표면 상에 도전성 물질로 이루어진 도전층(2)을 적층한다. 본 실시예에서, 저항체(1)는 고순도의 세라믹(ceramic)과 같은 재료로 형성된다. 도전성 물질로는 니켈-크롬(Ni-Cr)을 사용할 수 있으며, 이는 예를 들면 종래의 퓨즈 저항기 제조 방법에서 사용되는무전해 도금 방법으로 저항체(1)의 표면 상에 적층된다.First, as shown in FIG. 1A, a conductive layer 2 made of a conductive material is laminated on the surface of a rod-shaped resistor 1. In the present embodiment, the resistor 1 is formed of a material such as high purity ceramic. Nickel-chromium (Ni-Cr) may be used as the conductive material, which is laminated on the surface of the resistor 1 by, for example, an electroless plating method used in a conventional fuse resistor manufacturing method.

이어서, 도전층(2)의 표면 상에 퓨징 특성을 갖는 퓨저블 엘리먼트층(3)을 적층한다(도 1b). 본 실시예에서, 퓨저블 엘리먼트층(3)은 구리(Cu)를 포함하는 재료로 형성되며, 구리(Cu) 이외에도 온도 계수가 대략 2,000 ppm/℃ 이상의 물질로서 고유 비저항치가 대략 1.6×10-8내지 1.8×10-8Ω·m(ohm·meter) 정도로 낮은 물질이면 어떠한 재료를 사용하여도 좋다. 퓨저블 엘리먼트층(3)은 저항체(1)에 과전류가 흐르는 경우에 발생하는 열에 의해 용융되어 용단된다. 여기서, 온도 계수는 퓨징 특성을 결정하는 가장 중요한 물질적 특성이다. 온도 계수가 높으면, 전류 상승시 발생하는 열로 인해 퓨저블 엘리먼트층(3)의 저항치가 상승하게 된다. 이로 인해, 주울(joule)열에 의해 퓨저블 엘리먼트층(3)의 온도가 용융점(melting point)까지 상승되어, 퓨저블 엘리먼트층(3)이 용단된다. 본 실시예에서 퓨저블 엘리먼트층(3)의 재료로서 사용되는 구리는 온도 계수가 높고 비저항치가 낮을 뿐만 아니라 용융점도 낮으므로, 전기적으로 우수한 퓨즈로서 작용할 수 있다.Subsequently, a fusible element layer 3 having a fusing characteristic is laminated on the surface of the conductive layer 2 (FIG. 1B). In the present embodiment, the fusible element layer 3 is formed of a material containing copper (Cu), and in addition to copper (Cu), the material has a temperature coefficient of about 2,000 ppm / ° C or more, and the intrinsic resistivity is approximately 1.6 × 10 −8. Any material may be used as long as the material is as low as 1.8 × 10 −8 Ω · m (ohm · meter). The fusible element layer 3 is melted and melted by heat generated when an overcurrent flows through the resistor 1. Here, the temperature coefficient is the most important material property that determines the fusing property. If the temperature coefficient is high, the resistance of the fusible element layer 3 increases due to the heat generated when the current rises. As a result, the temperature of the fusible element layer 3 is raised to the melting point by joule heat, and the fusible element layer 3 is melted. Copper used as the material of the fusible element layer 3 in this embodiment has a high temperature coefficient, a low resistivity, and a low melting point, so that it can act as an electrically excellent fuse.

이러한 퓨저블 엘리먼트층(3)은 전해 도금 방법으로 도전층(2)의 표면 상에 증착할 수 있다. 또다른 방식으로서, 전해 도금 방법 이외에 스퍼터링(sputtering) 방법 등을 사용하여 퓨저블 엘리먼트층(3)을 저항체(1)의 표면 상에 직접 증착할 수도 있다. 이와 같이, 전해 도금 방법을 사용하지 않고 퓨저블 엘리먼트층(3)을 적층하는 경우에는, 상기한 도전층(2)을 생략할 수 있다.Such a fusible element layer 3 may be deposited on the surface of the conductive layer 2 by an electrolytic plating method. As another method, the fusible element layer 3 may be deposited directly on the surface of the resistor 1 using a sputtering method or the like in addition to the electrolytic plating method. As described above, when the fusible element layer 3 is laminated without using the electrolytic plating method, the above-described conductive layer 2 can be omitted.

그 후, 퓨저블 엘리먼트층(3)이 대기 중에서 산화되는 것을 방지하기 위하여, 퓨저블 엘리먼트층(3)의 표면 상에 산화 방지층(4)을 증착한다(도 1c). 예를 들어, 산화 방지층(4)은 은 페이스트(Ag paste)를 스프레이(spray) 공법을 이용하여 증착할 수 있다. 이러한 산화 방지층(4)을 생략하고 퓨저블 엘리먼트층(3)의 표면 상에 후술할 실리콘 도료 등의 보호막을 직접 형성할 수도 있다. 그러나, 제조 공정 중에 퓨저블 엘리먼트층(3)이 대기 중에 노출될 수 있으므로, 산화 방지층(4)을 적층하는 것이 유리하다.Thereafter, in order to prevent the fusible element layer 3 from being oxidized in the air, an antioxidant layer 4 is deposited on the surface of the fusible element layer 3 (FIG. 1C). For example, the anti-oxidation layer 4 may deposit silver paste using a spray method. Such an antioxidant layer 4 may be omitted, and a protective film such as a silicone paint, which will be described later, may be directly formed on the surface of the fusible element layer 3. However, since the fusible element layer 3 may be exposed to the atmosphere during the manufacturing process, it is advantageous to stack the antioxidant layer 4.

이상과 같이 3개의 층(2, 3, 4)으로 형성된 제1 구조물(10) 양단의 최종 초기 저항치는 각 층의 종류와 두께에 따라 정해지며, 본 실시예의 경우 대략 5 mΩ이하의 극저 저항치를 형성하게 된다.As described above, the final initial resistance of both ends of the first structure 10 formed of the three layers 2, 3, and 4 is determined according to the type and thickness of each layer. In the present embodiment, an extremely low resistance value of about 5 m 5 or less is determined. To form.

계속해서, 구조물(10)의 양단을 감싸도록 캡(5)을 설치하여 제2 구조물(20)을 형성한다(도 1d). 이 캡(5)을 통하여, 퓨저블 엘리먼트층(3)은 외부와 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 구조물(20) 양단의 저항치는 3 ~ 4 mΩ정도로 유지된다.Subsequently, the cap 5 is installed to surround both ends of the structure 10 to form the second structure 20 (FIG. 1D). Through this cap 5, the fusible element layer 3 can be electrically connected to the outside. Resistance of both ends of the second structure 20 is maintained at about 3 ~ 4 mΩ.

이 후, 도 1e에 도시한 바와 같이, 3개의 층(2, 3, 4)에 나선형 홈(6)을 형성하여 제3 구조물(30)을 형성한다. 제3 구조물(30) 양단의 최종 완성 저항치는 통상 20 ~ 100 mΩ정도로 유지된다. 이러한 최종 완성 저항치는 제1 구조물(10) 양단의 최종 초기 저항치 및 나선형 커팅의 회전수에 따라 결정된다. 보다 구체적으로 설명하면, 나선형 커팅 (트리밍) 후의 최종 완성 저항치는 나선의 폭 a에 의해 결정되며, 결정된 저항치에 따라 퓨즈의 정격 전류와 동일한 특성을 제공하게 된다. 최종 완성 저항치에 따라, 퓨즈 등의 정격 전류에 해당하는 특성이 결정될수 있다.Thereafter, as shown in FIG. 1E, the spiral grooves 6 are formed in the three layers 2, 3, and 4 to form the third structure 30. Final completion resistance of both ends of the third structure 30 is usually maintained at about 20 ~ 100 mΩ. This final completion resistance value is determined according to the final initial resistance value of both ends of the first structure 10 and the rotation speed of the helical cutting. More specifically, the final completion resistance value after the spiral cutting (trimming) is determined by the width of the spiral a, and provides the same characteristics as the rated current of the fuse according to the determined resistance value. According to the final completion resistance value, the characteristic corresponding to the rated current of the fuse or the like can be determined.

마지막으로, 도 1f에 도시한 바와 같이, 캡(5)의 외측에 리드선(7)을 용접 등에 의해 부착시킨다. 이 리드선(7)은 퓨즈 저항기가 장착될 회로 기판과 퓨저블 엘리먼트층(3)을 전기적으로 연결시킨다. 그 후, 제3 구조물(30)의 외측을 절연성 도료로 코팅하여 보호막(8)을 형성함으로써, 본 발명에 따른 퓨즈 저항기(4)를 완성한다. 여기서, 보호막(8)은 퓨저블 엘리먼트층(3)과 캡(5)을 외부로부터 절연시키며, 그 내부에 있는 각각의 구성 요소를 외부의 충격으로부터 보호한다. 보호막(8)의 외측면은 정격 전류 등을 표시할 수 있도록 불연성 도료로 형성하는 것이 좋다.Finally, as shown in FIG. 1F, the lead wire 7 is attached to the outside of the cap 5 by welding or the like. This lead wire 7 electrically connects the fusible element layer 3 with the circuit board on which the fuse resistor is to be mounted. Thereafter, the outer side of the third structure 30 is coated with an insulating paint to form a protective film 8, thereby completing the fuse resistor 4 according to the present invention. Here, the protective film 8 insulates the fusible element layer 3 and the cap 5 from the outside and protects each component therein from external shocks. The outer surface of the protective film 8 is preferably formed of a nonflammable paint so as to display a rated current or the like.

이상 설명한 바와 같은 본 발명에 따르면, 저항체(1)의 표면 상에 온도 계수가 대략 2,000 ppm/℃ 이상이며 고유 비저항치가 낮은 구리와 같은 물질로 이루어진 퓨저블 엘리먼트층(3)을 증착함으로써, 대략 20 ∼ 100 mΩ 정도의 극저 저항치를 갖는 퓨즈 저항기를 제조할 수 있게 된다. 이와 같이 극저 저항치를 갖는 퓨즈 저항기는 과다하게 발열하지 않으므로, 퓨즈 고유의 기능을 모두 수행할 수 있다.According to the present invention as described above, by depositing a fusible element layer 3 made of a material such as copper on the surface of the resistor 1 with a temperature coefficient of about 2,000 ppm / ° C or more and a low intrinsic resistivity, approximately 20 It becomes possible to manufacture a fuse resistor having an extremely low resistance value of about 100 mΩ. As such, the fuse resistor having the extremely low resistance value does not generate excessive heat, and thus can perform all of the functions unique to the fuse.

또한, 본 발명은 제조 방법 상으로도 종래의 퓨즈 저항기 공법을 응용하고 있으므로, 특정한 설비 투자없이 본 발명을 구현할 수 있게 되며 높은 생산성을 달성할 수 있다.In addition, since the present invention applies the conventional fuse resistor method also in the manufacturing method, it is possible to implement the present invention without investing in a specific equipment and to achieve high productivity.

Claims (2)

전자 기기에 포함되어 있는 회로 소자를 보호하기 위한 퓨즈 저항기에 있어서,A fuse resistor for protecting a circuit element included in an electronic device, 저항체와,With a resistor, 상기 저항체를 둘러싸도록 형성되는 퓨저블 엘리먼트(fusible element)층과,A fusible element layer formed to surround the resistor; 상기 퓨저블 엘리먼트층의 양단을 외부와 전기적으로 연결시키기 위한 캡(cap)과,A cap for electrically connecting both ends of the fusible element layer to the outside; 상기 퓨저블 엘리먼트층 및 상기 캡을 절연시키기 위한 절연층An insulating layer for insulating the fusible element layer and the cap 을 포함하는 퓨즈 저항기.A fuse resistor comprising a. 전자 기기에 포함되어 있는 회로 소자를 보호하기 위한 퓨즈 저항기를 제조하는 방법에 있어서,In the method of manufacturing a fuse resistor for protecting a circuit element included in the electronic device, 저항체를 마련하는 단계와,Providing a resistor, 상기 저항체를 둘러싸도록 퓨저블 엘리먼트층을 형성하는 단계와,Forming a fusible element layer to surround the resistor; 상기 퓨저블 엘리먼트층의 양단을 외부와 전기적으로 연결시키는 캡을 형성하는 단계와,Forming a cap electrically connecting both ends of the fusible element layer to the outside; 상기 퓨저블 엘리먼트층 및 상기 캡을 절연시키기 위한 절연층을 형성하는 단계Forming an insulating layer for insulating the fusible element layer and the cap 를 포함하는 퓨즈 저항기 제조 방법.Fuse resistor manufacturing method comprising a.
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