KR20020078680A - Electrode assembly for etching apparatus - Google Patents

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KR20020078680A
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이정기
김차열
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주식회사 기림세미텍
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Abstract

PURPOSE: An electrode assembly for an etching apparatus is provided to allow a simple change of an electrode plate only and to reduce the creation of particles by eliminating adhesive material conventionally used for connecting the electrode plate with a flange. CONSTITUTION: The electrode plate(120) has a large number of injection holes(122) distributed over the entire surface thereof and several fastening holes(124) formed along the periphery thereof. The flange(110) attached to the periphery of the electrode plate(120) has through holes(112) each corresponding to the fastening hole(124). The flange(110) is fixed to a chamber by a bracket(10). The first fastening member has a protrusion surrounding one end thereof and a female screw formed in the other end thereof. The protrusion of the first fastening member is inserted in and fastened to the fastening hole(124). The second fastening member such as a male screw is inserted in the through hole(112) and joined to the female screw of the first member received in the through hole(112). In addition, a fastening pin(150) may be used alternatively or together.

Description

에칭장치용 전극 어셈블리{ELECTRODE ASSEMBLY FOR ETCHING APPARATUS}Electrode assembly for etching equipment {ELECTRODE ASSEMBLY FOR ETCHING APPARATUS}

본 발명은 반도체 집적회로를 제조하는 공정에서 웨이퍼를 에칭하기 위해 사용하는 에칭장치용 전극 어셈블리에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 분사공이 형성된 전극 플레이트와 플랜지를 전극 플레이트에 형성된 체결홈과 플랜지에 형성된 관통홈에 결합부재들을 이용하여 결합하여 구성을 간단히 하고, 전극 설치에 따른 불량요인을 최소화 한 에칭장치용 전극 어셈블리에 관한 것이다.The present invention relates to an electrode assembly for an etching apparatus used to etch a wafer in a process of manufacturing a semiconductor integrated circuit, and more particularly, a through hole formed in a fastening groove and a flange formed in an electrode plate and an electrode plate having a spray hole formed therein. The present invention relates to an electrode assembly for an etching apparatus, which simplifies the configuration by combining the grooves with coupling members and minimizes the defects caused by the electrode installation.

일반적으로 반도체의 집적회로를 제조하는 중에 웨이퍼의 표면을 에칭하는 공정이 사용되며, 이 고정에는 여러 종류의 에칭장치들이 사용된다.In general, a process of etching a surface of a wafer is used during fabrication of an integrated circuit of a semiconductor, and various kinds of etching apparatuses are used for this fixing.

도 1을 참조하면, 이러한 에칭장치들 중에서 플라즈마 에칭장치가 도시되어 있다.Referring to FIG. 1, a plasma etching apparatus is shown among these etching apparatuses.

진공용기(60) 내부의 하단에는 웨이퍼(50)가 탑재되는 지지대(51)가 설치되고, 지지대(51)에 대향하여 상부에 분사공들(21)이 형성된 전극 플레이트(20)가 설치된다. 전극 플레이트(20)는 접착제(12)를 개재하여 플랜지(10)에 고정된다.A support 51 on which the wafer 50 is mounted is installed at a lower end of the inside of the vacuum container 60, and an electrode plate 20 having injection holes 21 formed thereon is provided to face the support 51. The electrode plate 20 is fixed to the flange 10 via the adhesive 12.

이와 같은 플라즈마 에칭장치에서 진공용기(60) 내부를 진공으로 유지시킨 상태에서 전극 플레이트(20)에 RF 전원을 인가하면서 에칭가스를 주입하면 에칭가스는 전극 플레이트(20)의 분사공(21)으로 분사되면서 전극 플레이트(20)와 지지대 (51)의 웨이퍼(50) 사이에 플라즈마를 이루게 된다. 이와 같이 생성되는 플라즈마가 웨이퍼의 표면에 부딪힘에 따라 웨이퍼의 표면에 에칭이 수행된다.In such a plasma etching apparatus, when the etching gas is injected while applying the RF power to the electrode plate 20 while the inside of the vacuum container 60 is maintained in a vacuum, the etching gas is injected into the injection hole 21 of the electrode plate 20. While being sprayed, a plasma is formed between the electrode plate 20 and the wafer 50 of the support 51. As the plasma thus generated strikes the surface of the wafer, etching is performed on the surface of the wafer.

이와 같이 이온 충격에 의해 에칭이 이루어짐으로서, 전극 플레이트도 사용에 따라 점차 소모되기 때문에 주기적으로 교체해야 한다.As the etching is performed by the ion bombardment as described above, the electrode plate is gradually consumed with use, and thus should be replaced periodically.

도 2를 참조하면, 종래에는 전극 플레이트(20)와 플랜지(10)가 인듐이나 엘라스토머 등의 접착물질(12)에 의해 결합되어 있다.Referring to FIG. 2, the electrode plate 20 and the flange 10 are conventionally joined by an adhesive material 12 such as indium or an elastomer.

따라서, 전극 플레이트(20)를 교체하기 위해서는 접착물질을 제거해야 하는 불편이 따르기 때문에 실제로는 플랜지까지 일체로 교체하는데, 이에 따라 교체비용이 증가한다는 문제점이 있다.Therefore, in order to replace the electrode plate 20, it is inconvenient to remove the adhesive material, so that the flange is actually replaced integrally, thereby increasing the replacement cost.

또한, 접착물질이 전극 플레이트와 플랜지 사이에서 누설되는 겨우, 전극 플레이트의 가장자리에 형성된 분사공을 막음으로서 분사공으로 에칭가스를 분사시킬 때에도 파티클이 상당량 발생하며, 규정치 이상으로 발생되는 다량의 파티클이 플라즈마에칭시 웨이퍼 표면에 그대로 떨어지게 되면 플랜지와 웨이퍼 사이에 이상 방전현상이 발생함은 물론 웨이퍼 표면이 잔류 파티클로 심하게 오염됨으로 인해 에칭된 웨이퍼의 집적회로 성능이 크게 저하되어 결국 품질 경쟁력이 약화되는 문제점이 있다.In addition, when the adhesive material leaks between the electrode plate and the flange, a large amount of particles are generated even when the etching gas is injected into the injection holes by blocking the injection holes formed at the edges of the electrode plates. When the wafer is dropped on the wafer surface as it is, the abnormal discharge phenomenon occurs between the flange and the wafer, and the surface of the wafer is severely contaminated with residual particles, which significantly degrades the integrated circuit performance of the etched wafer, thereby weakening the quality competitiveness. have.

따라서, 본 발명은 이러한 문제점들을 해결하기 위해 제공된다.Accordingly, the present invention is provided to solve these problems.

본 발명의 목적은 전극 플레이트만을 간단하게 교체할 수 있는 에칭장치용 전극 어셈블리를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an electrode assembly for an etching apparatus which can simply replace only the electrode plate.

본 발명의 다른 목적은 접착물질의 사용을 제거함으로서 파티클이 발생하지않으며, 이에 따라 품질이 향상된 웨이퍼를 생산할 수 있게 하는 에칭장치용 전극 어셈블리를 제공하는데 있다.It is another object of the present invention to provide an electrode assembly for an etching apparatus which eliminates the use of an adhesive material so that particles are not generated, thereby making it possible to produce wafers of improved quality.

본 발명의 다른 목적들과 특징들은 이하에 서술되는 구체적인 실시예들을 통하여 보다 명확하게 될 것이다.Other objects and features of the present invention will become more apparent through the specific embodiments described below.

도 1은 플라즈마 에칭장치의 일반적인 구조도이고,1 is a general structural diagram of a plasma etching apparatus,

도 2는 종래의 전극 어셈블리를 설명하는 단면도이고,2 is a cross-sectional view illustrating a conventional electrode assembly,

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 전극 어셈블리의 전면도이고,3 is a front view of an electrode assembly according to an embodiment of the present invention,

도 4는 도 3의 IV-IV를 따라 절단한 단면도이고,4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV of FIG. 3,

도 5는 본 발명에 적용되는 결합부재를 보여주는 단면도이고,5 is a cross-sectional view showing a coupling member applied to the present invention,

도 6은 도 5의 결합부재와 결합되는 스크류를 보여주는 단면도이고,6 is a cross-sectional view showing a screw coupled to the coupling member of FIG.

도 7은 본 발명에 적용되는 체결홈의 구조를 설명하는 사시도이고,7 is a perspective view illustrating a structure of a fastening groove applied to the present invention;

도 8은 체결 핀을 이용하여 전극 플레이트와 플랜지가 결합되는 것을 설명하는 분해 단면도이고,8 is an exploded cross-sectional view illustrating the coupling between the electrode plate and the flange using a fastening pin;

도 9는 본 발명의 다른 실시예를 설명하는 단면도이다.9 is a cross-sectional view illustrating another embodiment of the present invention.

[도면의 주요부분에 대한 부호의 설명][Explanation of symbols on the main parts of the drawings]

10 : 고정부재110 : 플랜지10: fixing member 110: flange

120 : 전극 플레이트122 : 분사공120 electrode plate 122 injection hole

124 : 체결홈150 : 체결 핀124: fastening groove 150: fastening pin

본 발명에 따르면, 전극 플레이트의 전면에는 다수개의 분사공들이 관통 형성되고 가장자리를 따라 일정 간격으로 체결홈들이 형성되며, 제 1 결합부재는 전극 플레이트의 체결홈에 일단이 체결되어 고정되고, 플랜지의 체결홈에 대응하는 위치에 제 1 결합부재를 수용하는 관통공이 형성되며, 제 2 결합부재는 관통공에 수용된 제 1 결합부재와 결합되어 전극 플레이트와 플랜지를 결합시킨다.According to the present invention, a plurality of injection holes are formed in the front surface of the electrode plate and fastening grooves are formed at regular intervals along the edge, and the first coupling member is fixed to one end of the fastening groove of the electrode plate, A through hole for receiving the first coupling member is formed at a position corresponding to the fastening groove, and the second coupling member is coupled to the first coupling member accommodated in the through hole to couple the electrode plate and the flange.

체결홈은 전극 플레이트의 후면으로부터 일정 깊이로 형성되는 수용부와, 후면과 동일한 레벨로 수용부의 일부 가장자리를 커버하도록 돌출 형성되는 걸림턱을 포함한다.The fastening groove includes a receiving portion formed at a predetermined depth from the rear surface of the electrode plate, and a locking projection protruding to cover some edges of the receiving portion at the same level as the rear surface.

바람직하게, 제 1 결합부재는 내부에 나사가 형성된 관통공이 형성되고, 일단의 외측을 따라서 돌출부가 형성되어 돌출부가 걸림턱에 걸려 제 1 결합부재와 전극 플레이트와 결합되며, 제 2 결합부재는 관통공에 삽입되어 제 1 결합부재와 나사 결합된다.Preferably, the first coupling member has a through hole having a screw formed therein, and a protrusion is formed along an outer side of one end thereof so that the protrusion is caught on the locking jaw and coupled with the first coupling member and the electrode plate, and the second coupling member is penetrated. It is inserted into the ball and screwed with the first coupling member.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 전극 플레이트와 플랜지의 가장자리를 따라 체결홈 사이에 압입홈이 각각 형성되고, 각각의 압입홈에는 체결 핀의 양단이압입 고정된다.According to another embodiment of the present invention, press-fitting grooves are formed between the fastening grooves along the edge of the electrode plate and the flange, respectively, and each press-fitting groove is fixed by press-fitting both ends.

또한, 플랜지의 전극 플레이트에 대향하는 부분의 내측 가장자리를 따라 누설방지 링을 삽입하기 위한 삽입홈이 형성된다.In addition, an insertion groove is formed for inserting the leakage preventing ring along the inner edge of the portion opposite the electrode plate of the flange.

이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, it will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.

도 3과 4를 참조하면, 본 발명에 따른 전극 어셈블리가 도시되어 있다.3 and 4, an electrode assembly according to the present invention is shown.

전극 플레이트(120)의 전면에는 다수개의 분사공들(122)이 관통 형성되고, 가장자리를 따라 일정 간격으로 체결홈들(124)이 형성된다. 바람직하게 전극 플레이트(120)는 웨이퍼에 대응하여 원형으로 형성된다. 또한, 전극 플레이트(120)의 가장자리와 결합되는 링 형상의 플랜지(110)에는 체결홈들(124)에 대응하는 위치에 관통공(112)이 형성된다. 관통공(112)에는 후술하는 스크류의 헤드를 수용하도록 단턱(112a)이 형성된다. 플랜지(110)는 고정 브라켓(10)을 통하여 챔버(미도시)에 고정된다.A plurality of injection holes 122 are formed through the front surface of the electrode plate 120, and fastening grooves 124 are formed at predetermined intervals along the edge. Preferably, the electrode plate 120 is formed in a circle corresponding to the wafer. In addition, the through hole 112 is formed at a position corresponding to the fastening grooves 124 in the ring-shaped flange 110 coupled with the edge of the electrode plate 120. The through hole 112 is formed with a stepped portion 112a to accommodate the head of the screw to be described later. The flange 110 is fixed to the chamber (not shown) through the fixing bracket 10.

도 5를 참조하면, 체결홈(124)에 일단이 결합되는 결합부재(130)는 몸체 (134) 내부에 나사가 형성된 관통공(135)이 형성되고, 몸체(134)의 일단 외측을 따라서 돌출부(132)가 형성된다. 몸체(134)는 원기둥 형상이며, 바람직하게 일부 대향하는 측면(134a)이 직선으로 형성되어, 후술하는 바와 같이, 체결홈(124)에 끼워지기 용이하게 구성된다.Referring to FIG. 5, the coupling member 130 having one end coupled to the coupling groove 124 has a through hole 135 having a screw formed inside the body 134, and a protrusion along one outside of the body 134. 132 is formed. The body 134 has a cylindrical shape, and preferably, some opposing side surfaces 134a are formed in a straight line, so that the body 134 is easily fitted into the fastening groove 124 as described later.

도 6을 참조하면, 결합부재(130)에 끼워지는 스크류(140)가 개시되어 있다. 스크류(140)는, 후술하는 바와 같이, 플랜지(110)의 관통공(112)에 결합부재(130)가 끼워진 상태에서 결합부재(130)와 나사 결합된다.Referring to FIG. 6, a screw 140 fitted to the coupling member 130 is disclosed. The screw 140 is screwed to the coupling member 130 in a state where the coupling member 130 is fitted into the through hole 112 of the flange 110, as will be described later.

또한, 도 7을 참조하면, 체결홈(124)이 구체적으로 도시되어 있는 바, 전극 플레이트(120)의 후면으로부터 일정 깊이로 형성되는 수용부(124b)와, 후면과 동일한 레벨로 수용부(124b)의 일부 가장자리를 커버하도록 돌출 형성되는 걸림턱 (124a)을 포함한다. 따라서, 결합부재(130)의 돌출부(132)가 걸림턱(124a)에 걸림으로서 전극 플레이트(120)와 결합된다.In addition, referring to FIG. 7, the fastening groove 124 is illustrated in detail. The receiving part 124b is formed to have a predetermined depth from the rear surface of the electrode plate 120, and the receiving part 124b has the same level as the rear surface. It includes a locking projection (124a) protruding to cover a portion of the edge. Accordingly, the protrusion 132 of the coupling member 130 is coupled to the electrode plate 120 by being caught by the locking jaw 124a.

이와 같은 구조의 본 발명의 전극 어셈블리를 조립하는 방법을 설명하면 다음과 같다.Referring to the method of assembling the electrode assembly of the present invention having such a structure as follows.

먼저, 결합부재(130)의 돌출부(132)를 체결홈(124)의 수용부(124b)에 각각 삽입한 후, 걸림턱(123a)이 형성된 부분으로 밀어 넣는다. 이때, 상기한 바와 같이, 결합부재(130)의 몸체(134)의 대향하는 일부 측면(134a)이 직선으로 형성되어 있기 때문에 이 측면(134a)이 걸림턱(124a)과 마주하도록 돌려서 밀어 넣을 수 있다. 따라서, 결합부재(130)의 직경을 크게 하여 안정된 결합을 이루기 위해서는 몸체(134)의 직경을 크게 형성하여야 하는데, 이 경우에도 용이하게 걸림턱(124a)이 형성된 부분으로 밀어 넣을 수 있다.First, the protrusions 132 of the coupling member 130 are respectively inserted into the receiving portions 124b of the fastening grooves 124 and then pushed into the portions where the locking jaws 123a are formed. At this time, as described above, since the opposite side surface 134a of the body 134 of the coupling member 130 is formed in a straight line, the side surface 134a can be turned by pushing it so as to face the locking step 124a. have. Therefore, in order to achieve a stable coupling by increasing the diameter of the coupling member 130, the diameter of the body 134 should be large. In this case, the locking jaw 124a may be easily pushed into a portion formed.

이와 같이 하여 모든 결합부재(130)를 체결한 후에는 플랜지(110)를 하강시켜 일단이 체결홈(124)에 체결된 결합부재(130)가 관통공(112)에 끼워지도록 한다.In this manner, after all the coupling members 130 are fastened, the flange 110 is lowered so that one end of the coupling member 130 coupled to the coupling groove 124 is fitted into the through hole 112.

이어 스크류(140)를 관통공(112)에 끼워 나사 결합을 시키면, 스크류(140)의 헤드는 관통공(120)의 단턱(112a)에 걸리게 되어 전극 플레이트(120)와 플랜지 (110)가 결합된다.Subsequently, when the screw 140 is inserted into the through hole 112 to engage the screw, the head of the screw 140 is caught by the stepped portion 112a of the through hole 120 so that the electrode plate 120 and the flange 110 are coupled to each other. do.

이후, 상기한 바와 같이, 브라켓 등을 이용하여 플랜지(110)를 챔버 내에 고정함으로서 전극 어셈블리의 조립이 완료된다. 마찬가지로, 교체하는 경우에는 상기한 수순과 반대로 진행하여 소모된 전극 플레이트를 떼어내고 새 것으로 교체할 수 있다.Then, as described above, the assembly of the electrode assembly is completed by fixing the flange 110 in the chamber using a bracket or the like. Similarly, in the case of replacement, the electrode plate can be removed and replaced with a new one by proceeding in the reverse of the above procedure.

이와 같이, 종래와는 달리 접착물질을 전혀 사용하지 않기 때문에 누설되는 접착물질에 의한 불량을 방지할 수 있다.As such, unlike the related art, since no adhesive material is used at all, defects caused by the leaking adhesive material can be prevented.

또한, 간단한 방법으로 전극 플레이트만을 교체할 수 있어, 교체에 의한 설비 중단시간을 최소화할 수 있고, 교체부품의 비용을 줄일 수 있는 이점도 있다.In addition, since only the electrode plate can be replaced by a simple method, it is possible to minimize downtime due to the replacement and reduce the cost of the replacement parts.

도 8을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예가 도시되어 있다.8, another embodiment of the present invention is shown.

전극 플레이트(120)와 플랜지(110)의 가장자리를 따라 서로 대향하여 체결홈 (124) 사이에는 각각 압입홈(111, 121)이 형성되고, 이 압입홈(111,121)에는 체결핀(150)의 양단이 각각 압입 고정된다.Indentation grooves 111 and 121 are formed between the fastening grooves 124 to face each other along the edges of the electrode plate 120 and the flange 110. Each of these is press-fitted and fixed.

이 실시예에 따르면, 결합부재(130)의 돌출부(132)와 체결홈(124)의 걸림턱 (124a)에 걸리는 전극 플레이트(120)의 하중을 체결 핀(150)에 분산할 수 있어 보다 안정적인 결합을 이룰 수 있다. 바람직하게 체결 핀(150)은 플랜지(110)와 동일한 흑연 재질로 이루어진다.According to this embodiment, the load of the electrode plate 120 caught on the protrusion 132 of the coupling member 130 and the locking projection 124a of the fastening groove 124 can be distributed to the fastening pin 150, thereby making it more stable. Can be combined. Preferably, the fastening pin 150 is made of the same graphite material as the flange (110).

또한, 도 9에 따르면, 플랜지(110)의 전극 플레이트(120)에 대향하는 부분의 내측 가장자리를 따라 누설방지 링(14)을 삽입하기 위한 삽입홈(114)이 형성되어 에칭가스의 누설을 방지할 수 있다.In addition, according to Figure 9, the insertion groove 114 for inserting the leakage preventing ring 14 is formed along the inner edge of the portion of the flange 110 opposite the electrode plate 120 to prevent the leakage of etching gas can do.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 중심으로 설명하였지만, 당업자의기술 수준에서 치수, 형상 및 재질에 있어서 다양한 변경이 가능하다. 이러한 변경은 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명에 속한다 할 것이다.Although the above has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, various changes in dimensions, shapes, and materials are possible at the level of skill of those skilled in the art. Such modifications will belong to the present invention without departing from the spirit of the present invention.

상기한 바와 같이, 본 발명에 따르면 종래의 접착물질을 이용한 전극 어셈블리에 대해 여러 가지의 이점을 갖는다.As described above, according to the present invention has various advantages over the electrode assembly using a conventional adhesive material.

먼저, 전극 플레이트와 플랜지를 접착물질없이 기구적인 방법으로 결합하기 때문에 접착물질의 누설로 인한 파티클의 발생을 근본적으로 제거할 수 있다.First, since the electrode plate and the flange are combined in a mechanical manner without the adhesive material, generation of particles due to leakage of the adhesive material can be essentially eliminated.

또한, 기구적인 결합이기 때문에 전극 플레이트의 교체가 용이하고, 플랜지는 교체할 필요가 없기 때문에 교체에 따른 비용을 절감할 수 있다. 또한, 결합부재를 삽입하고 곧바로 플랜지를 끼우고 스크류로 결합함으로서 교체에 따르는 시간을 줄일 수 있고, 이에 따라 설비 중단시간을 줄일 수 있다.In addition, since the mechanical coupling is easy to replace the electrode plate, the flange does not need to be replaced, thereby reducing the cost of replacement. In addition, by inserting the coupling member and immediately flanged and screwed together, it is possible to reduce the time required for replacement, thereby reducing equipment downtime.

Claims (5)

전면에 다수개의 분사공들이 관통 형성되고, 가장자리를 따라 일정 간격으로 체결홈들이 형성된 전극 플레이트;An electrode plate having a plurality of injection holes formed in the front surface thereof, and fastening grooves formed at predetermined intervals along an edge thereof; 상기 전극 플레이트의 체결홈에 일단이 체결되어 고정되는 제 1 결합부재;A first coupling member whose one end is fastened and fixed to a fastening groove of the electrode plate; 상기 체결홈에 대응하는 위치에 상기 제 1 결합부재를 수용하는 관통공이 형성된 링 형상의 플랜지;A ring-shaped flange having a through hole for receiving the first coupling member at a position corresponding to the coupling groove; 상기 관통공에 수용된 제 1 결합부재와 결합되어 상기 전극 플레이트와 상기 플랜지를 결합시키는 제 2 결합부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭장치용 전극 어셈블리.And a second coupling member coupled to the first coupling member accommodated in the through hole to couple the electrode plate and the flange to each other. 제 1 항에 있어서, 상기 체결홈은 상기 전극 플레이트의 후면으로부터 일정깊이로 형성되는 수용부와, 상기 후면과 동일한 레벨로 상기 수용부의 일부 가장자리를 커버하도록 돌출 형성되는 걸림턱을 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭장치용 전극 어셈블리.The method of claim 1, wherein the fastening groove comprises a receiving portion formed to a predetermined depth from the rear surface of the electrode plate, and a locking projection protruding to cover a portion of the receiving portion to the same level as the rear surface. Electrode assembly for etching apparatus. 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 결합부재는 내부에 나사가 형성된 관통공이 형성되고, 일단의 외측을 따라서 돌출부가 형성되어 상기 돌출부가 상기 걸림턱에 걸려 상기 제 1 결합부재와 상기 전극 플레이트와 결합되며, 상기 제 2 결합부재는 상기 관통공에 삽입되어 상기 제 1 결합부재와 나사 결합되는 것을 특징으로 하는 에칭장치용 전극 어셈블리.According to claim 2, wherein the first coupling member has a through-hole formed with a screw therein, and a protrusion is formed along the outside of one end so that the protrusion is caught on the locking jaw and coupled with the first coupling member and the electrode plate. And the second coupling member is inserted into the through hole and screwed to the first coupling member. 제 1 항에 있어서, 상기 전극 플레이트와 플랜지의 가장자리를 따라 서로 대향하여 상기 체결홈 사이에 제 1 및 제 2 압입홈이 각각 형성되고, 상기 제 1 및 제 2 압입홈에는 체결 핀의 양단이 각각 압입 고정되는 것을 특징으로 하는 에칭장치용 전극 어셈블리.The method of claim 1, wherein the first and second press-in grooves are respectively formed between the fastening grooves facing each other along the edge of the electrode plate and the flange, and both ends of the fastening pins are respectively formed in the first and second press-in grooves, respectively. Electrode assembly for etching apparatus characterized in that the press-fit. 제 1 항에 있어서, 상기 플랜지의 상기 전극 플레이트에 대향하는 부분의 내측 자장자리를 따라 누설방지 링을 삽입하기 위한 삽입홈이 형성되는 특징으로 하는 에칭장치용 전극 어셈블리.The electrode assembly according to claim 1, wherein an insertion groove for inserting the leakage preventing ring is formed along an inner magnetic field of a portion of the flange opposite to the electrode plate.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100668034B1 (en) * 2006-07-18 2007-01-11 (주)씨에스텍 Method of formating assembly of electrode for producing plasma ion for plasma cleaning of semiconductor
KR100754362B1 (en) * 2005-12-29 2007-08-31 코리아세미텍 주식회사 Cathode for wafer etching
KR100860918B1 (en) * 2007-06-14 2008-09-29 박흥균 Fixing structure of upper electrode for plasma etching device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05267277A (en) * 1992-03-23 1993-10-15 Hitachi Electron Eng Co Ltd Plasma cvd apparatus
US5449410A (en) * 1993-07-28 1995-09-12 Applied Materials, Inc. Plasma processing apparatus
JPH09232291A (en) * 1996-02-20 1997-09-05 Tokyo Kasoode Kenkyusho:Kk Circuit pattern generation jig of wafer
JP2000012297A (en) * 1998-06-24 2000-01-14 Hitachi Chem Co Ltd Electrode plate for plasma treatment device
KR20000061555A (en) * 1999-03-27 2000-10-25 윤영세 A separated upper electrode

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05267277A (en) * 1992-03-23 1993-10-15 Hitachi Electron Eng Co Ltd Plasma cvd apparatus
US5449410A (en) * 1993-07-28 1995-09-12 Applied Materials, Inc. Plasma processing apparatus
JPH09232291A (en) * 1996-02-20 1997-09-05 Tokyo Kasoode Kenkyusho:Kk Circuit pattern generation jig of wafer
JP2000012297A (en) * 1998-06-24 2000-01-14 Hitachi Chem Co Ltd Electrode plate for plasma treatment device
KR20000061555A (en) * 1999-03-27 2000-10-25 윤영세 A separated upper electrode

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100754362B1 (en) * 2005-12-29 2007-08-31 코리아세미텍 주식회사 Cathode for wafer etching
KR100668034B1 (en) * 2006-07-18 2007-01-11 (주)씨에스텍 Method of formating assembly of electrode for producing plasma ion for plasma cleaning of semiconductor
KR100860918B1 (en) * 2007-06-14 2008-09-29 박흥균 Fixing structure of upper electrode for plasma etching device

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