KR20020078804A - Atmosphere pressure plasma generator - Google Patents

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KR20020078804A
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안희경
이형곤
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주식회사 싸일렌테크놀로지
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Abstract

PURPOSE: An apparatus for generating plasma of atmospheric pressure is provided to perform a plasma treatment on a target with a large area, by having electrodes to form a U-typed discharge region and by including a plasma discharge hole of a predetermined length along the electrodes. CONSTITUTION: Different discharge voltages are applied to the first and second electrodes(40,42). The first and second electrodes are insulated from each other by an insulator. A source gas introducing hole for introducing plasma source gas into a gap between the first and second electrodes is formed. A plasma discharge hole(50) for discharging plasma is formed. The discharge area(48) of the first and second electrodes is of a U-type. The plasma discharge hole is of a predetermined length.

Description

상압 플라즈마 발생기{Atmosphere pressure plasma generator}Atmospheric pressure plasma generator

본 발명은 플라즈마 발생기에 관한 것으로써, 자세하게는 상압 플라즈마 발생기에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma generator, and more particularly, to an atmospheric pressure plasma generator.

플라즈마는 이온화된 상태의 기체이다. 플라즈마 속에는 전기적으로 중성인 원자들로만 이루어진 고온 기체와 달리 서로 반대의 전하를 띤 입자들, 즉 전자와 원자핵이 뒤섞여 존재한다. 따라서 플라즈마는 전체적으로는 중성이지만 국부적으로는 이온과 전자사이의 전하 분리에 의한 전기장이, 전하의 흐름에 의한 전류와 자기장이 발생된다.Plasma is a gas in an ionized state. Unlike a hot gas made up of electrically neutral atoms, plasma has a mixture of oppositely charged particles: electrons and an atomic nucleus. Therefore, the plasma is neutral in general, but locally the electric field by the charge separation between the ions and electrons, the current and magnetic field due to the flow of the charge is generated.

이러한 플라즈마는 형성시의 온도에 따라 저온 또는 고온 플라즈마로, 형성시의 압력에 따라 저압(수 mmTorr∼수 Torr) 또는 상압(∼760torr) 플라즈마로 각각 구분할 수 있다.Such plasma may be classified into low temperature or high temperature plasma according to the temperature at the time of formation, and low pressure (several mmTorr to the number Torr) or normal pressure (˜760torr) plasma depending on the pressure at the time of formation.

이 중에서 상압 플라즈마는 대기압 상태에서 형성되므로, 저압 플라즈마를 형성할 때처럼 고비용의 진공시스템이 필요하지 않은 이점이 있다.Among these, the atmospheric pressure plasma is formed at atmospheric pressure, and thus, there is an advantage that a high-cost vacuum system is not required as in the case of forming the low pressure plasma.

이러한 이점에도 불구하고 상압 플라즈마는 간격이 좁은 전극들 사이에서 형성되기 때문에 대면적화 하기 어렵고, 따라서 그 적용 대상도 좁은 면적을 갖는 대상으로 제한된다.Despite these advantages, the atmospheric pressure plasma is difficult to be large in area because it is formed between the electrodes with narrow spacing, and therefore the application object is limited to the object having a small area.

따라서, 본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는 상술한 종래 기술의 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 대면적을 갖는 대상물을 효과적으로 플라즈마 처리할 수 있는 상압 플라즈마 발생기를 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to improve the above-described problems of the related art, and to provide an atmospheric pressure plasma generator capable of effectively plasma processing an object having a large area.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 상압 플라즈마 발생기를 이용한 플라즈마 처리 방법을 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a plasma processing method using the atmospheric pressure plasma generator.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 의한 상압 플라즈마 발생기의 측면도이다.1 is a side view of an atmospheric pressure plasma generator according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 도 1을 2-2'방향을 따라 절개한 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view of FIG. 1 taken along the 2-2 'direction.

도 3은 도 1에 도시한 상압 플라즈마 발생기의 평면도이다.3 is a plan view of the atmospheric pressure plasma generator shown in FIG. 1.

도 4는 도 1에 도시한 상압 플라즈마 발생기의 밑면도이다.4 is a bottom view of the atmospheric pressure plasma generator shown in FIG. 1.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 의한 상압 플라즈마 발생기에서 제1 실시예와 상이한 전극부의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of an electrode part different from the first embodiment in the atmospheric pressure plasma generator according to the second embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제3 실시예에 의한 상압 플라즈마 발생기의 측면도이다.6 is a side view of an atmospheric pressure plasma generator according to a third embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 제4 실시예에 의한 상압 플라즈마 발생기의 평면도이다.7 is a plan view of an atmospheric pressure plasma generator according to a fourth embodiment of the present invention.

도 8은 도 7을 8-8'방향으로 절개한 단면도이다.FIG. 8 is a cross-sectional view of FIG. 7 taken in the 8-8 'direction.

도 9 및 도 10은 각각 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 의한 플라즈마 처리 방법을 예시한 도면들이다.9 and 10 are diagrams illustrating a plasma processing method according to the first and second embodiments of the present invention, respectively.

*도면의 주요 부분에 대한 부호설명** Description of Signs of Major Parts of Drawings *

40:제1 전극 42, 52:제2 전극40: first electrode 42, 52: second electrode

44:절연성 밀봉 캡 46, 54, 56:제2 전극 지지체44: insulating sealing cap 46, 54, 56: second electrode support

48:방전 영역 50:플라즈마 방출구48: discharge area 50: plasma discharge port

60:상압 플라즈마 발생기 62:플라즈마 처리 대상물60: atmospheric pressure plasma generator 62: plasma treatment object

70:가스 유입구 72:가스 공급관70: gas inlet 72: gas supply pipe

74:분사 노즐 76, 78:제1 및 제2 전극74: spray nozzles 76, 78: first and second electrodes

80:분사 수단 82, 84:제1 및 제2 연결부80: injection means 82, 84: first and second connection portion

88:취부대 90:절연판88: mounting base 90: insulation plate

92, 94:제1 및 제2 전극 덮개 96, 98:제1 및 제2 고정 수단92, 94: first and second electrode cover 96, 98: first and second fixing means

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 서로 다른 방전 전압이 인가되는 제1 및 제2 전극과, 상기 제1 및 제2 전극의 절연을 위한 절연체와, 상기 제1 및 제2 전극 사이로 플라즈마 소오스 가스를 유입시키기 위하여 마련된 소오스 가스 유입구와, 플라즈마 방출을 위한 플라즈마 방출구를 구비하되,In order to achieve the above technical problem, the present invention provides a plasma source between the first and second electrodes to which different discharge voltages are applied, an insulator for insulating the first and second electrodes, and the first and second electrodes. Source gas inlet provided for introducing a gas, and a plasma discharge port for plasma discharge,

상기 제1 및 제2 전극은 방전 영역이 유자(U)형이 되도록 구비되어 있고, 상기 플라즈마 방출구는 소정의 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생기를 제공한다.The first and second electrodes are provided such that the discharge region is in the shape of a citron (U), and the plasma discharge port has a predetermined length.

이때, 상기 제1 전극은 상기 방전 영역을 사이에 두고 상기 제2 전극을 유자(U)형으로 감싸는 형태로 구비되어 있다.In this case, the first electrode is provided in a form of enclosing the second electrode in the shape of a citron (U) with the discharge region therebetween.

상기 플라즈마 방출구는 상기 제2 전극의 하향 첨두 부분과 마주하는 제1 전극의 바닥에 형성되어 있다.The plasma discharge port is formed at the bottom of the first electrode facing the downward peak portion of the second electrode.

상기 플라즈마 소오스 가스 유입구는 상기 제1 전극의 측면에 구비되어 있다.The plasma source gas inlet is provided on the side of the first electrode.

상기 제2 전극은 복수개의 전극으로 구성되어 있으며, 각 전극은 상기 졀연체를 관통한 지지체에 연결되어 있다.The second electrode is composed of a plurality of electrodes, and each electrode is connected to a support penetrating the insulation.

또한, 본 발명은 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 절연판을 사이에 두고 위 아래로 구비된 제1 및 제2 전극과, 상기 제1 및 제2 전극을 덮는 제1 및 제2 전극 덮개와, 상기 제1 및 제2 전극을 각각 상기 제1 및 제2 전극 덮개에 체결시키는 고정시키면서 상기 제1 및 제2 전극을 외부 전원과 연결시키는 제1 및 제2 고정 수단과, 상기 요소들을 포함하는 블록을 지지하는 지지대와, 상기 제1 고정 수단이 구비된 면에 구비된 가스 유입구와, 상기 가스 유입구의 직하방에 연결된 가스 공급관 및 상기 가스 공급관에 수직한 방향으로 구비되어 있고, 그 일단은 상기 가스 공급관에 연결되어 있으며, 타단은 상기 가스 유입구를 통해서 주입되는 가스가 상기 제1 전극을 관통해서 상기 제2 전극에 대응되는 절연판 상에 분사되도록 구비된 분사 수단을 특징으로 하는 플라즈마 발생기를 제공한다.In addition, the present invention, in order to achieve the above technical problem, the first and second electrodes provided up and down with an insulating plate therebetween, the first and second electrode cover for covering the first and second electrodes, and First and second fixing means for connecting the first and second electrodes to an external power source while fixing the first and second electrodes to the first and second electrode covers, respectively, and a block including the elements. A support for supporting, a gas inlet provided on a surface with the first fixing means, a gas supply pipe connected directly below the gas inlet, and a direction perpendicular to the gas supply pipe, one end of which is provided in the gas supply pipe; It is connected to the other end, characterized in that the injection means provided so that the gas injected through the gas inlet is injected through the first electrode on the insulating plate corresponding to the second electrode It provides a plasma generator.

여기서, 상기 분사 수단은 나란하게 구비된 복수의 분사 노즐로 구성된 노즐 블록이다.Here, the injection means is a nozzle block composed of a plurality of injection nozzles provided side by side.

상기 가스 공급관은 상기 복수의 분사 노즐의 일단과 연결되도록 구비되어 잇다.The gas supply pipe is provided to be connected to one end of the plurality of injection nozzles.

상기 가스 공급관의 양단에 상기한 구성 요소들을 포함하는 제2의 상압 플라즈마 발생기가 연결될 수 있는 연결부가 구비되어 있다.Connections to both ends of the gas supply pipe may be connected to a second atmospheric pressure plasma generator including the above components.

상기 제1 및 제2 전극은 각각 상기 분사 노즐 블록과 대응할 수 있는 길이를 갖고 상기 가스 공급관과 나란하게 구비된 판형 전극 및 라인 형태의 전극이다.The first and second electrodes are plate-shaped electrodes and line-shaped electrodes each having a length corresponding to the injection nozzle block and provided in parallel with the gas supply pipe.

상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 서로 다른 방전 전압이 인가되는 제1 및 제2 전극; 상기 제1 및 제2 전극의 절연을 위한 절연체; 상기 제1 및 제2 전극 사이로 플라즈마 소오스 가스를 유입시키기 위한 플라즈마 소오스 가스 유입구; 및 플라즈마 방출을 위한 방출구를 구비하되, 상기 제1 및 제2 전극은 양자 사이에 유자(U)형 방전 영역이 형성되도록 구비된 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생기를 이용한 플라즈마 처리 방법에 있어서, 상기 플라즈마 발생기 아래로 플라즈마 처리 대상물을 로딩하는 단계; 및 상기 플라즈마 처리 대상물의 일단에서 타단으로 상기 플라즈마 발생기를 이동시키면서 상기 대상물을 플라즈마 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법을 제공한다.In order to achieve the above technical problem, the present invention is the first and second electrodes to which different discharge voltage is applied; An insulator for insulating the first and second electrodes; A plasma source gas inlet for introducing a plasma source gas between the first and second electrodes; And a discharge port for plasma emission, wherein the first and second electrodes are provided such that a U-type discharge region is formed therebetween, wherein the plasma processing method comprises: Loading a plasma treatment object under the generator; And plasma processing the object while moving the plasma generator from one end to the other end of the plasma processing object.

이 과정에서, 상기 플라즈마 처리 대상물의 굴곡에 따라 상기 플라즈마 발생기를 상하로 이동시키면서 상기 대상물을 플라즈마 처리한다.In this process, the object is plasma-processed while moving the plasma generator up and down according to the curvature of the plasma-processed object.

또한, 상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 서로 다른 방전 전압이 인가되는 제1 및 제2 전극; 상기 제1 및 제2 전극의 절연을 위한 절연체; 상기 제1 및 제2 전극 사이로 플라즈마 소오스 가스를 유입시키기 위한 플라즈마 소오스 가스 유입구; 및 플라즈마 방출을 위한 방출구를 구비하되, 상기 제1 및 제2 전극은 양자 사이에 유자(U)형 방전 영역이 형성되도록 구비된 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생기를 이용한 플라즈마 처리 방법에 있어서, 플라즈마 처리 대상물을 로딩하는 단계; 및 상기 플라즈마 처리 대상물을 상기 플라즈마 발생기 아래로 이동시키면서 플라즈마 처리하되, 상기 처리 대상물의 표면의 굴곡에 따라 상기 처리 대상물을 상하로 이동시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법을 제공한다.In addition, in order to achieve the above another technical problem, the present invention includes: first and second electrodes to which different discharge voltages are applied; An insulator for insulating the first and second electrodes; A plasma source gas inlet for introducing a plasma source gas between the first and second electrodes; And a discharge port for plasma emission, wherein the first and second electrodes are provided such that a U-type discharge region is formed therebetween, wherein the plasma processing method comprises: Loading an object; And performing a plasma treatment while moving the plasma treatment object under the plasma generator, and moving the treatment object up and down according to the curvature of the surface of the treatment object.

이러한 본 발명에 의한 상압 플라즈마 발생기를 이용하면, 대면적을 갖는 대상물의 표면도 용이하게 플라즈마 처리할 수 있다.When the atmospheric pressure plasma generator according to the present invention is used, the surface of an object having a large area can be easily plasma treated.

이하, 본 발명의 실시예에 의한 상압 플라즈마 발생기를 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 영역들은 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다.Hereinafter, an atmospheric pressure plasma generator according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the process, the regions shown in the drawings are exaggerated for clarity.

<제1 실시예><First Embodiment>

도 1을 참조하면, 참조번호 40은 소정의 길이를 갖는 제1 전극이고, 42는 제1 전극(40)에 인가되는 전압과 반대되는 전압이 인가되는 제2 전극이다.Referring to FIG. 1, reference numeral 40 is a first electrode having a predetermined length, and 42 is a second electrode to which a voltage opposite to the voltage applied to the first electrode 40 is applied.

예를 들면, 제1 전극(40)에 양의 전압이 인가되는 경우 제2 전극(42)에 음의 전압이 인가되고, 제1 전극(40)에 음의 전압이 인가되는 경우 제2 전극(42)에 양의 전압이 인가된다.For example, when a positive voltage is applied to the first electrode 40, a negative voltage is applied to the second electrode 42, and when a negative voltage is applied to the first electrode 40, the second electrode ( Positive voltage is applied to 42).

아래의 설명에서 제1 전극(40)에 음의 전압이, 제2 전극(42)에 양의 전압이 각각 인가되는 것으로 간주한다.In the following description, it is assumed that a negative voltage is applied to the first electrode 40 and a positive voltage is applied to the second electrode 42, respectively.

제2 전극(42)은 제1 전극(40)에 비해 길이는 짧지만 마찬가지로 소정의 길이를 갖는다.The second electrode 42 is shorter in length than the first electrode 40 but similarly has a predetermined length.

참조번호 42a는 제1 전극(40) 측면에 형성된 플라즈마 형성용 소오스 가스유입구이다. 소오스 가스 유입구(42a)는 도면에서 볼 수 있듯이 제1 전극(40) 측면에 복수개가 형성되어 있다. 소오스 가스 유입구(42a)는 균일한 가스 유입을 위해 제1 전극(40)의 측면 가운데에도 형성되어 있으나, 편의 상 그 도시를 생략하였다.Reference numeral 42a denotes a source gas inlet for plasma formation formed on the side of the first electrode 40. As shown in the figure, a plurality of source gas inlets 42a are formed on the side of the first electrode 40. The source gas inlet 42a is also formed at the center of the side surface of the first electrode 40 for uniform gas inflow, but the illustration is omitted for convenience.

참조번호 44는 제1 전극(40) 상에 형성된 절연성 밀봉 캡이고, 46은 이를 관통해서 제2 전극(42)에 전원을 공급함과 동시에 제2 전극(42)을 지지하는 지지체이다. 제2 전극(42)은 두 개의 지지체(46)에 의해 지지된다. 지지체(46)의 수는 제2 전극(42)의 중량이나 플라즈마 발생 효율 등을 고려하여 증감할 수 있다.Reference numeral 44 is an insulating sealing cap formed on the first electrode 40, and 46 is a support for supporting the second electrode 42 while supplying power to the second electrode 42 therethrough. The second electrode 42 is supported by two supports 46. The number of supports 46 can be increased or decreased in consideration of the weight of the second electrode 42, the plasma generation efficiency, and the like.

도 1을 2-2'방향을 따라 절개한 도 2를 참조하면, 제1 전극(40)은 단면이 유자(U)형이되, 하단에 플라즈마 방출구(50)가 형성되어 있어, 이를 중심으로 좌우가 대칭적으로 분리된 형태이다. 절연성 밀봉 캡(44)은 제1 전극(40)을 덮고 있으며, 제1 전극(40)의 상단과 밀봉 접촉되어 있다. 이렇게 해서 방전 중에 플라즈마가 위쪽으로 누출되는 것을 방지할 수 있다. 제2 전극(42)은 절연성 밀봉 캡(44)과 제1 전극(40)으로 만들어진 공간내에 구비되어 있으며, 그 상단은 밀봉을 유지하도록 절연성 밀봉 캡(44)을 관통한 지지체(46)에 연결되어 있고, 그 하단은 제1 전극(40)과 비접촉 상태로 하향 확장되어 첨두 부분이 플라즈마 방출구(50)와 마주하고 있다. 상압 플라즈마 형성을 고려하는 경우, 플라즈마 방출구(50)의 직경은 제2 전극(42)의 직경보다 작은 것이 바람직하다. 상기 공간에 상기한 바와 같은 제2 전극(42)이 구비됨으로써, 제1 및 제2 전극(40, 42) 사이에 제2 전극(42)을 감싸는 유자형 방전 영역(48)이 만들어진다.Referring to FIG. 2 in which FIG. 1 is cut along the 2-2 'direction, the first electrode 40 has a U-shaped cross section, but has a plasma discharge port 50 formed at a lower end thereof. The left and right are symmetrically separated. The insulating sealing cap 44 covers the first electrode 40 and is in sealing contact with the upper end of the first electrode 40. In this way, the plasma can be prevented from leaking upward during discharge. The second electrode 42 is provided in a space made of the insulating sealing cap 44 and the first electrode 40, the upper end of which is connected to the support 46 passing through the insulating sealing cap 44 to maintain the sealing. The lower end thereof is extended downward in a non-contact state with the first electrode 40 so that the peak portion faces the plasma discharge port 50. When considering atmospheric pressure plasma formation, the diameter of the plasma discharge port 50 is preferably smaller than the diameter of the second electrode 42. The second electrode 42 as described above is provided in the space, thereby creating a U-shaped discharge region 48 surrounding the second electrode 42 between the first and second electrodes 40 and 42.

계속해서, 플라즈마 소오스 가스 유입구(42a)는 플라즈마 방출구(50)를 중심으로 좌우 대칭적으로 분리된 제1 전극(40)의 양측에 각각 형성되어 있다. 플라즈마 소오스 가스 유입구(42a)는 방전 영역(48)에 플라즈마 소오스 가스을 유입할 수 형태이면, 어떠한 형태라도 무방하나, 그 중에서도 방전 영역(48)으로부터 플라즈마가 누출되는 것을 방지할 수 있는 형태가 바람직하다. 이러한 플라즈마 소오스 가스 유입구(42a)는 제1 전극(40)의 양측에 구비되는 것이 균일한 플라즈마를 원활하게 공급할 수 있는 바람직한 설계이지만, 어느 한 측에만 구비할 수도 있다.Subsequently, the plasma source gas inlets 42a are formed at both sides of the first electrode 40 which are symmetrically separated from the plasma discharge port 50. The plasma source gas inlet 42a may be any type as long as the plasma source gas can be introduced into the discharge region 48, but is preferably a form that can prevent the plasma from leaking from the discharge region 48. . The plasma source gas inlet 42a is preferably provided on both sides of the first electrode 40 so as to smoothly supply uniform plasma, but may be provided only on one side.

도 3을 참조하면, 제1 전극(40)과 제2 전극(42)은 서로 나란하게 구비되어 있고, 제1 및 제2 전극(40, 42) 사이의 방전 영역(48)도 제2 전극(42) 둘레를 따라 균일한 두께로 나란하게 형성되어 있다. 또, 지지체(46)의 두께가 제2 전극(42)의 두께보다 얇다. 그러나 지지체(46)의 두께는 제2 전극(42)의 두께와 동일하거나 더 두꺼워도 무방하다. 또, 플라즈마 발생기의 전체 외형은 직사각형이다. 하지만, 플라즈마 발생기의 외형은 원형, 타원형 또는 정사각형 등이 될 수 있다.Referring to FIG. 3, the first electrode 40 and the second electrode 42 are provided in parallel with each other, and the discharge region 48 between the first and second electrodes 40 and 42 is also formed by the second electrode ( 42) Side by side in uniform thickness. In addition, the thickness of the support body 46 is thinner than the thickness of the second electrode 42. However, the thickness of the support 46 may be the same as or thicker than the thickness of the second electrode 42. The overall appearance of the plasma generator is rectangular. However, the shape of the plasma generator may be circular, elliptical, square, or the like.

도 4는 상기한 특성을 갖는 플라즈마 발생기의 저면을 나타낸 도면으로써, 소정의 두께로 제1 및 제2 전극(40, 42)의 길이 방향을 따라 길게 형성된 플라즈마 방출구(50)를 볼 수 있고, 플라즈마 방출구(50)의 두께는 제2 전극(42)의 두께에 비해 얇다는 사실도 확인할 수 있다.4 is a view showing the bottom of the plasma generator having the above characteristics, it can be seen that the plasma discharge port 50 formed long along the longitudinal direction of the first and second electrodes 40, 42 with a predetermined thickness, It can also be confirmed that the thickness of the plasma discharge port 50 is thinner than the thickness of the second electrode 42.

<제2 실시예>Second Embodiment

제1 실시예에 의한 플라즈마 발생기에서 제2 전극(42, 도 2 참조)은 다양한 형태를 가질 수 있는데, 제2 실시예에서 그 한 예를 제시한다. 이때, 제1 실시예에서 설명한 부재와 동일한 부재에 대해서는 동일한 참조번호를 사용하고, 그에 대한설명은 생략한다.In the plasma generator according to the first embodiment, the second electrode 42 (refer to FIG. 2) may have various shapes, and an example thereof is given in the second embodiment. In this case, the same reference numerals are used for the same members as the members described in the first embodiment, and description thereof will be omitted.

또한, 제1 실시예에 도시된 부분과 동일한 부분은 도시를 생략한다.Incidentally, the same parts as those shown in the first embodiment are omitted.

도 5를 참조하면, 지지체(46)에 연결된 제2 전극(52)은 플라즈마 방출구(50, 도 2 참조)와 마주하는 제1 및 제2 부분(52a, 52b)으로 구성되어 있다. 제1 및 제2 부분(52a, 52b)은 각각 나란하되, 지지체(46)와 연결되는 부분에서 하나로 된다.Referring to FIG. 5, the second electrode 52 connected to the support 46 is composed of first and second portions 52a and 52b facing the plasma discharge port 50 (see FIG. 2). The first and second portions 52a and 52b are side by side, respectively, and become one at the portion connected to the support 46.

<제3 실시예>Third Embodiment

제2 전극의 구성이 제1 실시예에 의한 그것과 다른 것에 특징이 있다. 이때, 제1 실시예에서 설명한 부재와 동일한 부재에 대해서는 동일한 참조번호를 사용하고, 그에 대한 설명은 생략한다.The configuration of the second electrode is different from that of the first embodiment. In this case, the same reference numerals are used for the same members as those described in the first embodiment, and description thereof will be omitted.

구체적으로, 도 6을 참조하면, 한 개의 제1 전극(40)과 두 개의 제2 전극(54a, 56a)을 구비한다. 두 개의 제2 전극(54a, 56a)들 각각은 제1 실시예의 제2 전극(42, 도 2 참조)과 동일한 형태이다. 하지만 각각은 한 개의 지지체(54 또는 56)에 의해 전원이 공급되고 지지된다.Specifically, referring to FIG. 6, one first electrode 40 and two second electrodes 54a and 56a are provided. Each of the two second electrodes 54a and 56a has the same shape as the second electrode 42 (see FIG. 2) of the first embodiment. However, each is powered and supported by one support 54 or 56.

<제4 실시예>Fourth Example

평판 토치 방식의 상압 플라즈마 발생기에 관한 것이다.The atmospheric pressure plasma generator of a flat plate torch type | mold.

도 7을 참조하면, 참조번호 70은 가스 유입구를 나타내고, 72는 가스 유입구(70)에 연결된 가스 공급관을 나타낸다. 그리고 참조번호 80은 가스 유입구(72)를 통해서 유입되는 가스를 제1 전극(76)과 제2 전극(78) 사이로 분사하는 분사 수단으로써, 분사 수단(80)은 복수의 분사 노즐(74)로 구성된 분사 블록이다. 제1 전극(76)은 분사 수단(80)과 대응할 수 있는 길이를 갖고 가스 공급관(72)과 나란하게 구비된 판형 전극이고, 제2 전극(78)은 라인 형태의 전극이다. 제1 전극(76)은 음의 전압이 인가되는 음극이고, 제2 전극(86)은 양의 전압이 인가되는 양극이다. 가스 공급관(72)의 양단에 제1 및 제2 연결부(82, 84)가 구비되어 있다. 제1 및 제2 연결부(82, 84)는 제2의 상압 플라즈마 발생기가 연결되는 곳으로써, 예컨대 제1 연결부(82) 또는 제2 연결부(84)에 본 발명의 제4 실시예와 같은 구성을 갖는 제2의 상압 플라즈마 발생기가 연결될 수 있다. 이러한 방식으로 여러대의 상압 플라즈마 발생기를 연결함으로써, 대형 상압 플라즈마 발생기의 구성도 가능하다.Referring to FIG. 7, reference numeral 70 denotes a gas inlet and 72 denotes a gas supply pipe connected to the gas inlet 70. In addition, reference numeral 80 denotes injection means for injecting the gas introduced through the gas inlet 72 between the first electrode 76 and the second electrode 78, and the injection means 80 is directed to the plurality of injection nozzles 74. Configured injection block. The first electrode 76 is a plate-shaped electrode having a length corresponding to the injection means 80 and provided in parallel with the gas supply pipe 72, and the second electrode 78 is a line-shaped electrode. The first electrode 76 is a cathode to which a negative voltage is applied, and the second electrode 86 is a cathode to which a positive voltage is applied. First and second connecting portions 82 and 84 are provided at both ends of the gas supply pipe 72. The first and second connectors 82 and 84 are connected to the second atmospheric pressure plasma generator, for example, the first connector 82 or the second connector 84 may have the same configuration as that of the fourth embodiment of the present invention. The second atmospheric pressure plasma generator may be connected. By connecting several atmospheric pressure plasma generators in this manner, a large atmospheric pressure plasma generator can be configured.

도 8을 참조하면 가스 공급관(72)은 가스 유입구(70)의 직하방에 연결되어 있고, 이러한 가스 공급관(72)에 분사 수단(80)의 일단이 연결되어 있다. 곧, 분사 수단(80)을 구성하는 복수의 분사 노즐(74)의 일단은 전부 가스 공급관(72)에 연결되어 있다. 이렇게 해서, 가스 유입구(70)를 통해 가스 공급관(72)으로 유입되는 가스는 가스 공급관(72)에 수직한 방향으로 구비된 분사 수단(80)으로 공급된다.Referring to FIG. 8, the gas supply pipe 72 is connected directly below the gas inlet 70, and one end of the injection means 80 is connected to the gas supply pipe 72. That is, one end of the plurality of injection nozzles 74 constituting the injection means 80 is all connected to the gas supply pipe 72. In this way, the gas flowing into the gas supply pipe 72 through the gas inlet 70 is supplied to the injection means 80 provided in the direction perpendicular to the gas supply pipe 72.

제1 및 제2 전극(76, 78)은 절연판(90)을 사이에 두고 상하로 구비되어 있으나, 제1 전극(76) 직하방에 제2 전극(78)이 구비된 것이 아니라 제1 전극(76)이 끝나는 부분에 제2 전극(78)이 구비되어 있기 때문에, 제1 및 제2 전극(76, 78)은 대각선상에 구비된 형태가 된다.The first and second electrodes 76 and 78 are provided up and down with the insulating plate 90 interposed therebetween, but the first electrode (not the second electrode 78 is provided below or below the first electrode 76). Since the second electrode 78 is provided at the portion where 76 ends, the first and second electrodes 76 and 78 are provided on a diagonal line.

한편, 분사 노즐(74)의 타단, 곧 가스 유입구(70)를 통해서 유입되는 가스가 분사되는 끝단은 제1 전극(76)을 관통해서 제2 전극(78)에 대응되는 절연판(90) 상으로 가스가 공급되도록 구비되어 있다.On the other hand, the other end of the injection nozzle 74, that is, the end through which the gas flowing through the gas inlet 70 is injected, passes through the first electrode 76 and onto the insulating plate 90 corresponding to the second electrode 78. It is provided to supply gas.

제1 전극(76)은 제1 전극 덮개(92)로 덮여 있고, 제2 전극(78) 또한 제2 전극 덮개(84)로 덮여 있으며, 이들은 제1 및 제2 고정 수단(96, 98)에 의해 고정되어 있다. 제1 및 제2 고정 수단(96, 98)은 고정용 볼트로써, 이들을 통해 외부 전원(미도시)으로부터 제1 및 제2 전극(76, 78)에 전압이 인가된다.The first electrode 76 is covered with a first electrode cover 92, and the second electrode 78 is also covered with a second electrode cover 84, which is connected to the first and second fixing means 96, 98. It is fixed by. The first and second fixing means 96 and 98 are fixing bolts through which voltage is applied to the first and second electrodes 76 and 78 from an external power source (not shown).

도 7 및 도 8을 함께 참조할 때, 제1 전극(76)은 평판형 전극인 것이 더욱 명확하고, 제2 전극(78)은 라인 형태인 것이 더욱 명확해진다.Referring to FIGS. 7 and 8 together, it is more clear that the first electrode 76 is a flat electrode, and the second electrode 78 is more clearly in the form of a line.

도 7 및 도 8에서 참조번호 88은 상기한 구성 요소들로 구성된 블록을 이들을 지지하는 지지대(미도시)에 연결하는 취부대를 나타낸다. 취부대(88)에 형성된 원(100)은 상기 지지대와 취부대(88)가 연결되는 부분을 나타낸다.In Figs. 7 and 8, reference numeral 88 denotes a mount for connecting a block composed of the above components to a support (not shown) supporting them. The circle 100 formed on the mounting table 88 represents a portion where the support and the mounting table 88 are connected.

다음에는 상기한 플라즈마 발생기를 이용한 플라즈마 처리 방법을 간략하게 설명한다.Next, a plasma processing method using the above-described plasma generator will be briefly described.

구체적으로, 도 9를 참조하면, 참조번호 60은 상술한 제1 내지 제3 실시예에 의한 플라즈마 발생기들 중 선택된 어느 하나이고, 62는 플라즈마 처리를 위한 대면적을 갖는 대상물로써, 그 폭이 플라즈마 발생기(60)의 플라즈마 방출구(도 4의 50참조)의 길이 방향의 폭보다 좁은 것이 바람직하다.Specifically, referring to FIG. 9, reference numeral 60 is any one selected from the plasma generators according to the first to third embodiments described above, and 62 is an object having a large area for plasma processing, the width of which is plasma. It is preferable to be narrower than the width in the longitudinal direction of the plasma discharge port (see 50 in FIG. 4) of the generator 60.

플라즈마 처리 대상물(62)을 플라즈마 발생기(60) 아래에 로딩한다. 이어서, 플라즈마 처리 대상물(62)의 로딩이 확인되면, 플라즈마 발생기(60)를 이동시키면서 플라즈마 처리 대상물(62)의 표면을 플라즈마 처리한다. 이때, 플라즈마 발생기(60)는 플라즈마 처리 대상물(62)의 일단에서 타단으로 이동시키면서 이동한다.The plasma treatment object 62 is loaded under the plasma generator 60. Subsequently, when the loading of the plasma processing object 62 is confirmed, the surface of the plasma processing object 62 is plasma treated while the plasma generator 60 is moved. At this time, the plasma generator 60 moves while moving from one end of the plasma processing object 62 to the other end.

또한, 도면으로 도시하지는 않았지만, 플라즈마 처리 대상물(62)의 표면이 굴곡진 경우, 플라즈마 발생기(60)를 플라즈마 처리 대상물(62) 표면의 굴곡을 따라 상하로 이동시키면서 플라즈마 처리 대상물(62)의 표면을 플라즈마 처리할 수도 있다.Although not shown in the drawing, when the surface of the plasma processing object 62 is bent, the surface of the plasma processing object 62 is moved while moving the plasma generator 60 up and down along the curvature of the surface of the plasma processing object 62. May be plasma treated.

한편, 이동의 주체가 바뀌는 경우, 도 10에 도시한 바와 같이 플라즈마 발생기(60)는 고정시키고 플라즈마 처리 대상물(62)을 플라즈마 발생기(60)의 플라즈마 방출구 아래로 이동시키는 방법으로 플라즈마 처리 대상물(62)을 플라즈마 처리할 수 있다.On the other hand, when the subject of movement changes, as shown in FIG. 10, the plasma generator 60 is fixed and the plasma treatment object 62 is moved below the plasma discharge port of the plasma generator 60 by the method of plasma treatment object ( 62 may be plasma treated.

이때, 플라즈마 처리 대상물(62)의 표면에 굴곡이 있는 경우 플라즈마 처리 대상물(62)을 상하로 이동시키는 것보다 플라즈마 발생기(60)를 굴곡에 맞춰 상하로 이동시키는 것이 바람직하다. 이러한 과정은 플라즈마 처리 대상물(62)과 플라즈마 발생기(60)의 이동을 미세하게 조정함으로써 가능하다.At this time, when the surface of the plasma processing object 62 is curved, it is preferable to move the plasma generator 60 up and down in accordance with the bending rather than moving the plasma processing object 62 up and down. This process is possible by finely adjusting the movement of the plasma treatment object 62 and the plasma generator 60.

상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 예들 들어 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 방전 영역이 브이(V)자형이 되도록 전극이 배치된 상압 플라즈마 발생기를 고려할 수도 있을 것이고, 상술한 본 발명의 플라즈마 발생기를 복수개 나란하게 배열한 플라즈마 발생기를 고려할 수 있고, 이들을 장착한 플라즈마 처리 챔버를 구상할 수도 있을 것이다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.While many details are set forth in the foregoing description, they should be construed as illustrative of preferred embodiments, rather than to limit the scope of the invention. For example, one of ordinary skill in the art may consider an atmospheric pressure plasma generator in which electrodes are disposed such that a discharge region is V-shaped, and the plurality of plasma generators of the present invention described above are provided side by side. Arranged plasma generators may be considered, and a plasma processing chamber equipped with these may be envisioned. Therefore, the scope of the present invention should not be defined by the described embodiments, but should be determined by the technical spirit described in the claims.

상술한 바와 같이, 본 발명은 방전 영역이 유자(U)형이 되도록 전극들이 구비되어 있고, 방전 영역 바닥 쪽에 전극들을 따라 소정의 길이를 갖는 플라즈마 방출구가 구비된 상압 플라즈마 발생기를 제공한다. 이러한 본 발명의 플라즈마 발생기를 이용하는 경우, 스캔 방식으로 플라즈마 처리 대상을 플라즈마 처리할 수 있고, 실질적인 플라즈마 발생 영역은 방출구의 길이와 스캔 거리의 곱으로 정해지는 넓이가 된다. 따라서 대면적을 갖는 대상물에 대한 플라즈마 처리도 용이하게 실시할 수 있다.As described above, the present invention provides an atmospheric pressure plasma generator provided with electrodes such that the discharge region is U-shaped, and a plasma discharge port having a predetermined length along the electrodes at the bottom of the discharge region. In the case of using the plasma generator of the present invention, the plasma treatment object can be plasma-processed by a scan method, and the substantial plasma generation region is an area determined by the product of the length of the discharge port and the scan distance. Therefore, the plasma treatment with respect to the object which has a large area can also be performed easily.

Claims (17)

서로 다른 방전 전압이 인가되는 제1 및 제2 전극;First and second electrodes to which different discharge voltages are applied; 상기 제1 및 제2 전극의 절연을 위한 절연체;An insulator for insulating the first and second electrodes; 상기 제1 및 제2 전극 사이로 플라즈마 소오스 가스를 유입시키기 위하여 마련된 소오스 가스 유입구; 및A source gas inlet provided for introducing a plasma source gas between the first and second electrodes; And 플라즈마 방출을 위한 플라즈마 방출구를 구비하되,Provided with a plasma discharge port for plasma emission, 상기 제1 및 제2 전극은 방전 영역이 유자(U)형이 되도록 구비되어 있고, 상기 플라즈마 방출구는 소정의 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생기.The first and second electrodes are provided such that the discharge region is in the form of a citron (U), and the plasma discharge port has a predetermined length. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 전극은 상기 방전 영역을 사이에 두고 상기 제2 전극을 유자(U)형으로 감싸는 형태로 구비된 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생기.The plasma generator of claim 1, wherein the first electrode is provided in a form of enclosing the second electrode in a U-shape with the discharge region interposed therebetween. 제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마 방출구는 상기 제2 전극의 하향 첨두 부분과 마주하는 제1 전극의 바닥에 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생기.The plasma generator of claim 1, wherein the plasma discharge port is formed at a bottom of the first electrode facing a downward peak portion of the second electrode. 제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마 소오스 가스 유입구는 상기 제1 전극의 측면에 구비된 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생기.The plasma generator of claim 1, wherein the plasma source gas inlet is provided at a side surface of the first electrode. 제 4 항에 있어서, 상기 플라즈마 소오스 가스 유입구는 상기 제1 전극의 양측면에 복수개 구비된 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생기.5. The plasma generator of claim 4, wherein a plurality of plasma source gas inlets are provided at both sides of the first electrode. 제 1 항에 있어서, 상기 절연체는 상기 제1 전극을 덮는 형태로 제1 전극의 상단과 밀폐성 있게 접촉되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생기.The plasma generator of claim 1, wherein the insulator is in hermetic contact with an upper end of the first electrode in a form covering the first electrode. 제 6 항에 있어서, 상기 제2 전극은 상기 절연체를 관통한 지지체에 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생기.7. The plasma generator of claim 6, wherein the second electrode is connected to a support passing through the insulator. 제 6 항에 있어서, 상기 제2 전극은 복수개의 전극으로 구성되어 있으며, 각 전극은 상기 졀연체를 관통한 지지체에 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생기.7. The plasma generator as set forth in claim 6, wherein said second electrode is composed of a plurality of electrodes, and each electrode is connected to a support that penetrates through said insulation body. 절연판을 사이에 두고 위 아래로 구비된 제1 및 제2 전극;First and second electrodes provided up and down with an insulating plate therebetween; 상기 제1 및 제2 전극을 덮는 제1 및 제2 전극 덮개;First and second electrode covers covering the first and second electrodes; 상기 제1 및 제2 전극을 각각 상기 제1 및 제2 전극 덮개에 체결시키는 고정시키면서 상기 제1 및 제2 전극을 외부 전원과 연결시키는 제1 및 제2 고정 수단;First and second fixing means for connecting the first and second electrodes to an external power source while fixing the first and second electrodes to the first and second electrode covers, respectively; 상기 요소들을 포함하는 블록을 지지하는 지지대;A support for supporting a block comprising the elements; 상기 제1 고정 수단이 구비된 면에 구비된 가스 유입구;A gas inlet provided on a surface on which the first fixing means is provided; 상기 가스 유입구의 직하방에 연결된 가스 공급관; 및A gas supply pipe connected directly below the gas inlet; And 상기 가스 공급관에 수직한 방향으로 구비되어 있고, 그 일단은 상기 가스 공급관에 연결되어 있으며, 타단은 상기 가스 유입구를 통해서 주입되는 가스가 상기 제1 전극을 관통해서 상기 제2 전극에 대응되는 절연판 상에 분사되도록 구비된 분사 수단을 특징으로 하는 플라즈마 발생기.It is provided in a direction perpendicular to the gas supply pipe, one end thereof is connected to the gas supply pipe, the other end is on the insulating plate corresponding to the second electrode through the gas injected through the gas inlet Plasma generator, characterized in that the injection means provided to be injected into. 제 9 항에 있어서, 상기 분사 수단은 나란하게 구비된 복수의 분사 노즐로 구성된 노즐 블록인 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생기.10. The plasma generator as set forth in claim 9, wherein the injection means is a nozzle block composed of a plurality of injection nozzles provided side by side. 제 10 항에 있어서, 상기 가스 공급관은 상기 복수의 분사 노즐의 일단과 연결되도록 구비된 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생기.The plasma generator of claim 10, wherein the gas supply pipe is connected to one end of the plurality of injection nozzles. 제 11 항에 있어서, 상기 가스 공급관의 양단에 상기한 구성 요소들을 포함하는 제2의 상압 플라즈마 발생기가 연결될 수 있는 연결부가 구비된 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생기.12. The plasma generator as set forth in claim 11, wherein a connection part to which a second atmospheric pressure plasma generator including the above components is connected is provided at both ends of the gas supply pipe. 제 12 항에 있어서, 상기 연결부에 상기 제2의 상압 플라즈마 발생기가 연결된 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생기.The plasma generator of claim 12, wherein the second atmospheric pressure plasma generator is connected to the connection unit. 제 9 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전극은 각각 상기 분사 노즐 블록과 대응할 수 있는 길이를 갖고 상기 가스 공급관과 나란하게 구비된 판형 전극 및 라인 형태의 전극인 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생기.10. The plasma generator of claim 9, wherein each of the first and second electrodes is a plate-shaped electrode and a line-shaped electrode which have a length corresponding to the injection nozzle block and are provided in parallel with the gas supply pipe. 서로 다른 방전 전압이 인가되는 제1 및 제2 전극; 상기 제1 및 제2 전극의 절연을 위한 절연체; 상기 제1 및 제2 전극 사이로 플라즈마 소오스 가스를 유입시키기 위한 플라즈마 소오스 가스 유입구; 및 플라즈마 방출을 위한 방출구를 구비하되, 상기 제1 및 제2 전극은 양자 사이에 유자(U)형 방전 영역이 형성되도록 구비된 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생기를 이용한 플라즈마 처리 방법에 있어서,First and second electrodes to which different discharge voltages are applied; An insulator for insulating the first and second electrodes; A plasma source gas inlet for introducing a plasma source gas between the first and second electrodes; And a discharge port for plasma emission, wherein the first and second electrodes are provided such that a U-shaped discharge region is formed therebetween. 상기 플라즈마 발생기 아래로 플라즈마 처리 대상물을 로딩하는 단계; 및Loading a plasma treatment object under the plasma generator; And 상기 플라즈마 처리 대상물의 일단에서 타단으로 상기 플라즈마 발생기를 이동시키면서 상기 대상물을 플라즈마 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.And plasma processing the object while moving the plasma generator from one end of the plasma processing object to the other end. 제 15 항에 있어서, 상기 플라즈마 처리 대상물의 굴곡에 따라 상기 플라즈마 발생기를 상하로 이동시키면서 상기 대상물을 플라즈마 처리하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.The plasma processing method according to claim 15, wherein the object is plasma-processed while the plasma generator is moved up and down in accordance with the bending of the plasma-processed object. 서로 다른 방전 전압이 인가되는 제1 및 제2 전극; 상기 제1 및 제2 전극의 절연을 위한 절연체; 상기 제1 및 제2 전극 사이로 플라즈마 소오스 가스를 유입시키기 위한 플라즈마 소오스 가스 유입구; 및 플라즈마 방출을 위한 방출구를 구비하되, 상기 제1 및 제2 전극은 양자 사이에 유자(U)형 방전 영역이 형성되도록 구비된 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생기를 이용한 플라즈마 처리 방법에 있어서,First and second electrodes to which different discharge voltages are applied; An insulator for insulating the first and second electrodes; A plasma source gas inlet for introducing a plasma source gas between the first and second electrodes; And a discharge port for plasma emission, wherein the first and second electrodes are provided such that a U-shaped discharge region is formed therebetween. 플라즈마 처리 대상물을 로딩하는 단계; 및Loading a plasma treatment object; And 상기 플라즈마 처리 대상물을 상기 플라즈마 발생기 아래로 이동시키면서 플라즈마 처리하되, 상기 처리 대상물의 표면의 굴곡에 따라 상기 처리 대상물을 상하로 이동시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.Plasma processing while moving the plasma object under the plasma generator, the method comprising the step of moving the object up and down according to the curvature of the surface of the object.
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