KR20020057327A - The FED's spacer grounded with focusing electrode - Google Patents

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KR20020057327A
KR20020057327A KR1020010000309A KR20010000309A KR20020057327A KR 20020057327 A KR20020057327 A KR 20020057327A KR 1020010000309 A KR1020010000309 A KR 1020010000309A KR 20010000309 A KR20010000309 A KR 20010000309A KR 20020057327 A KR20020057327 A KR 20020057327A
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grounded
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KR1020010000309A
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백동기
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엘지전자 주식회사
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Abstract

PURPOSE: A field emission display grounding a spacer with a focus electrode is provided to readily mount the spacer and strongly support the longer spacer. CONSTITUTION: A field emission display comprises a gate electrode(420) for controlling electron emission amount of a cold cathode and a focus electrode(430) for focusing the emitted electron, and a spacer(410) for supporting between an upper plate and a lower plate. The gate electrode(420) and the focus electrode(430) are arranged at a same plane on the lower plate. The spacer(410) is a cross type spacer. The spacer(410) is arranged on the focus electrode(430). The spacer(410) is made of metal processed ceramic or glass. The top of the spacer(410) is attached to a black matrix of the upper plate. The height of the metal processing is adjusted depending on scattering amount of a beam in characteristic of an emitter(440).

Description

집속 전극을 이용하여 스페이서가 접지된 전계 방출형 표시 장치{The FED's spacer grounded with focusing electrode}Field emission-type display device with a spacer grounded using a focusing electrode {The FED's spacer grounded with focusing electrode}

본 발명은 전계 방출형 표시 소자의 스페이서 접지 분야에 관한 것으로서, 특히 스페이서에 의한 차징을 방지하기 위하여 집속 전극을 게이트 전극과 동일 평면상에 설치하여 이미터 팁으로부터 나오는 전자 빔의 집속을 도모하며 동일 평면상의 전자 집속 전극과 돌출 블랙 매트릭스를 사용하여 스페이서를 손쉽게 장착하는 집속 전극을 이용하여 스페이서가 접지된 전계 방출형 표시 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the field of spacer grounding of field emission display devices. In particular, in order to prevent charging by the spacer, the focusing electrode is installed on the same plane as the gate electrode to focus the electron beam coming from the emitter tip. The present invention relates to a field emission display device in which a spacer is grounded using a focusing electrode for easily mounting the spacer using a planar electron focusing electrode and a protruding black matrix.

종래의 기술은 스페이서를 세울 때 패널의 활동 영역 밖에 새로운 패턴의 기술을 이용하여 금속을 코팅한 후 그 위에 스페이서를 세워서 접지를 하였다.The prior art uses a new pattern of technology outside the active area of the panel to erect spacers and then ground the spacers on top of them.

그러나 이러한 기술은 매우 국한적인 스페이서에 한정된 것이며 만일 크로스나 짧은 립(rib) 유형의 스페이서에는 적용되지 않는 방법이다. 또한 스페이서와 금속 코팅의 접촉면이 불균일하게 되는 부정적인 면도 가지고 있다.However, this technique is limited to very limited spacers and does not apply to spacers of cross or short rib type. It also has the negative side that the contact surface between the spacer and the metal coating becomes uneven.

긴 립의 스페이서를 사용할 경우 측면에 새로운 지그(zig)를 장착하여 이를 고정시켜주어야 하고 기존의 방법에서는 이 부분에 금속을 코팅하여 스페이서와 접촉을 시켰다. 그러나 짧은 립 형이나 크로스 형은 패널 내부에 전극이 될 수 있는전극을 형성해야 한다는 어려운 점이 있다.When using a long rib spacer, a new jig should be mounted on the side to fix it. In the conventional method, a metal was coated on this part to make contact with the spacer. However, the short lip type or cross type has a difficulty in forming an electrode that can be an electrode inside the panel.

이러한 스페이서 장착은 구동시 스페이서가 보이거나 그 부분에서 아킹이 발생할 수 있다는 점 때문에 매우 조심스럽게 사용하는 실정이다.This spacer mounting is used very carefully because of the fact that the spacer can be seen during operation or arcing may occur in the portion thereof.

또한 내부에 긴 립 유형의 스페이서를 사용할 경우 집속 전극과 다른 전극을 형성하여 따로 전극을 가해 주어야 하는 구동상의 복잡성도 발생할 수 있다.In addition, when using a long rib type spacer therein, a driving complexity may be generated by forming an electrode different from the focusing electrode and applying an electrode separately.

제1도는 종래의 립 유형의 스페이서의 형성 방법의 일 실시예를 나타낸 도면이다.1 is a view showing an embodiment of a conventional method for forming a lip type spacer.

도1을 참조하면, 립 유형의 스페이서(110)의 형성 방법은 작은 디스플레이의 구동에는 적용할 수 있으나 10 인치 이상의 대형 패널에는 적용이 불가능한 방법이다. 그리고 상기 스페이서(110)가 길어질수록 그 스페이서의 모서리 부분의 파괴 현상이 발생할 수 있고 직각으로 세워서 형성시키는 것이 힘들고 또한 한 쪽으로 넘어질 수 있기 때문에 상기 스페이서(110)의 모서리 부분에 지그(120)로 고정시키고 상기 지그와 스페이서 사이에 금속 코팅(130)을 하여 지그를 전계 방출형 표시 소자의 활동 영역 밖으로 배치하여 접지하는 것이다.Referring to FIG. 1, the method of forming the lip type spacer 110 may be applied to driving a small display, but may not be applied to a large panel of 10 inches or more. And as the spacer 110 becomes longer, the breakage phenomenon of the corner portion of the spacer may occur, and it may be difficult to form it at a right angle, and it may fall down to one side. The jig is placed outside the active area of the field emission display device and grounded by fixing the metal coating 130 between the jig and the spacer.

그래서 대부분의 대형 패널에는 크로스나 작은 립의 모양이 장착되어져야 하는데 이는 접지 전극을 밖으로 빼내야 하는 어려움에 봉착한다.Thus, most large panels must be equipped with the shape of a cross or a small lip, which faces the difficulty of pulling the ground electrode out.

제2도는 일반적인 스페이서에 금속을 코팅한 것을 나타낸 도면이다.2 is a view showing a coating of a metal on a common spacer.

도2를 참조하면, 일반적인 스페이서(210)의 모양이 나와 있는데 보통 세라믹이나 유리 시트를 얇게 제작하여 장착하며 차징되는 전자를 뽑아주기 위해서 스페이서(210)의 벽면에 금속띠(220)를 두른다.Referring to FIG. 2, a shape of a general spacer 210 is shown. Usually, a thin metal strip 220 is placed on a wall surface of a spacer 210 to draw and charge electrons that are manufactured by mounting a thin sheet of ceramic or glass.

이와 같이 종래에는 바닥의 접지면에 금속띠를 두르거나 스페이서의 중간 부분에 띠를 두른다. 그런데 이 두 가지 방법 모두 긴 립 유형의 스페이서가 아니면 장착이 불가능한 단점이 있다.As described above, a metal band is placed on the ground plane of the bottom or a band is placed on the middle portion of the spacer. However, both of these methods have disadvantages that cannot be mounted unless the spacer has a long rib type.

제3도는 종래의 스페이서를 접지시킨 것을 나타낸 도면이다.3 is a view showing a conventional spacer grounded.

도3의 (a)와 (b)를 참조하면, 집속 전극(310)과 스페이서(320) 사이에 프릿 유리(330)가 있어서 상기 스페이서(320)를 고정시켜 주며 상기 스페이서의 금속 코팅을 통하여 전계 방출형 표시 소자의 활동영역 밖에서의 접지에 의존하는 단점이 있다.Referring to FIGS. 3A and 3B, a frit glass 330 is provided between a focusing electrode 310 and a spacer 320 to fix the spacer 320 and an electric field through a metal coating of the spacer. There is a drawback that depends on grounding outside the active area of the emissive display element.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하기 위하여 창출된 것으로서, 집속 전극을 게이트 전극과 동일 평면상에 설치하고 돌출 블랙 매트릭스의 활용을 통하여 스페이서를 손쉽게 설치하며 같은 전극을 가지면서 전자 빔의 집속을 도모하고 또한 게이트 전극보도 더 높게 집속 전극을 배치하여 긴 스페이서 설치시 더 강하게 지지할 수 있는 집속 전극을 이용하여 스페이서가 접지된 전계 방출형 표시 장치를 제공함에 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and the focusing electrode is installed on the same plane as the gate electrode, the spacer is easily installed through the use of the protruding black matrix, and the electron beam is focused while having the same electrode. In addition, an object of the present invention is to provide a field emission type display device in which a spacer is grounded by using a focusing electrode which is arranged to have a gate electrode higher than that of a long spacer, and which can be strongly supported when a long spacer is installed.

제1도는 종래의 립 유형의 스페이서의 형성 방법의 일 실시예를 나타낸 도면.1 shows one embodiment of a conventional method of forming a lip type spacer.

제2도는 일반적인 스페이서에 금속을 코팅한 것을 나타낸 도면.2 is a view showing a coating of a metal on a common spacer.

제3도는 종래의 스페이서를 접지시킨 것을 나타낸 도면.3 is a view showing a conventional spacer grounded.

제4도는 본 발명에 따른 집속 전극을 이용하여 스페이서가 접지된 전계 방출형 표시 장치에서의 크로스 형 및 립 형의 스페이서가 장착된 것을 나타낸 도면.4 is a diagram illustrating a cross-type and lip-type spacer mounted in a field emission display device in which a spacer is grounded using a focusing electrode according to the present invention.

제5도는 본 발명에 따른 집속 전극을 이용하여 스페이서가 접지된 전계 방출형 표시 장치에서의 크로스 형 스페이서를 집속 전극에 배치한 일 실시예를 나타낸 도면.FIG. 5 is a diagram illustrating an embodiment in which a cross spacer is disposed on a focusing electrode in a field emission display device in which a spacer is grounded using the focusing electrode according to the present invention.

제6도는 본 발명에 따른 집속 전극을 이용하여 스페이서가 접지된 전계 방출형 표시 장치에서의 짧은 립 형의 스페이서를 집속 전극에 배치한 일 실시예를 나타낸 도면.FIG. 6 is a diagram illustrating an embodiment in which a short lip spacer is disposed on a focusing electrode in a field emission display device in which a spacer is grounded using the focusing electrode according to the present invention.

제7도는 본 발명에 따른 집속 전극을 이용하여 스페이서가 접지된 전계 방출형 표시 장치에서의 융기된 집속 전극을 이용하여 스페이서를 접지시킨 일 실시예를 나타낸 도면.FIG. 7 is a view illustrating an embodiment in which a spacer is grounded using a raised focusing electrode in a field emission display device in which a spacer is grounded using the focusing electrode according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

410:크로스 형 스페이서 420:게이트 전극410: cross spacer 420: gate electrode

430:집속 전극 440:이미터430: focusing electrode 440: emitter

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 집속 전극을 이용하여 스페이서가 접지된 전계 방출형 표시 장치는 전자 방출부인 냉음극과, 상기 냉음극의 전자 방출량을 제어하는 게이트 전극과, 상기 방출된 전자를 집속시키는 집속 전극이 형성된 하부 기판과; 양극과, 상기 양극상에 형성된 빨강, 파랑, 노랑형광체와,상기 형광체의 경계에 형성된 블랙 매트릭스가 형성된 상부 기판과; 상기 상부기판과 하부 기판 사이에서 지지하는 스페이서를 구비하는 전계 방출형 표시 소자에서,In order to achieve the above object, a field emission display device having a spacer grounded using a focusing electrode according to the present invention includes a cold cathode serving as an electron emitting unit, a gate electrode controlling an electron emission amount of the cold cathode, and the emitted electrons. A lower substrate on which a focusing electrode for focusing is formed; An upper substrate having an anode, a red, blue, and yellow phosphor formed on the anode, and a black matrix formed on a boundary of the phosphor; In the field emission display device having a spacer for supporting between the upper substrate and the lower substrate,

상기 게이트 전극과, 집속 전극은 동일 평면상에 위치하고, 상기 스페이서가 집속 전극위에 형성되어 접지되는 점을 그 특징으로 한다.The gate electrode and the focusing electrode are positioned on the same plane, and the spacers are formed on the focusing electrode and grounded.

여기서, 상기 스페이서는 세라믹 또는 글래스로 형성되고, 상기 집속 전극에 접촉되는 일측면이 금속으로 코팅된 점을 그 특징으로 하며 상기 집속 전극은 게이트 전극보다 돌출된 구조를 갖는 점을 그 특징으로 한다.Here, the spacer is formed of a ceramic or glass, characterized in that the one side contact with the focusing electrode is coated with a metal and the focusing electrode has a feature that has a structure that protrudes more than the gate electrode.

그리고, 상기 스페이서의 타 일측면은 상기 블랙 매트릭스 층에 연결되도록 구성되었으며 상기 금속 코팅면의 높이는 이미터 특성상 빔의 산란정도에 따라 그 높이가 조절되는 점을 그 특징으로 한다.In addition, the other side of the spacer is configured to be connected to the black matrix layer, the height of the metal coating surface is characterized in that the height is adjusted according to the scattering degree of the beam due to the characteristics of the emitter.

또한, 상기 스페이서는 자체 지지되도록 크로스 형이며 상기 블랙 매트릭스 층의 돌출구조에 끼워넣은 구조를 갖는 점을 그 특징으로 한다.In addition, the spacer is characterized in that it has a structure that is cross-shaped so as to be self-supporting and embedded in the protrusion structure of the black matrix layer.

이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제4도는 본 발명에 따른 집속 전극을 이용하여 스페이서가 접지된 전계 방출형 표시 장치에서의 크로스 형 및 립 형의 스페이서가 장착된 것을 나타낸 도면이다.4 is a diagram illustrating a cross-shaped and lip-shaped spacer mounted in a field emission display device in which a spacer is grounded using the focusing electrode according to the present invention.

도4를 참조하면, 우선 도4의 (a)에서 크로스 형의 스페이서(410)가 장착된 평면도를 보여 주고 있는데 이 스페이서(410)는 게이트 전극(420)과 동일 평면상에 존재하는 집속 전극(430) 위에 올라와 있는 구조이다.Referring to FIG. 4, first, a plan view in which a cross-shaped spacer 410 is mounted is shown in FIG. 4A, and the spacer 410 is a focusing electrode that is coplanar with the gate electrode 420. 430) the structure is on top.

전계 방출 소자의 이미터(440)를 팁 모양으로 만든 다음 게이트 전극(420)과집속 전극(430)을 올리면 되는데 하나의 마스크를 사용하기 때문에 후에 인쇄 회로 기판(PCB:Printed Circuit Board)에 연결할 때 상기 게이트 전극과 집속 전극을 고립시키기만 하면 된다.The emitter 440 of the field emission device is made into a tip shape, and then the gate electrode 420 and the focusing electrode 430 are raised. Since a single mask is used, when connecting to a printed circuit board (PCB) later, It is only necessary to isolate the gate electrode and the focusing electrode.

보통 전계 방출형 표시 소자에 적용되는 게이트 금속막으로는 크롬과 니오븀(Nb)등 절연층과 점착성이 좋은 금속을 사용하는데 도4와 같이 동일 평면의 경우에는 같은 금속이 상기 게이트 전극(420)과 집속 전극(430)으로 사용된다.Normally, a gate metal film applied to the field emission display device is made of an insulating layer such as chromium and niobium (Nb), and a metal having good adhesion. In the same plane as shown in FIG. 4, the same metal is the same as that of the gate electrode 420. Used as the focusing electrode 430.

그러나 이것은 공정상이나 구동상 아무런 문제가 되지 않는다.However, this is not a problem in process or operation.

단지 만일 상기 게이트 전극(420)과 집속 전극(430)과의 고립에 대해서 완전하게 건식에칭이 안되었을 경우 서로간에 누설 전류의 발생으로 인해 패널 전체가 통전 되는 현상이 발생할 수 있다.If only dry etching is not completely performed with respect to the isolation between the gate electrode 420 and the focusing electrode 430, the entire panel may be energized due to the occurrence of leakage currents.

상기 게이트 전극(420)과 집속 전극(430)과의 거리는 중요하다. 왜냐하면 상기 게이트 전극(420)에 걸리는 전압이 상기 집속 전극에 영향을 주지 않으면서 상기 집속 전극에 접지시켜 주어야 하기 때문이다. 시뮬레이션 결과에 의하면, 상기 게이트 전극(420)과 집속 전극(430)간의 거리를 5㎛~10㎛로 일정하게 하고 상기 집속 전극(430)에 -20 ~ -40V의 역방향 바이어스(-bias)를 걸어 줄 때의 결과를 보면 애노드 평판의 형광체 영역 안으로 안전하게 전자 빔이 들어오는 것을 알 수 있었다.The distance between the gate electrode 420 and the focusing electrode 430 is important. This is because the voltage applied to the gate electrode 420 should be grounded to the focusing electrode without affecting the focusing electrode. According to the simulation result, the distance between the gate electrode 420 and the focusing electrode 430 is constant at 5 µm to 10 µm and a reverse bias of -20 to -40 V is applied to the focusing electrode 430. Judging results showed that the electron beam safely entered the phosphor region of the anode plate.

보통 형광체의 사이즈는 해상도를 5 인치 큐큐브이지에이(QQVGA:Quarter Quarter Video Graphics Array)로 할 경우 215㎛(세로폭) x 60㎛(가로폭)의 크기를 갖는데 적어도 블랙 매트릭스의 영역까지를 합치더라도 양쪽으로 가로 폭100㎛~120㎛를 넘어서는 안된다.Usually the size of the phosphor is 215 μm (length) x 60 μm (width) when the resolution is 5 inch QQVGA: Quarter Video Graphics Array (QQVGA). Even if the width should not exceed 100㎛ ~ 120㎛ on both sides.

도4의 (a)와(b)에서와 같이 스페이서가 집속 전극 위에 넉넉하게 올라가 있기 때문에 바이어스를 통해 전하를 뽑아 주는 것은 문제가 되지 않는다. 그리고 애노드 부분에 돌출 블랙 매트릭스를 통해 끼워 넣는 방법을 사용하면 스페이서는 한쪽으로 기울지 않고 서 있을 것이다.As shown in (a) and (b) of FIG. 4, since the spacer is sufficiently raised on the focusing electrode, it is not a problem to extract the charge through the bias. And the spacers would stand without tilting to one side by using the protruding black matrix on the anode.

제5도는 본 발명에 따른 집속 전극을 이용하여 스페이서가 접지된 전계 방출형 표시 장치에서의 크로스 형 스페이서를 집속 전극에 배치한 일 실시예를 나타낸 도면이다.FIG. 5 is a diagram illustrating an embodiment in which a cross spacer is disposed on the focusing electrode in the field emission display device in which the spacer is grounded using the focusing electrode according to the present invention.

도5를 참조하면, 금속 처리된 세라믹이나 유리 스페이서(510)의 상단은 상판(550)의 블랙 매트릭스(551)에 배치하며 하단 부분(511)에 집속 전극(520)을 접촉시킨다.Referring to FIG. 5, the upper end of the metal-treated ceramic or glass spacer 510 is disposed on the black matrix 551 of the upper plate 550, and the focusing electrode 520 is brought into contact with the lower part 511.

상기 스페이서(510)의 금속 처리는 이미터(530)의 특성상 빔의 산란 정도에 따라 그 높이를 조절하면 될 것이다. 보통 동일 평면상(co-planer)의 집속 전극일 경우는 융기된(raised) 유형보다는 전자빔을 집속하는 능력이 덜 하기 때문에 어느 정도까지는 금속처리를 해주는 것이 좋을 것이다.The metal treatment of the spacer 510 may be adjusted according to the scattering degree of the beam due to the characteristics of the emitter 530. In general, co-planer focusing electrodes are less likely to focus electron beams than raised types, so metal treatment to some extent would be desirable.

제6도는 본 발명에 따른 집속 전극을 이용하여 스페이서가 접지된 전계 방출형 표시 장치에서의 짧은 립 형의 스페이서를 집속 전극에 배치한 일 실시예를 나타낸 도면이다.FIG. 6 is a diagram illustrating an embodiment in which a short lip spacer is disposed on the focusing electrode in the field emission display device in which the spacer is grounded using the focusing electrode according to the present invention.

도6을 참조하면, 제5도에서의 크로스 형 스페이서 대신 짧은 립 형 스페이서로 대체시킨 것이다.Referring to FIG. 6, short lip spacers are replaced with cross spacers in FIG.

제7도는 본 발명에 따른 집속 전극을 이용하여 스페이서가 접지된 전계 방출형 표시 장치에서의 융기된 집속 전극을 이용하여 스페이서를 접지시킨 일 실시예를 나타낸 도면이다.7 is a diagram illustrating an example in which a spacer is grounded using a raised focusing electrode in a field emission display device in which a spacer is grounded using the focusing electrode according to the present invention.

도7을 참조하면, 우선 융기된 집속 전극(710)에 스페이서(720)의 두께만큼 홈을 내어 스페이서를 고정시킬 수 있고 동시에 접지시킬 수 있다. 상기 융기된 집속 전극(710)은 폴리이미드나 스크린 프린팅법 도금법등 사용할 수 있는 재료나 방법이 많이 나와 있다. 하지만 여기서 높이를 20~30㎛로 일정하게 하고 스페이서의 폭을 균일하게 하기 위해서는 노광법을 사용하여 간격을 정해주는 것이 좋은데 현재는 폴리이미드나 도금법을 사용한다. 그러나 폴리이미드는 공정상의 난해함과 다시 금속 증착을 하여 집속을 이끌어 내야 한다는 점에서는 도금법이 수월하다. 도금법은 알려진 바와 같이 티타늄/칼슘(Ti/Ca)의 이중막을 증착하여 두꺼운 레지스트(resist)를 사용하여 패턴작업을 한 다음 도금액에 넣어 성장시키면 된다. 이 방법은 간단하게 전극을 형성할 수 있기 때문에 많은 적용이 용이하며 또한 전극간의 간격을 일반 노광법으로 사용하기 때문에 일정하게 유지시킬 수 있는 장점이 있다.Referring to FIG. 7, the spacer may be fixed to the raised focusing electrode 710 by the thickness of the spacer 720 and may be grounded at the same time. The raised focusing electrode 710 has many materials and methods that can be used, such as polyimide, screen printing, plating, or the like. However, in order to make the height constant at 20 ~ 30㎛ and to make the width of the spacer uniform, it is good to set the interval using the exposure method. Currently, polyimide or plating method is used. However, the plating method is easy in that the polyimide is difficult to process and has to be focused again by metal deposition. As known in the art, plating is performed by depositing a double layer of titanium / calcium (Ti / Ca), patterning using a thick resist, and then growing in a plating solution. Since this method can easily form electrodes, many applications are easy, and since the spacing between electrodes is used by a general exposure method, there is an advantage that it can be kept constant.

마스크의 제작에 따른 패터닝의 크기에 따라서 허용오차를 5~10㎛의 사이를 두고 조절할 수 있으며 집속 전극과 애노드 평판의 블랙 매트릭스 영역의 허용 오차를 좁히면 상하판의 배열을 표시하는 역할도 쉽게 할 수 있다.Tolerance can be adjusted between 5 ~ 10㎛ according to the size of patterning according to the fabrication of the mask and narrowing the tolerance of the black matrix area of the focusing electrode and the anode plate also makes it easy to display the arrangement of the upper and lower plates. Can be.

이상의 설명에서와 같이 본 발명에 따른 집속 전극을 이용하여 스페이서가 접지된 전계 방출형 표시 장치는 집속 전극을 게이트 전극과 동일 평면상에 설치하여 이미터로부터 나오는 전자 빔의 집속을 꾀함과 동시에 집속 전극을 돌출시키거나 블랙 매트릭스의 구조를 변형시킴에 의하여 전계 방출형 표시 소자의 상하판을 지지하는 역할을 하는 스페이서의 장착을 용이하게 하며 집속 전극에 역방향 바이어스를 걸어주어서 상기 스페이서에 차징된 전하도 같이 제거할 수 있다.As described above, in the field emission display device in which a spacer is grounded using the focusing electrode according to the present invention, the focusing electrode is installed on the same plane as the gate electrode to focus the electron beam emitted from the emitter and at the same time the focusing electrode By protruding or modifying the structure of the black matrix, it is easy to mount the spacers that support the upper and lower plates of the field emission display device. Can be removed.

Claims (7)

  1. 전자 방출부인 냉음극과, 상기 냉음극의 전자 방출량을 제어하는 게이트 전극과, 상기 방출된 전자를 집속시키는 집속 전극이 형성된 하부 기판과; 양극과, 상기 양극상에 형성된 빨강, 파랑, 노랑형광체와, 상기 형광체의 경계에 형성된 블랙 매트릭스가 형성된 상부 기판과; 상기 상부기판과 하부 기판 사이에서 지지하는 스페이서를 구비하는 전계 방출형 표시 소자에서,A lower substrate having a cold cathode serving as an electron emitting unit, a gate electrode controlling an electron emission amount of the cold cathode, and a focusing electrode for focusing the emitted electrons; An upper substrate having an anode, a red, blue, and yellow phosphor formed on the anode, and a black matrix formed on the boundary of the phosphor; In the field emission display device having a spacer for supporting between the upper substrate and the lower substrate,
    상기 게이트 전극과, 집속 전극은 동일 평면상에 위치하고, 상기 스페이서가 집속 전극위에 형성되어 접지되는 것을 특징으로 하는 집속 전극을 이용하여 스페이서가 접지된 전계 방출형 표시 장치.And the gate electrode and the focusing electrode are located on the same plane, and the spacers are formed on the focusing electrode and grounded, wherein the spacers are grounded using the focusing electrode.
  2. 제1항에 있어서, 상기 스페이서는 세라믹 또는 글래스로 형성되고, 상기 집속 전극에 접촉되는 일측면이 금속으로 코팅된 것을 특징으로 하는 집속 전극을 이용하여 스페이서가 접지된 전계 방출형 표시 장치.The field emission type display device of claim 1, wherein the spacer is formed of ceramic or glass, and one side of the spacer contacting the focusing electrode is coated with a metal.
  3. 제1항에 있어서, 상기 집속 전극은 게이트 전극보다 돌출된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 집속 전극을 이용하여 스페이서가 접지된 전계 방출형 표시 장치.The field emission display device of claim 1, wherein the focusing electrode has a structure protruding from the gate electrode.
  4. 제2항에 있어서, 상기 스페이서의 타 일측면은 상기 블랙 매트릭스 층에 연결되도록 구성된 것을 특징으로 하는 집속 전극을 이용하여 스페이서가 접지된 전계 방출형 표시 장치.The field emission display device of claim 2, wherein the other side of the spacer is connected to the black matrix layer.
  5. 제2항에 있어서, 상기 금속 코팅면의 높이는 이미터 특성상 빔의 산란정도에 따라 그 높이가 조절되는 것을 특징으로 하는 집속 전극을 이용하여 스페이서가 접지된 전계 방출형 표시 장치.The field emission display device of claim 2, wherein the height of the metal coating surface is adjusted according to the scattering degree of the beam due to emitter characteristics.
  6. 제4항에 있어서, 상기 스페이서는 자체 지지되도록 크로스 형인 것을 특징으로 하는 집속 전극을 이용하여 스페이서가 접지된 전계 방출형 표시 장치.The field emission display device of claim 4, wherein the spacers are cross-shaped so as to be self-supporting. 5.
  7. 제4항에 있어서, 상기 스페이서는 상기 블랙 매트릭스 층의 돌출구조에 끼워넣은 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 집속 전극을 이용하여 스페이서가 접지된 전계 방출형 표시 장치.The field emission display device of claim 4, wherein the spacers have a structure inserted into the protruding structure of the black matrix layer. 6.
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