KR20020070717A

KR20020070717A - 비접점 다중 전송선로용 위상천이 및 감쇄를 위한신호처리장치

Info

Publication number: KR20020070717A
Application number: KR1020010010914A
Authority: KR
Inventors: 김덕용
Original assignee: 주식회사 케이엠더블유
Priority date: 2001-03-02
Filing date: 2001-03-02
Publication date: 2002-09-11
Also published as: KR100552122B1

Abstract

본 발명은 한 개의 인쇄회로기판에 호 형상의 다수개의 전송선로를 대칭적으로 형성하되, 전송선로의 호의 비율이 소정 비율로 형성되도록 하고, 유전율을 조정하여 전체 전송선로의 전기적인 길이를 소정 비율로 변하게 함으로써 다수의 입력신호의 위상 및 감쇄를 제어할 수 있도록 하며, 다수의 입력신호를 각각 전송하기 위한 다수의 전송선로 및 유전체를 하나의 하우징내에 구비시킴으로써 외형적인 크기로 대폭 감소시켜 소형화를 이룰 수 있도록 하고, 전송선로 및 접지선로에 불연속점이 없도록 함으로써 IMD를 최소화할 수 있는 비접점 다중 전송선로용 위상천이 및 감쇄를 위한 신호처리장치에 관한 것이다.

본 발명은 상부에 다수의 동심원 홈이 형성되고, 하부에는 소정깊이의 개방공간부가 형성된 하우징; 상기 하우징의 개방공간부를 차폐하기 위한 차폐수단; 상기 하우징의 일측 및 타측의 외주측면에서 내측으로 관통되어 외부의 신호를 인가 받고 전송하기 위한 다수의 입,출력커넥터; 상기 하우징의 개방공간부의 내부 상측에 장착되며, 그 저면에는 상기 입력커넥터와 상기 출력커넥터를 전기적으로 연결하기 위한 전송선로가 형성된 제1회로기판; 상기 하우징의 동심원 홈에 삽입되며, 그 상면에는 호 형태의 전송선로가 좌우 대칭되게 형성된 다수의 제2회로기판; 상기 제1회로기판의 전송선로와 상기 제2회로기판의 전송선로를 전기적으로 도통시키기 위한 전도수단; 상기 제2회로기판의 상부에 설치되며 그 중앙부에 회전축이 직립되게 구비된 로터; 상기 제2회로기판의 전송선로와 대응되게 호 형태로 형성되어상기 로터의 저면에 부착되며, 상기 로터의 회전에 따라 상기 제2회로기판상의 전송선로의 전기적인 길이를 가변시키기 위한 가변수단; 및 상기 하우징의 상부에 설치되며, 그 중앙부에 로터의 회전축이 끼워져 돌출 되도록 하기 위한 관통홀이 형성된 커버를 포함하는 비접점 다중 전송선로용 위상천이 및 감쇄를 위한 신호처리장치를 제공한다.

Description

비접점 다중 전송선로용 위상천이 및 감쇄를 위한 신호처리장치{Signal process apparatus for phase transition and attenuation on the non-contact multi transmission line}

본 발명은 입력된 신호의 세기를 감쇄시키거나 입력된 신호의 위상을 천이시켜 출력하는데 이용되는 신호처리장치에 관한 것으로, 특히 다수의 신호를 입력받아 그 각각의 신호의 위상을 각기 소정의 비율로 동시에 제어할 수 있고, IMD를 최소화할 수 있는 비접점 다중 전송선로용 위상천이 및 감쇄를 위한 신호처리 장치에 관한 것이다.

일반적인 통신장비에는 통신의 품질을 향상시키기 위한 구성요소로서, 입력된 신호의 위상을 변화시키고 시간지연을 발생시키는 위상천이기(Phase Shifter)와, 입력된 신호의 세기를 소정 크기만큼 감쇄시키는 감쇄기 등과 같은 신호처리장치가 필요하다. 또한, 상기 통신장비에 있어서는, 점차적으로 상호변조 일그러짐(Intermodulation Distortion; 이하 'IMD'라 칭함)의 발생이 적은 것을 요구하고 있다.

여기서, 상기 IMD(Intermodulation Distortion)란 두 개 이상의 서로 다른 신호 주파수들이 서로 간섭을 일으켜 원치 않는 기생 신호를 발생시키는 현상을 말한다. 상기 IMD에는 그것이 발생되는 소자에 따라 두 가지 형태로 구분되는데, 전력증폭기(Power Amp.)와 같은 능동소자(Active Device)에서 발생하는 것을 능동 IMD(Active IMD)라 하고, 필터(Filter)나 듀플렉서(Duplexer)와 같은 수동소자(Passive Device)에서 발생하는 것을 수동IMD(Passive IMD; PIMD)라 한다.

상기 PIMD는 능동 IMD와는 달리 얼마 전까지만 해도 위성통신 등의 고전력 통신 시스템에서만 고려되어 온 현상으로 상용 이동통신에서는 거의 무시되어져 왔다. 하지만 이동통신 서비스가 확장됨에 따라 송수신 주파수가 근접하고, 인접 기지국간의 간섭이 증가함에 따른 IMD 문제도 증가하여 능동IMD뿐만 아니라 PIMD에 대한 문제도 함께 부상하고 있다.

상기 PIMD에 의한 문제들은 그 신호의 전력 레벨(Power Level)에 따라 다르겠지만, 일정 수준이상의 PIMD(-110dBm)가 발생하면 통신 시스템은 그 잡음 신호를 데이터신호로 처리하게 되어 통화 품질이 떨어지거나 통화가 끊어지는 현상이 발생하게 된다. 이러한 현상이 심한 경우는 PIMD가 발생하는 주파수 대역을 아예 봉쇄하기도 하는데, 이는 주파수 자원 측면에서는 심각한 낭비이고, 서비스 업체들의 측면에서는 사용자 한 사람에 할당되는 주파수 대역이 증가하여 그 만큼의 손실을 입게 되는 것이다.

한편, RF부품에서 PIMD 발생원인은 접촉 비선형성(Contact Nonlinearity)과 물질 비선형성(Material Nonlinearity)으로 구분된다.

접촉 비선형성의 원인에는 도체들 사이의 얇은 산화층에 의한 접합 용량, 금속 접촉에서 도체들 사이의 반도체 작용에 의한 터널링 효과, 금속들 사이의 빈틈 공간과 미소균열에 의한 미세방전(Microdischarge), 금속 표면의 먼지와 금속 입자들에 연관된 비선형성 등이 있다.

물질 비선형성에는 니켈, 철, 코발트 등의 히스테리시스(Hysteresis)효과, 내부 소트키 효과(Internal shottkey Effect), 도체에서의 한정된 전도율에 의한 서멀히팅(Thermal Heating) 등이 있다.

그러면, 첨부된 도1을 참조하여 종래의 위상천이장치에 대하여 간략히 설명한다.

도1에 도시된 바와 같이 종래의 위상천이장치는, 입력 및 출력 커넥터(1, 2)가 일측에 평행하게 장착된 중공체의 밀폐된 하우징(3)과, 상기 하우징(3)에 지그재그 형상으로 내장되며 그 양단부가 입력 및 출력 커넥터(1, 2)에 각각 연결되는 전도체 재질의 전송선로(4)와, 상기 전송선로(4)상에 좌우이동이 가능하도록 장착된 직사각 형상의 단면을 가진 유전체(5)와, 상기 하우징(3)의 타측에 장착되며 유전체(5)에 상하이동력을 전달하기 위한 핸들(6)을 포함한다.

상기의 구성을 가진 종래의 신호처리장치의 동작상태를 설명하면, 상기 입력 커넥터(1)를 통해 전도체(4)의 일단부로 신호가 입력될 경우, 화살표로 도시된 바와 같이 유전체(5)를 거쳐 전도체(4)의 타단부를 통해 출력 커넥터(2)로 전송된다. 이때, 상기 전도체(4)의 일단부로부터 전도체 상의 소정위치에 배치된 유전체(5)를 거쳐 상기 전도체(4)의 타단부에 이르는 거리는 입력신호의 전체 전송선로 길이가 된다.

상기와 같이 구성되어 동작하는 종래의 신호 처리장치는 위상천이기(phase shifter)로서 동작한다. 즉, 상기 핸들(6)을 조정하여 유전체(5)를 좌우방향으로 이동시킴에 따라, 상기한 전송선로의 전체적인 길이가 변화하게 되며, 상기 전송선로의 길이 변화에 따라 입력된 신호의 위상이 변화되고, 시간지연이 발생하는 것이다.

그러나, 상기한 바와 같은 종래의 신호 처리장치는, 하우징의 내부에 유전체를 좌우 이동시키기 위한 공간이 필요하므로, 신호처리장치의 부피가 전반적으로 커지게 되어 소형화가 곤란한 문제점이 있었다.

또한, 다수의 입력신호를 제어하는 경우에는 입력신호 만큼의 위상제어장치가 필요하게 되는 문제점이 있었다.

따라서, 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 한 개의 인쇄회로기판에 호 형상의 다수개의 전송선로를 대칭적으로 형성하되, 전송선로의 호의 비율이 소정 비율로 형성되도록 하고, 유전율을 조정하여 전체 전송선로의 전기적인 길이를 소정 비율로 변하게 함으로써 다수의 입력신호의 위상 및 감쇄를 제어할 수 있도록 한 비접점 다중 전송선로용 위상천이 및 감쇄를 위한 신호처리 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.

또한, 본 발명은 다수의 입력신호를 각각 전송하기 위한 다수의 전송선로 및 유전체를 하나의 하우징내에 구비시킴으로써 외형적인 크기로 대폭 감소시켜 소형화를 이룰 수 있도록 한 비접점 다중 전송선로용 위상천이 및 감쇄를 위한 신호처리 장치를 제공함에 다른 목적이 있다.

또한 본 발명은 전송선로 및 접지선로에 불연속점이 없도록 함으로써 IMD를 최소화할 수 있는 비접점 다중 전송선로용 위상천이 및 감쇄를 위한 신호처리장치를 제공함에 다른 목적이 있다.

도1은 종래 기술에 따른 위상 제어기의 구성을 나타낸 단면도.

도2는 본 발명에 따른 비접점 다중 전송선로용 위상천이 및 감쇄를 위한 신호처리 장치의 일실시예 구성을 나타낸 분해 사시도.

도3은 도2의 결합사시도.

도4는 도3의 A-A선단면도.

도5는 본 발명의 요부인 하우징의 단면구성도.

도6은 본 발명의 요부 구성인 제1회로기판의 저면 구성도.

도7은 도2에 있어서, 초기동작상태를 나타낸 상태도.

도8은 도2에 있어서, 로터를 소정각도만큼 회전시켰을 경우의 동작을 나타낸 상태도.

도9는 도2에 있어서, 전송선로위에 제1유전체(세라믹)이 위치했을 경우의 전기장 분포를 나타낸 개략도.

도10은 도2에 있어서, 전송선로위에 제2전체(알루미늄)이 위치했을 경우의전기장 분포를 나타낸 개략도.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*

11 : 하우징 12: 차폐판

13: 제1 회로기판 14: 제2 회로기판

15: 전도핀 16: 로터

17, 17': 유전체 18: 커버

19: 개스킷 20: 체결부재

21 ∼ 28 : 입력커넥터 31 ∼ 38 : 출력커넥터

40 : 산화전극막

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 상부에 다수의 동심원 홈이 형성되고, 하부에는 소정깊이의 개방공간부가 형성된 하우징; 상기 하우징의 개방공간부를 차폐하기 위한 차폐수단; 상기 하우징의 일측 및 타측의 외주측면에서 내측으로 관통되어 외부의 신호를 인가 받고 전송하기 위한 다수의 입,출력커넥터; 상기 하우징의 개방공간부의 내부 상측에 장착되며, 그 저면에는 상기 입력커넥터와 상기 출력커넥터를 전기적으로 연결하기 위한 전송선로가 형성된 제1회로기판; 상기 하우징의 동심원 홈에 삽입되며, 그 상면에는 호 형태의 전송선로가 좌우 대칭되게형성된 다수의 제2회로기판; 상기 제1회로기판의 전송선로와 상기 제2회로기판의 전송선로를 전기적으로 도통시키기 위한 전도수단; 상기 제2회로기판의 상부에 설치되며 그 중앙부에 회전축이 직립되게 구비된 로터; 상기 제2회로기판의 전송선로와 대응되게 호 형태로 형성되어 상기 로터의 저면에 부착되며, 상기 로터의 회전에 따라 상기 제2회로기판상의 전송선로의 전기적인 길이를 가변시키기 위한 가변수단; 및 상기 하우징의 상부에 설치되며, 그 중앙부에 로터의 회전축이 끼워져 돌출 되도록 하기 위한 관통홀이 형성된 커버를 포함하는 비접점 다중 전송선로용 위상천이 및 감쇄를 위한 신호처리장치를 제공한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.

본 발명에 의한 비접점 다중 전송선로용 위상천이 및 감쇄를 위한 신호처리 장치는 전체 전송선로의 전기적인 길이를 소정 비율로 변하게 함으로써 다수의 입력신호의 위상 및 감쇄를 제어할 수 있도록 하되, 전송선로 및 접지선로에 불연속점이 없도록 함으로써 IMD를 최소화할 수 있도록 구현한 것으로, 본 발명의 실시예에서는 도2 내지 도5에 도시한 바와 같이, 상부측에 다수의 동심원 홈(11a)이 형성되고, 하부측으로는 소정깊이의 개방공간부(11b)가 형성된 원반형태의 하우징(11)과; 상기 하우징(11)의 개방공간부(11b)를 차폐하기 위한 차폐판(12)과; 상기 하우징(11)의 일측 외주 측면에서 내측으로 관통되며 소정 등간격으로 장착되어 외부의 신호를 인가 받기 위한 다수의 입력커넥터(21 내지 28)와; 상기 하우징(11)의 타측 외주측면에서 내측으로 관통되며 소정 등간격으로 장착되어 입력된 신호를 외부로 전송하기 위한 다수의 출력커넥터(31 내지 38)와; 상기 하우징(11)의개방공간부(11b)의 내측 상부에 장착되며, 그 저면에는 상기 입력커넥터와 상기 출력커넥터를 전기적으로 연결하기 위한 전송선로(13a)가 형성된 제1회로기판(13)과; 상기 하우징(11)의 동심원 홈(11a)에 각각 삽입되며, 그 상면에는 호 형태의 전송선로(14a)가 좌우 대칭되게 형성된 다수의 제2회로기판(14)과; 상기 제1회로기판(13)의 전송선로(13a)와 상기 제2회로기판(14)의 전송선로(14a)를 전기적으로 도통시키기 위한 전도핀(15)과; 상기 제2회로기판(14)의 상부에 설치되며 그 중앙부에 외부로부터 회전력을 제공받는 회전축(16a)이 직립되게 구비된 원판형상의 로터(16)와; 상기 제2회로기판(14)의 전송선로(14a)와 대응되게 호 형태로 형성되어 상기 로터(16)의 저면에 부착되며, 상기 로터(16)의 회전에 따라 상기 제2회로기판(14)상의 전송선로(14a)의 전기적인 길이를 가변시키기 위한 유전체(17, 17')와; 상기 하우징(11)의 상부에 설치되며, 그 중앙부에 로터(16)의 회전축(16a)이 끼워져 돌출되도록 하기 위한 관통홀(18a)이 형성된 커버(18)와; 상기 하우징(11)과 상기 커버(18) 사이에 삽입되어 하우징(11)과 커버(18)간을 전기적으로 절연시키기 위한 절연개스킷(19)과; 상기 커버(18)와 하우징(11)을 결합하기 위한 체결부재(20)로 구성된다.

여기서, 상기 제2회로기판(14)에 형성된 호 형태의 제2전송선로(14a)는 각각 일정한 비율을 갖게 되는데, 예를 들어 대칭된 4쌍의 전송선로, 즉 총 8개의 전송선로가 형성되어 있다면, 제1전송선로의 길이가 1X일 경우, 제2전송선로의 길이는 2X, 제3전송선로의 길이는 3X, 제4전송선로의 길이는 4X가 되도록 한다.

이때, 제5 내지 제8전송선로는 상기 제1 내지 제4전송선로와 대칭적으로 형성되어 있기 때문에 제1 내지 제4전송선로의 길이와 동일하다.

그러나, 상기 전송선로의 호의 길이의 비율은 특정한 비율에 한정된 것이 아니라 상황에 따라 1X : 3X : 5X : 7X 등 홀수배수로 정하거나 또는 1X : 2X: 4X: 6X 등 짝수배수로 정하거나 또는 1X : 1.2X : 2X : 3.5X : 4.2X 등 임의로 정할 수 있고, 전송선로의 개수도 임의로 정할 수 있다.

이때, 상기 전송선로의 호의 길이의 비율은 호의 반지름(r)의 비율로 조정할 수 있다. 즉, 호의 반지름(r)의 비율을 1 : 2 : 3 : 4 로 하면 전송라인의 호의 길이의 비율도 1 : 2 : 3 : 4로 정해진다.

본 발명의 구성에서, 도6에 도시한 바와 같이 상기 제2회로기판(14)에 형성된 전송선로(14a)의 양단부 및 제1회로기판(13)에 형성된 전송선로(13a)의 타측단부에 각각 홀을 형성하여 전도핀(15)에 의해 연결되도록 함으로써 제1회로기판(13)의 전송선로(13a)와 제2회로기판(14)의 전송선로(14a)가 서로 전기적으로 연결상태가 되도록 한다.

이때, 상기 입,출력커넥터(21∼28, 31∼38)는 제1회로기판(13)에 형성된 전송선로(13a)의 일측단부에 접촉시킴으로써 입력커넥터(21∼28)를 통해 입력된 신호가 제1 및 제2회로기판(13, 14)의 전송선로(13a, 14a)를 통해 출력커넥터(31∼38)로 출력되도록 한다.

한편, 상기 로터(16)에 부착되는 유전체(17, 17')는 한쪽 반원측에 세라믹 유전체(17)를 부착하고, 대응되는 다른 반원측에는 산화전극막(anodizing)(40)이 코팅된 알루미늄 유전체(17')을 부착하여 좌,우양측의 유전율이 다르도록 구성하였다.

본 실시예에서는 상기 세라믹 유전체(17)와 알루미늄 유전체(17')의 두께를 동일하게 형성한 예로 되어 있지만, 변형예로서 상기 알루미늄 유전체(17')의 두께를 세라믹 유전체(17)보다 얇게 함으로써 세라믹과 공기의 유전율 차이로 구성할 수도 있다.

또한, 상기 알루미늄 유전체측에 테프론(Teflon) 등을 삽입하여 전송선로와의 간격을 조정할 수도 있다.

이와 같이 구성한 본 발명의 일실시예의 동작을 첨부한 도7 및 도8을 참조하여 상세히 설명한다.

설명의 편의상 세라믹 유전체(17)측의 반원부분을 제1유전체라고 하고, 산화전극막이 코팅된 알루미늄 유전체(17')측의 반원부분을 제2유전체라 하기로 한다.

상기한 바와 같이 상기 로터(16)에 부착된 제1유전체 및 제2유전체가 서로 다른 유전율을 가지게 될 경우, 상기 장치는 위상천이기(Phase shifter)로서 이용될 수 있다.

즉, 상기 회전축(16a)이 외부로부터 제공되는 힘에 의해 회전하면, 상기 로터(16)가 회전하게 되고, 이로 인해 제1유전체 및 제2유전체가 동시에 회전한다.

이때, 상기 제2회로기판(14)은 하우징(11)의 동심원 홈(11a)에 삽입되어 있기 때문에 로터(16)가 제2회로기판(14) 위에서 회전하면, 상기 제1유전체 및 제2유전체가 각 전송선로에 영향을 주어 각 전송선로의 전기적인 길이는 상기 로터(16)가 회전하는 동안 지속적으로 변화된다.

즉, 입력커넥터(21∼28)를 통해 입력된 신호는 상기 각 전송선로를 통해 출력커넥터(31∼38)로 전송되는 동안 위상이 변화되고 시간지연의 변화가 발생하게 된다.

이때, 상기 각 전송선로는 서로 대칭적으로 형성되어 있기 때문에 한쪽 반원측 전송선로의 시간지연이 많아지면, 반대로 다른 반원측 전송선로의 시간지연은 적어지게 된다.

예를 들어 도7에 도시한 바와 같이 한쪽 반원측 전송선로 부분은 제2유전체(17')의 영역에만 위치되고, 다른 반원측 전송선로 부분은 제1유전체(17)의 영역에만 위치될 경우, 상기 한쪽 반원측 전송선로의 위상변화값 및 시간지연값은 최소가 되지만, 상기 다른 반원측 전송선로의 위상변화값 및 시간지연값은 최대가 될 것이다.

따라서, 도8에 도시한 바와 같이 상기 로터(16)를 회전시켜 제1유전체(17) 및 제2유전체(17')가 각 전송선로의 소정부분에 걸쳐지도록 하면 입력된 신호의 위상변화값 및 시간지연값을 상기 최대 및 최소값 사이에서 조절할 수 있게 된다.

이때, 상기 제1유전체(17)가 회전하여 이동한 거리 및 각도(θ1)와 상기 제2유전체(17')가 회전하여 이동한 거리 및 각도(θ2)는 동일하다.

한편, 상기 제1유전체(17)가 전파의 흡수체(absorber), 예를 들면, 페라이트(ferrite)로 이루어질 경우, 상기 장치는 감쇄기로서 이용될 수 있다.

이와 같이 구성하게 되면 입력커넥터(21∼28)에 입력된 신호가 각 전송선로를 통해 전송되는 중, 전송선로 주변에 있는 흡수체에 의해 흡수되어 일정비율로감쇄된 다음 출력커넥터(31∼38)를 통해 출력된다.

한편, 본 실시예를 위상천이기로만 사용하는 경우, IMD를 최소화할 수 있는 이유를 첨부한 도9 및 도10을 참조하여 좀더 자세히 설명하면 다음과 같다.

일반적으로, 전송선로의 상측 및 하측을 접지로 사용하는 경우에는 그 상측 및 하측을 연결해 주어야 하기 때문에 접점이 발생한다. 이러한 접점은 IMD를 증가시키는 원인이 된다.

따라서, 본 실시예에서는 전송선로의 하측 즉, 하우징(11)만을 접지로 사용함으로써 접지측에 접점이 발생하지 않도록 하였다.

상기와 같이 전송선로의 하측만을 접지로 사용하기 위해 하우징(11)과 커버(18) 사이에 절연체의 개스킷(19)이 삽입하여 전송선로의 상측과 하측을 절연시킴으로써 하측만을 접지로 사용할 수 있도록 구성하였다.

다시 말하면, 입력커넥터(21∼28)가 장착된 하우징(11)은 접지(Ground)되어 있는데 반해 하우징(11)과 결합되는 커버(18)는 상기 개스킷(19)에 의해 접지되어 있지 않도록 구성하였다.

따라서, 본 실시예에서 전송선로위에 제1유전체(17)가 위치했을 경우, 전송선로에서 발생되는 전기장은 도9에 도시한 바와 같이 화살표 방향으로 형성된다.

즉, 전송선로에서 발생한 전기장선은 접지(동심원홈의 좌우 벽)으로 진행하는데, 제1유전체(17)의 유전율로 진행한다.

이때,, 전송선로에서 발생된 전기장이 제2회로기판(14)을 통해 하우징(11)측으로 형성되기도 하지만, 제2회로기판(14)의 유전율이 제1유전체(17)의 유전율보다낮기 때문에 전기장은 대부분 제1유전체(17)측으로 형성되고, 제2회로기판(14)측으로 형성되는 전기장은 그 양이 극히 적다.

반대로, 전송선로위에 제2유전체(17')가 위치한 경우, 전송선로에서 발생되는 전기장선은 도10에 도시한 바와 같이 화살표방향으로 형성된다.

즉, 전송선로에서 발생한 전기장선은 접지(동심원홈의 좌우 벽)으로 진행하는데, 제2유전체(17')의 유전율로 진행한다.

한편, 상기 하우징(11)과 커버(18) 사이에 절연체의 개스킷(19)을 삽입하지 않고, 그대로 결합하거나 또는 도체의 개스킷을 삽입하여 하우징(11)과 커버(18)를 전기적으로 연결할 수도 있는데, 이러한 경우에는 상기 하우징(11)의 상측에 형성된 동심원 홈의 높이를 소정길이만큼 높게 하면 된다.

상기 동심원 홈(11a)의 높이는 전송선로에서 형성된 전기장선이 대부분 유전체를 통하여 접지선로인 하우징(동심원홈의 벽)(11)의 좌우측으로 진행할 수 있을 만큼 높게 해야 한다.

이와 같이 구성하면 전송선로의 상측과 하측 사이에 도체개스킷을 사용하여 연결하여도 전송선로의 하측만을 접지로 사용하는 결과를 얻을 수 있다.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.

전술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 대칭되는 원호형상의 유전체와 그에 대응하는 원호형상의 전송선로가 형성된 기판을 구비함으로써 다수의 입력신호의 위상을 동시에 제어할 수 있음과 동시에 다수의 입력신호의 위상을 일정비율로 제어할 수 있고, 서로 대칭되게 제어할 수 있다.

또한, 입력신호의 위상을 제어하기 위한 비율은 임의로 설정할 수 있다.

또한, 접지를 전송선로의 하측 즉, 하우징만을 이용함으로써 접지에 불연속점을 없게 함으로써 IMD를 최소화 할 수 있는 효과가 있다.

Claims

상부에 다수의 동심원 홈이 형성되고, 하부에는 소정깊이의 개방공간부가 형성된 하우징;

상기 하우징의 개방공간부를 차폐하기 위한 차폐수단;

상기 하우징의 일측 및 타측의 외주측면에서 내측으로 관통되어 외부의 신호를 인가 받고 전송하기 위한 다수의 입,출력커넥터;

상기 하우징의 개방공간부의 내부 상측에 장착되며, 그 저면에는 상기 입력커넥터와 상기 출력커넥터를 전기적으로 연결하기 위한 전송선로가 형성된 제1회로기판;

상기 하우징의 동심원 홈에 삽입되며, 그 상면에는 호 형태의 전송선로가 좌우 대칭되게 형성된 다수의 제2회로기판;

상기 제1회로기판의 전송선로와 상기 제2회로기판의 전송선로를 전기적으로 도통시키기 위한 전도수단;

상기 제2회로기판의 상부에 설치되며 그 중앙부에 회전축이 직립되게 구비된 로터;

상기 제2회로기판의 전송선로와 대응되게 호 형태로 형성되어 상기 로터의 저면에 부착되며, 상기 로터의 회전에 따라 상기 제2회로기판상의 전송선로의 전기적인 길이를 가변시키기 위한 가변수단; 및

상기 하우징의 상부에 설치되며, 그 중앙부에 로터의 회전축이 끼워져 돌출되도록 하기 위한 관통홀이 형성된 커버;

를 포함하는 비접점 다중 전송선로용 위상천이 및 감쇄를 위한 신호처리장치.
제 1 항에 있어서,

상기 가변수단이 서로 다른 유전율을 갖는 유전체로 이루어진 비접점 다중 전송선로용 위상천이 및 감쇄를 위한 신호처리장치.
제 2 항에 있어서,

상기 유전체가 일측 반원측에 위치하며 세라믹으로 이루어진 제1 유전체와, 타측 반원측에 위치하며 알루미늄으로 이루어진 제2 유전체를 포함하는 비접점 다중 전송선로용 위상천이 및 감쇄를 위한 신호처리장치.
제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서.

상기 알루미늄으로 이루어진 제2 유전체의 두께가 세라믹으로 이루어진 제1유전체보다 얇게 형성된 비접점 다중 전송선로용 위상천이 및 감쇄를 위한 신호처리장치.
제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서,

상기 가변수단은 하우징의 동심원홈에 삽입되어 동작하는 비접점 다중 전송선로용 위상천이 및 감쇄를 위한 신호처리장치.
제 3 항에 있어서,

상기 유전체와 제2 회로기판의 전송선로와의 간격을 조정할 수 있도록 알루미늄 재질의 제2 유전체측에 삽입되는 테프론을 더 포함하는 비접점 다중 전송선로용 위상천이 및 감쇄를 위한 신호처리장치.
제 1 항에 있어서,

상기 하우징과 상기 커버 사이에 삽입되어 하우징과 커버를 전기적으로 절연시키기 위한 절연부재를 더 포함하는 비접점 다중 전송선로용 위상천이 및 감쇄를 위한 신호처리장치.
제 1 항에 있어서,

상기 하우징과 커버를 전기적으로 연결하되, 상기 제1 회로기판의 전송선로만을 접지로 사용할 수 있도록 상기 하우징의 동심원 홈의 높이는 전송선로에서 형성된 전기장선이 대부분 유전체를 통하여 접지선로인 하우징(동심원홈의 벽)의 좌우측으로 진행할 수 있을 만큼 높게 형성된 비접점 다중 전송선로용 위상천이 및 감쇄를 위한 신호처리장치.