KR20020053010A - Method and apparatus for forming thin film - Google Patents

Method and apparatus for forming thin film Download PDF

Info

Publication number
KR20020053010A
KR20020053010A KR1020010084670A KR20010084670A KR20020053010A KR 20020053010 A KR20020053010 A KR 20020053010A KR 1020010084670 A KR1020010084670 A KR 1020010084670A KR 20010084670 A KR20010084670 A KR 20010084670A KR 20020053010 A KR20020053010 A KR 20020053010A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
film forming
forming material
plasma
reaction vessel
Prior art date
Application number
KR1020010084670A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
아라이고지
기타가와마사토시
Original Assignee
마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 filed Critical 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤
Publication of KR20020053010A publication Critical patent/KR20020053010A/en

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3421—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target using heated targets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/541—Heating or cooling of the substrates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)

Abstract

PURPOSE: To provide a method and an apparatus for forming a thin film, which can lower voltage of a plasma display panel and enhance the luminous efficiency, by forming a protective coating of high quality with a high deposition rate in low cost. CONSTITUTION: This method comprises controlling a pressure inside of the reaction vessel 1 to a predetermined value with sputtering gas introduced, along with discharging air in a reaction vessel 1 to a vacuum condition applying high frequency voltage to a holding means 5 for holding a film forming material 4 to generate plasma changing the film forming material 4 to clusters, by sputtering the film forming material 4 with the plasma, while activating the surface of the film forming material 4 by an activation means 11 and depositing the clustered film-forming material 4 on a substance to be treated 3 to form the film.

Description

박막형성방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR FORMING THIN FILM}Thin Film Forming Method and Apparatus {METHOD AND APPARATUS FOR FORMING THIN FILM}

본 발명은 반도체장치나 표시장치 등에 이용하는 액정표시패널, 플라즈마 디스플레이 패널(가스방전표시 패널 또는 PDP라고도 한다)의 제조에 채용되는 박막형성방법 및 장치에 관한 것으로, 특히 플라즈마 디스플레이 패널의 유전체층의 보호막이 되는 박막의 형성방법 및 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film forming method and apparatus employed in the manufacture of liquid crystal display panels and plasma display panels (also referred to as gas discharge display panels or PDPs) for use in semiconductor devices, display devices, and the like. It relates to a method and apparatus for forming a thin film.

최근, 반도체장치나 표시장치의 제조분야에서 기판의 대형화가 진행되고 있고, 플라즈마 디스플레이 패널에서는 특히 그 경향이 현저하다.In recent years, in the field of manufacturing semiconductor devices and display devices, substrates have been enlarged, and the trend is particularly remarkable in plasma display panels.

교류구동형(AC) 플라즈마 디스플레이 패널에서는 방전에 의한 이온충격으로부터 유전체층을 보호하기 위한 보호막으로서 박막이 형성되어 있다. 이 박막으로서는 일반적으로 산화마그네슘(Mg0)막이 이용된다.In an AC drive plasma display panel, a thin film is formed as a protective film for protecting the dielectric layer from ion shock caused by discharge. As this thin film, a magnesium oxide (Mg0) film is generally used.

플라즈마 디스플레이 패널의 구동전압은 소자구조나 봉입가스 등 많은 요인에 의해 결정된다. 방전공간에 접하는 보호막의 2차 전자방출계수는 그 하나이고, 2차 전자방출계수가 클수록 저전압으로 구동할 수 있다. 그래서, 플라즈마 디스플레이 패널의 저전압화를 도모함에 있어서, 2차 전자방출계수가 큰 산화마그네슘이 적합하다.The driving voltage of the plasma display panel is determined by many factors such as the device structure and the enclosed gas. The secondary electron emission coefficient of the protective film in contact with the discharge space is one, and the larger the secondary electron emission coefficient is, the lower the voltage can be driven. Therefore, magnesium oxide having a large secondary electron emission coefficient is suitable for lowering the plasma display panel.

산화 마그네슘막은 일반적으로 전자빔 증착법, 즉 전자빔을 이용한 전자 에너지 조사에 의해, 진공 중 산소분위기에서 도 5에 나타내는 모식도와 같이, 타겟유지대(5)에 유지된 증착원이 되는 타겟(4)을 증발시켜, 유전체층의 표면에 배향성을 갖는 결정성의 Mg0의 박막을 기판에 퇴적시키는 방법을 이용하고, 그 후 소성공정을 거쳐 박막을 형성하고 있다.The magnesium oxide film is generally evaporated by the electron beam deposition method, i.e., electron energy irradiation using an electron beam, to evaporate the target 4 serving as the deposition source held in the target holder 5 in the oxygen atmosphere in a vacuum as shown in FIG. The thin film of crystalline Mg0 having an orientation on the surface of the dielectric layer is deposited on a substrate, and then a thin film is formed through a baking step.

최근의 플라즈마 디스플레이 패널의 대형화에 따라, 대면적의 기판이 필요하게 되고, 이 기판을 수납하여 산화마그네슘을 기판에 퇴적시키기 위해서는 대형의 진공장치가 필요하게 된다. 그래서, 대면적화한 플라즈마 디스플레이 패널의 소비전력을 낮게 억제하여 비용절감을 도모하기 위해 더욱 저전압화가 요구되고 있다.With the recent increase in the size of the plasma display panel, a large area substrate is required, and a large vacuum apparatus is required to store the substrate and deposit magnesium oxide on the substrate. Therefore, in order to reduce the power consumption of the large-area plasma display panel and to reduce the cost, further lower voltage is required.

그런데, 상기 종래법인 전자빔 증착법을 이용하여 산화마그네슘막을 플라즈마 디스플레이 패널에 박막형성하는 경우, 전자빔은 소(小) 스폿으로 집중하여 조사를 하기 때문에, 성막속도가 늦어져서 생산성이 저하되고, 장치가격이 높아지는 동시에, 저전압화도 곤란하다는 문제점이 있었다. 게다가, 도 5에 나타내는 바와 같이, Mg 원자와 0 원자가 일단 분해된 후, 기판 상에서 재결합하여 Mg0막이 되기 때문에 재현성이 나빠 양질의 막을 얻을 수 없다는 문제점도 있었다.By the way, when a magnesium oxide film is formed into a plasma display panel using a conventional electron beam evaporation method, the electron beam concentrates at a small spot and is irradiated. Therefore, the film formation speed is slowed and productivity is lowered. At the same time, there was a problem that it was difficult to reduce the voltage. In addition, as shown in Fig. 5, since the Mg atom and the 0 atom are once decomposed, they are recombined on the substrate to form an Mg0 film, and thus there is a problem in that a high quality film cannot be obtained because of poor reproducibility.

또한, 플라즈마 방전을 이용하여 기판에 박막을 형성하는 스퍼터링법을 이용한 경우라도, 산화마그네슘 자체가 내스퍼터성 막이기 때문에 매우 성막속도가 느리고 생산성이 나쁘다는 문제점이 있었다.In addition, even in the case of using the sputtering method of forming a thin film on a substrate by using plasma discharge, there is a problem that the film formation rate is very slow and productivity is poor because magnesium oxide itself is a sputter resistant film.

또, 일본 특공평 8-26451호 공보에 개시된 바와 같은 레이저 스퍼터링법도 고안되어 있지만, 이것은 레이저만으로 타겟 표면을 조사하고, 피처리체에 성막하는 것이고, 산화마그네슘막을 형성하기 위해서는 고출력의 레이저가 필요한 데다가 피처리체의 대면적화에는 대응할 수 없다는 문제점이 있었다.In addition, although the laser sputtering method as disclosed in Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 8-26451 has been devised, this is to irradiate a target surface with a laser alone, and to deposit it on a target object. There was a problem in that it could not cope with the large area of Leeche.

그래서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해소하고, 타겟 표면을 활성화시키면서 스퍼터링을 행하고, 클러스터화한 Mg0를 기판에 퇴적시켜 성막속도가 빠르고 낮은 비용으로 양질의 보호막(박막)을 형성함으로써, 플라즈마 디스플레이 패널의 저전압화와 발광효율의 향상을 도모할 수 있는 박막형성방법 및 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, the present invention solves the above problems, sputters while activating the target surface, and deposits clustered Mg0 on a substrate to form a high quality protective film (thin film) at a low film formation speed and low cost, thereby providing a plasma display. An object of the present invention is to provide a thin film formation method and apparatus capable of reducing the voltage of a panel and improving the luminous efficiency.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예의 박막형성장치의 개략 구성을 나타내는 단면도1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a thin film forming apparatus of a first embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 제 2 실시예의 박막형성장치의 개략 구성을 나타내는 단면도2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a thin film forming apparatus of a second embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 제 3 실시예의 박막형성장치의 개략 구성을 나타내는 단면도3 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a thin film forming apparatus of a third embodiment of the present invention.

도 4는 상기 제 1 실시예∼제 3 실시예에서의 성막공정의 모식도4 is a schematic view of a film forming process in the first to third embodiments;

도 5는 종래법에서의 성막공정의 모식도5 is a schematic view of a film forming step in the conventional method.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

1 : 반응용기 2 : 스테이지(피처리체 유지수단)1: Reaction vessel 2: Stage (Measure to be processed)

3 : 기판(피처리체) 4 : 타겟(성막재료)3: substrate (target object) 4: target (film forming material)

5 : 타겟유지대(성막재료 유지수단) 7 : 고주파전원5: target holding zone (film forming material holding means) 7: high frequency power supply

8 : 가스도입구 9 : 배기포트8: gas introduction port 9: exhaust port

10 : 압력제어밸브(압력제어수단)10: pressure control valve (pressure control means)

11 : 타겟 활성화수단(성막재료 활성화수단)11: target activating means (film forming material activating means)

21 : 가열히터(성막재료 가열수단)21: heating heater (film forming material heating means)

31 : 발광분광 분석장치(플라즈마상태 관찰수단)31 luminescence spectrometer (plasma state observation means)

32 : 출력조정기(플라즈마상태 제어수단)32: output regulator (plasma state control means)

본 발명의 제 1 발명의 박막형성방법은 상기 목적을 달성하기 위해, 반응용기 내를 배기하여 진공상태로 하는 동시에 스퍼터링 가스를 도입한 상태로 반응용기 내를 소정압력으로 제어하고, 성막재료를 유지한 성막재료 유지수단에 고주파전압을 인가하여 플라즈마를 발생시키고, 성막재료 표면을 활성화시키면서 플라즈마에 의해 성막재료를 스퍼터링함으로써 성막재료를 클러스터화시키고, 그 클러스터화된 성막재료를 피처리체에 퇴적시켜 성막하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the thin film forming method of the first invention of the present invention controls the inside of the reaction vessel at a predetermined pressure in a state in which the inside of the reaction vessel is evacuated to a vacuum state and a sputtering gas is introduced therein, thereby maintaining the film forming material. Plasma is generated by applying a high frequency voltage to the film forming material holding means, and the film forming material is clustered by sputtering the film forming material by plasma while activating the surface of the film forming material, and the clustered film forming material is deposited on the workpiece to form the film. Characterized in that.

이 방법에 의하면, 진공상태의 반응용기 내에 플라즈마 생성용 스퍼터링 가스를 도입한 상태로 반응용기 내를 소정압력으로 제어하여 감압분위기 중의 성막재료 유지수단에 고주파전압을 인가하므로, 성막재료로서 절연물이고 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막으로서 적합한 산화마그네슘을 이용한 경우에도, 가스의 이온에 의해 성막재료 표면이 플러스(+)로 차지되는 일 없이 플라즈마의 발생을 계속시킬 수 있다. 그리고, 플라즈마에 의한 스퍼터링 중 성막재료 표면을 활성화시키므로, 스퍼터링하여 클러스터화시킨 성막재료 예를 들면, 클러스터화한 Mg0를 피처리체에 퇴적시켜 성막할 수 있다. 따라서, 내스퍼터성 막인 Mg0막이라도 성막속도가 빨라져서 생산성이 향상되고, 비용절감을 도모할 수 있는 동시에, 재현성도 좋아지므로 양질의 박막을 형성할 수 있다. 또한, 상기 방법을 이용하여 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막을 형성하면, 플라즈마 디스플레이 패널의 방전개시전압, 방전유지전압 및 발광효율을 향상할 수 있다.According to this method, a high-frequency voltage is applied to the film forming material holding means in the reduced pressure atmosphere by controlling the inside of the reaction container to a predetermined pressure while introducing a plasma generation sputtering gas into the reaction container in a vacuum state, thereby forming an insulating material and a plasma. Even when a suitable magnesium oxide is used as the protective film for the display panel, the generation of plasma can be continued without the charge of the film forming material surface being positively charged by the ions of the gas. Since the surface of the film formation material is activated during the sputtering by plasma, the film formation material sputtered and clustered, for example, clustered Mg0 can be deposited on the object to be deposited. Therefore, even in the Mg0 film, which is a sputter resistant film, the film formation speed is increased, the productivity is improved, the cost can be reduced, and the reproducibility is also improved, so that a good thin film can be formed. In addition, when the protective film of the plasma display panel is formed using the above method, the discharge start voltage, the discharge holding voltage and the luminous efficiency of the plasma display panel can be improved.

여기서, 성막재료 표면을 활성화시키는 방법이 레이저광의 조사이고, 레이저의 광원이 KrF, ArF 등의 엑시머레이저, YAG 레이저의 제 2 또는 제 3 고조파, LD 중 어느 하나이면 적합하다.Here, the method of activating the surface of the film-forming material is irradiation of laser light, and it is suitable if the laser light source is any of excimer lasers, such as KrF and ArF, the 2nd or 3rd harmonics of YAG laser, and LD.

또한, 성막재료 표면을 활성화시키는 방법이 램프광의 조사이고, 램프의 광원이 자외선, 원자외선, 적외선, 원적외선 중 어느 하나인 것이 적합하다.In addition, the method of activating the surface of the film-forming material is irradiation of lamp light, and it is suitable that the light source of a lamp is any of ultraviolet-ray, far infrared rays, infrared rays, and far infrared rays.

또한, 상기 방법으로 클러스터화된 성막재료를 피처리체에 퇴적시킬때, 성막재료 표면의 활성화 및/또는 플라즈마의 강도를 제어하는 예를 들면, 발광분석에 의해 성막재료의 플라즈마 발광강도가 일정해지도록 제어함으로써 성막재료가 클러스터화하였을 때, 그 클러스터가 일정 개수 내이도록 조정하면서 성막을 실시할 수 있다.In addition, when depositing the film forming material clustered by the above method on the object to be processed, the plasma emission intensity of the film forming material is made constant by, for example, emission control to control the activation of the surface of the film forming material and / or the intensity of the plasma. When the film forming material is clustered by controlling, the film can be formed while adjusting the cluster to be within a predetermined number.

본 발명의 제 2 발명의 박막형성방법은 반응용기 내를 배기하여 진공상태로 하는 동시에 스퍼터링 가스를 도입한 상태로 반응용기 내를 소정압력으로 제어하고, 성막재료를 유지한 성막재료 유지수단에 고주파전압을 인가하여 플라즈마를 발생시키고, 성막재료에 매설된 가열수단에 의해 성막재료를 가열하면서 플라즈마에의해 성막재료를 스퍼터링함으로써 성막재료를 클러스터화시키고, 그 클러스터화된 성막재료를 피처리체에 퇴적시켜 성막하는 것을 특징으로 한다.The thin film forming method according to the second aspect of the present invention is a high frequency in the film forming material holding means which maintains the film forming material by controlling the inside of the reaction container at a predetermined pressure while evacuating the inside of the reaction container to make a vacuum and introducing a sputtering gas. The plasma is generated by applying a voltage, the film forming material is clustered by sputtering the film forming material by plasma while the film forming material is heated by the heating means embedded in the film forming material, and the clustered film forming material is deposited on the workpiece. It is characterized by forming a film.

이 발명 방법에 의하면, 진공상태의 반응용기 내에 플라즈마 생성용 스퍼터링 가스를 도입한 상태로 반응용기 내를 소정압력으로 제어하여 감압분위기 중의 성막재료 유지수단에 고주파전압을 인가하므로, 성막재료로서 절연물이고 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막으로서 적합한 산화마그네슘을 이용한 경우에도 가스의 이온에 의해 성막재료 표면이 플러스로 차지되는 일 없이 피처리체와의 대향공간에서 발생시킨 플라즈마의 발생을 계속시킬 수 있다. 그리고, 플라즈마에 의한 스퍼터링 중 성막재료에 매설된 가열수단에 의해 성막재료를 가열하므로, 스퍼터링하여 클러스터화시킨 성막재료 예를 들면, 클러스터화한 Mg0를 피처리체에 퇴적시켜 성막할 수 있다. 따라서, 내스퍼터성 막인 Mg0막이라도 성막속도가 빨라져서 생산성이 향상되고, 비용절감을 도모할 수 있는 동시에, 재현성도 좋아지므로 양질의 박막을 형성할 수 있다. 또한, 상기 방법을 이용하여 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막을 형성하면, 플라즈마 디스플레이 패널의 방전개시전압, 방전유지전압 및 발광효율을 향상시킬 수 있다.According to the method of the present invention, a high-frequency voltage is applied to the film forming material holding means in the reduced pressure atmosphere by controlling the inside of the reaction vessel to a predetermined pressure while introducing a plasma generation sputtering gas into the reaction vessel in a vacuum state. Even when a suitable magnesium oxide is used as the protective film of the plasma display panel, the generation of plasma generated in the opposing space with the object to be processed can be continued without positively occupying the surface of the film formation material by the ions of the gas. Since the film forming material is heated by the heating means embedded in the film forming material during sputtering by plasma, the film forming material sputtered and clustered, for example, clustered Mg0 can be deposited on the object to be deposited. Therefore, even in the Mg0 film, which is a sputter resistant film, the film formation speed is increased, the productivity is improved, the cost can be reduced, and the reproducibility is also improved, so that a good thin film can be formed. In addition, by forming the protective film of the plasma display panel using the above method, it is possible to improve the discharge start voltage, the discharge holding voltage and the luminous efficiency of the plasma display panel.

또한 상기 제 1, 제 2 발명의 각 방법에 있어서, 피처리체를 가열 가능하게 유지하면 적합하다.Moreover, in each method of the said 1st, 2nd invention, it is suitable to hold | maintain a to-be-processed object so that heating is possible.

본 발명의 제 3 발명의 박막형성장치는 진공상태의 유지가 가능한 반응용기와, 반응용기 내를 소정의 압력으로 제어하는 압력제어수단과, 반응용기 내에 스퍼터링 가스를 공급하는 가스도입구와, 성막재료가 유지되어 고주파전압의 인가가 가능한 성막재료 유지수단과, 스퍼터링에 의해 성막되는 피처리체를 성막재료 유지수단의 대향위치에 유지하는 피처리체 유지수단과, 성막재료 유지수단에 고주파전압을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 고주파전원과, 성막재료 표면을 활성화시키는 성막재료 활성화수단을 갖고, 성막재료 표면의 활성화와 플라즈마에 의한 스퍼터링을 병행하여 행하여 피처리체에 성막하도록 구성한 것을 특징으로 한다.The thin film forming apparatus of the third invention of the present invention comprises a reaction vessel capable of maintaining a vacuum state, pressure control means for controlling the inside of the reaction vessel to a predetermined pressure, a gas inlet for supplying a sputtering gas into the reaction vessel, and a film forming material. Film holding material holding means capable of applying a high frequency voltage, an object holding means for holding an object to be formed by sputtering at an opposite position of the film forming material holding means, and applying a high frequency voltage to the film forming material holding means to apply plasma And a high frequency power supply for generating a light source, and a film forming material activating means for activating the film forming material surface. The film is formed to be formed on the object to be processed in parallel with the activation of the film forming material surface and sputtering by plasma.

상기 발명의 장치에 의하면, 제 1 발명의 방법을 각 구성수단에 의해 구체적으로 실현하고, 이 장치를 이용하여 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막을 형성하면, 플라즈마 디스플레이 패널의 방전개시전압, 방전유지전압 및 발광효율을 향상시킬 수 있다.According to the apparatus of the present invention, the method of the first invention is concretely realized by each constituent means, and when the protective film of the plasma display panel is formed using the apparatus, the discharge start voltage, the discharge holding voltage, and the light emission of the plasma display panel. The efficiency can be improved.

여기서, 성막재료 활성화수단이 레이저이고, 레이저의 광원이 KrF, ArF 등의 엑시머레이저, YAG 레이저의 제 2 또는 제 3 고조파, LD 중 어느 하나이면 적합하다.In this case, the film forming material activating means is a laser, and a light source of the laser is any one of an excimer laser such as KrF and ArF, a second or third harmonic of a YAG laser, and LD.

또한, 성막재료 활성화수단이 램프이고, 램프의 광원이 자외선, 원자외선, 적외선, 원적외선 중 어느 하나이면 적합하다.It is also suitable if the film forming material activating means is a lamp and the light source of the lamp is any one of ultraviolet rays, far infrared rays, infrared rays and far infrared rays.

또한 상기 장치에서, 성막재료 표면의 활성화와 플라즈마에 의한 스퍼터링을 병행하여 행하여 피처리체에 성막할 때, 플라즈마상태를 관찰하는 플라즈마상태 관찰수단을 갖는 동시에, 그 관찰결과에 기초하여 성막재료 활성화수단의 출력 및/또는 고주파전원의 출력을 제어하는 플라즈마상태 제어수단 예컨대, 플라즈마상태 관찰수단으로서 발광분석장치를 이용하여, 그 데이터에 기초하여 각 출력을 제어하도록 하면, 성막재료가 클러스터화하였을 때에 그 클러스터가 일정 개수 내이도록 조정하면서 성막을 실시할 수 있다.Further, in the above apparatus, the plasma state observation means for observing the plasma state when the film is deposited on the target object by activating the surface of the film formation material and sputtering by plasma is carried out at the same time, and based on the observation result, Plasma state control means for controlling the output and / or the output of the high frequency power source, for example, using a light emission analyzer as the plasma state observation means to control each output based on the data. The film formation can be performed while adjusting the number to be within a predetermined number.

본 발명의 제 4 발명의 박막형성장치는 진공상태의 유지가 가능한 반응용기와, 반응용기 내를 소정압력으로 제어하는 압력제어수단과, 반응용기 내에 스퍼터링가스를 공급하는 가스도입구와, 성막재료가 유지되어 고주파전압의 인가가 가능한 성막재료 유지수단과, 스퍼터링에 의해 성막되는 피처리체를 성막재료 유지수단의 대향위치에 유지하는 피처리체 유지수단과, 성막재료 유지수단에 고주파전압을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 고주파전원과, 성막재료를 가열하기 위해 성막재료에 매설한 성막재료 가열수단을 갖고, 성막재료의 가열과 플라즈마에 의한 스퍼터링을 병행하여 행하여 피처리체에 성막하도록 구성한 것을 특징으로 한다.The thin film forming apparatus of the fourth aspect of the present invention includes a reaction vessel capable of maintaining a vacuum state, pressure control means for controlling the inside of the reaction vessel at a predetermined pressure, a gas inlet for supplying sputtering gas into the reaction vessel, and a film forming material. A film forming material holding means which is held to enable application of a high frequency voltage, a to-be-processed object holding means for holding an object to be formed by sputtering at an opposite position of the film-forming material holding means, and a plasma is applied by applying a high frequency voltage to the film-forming material holding means. And a high frequency power source to be generated, and a film forming material heating means embedded in the film forming material for heating the film forming material. The film is formed so as to form a film on the object to be processed by heating the film forming material and sputtering by plasma in parallel.

본 발명의 장치에 의하면, 제 2 발명의 방법을 각 구성수단에 의해 구체적으로 실현할 수 있다.According to the apparatus of the present invention, the method of the second invention can be concretely realized by each structural means.

또한, 상기 제 3, 제 4 발명의 각 장치에 있어서, 피처리체를 유지하는 피처리체 유지수단이 가열 가능하게 구성되면 적합하다.Moreover, in each apparatus of the said 3rd, 4th invention, it is suitable if the to-be-processed object holding means which hold | maintains a to-be-processed object is comprised so that heating is possible.

(실시예)(Example)

본 발명의 박막형성장치 및 방법의 실시예에 대하여 도 1∼도 4를 참조하여 구체적으로 설명한다.Embodiments of the thin film forming apparatus and method of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 4.

(제 1 실시예)(First embodiment)

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 기초하여, 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막이 되는 박막의 형성장치의 개략구성을 나타낸다. 반응용기(1)의 내부에는 기판(피처리체)(3)을 유지하고, 기판(3)을 필요에 따라 가열할 수 있는 히터(가열수단)를 구비한 스테이지(피처리체 유지수단)(2)가 설치되어 있다. 스테이지(2)의 대향위치에는 타겟(성막재료)(4)을 유지한 타겟유지대(성막재료 유지수단)(5)가 설치되어 있다. 타겟유지대(5)는 일반적으로 동(銅)제품이고, 성막 중의 온도상승을 피하기 위해 냉각수에 의해 냉각되어 있다. 타겟유지대(5)에는 전계에 직교하는 자계를 타겟(4) 표면에 발생시키는 자석(6)이 이면에 배치되고, 고주파전원(7)과 접속되어 고주파의 전압이 인가되었을 때, 타겟(4)의 표면에서 플라즈마를 발생시켜 산화마그네슘 등의 절연물의 타겟(4)으로도 효과적으로 스퍼터를 일으키게 할 수 있는 구성으로 되어 있다. 8은 플라즈마 생성용 스퍼터링 가스를 도입하는 가스도입구이고, 9는 반응용기(1) 내를 도시하지 않은 진공배기펌프에 의해 배기하는 배기포트이고, 10은 진공배기 후에 가스도입구(8)를 통하여 스퍼터링 가스를 도입한 상태로 반응용기(1) 내의 압력을 소정 압력으로 제어하는 압력제어밸브(압력제어수단)이다. 11은 플라즈마발생 중에 타겟(4) 표면을 활성화시키는 타겟 활성화수단(성막재료 활성화수단)이다.Fig. 1 shows a schematic configuration of a thin film forming apparatus serving as a protective film of a plasma display panel based on the first embodiment of the present invention. A stage (object to be processed) 2 which is provided with a heater (heating means) capable of holding a substrate (object to be processed) 3 and heating the substrate 3 as necessary inside the reaction vessel 1. Is installed. At the opposite positions of the stage 2, a target holding table (film forming material holding means) 5 holding the target (film forming material) 4 is provided. The target holder 5 is generally a copper product, and is cooled by cooling water in order to avoid temperature rise during film formation. The target holder 5 has a magnet 6 for generating a magnetic field orthogonal to an electric field on the surface of the target 4 on the rear surface thereof, and is connected to the high frequency power supply 7 to apply a high frequency voltage. Plasma is generated on the surface of the C) so as to effectively sputter the target 4 of an insulator such as magnesium oxide. 8 is a gas inlet for introducing a sputtering gas for plasma generation, 9 is an exhaust port for evacuating the inside of the reaction vessel 1 by a vacuum exhaust pump (not shown), and 10 is a gas inlet 8 after the vacuum exhaust. It is a pressure control valve (pressure control means) for controlling the pressure in the reaction vessel 1 to a predetermined pressure while introducing a sputtering gas therethrough. 11 is target activating means (film forming material activating means) for activating the surface of the target 4 during plasma generation.

이상과 같이 구성된 제 1 실시예의 박막형성장치의 동작에 대하여 설명한다. 우선, 스테이지(2)에 기판(3)을 실은 후, 가스도입구(8)로부터 스퍼터링 가스를 도입하고, 압력제어밸브(10)에 의해 배기포트(9)를 통해 반응용기(1) 내를 소정 압력으로 설정한다. 그 후, 타겟유지대(5)에 고주파전원(7)으로부터 고주파의 전압을 인가하면 플라즈마가 발생된다. 즉, 플라즈마 중의 스퍼터링 가스의 양의 이온이 음극이 되는 타겟유지대(5) 상의 타겟(4) 표면에 충돌하여, 타겟 원자를 튕겨낸다. 그리고, 튕겨난 타겟 원자를 양극이 되는 스테이지(2)에 유지된 기판(3) 상에 퇴적시켜 성막한다. 이 때, 전계에 직교하여 발생한 마그네트(6)의 자계에 의한 작용으로 플라즈마 밀도가 높은 부분이 발생하고, 이온의 타겟 충돌량이 증가하는 마그네트론 플라즈마 방전이 발생한다. 이 마그네트론 플라즈마 방전과 병행하여 성막재료 활성화수단(11)으로부터 타겟(4) 표면에 에너지를 조사하여 그 표면을 활성화함으로써, 도 4에 나타내는 바와 같이, 내스퍼터성 재료인 Mg0로부터 Mg 원자와 0 원자가 클러스터형상으로 스퍼터링되어, 고속이고 양질의 박막을 기판(3) 상에 성막 할 수 있다.The operation of the thin film forming apparatus of the first embodiment configured as described above will be described. First, after loading the substrate 3 on the stage 2, the sputtering gas is introduced from the gas inlet 8, and the pressure control valve 10 introduces the inside of the reaction vessel 1 through the exhaust port 9. Set to a predetermined pressure. Thereafter, plasma is generated when a high frequency voltage is applied from the high frequency power source 7 to the target holder 5. In other words, positive ions of the sputtering gas in the plasma collide with the surface of the target 4 on the target holder 5 serving as the cathode to bounce off target atoms. The bounced target atoms are deposited and deposited on the substrate 3 held on the stage 2 serving as an anode. At this time, a portion with high plasma density is generated by the magnetic field of the magnet 6 generated orthogonally to the electric field, and a magnetron plasma discharge is generated in which the target collision amount of ions increases. In parallel with the magnetron plasma discharge, energy is applied to the surface of the target 4 from the film forming material activating means 11 to activate the surface thereof. As shown in FIG. 4, Mg atoms and zero valences are derived from Mg0, which is a sputter resistant material. Sputtered in a cluster shape, it is possible to form a thin film of high speed and high quality on the substrate (3).

상기 제 1 실시예에 기초한 실시예 1을 이하에 나타낸다.Example 1 based on the said 1st Example is shown below.

반응용기(1) 내의 스테이지(2)에 기판(3)을 실은 후, 일단 반응용기(1) 내를 1 ×10-4Pa 정도까지 배기포트(9)를 통하여 진공배기를 행하였다. 타겟(4)으로는 MgO를 사용하였다. 가스도입구(8)로부터 플라즈마 생성용 스퍼터링 가스로서 아르곤 1Oml/min로 도입하고, 반응용기(1) 내의 압력을 압력제어밸브(10)에 의해 1.0Pa로 제어하였다. 그 후, 타겟유지대(5)에 고주파전원(7)으로부터 13.56㎒의 고주파 전압을 1.5kW 인가하여 마그네트론 플라즈마 방전을 발생시켰다. 이 마그네트론 플라즈마 방전과 병행하여 성막재료 활성화수단(11)에 KrF 엑시머레이저를 사용하고, 타겟(4) 표면에 레이저광을 조사하였다. 그렇게 하면 도 4에 나타내는 바와 같이, MgO가 클러스터형상으로 스퍼터링되고, 기판(3) 상에 성막속도 300nm/min로 성막 되었다.After loading the substrate 3 on the stage 2 in the reaction vessel 1, the vacuum vessel was once evacuated through the exhaust port 9 to about 1 × 10 −4 Pa in the reaction vessel 1. MgO was used as the target 4. Argon was introduced at 100 ml / min as the sputtering gas for plasma generation from the gas inlet 8, and the pressure in the reaction vessel 1 was controlled to 1.0 Pa by the pressure control valve 10. Thereafter, a high frequency voltage of 13.56 MHz was applied to the target holder 5 from the high frequency power source 7 to 1.5 kW to generate magnetron plasma discharge. In parallel with the magnetron plasma discharge, a KrF excimer laser was used for the film forming material activating means 11, and the laser beam was irradiated on the surface of the target 4. As a result, as shown in FIG. 4, MgO was sputtered in cluster form, and it formed into a film at the film-forming speed of 300 nm / min on the board | substrate 3. As shown in FIG.

성막과정에서의 Mg0 클러스터화의 관찰에는 발광분광분석을 사용하였다. 종래의 전자빔 증착법으로 스퍼터링한 경우는, 플라즈마 중의 아르곤 이온은 파장 330nm 부근에서의 발광이 주로 관찰되고, MgO는 파장 500nm 부근에서도 발광이 관찰되지 않았다. 이에 대하여 제 1 실시예의 스퍼터링을 행한 경우는, 성막과정에서 같은 발광분광분석을 한 결과, MgO는 파장 500nm 부근에서의 발광이 관찰되고, 도 4에 나타내는 바와 같이 MgO가 클러스터화하고 있는 것이 판명되었다.Luminescence spectroscopy was used to observe Mg0 clustering during the film formation. In the case of sputtering by the conventional electron beam vapor deposition method, light emission was observed mainly in the vicinity of wavelength 330nm for argon ions in plasma, and light emission was not observed even in the vicinity of wavelength 500nm for MgO. On the other hand, in the case of sputtering of the first embodiment, the same emission spectroscopic analysis was performed during the film formation, and as a result, MgO was observed to emit light at a wavelength of around 500 nm, and as shown in Fig. 4, MgO was clustered. .

실시예 1에 의해 형성된 산화마그네슘층의 박막의 막질은 광학 밴드갭값이 7.7eV, X선 해석에 의한 막구조는 (1, 0, 0) 및 (1, 1, 0)면에 우선배향하였다. 막질에 관해서는 광원파장 등을 변화시킴으로써, 배향성을 제어하는 것도 가능하다. 형성된 두께 0.5㎛의 산화마그네슘층을 유전체보호막으로 하여, 3전극 면방전방식에 의한 플라즈마 디스플레이 패널에 응용하였을 때의 방전성능은 방전개시전압이 150V이고, 양호한 특성을 나타내었다.In the film quality of the thin film of the magnesium oxide layer formed in Example 1, the optical band gap value was 7.7 eV, and the film structure by X-ray analysis was preferentially oriented on the (1, 0, 0) and (1, 1, 0) planes. As for the film quality, it is also possible to control the orientation by changing the light source wavelength or the like. When the magnesium oxide layer having a thickness of 0.5 mu m was used as the dielectric protective film, the discharge performance when the plasma display panel was applied to the three-electrode surface discharge method was 150 V, and exhibited good characteristics.

한편, 상기 제 1 실시예에서는 성막재료 활성화수단(11)으로서 KrF 엑시머레이저를 사용하였지만, 다른 레이저 예컨대, YAG 레이저, 자외선 램프, 근적외선 램프 또는 원적외선 램프 광원에 의한 광조사를 사용해도 같은 효과가 있다.On the other hand, in the first embodiment, the KrF excimer laser is used as the film forming material activating means 11, but the same effect can be achieved by using light irradiation with another laser such as a YAG laser, an ultraviolet lamp, a near infrared lamp or a far infrared lamp light source. .

(제 2 실시예)(Second embodiment)

도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 기초하여 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 박막형성장치의 개략구성을 나타낸다. 제 1 실시예와 같은 구성부분에는 동일부호를 붙인다.2 shows a schematic configuration of a protective film forming apparatus of a plasma display panel according to a second embodiment of the present invention. The same components as in the first embodiment are denoted by the same reference numerals.

반응용기(1)의 내부에는 기판(3)을 유지하고, 기판(3)을 필요에 따라 가열할 수 있는 히터를 구비한 스테이지(2)가 설치되어 있다. 스테이지(2)의 대향위치에는타겟(4)을 유지한 타겟유지대(5)가 설치되어 있다. 타겟유지대(5)는 일반적으로 동제품이고, 성막 중의 온도상승을 피하기 위해 냉각수에 의해 냉각되어 있다. 타겟유지대(5)에는 전계에 직교하는 자계를 타겟(4) 표면에 발생시키는 자석(6)이 이면에 배치되고, 고주파전원(7)과 접속되어 고주파의 전압이 인가되었을 때에, 타겟(4)의 표면에서 플라즈마를 발생시켜 산화마그네슘 등의 절연물의 타겟(4)으로도 효과적으로 스퍼터를 일으키게 할 수 있는 구성으로 되어 있다. 8은 플라즈마 생성용 스퍼터링 가스를 도입하는 가스도입구이고, 9는 반응용기(1) 내를 도시하지 않은 진공배기펌프에 의해 배기하는 배기포트이고, 10은 진공배기 후에 가스도입구(8)를 통하여 스퍼터링 가스를 도입한 상태로, 반응용기(1) 내의 압력을 소정 압력으로 제어하는 압력제어밸브이다. 21은 플라즈마 발생 중에 타겟(4)을 가열하는 가열히터(성막재료 가열수단)이고, 타겟(4)에 매설되어, 가열히터(21)용 전원(22)에 접속되어 있다.Inside the reaction vessel 1, a stage 2 is provided with a heater that holds the substrate 3 and can heat the substrate 3 as needed. In the opposing position of the stage 2, the target holding stand 5 holding the target 4 is provided. The target holding zone 5 is generally made of copper and is cooled by cooling water to avoid temperature rise during film formation. The target holder 5 has a magnet 6 which generates a magnetic field orthogonal to an electric field on the surface of the target 4, is arranged on the back side thereof, and is connected to the high frequency power source 7 so that a high frequency voltage is applied to the target 4. Plasma is generated on the surface of the C) so as to effectively sputter the target 4 of an insulator such as magnesium oxide. 8 is a gas inlet for introducing a sputtering gas for plasma generation, 9 is an exhaust port for evacuating the inside of the reaction vessel 1 by a vacuum exhaust pump (not shown), and 10 is a gas inlet 8 after the vacuum exhaust. It is a pressure control valve which controls the pressure in the reaction container 1 to predetermined pressure, in the state which introduce | transduced the sputtering gas through. 21 is a heating heater (film forming material heating means) for heating the target 4 during plasma generation, and is embedded in the target 4 and connected to the power supply 22 for the heating heater 21.

이상과 같이 구성된 제 2 실시예의 박막형성장치의 동작에 대하여 설명한다. 우선, 스테이지(2)에 기판(3)을 실은 후, 가스도입구(8)로부터 스퍼터링 가스를 도입하고, 압력제어밸브(10)에 의해 배기포트(9)를 통하여 반응용기(1) 내를 소정압력으로 설정한다. 그 후, 타겟유지대(5)에 고주파전원(7)으로부터 고주파의 전압을 인가하면 플라즈마가 발생한다. 즉, 플라즈마 중의 스퍼터링 가스의 양의 이온이 음극이 되는 타겟유지대(5) 상의 타겟(4) 표면에 충돌하여, 타겟원자를 튕겨낸다. 그리고, 튕겨난 타겟 원자를 양극이 되는 스테이지(2)에 유지된 기판(3) 상에 퇴적시켜 성막한다. 이 때, 전계에 직교하여 발생한 마그네트(6)의 자계에 의한 작용으로 플라즈마 밀도가 높은 부분이 발생하고, 이온의 타겟 충돌량이 증가하는 마그네트론 플라즈마 방전이 발생한다. 이 마그네트론 플라즈마 방전과 병행하여 성막재료가열히터(21)에서 타겟(4)을 가열함으로써, 도 4에 나타내는 바와 같이, 내스퍼터성 재료인 Mg0로부터 Mg 원자와 0 원자가 클러스터형상으로 스퍼터링되어, 고속이고 양질의 박막을 기판(3) 상에 성막할 수 있다.The operation of the thin film forming apparatus of the second embodiment configured as described above will be described. First, after loading the substrate 3 on the stage 2, the sputtering gas is introduced from the gas inlet 8, and the pressure control valve 10 introduces the inside of the reaction vessel 1 through the exhaust port 9. Set to the predetermined pressure. Thereafter, plasma is generated when a high frequency voltage is applied from the high frequency power source 7 to the target holder 5. In other words, positive ions of the sputtering gas in the plasma collide with the surface of the target 4 on the target holder 5 serving as the cathode, and bounce off the target atoms. The bounced target atoms are deposited and deposited on the substrate 3 held on the stage 2 serving as an anode. At this time, a portion with high plasma density is generated by the magnetic field of the magnet 6 generated orthogonally to the electric field, and a magnetron plasma discharge is generated in which the target collision amount of ions increases. By heating the target 4 in the film-forming material heating heater 21 in parallel with the magnetron plasma discharge, as shown in FIG. 4, Mg atoms and 0 atoms are sputtered in a cluster form from Mg0, which is a sputter resistant material, at high speed. A thin film of good quality can be formed on the substrate 3.

상기 제 2 실시예에 기초한 실시예 2를 이하에 나타낸다.Example 2 based on the said 2nd Example is shown below.

반응용기(1) 내의 스테이지(2)에 기판(3)을 실은 후, 일단 반응용기(1) 내를 1×10-4Pa 정도까지 배기포트(9)를 통하여 진공배기를 하였다. 타겟(4)으로는 MgO를 사용하였다. 가스도입구(8)로부터 플라즈마 생성용 스퍼터링 가스로서 아르곤 1Oml/min로 도입하고, 반응용기(1) 내의 압력을 압력제어밸브(1O)에 의해 1.0Pa로 제어하였다. 그 후, 타겟유지대(5)에 고주파전원(7)으로부터 13.56㎒의 고주파의 전압을 1.5kW 인가하여 마그네트론 플라즈마 방전을 발생시켰다. 이 마그네트론 플라즈마 방전과 병행하여 성막재료 가열히터(21)를 사용하고, 타겟(4)을 600℃ 이상으로 가열하였다. 그렇게 하면 도 4에 나타내는 바와 같이, Mg0가 클러스터형상으로 스퍼터링되고, 기판(3) 상에 성막속도 300nm/min로 성막되었다.After loading the substrate 3 on the stage 2 in the reaction vessel 1, the inside of the reaction vessel 1 was evacuated through the exhaust port 9 to about 1 × 10 −4 Pa. MgO was used as the target 4. Argon was introduced at 10 ml / min as the sputtering gas for plasma generation from the gas inlet 8, and the pressure in the reaction vessel 1 was controlled to 1.0 Pa by the pressure control valve 10. Thereafter, 1.5 kW of high frequency voltage of 13.56 MHz was applied from the high frequency power source 7 to the target holding zone 5 to generate magnetron plasma discharge. In parallel with this magnetron plasma discharge, the film-forming material heating heater 21 was used, and the target 4 was heated to 600 degreeC or more. As a result, as shown in FIG. 4, Mg0 was sputtered in a cluster shape and formed on the substrate 3 at a film formation rate of 300 nm / min.

성막과정에서의 Mg0 클러스터화의 관찰에는 발광분광분석을 사용하였다. 종래의 전자빔 증착법으로 스퍼터링한 경우는, 플라즈마 중의 아르곤 이온은 파장 330nm 부근에서의 발광이 주로 관찰되고, MgO는 파장 500nm 부근에서도 발광이 관찰되지 않았다. 이에 대하여 제 2 실시예의 스퍼터링을 행한 경우는, 성막과정에서같은 발광분광분석을 한 결과, MgO는 파장 500nm 부근에서의 발광이 관찰되고, 도 4에 나타내는 바와 같이 Mg0가 클러스터화하고 있는 것이 판명되었다.Luminescence spectroscopy was used to observe Mg0 clustering during the film formation. In the case of sputtering by the conventional electron beam vapor deposition method, light emission was observed mainly in the vicinity of wavelength 330nm for argon ions in plasma, and light emission was not observed even in the vicinity of wavelength 500nm for MgO. On the other hand, in the case of sputtering of the second embodiment, the same luminescence spectroscopy analysis was performed in the film formation process, and as a result, MgO was observed to emit light at a wavelength of around 500 nm, and as shown in Fig. 4, Mg0 was clustered. .

실시예 2에 의해 형성된 산화마그네슘층의 박막의 막질은 광학 밴드갭값이 7.7eV, X선 해석에 의한 막구조는 (1, 0, 0) 및 (1, 1, 0)면에 우선배향하였다. 막질에 관해서는 성막온도 등을 변화시킴으로써, 배향성을 제어하는 것도 가능하다. 형성된 두께 0.5㎛의 산화마그네슘층을 유전체 보호막으로 하여, 3전극 면방전방식에 의한 플라즈마 디스플레이 패널에 응용하였을 때의 방전성능은 방전개시전압이 150V이고, 양호한 특성을 나타내었다.In the film quality of the thin film of the magnesium oxide layer formed in Example 2, the optical band gap value was 7.7 eV, and the film structure by X-ray analysis was preferentially oriented on the (1, 0, 0) and (1, 1, 0) planes. Regarding the film quality, the orientation can be controlled by changing the film formation temperature and the like. When the magnesium oxide layer having a thickness of 0.5 mu m was used as the dielectric protective film, the discharge performance when the plasma display panel was applied to the three-electrode surface discharge method was 150 V, and exhibited good characteristics.

한편, 상기 제 2 실시예에서는, 성막재료 가열수단으로서 히터를 사용하였지만, 열전소자를 사용하더라도 같은 효과가 있다.On the other hand, in the second embodiment, although a heater is used as the film forming material heating means, the same effect is obtained even when a thermoelectric element is used.

(제 3 실시예)(Third embodiment)

도 3은 본 발명의 제 3 실시예에 기초하여 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막의 박막형성장치의 개략구성을 나타내고 있다. 제 1 실시예와 같은 구성부분에는 동일부호를 붙인다.3 shows a schematic configuration of a thin film forming apparatus of a protective film of a plasma display panel based on a third embodiment of the present invention. The same components as in the first embodiment are denoted by the same reference numerals.

반응용기(1)의 내부에는 기판(3)을 유지하여 기판(3)을 필요에 따라 가열할 수 있는 히터를 구비한 스테이지(2)가 설치되어 있다. 스테이지(2)의 대향위치에는 타겟(4)을 유지한 타겟유지대(5)가 설치되어 있다. 타겟유지대(5)는 일반적으로 동제품이고, 성막 중의 온도상승을 피하기 위해 냉각수에 의해 냉각되어 있다. 타겟유지대(5)에는 전계에 직교하는 자계를 타겟(4) 표면에 발생시키는 자석(6)이 이면에 배치되고, 고주파전원(7)과 접속되어 고주파의 전압이 인가되었을 때, 타겟(4)의 표면에서 플라즈마를 발생시켜 산화마그네슘 등의 절연물의 타겟(4)으로도 효과적으로 스퍼터를 일으키게 할 수 있는 구성으로 되어 있다. 8은 플라즈마 생성용 스퍼터링 가스를 도입하는 가스도입구이고, 9는 반응용기(1) 내를 도시하지 않은 진공배기펌프에 의해 배기하는 배기포트이고, 10은 진공배기 후에 가스도입구(8)를 통하여 스퍼터링 가스를 도입한 상태로, 반응용기(1) 내의 압력을 소정의 압력으로 제어하는 압력제어밸브이다. 11은 플라즈마 발생 중에 타겟(4) 표면을 활성화시키는 타겟 활성화수단이고, 31은 타겟(4) 표면의 플라즈마 방전상태를 관찰하는 발광분광 분석장치(플라즈마상태 관찰수단)이다. 발광분광 분석장치는 타겟(4)으로부터 스퍼터된 타겟원자가 플라즈마 내에서 여기되어, 그 원소 고유의 파장의 광을 발생하므로, 그 발광 스펙트럼 강도를 분광하여 검출 ·측정하는 것이다. 발광분광 분석장치(31)의 관찰에 기초하여 타겟 활성화수단의 출력조정기(플라즈마상태 제어수단)(32)에 의해 타겟 활성화수단(11)의 출력을 조정한다. 한편, 플라즈마상태 제어수단으로서 고주파전원(7)의 전원에 접속시켜 그 출력 조정까지도 겸하도록 구성하고, 발광분광 분석장치(31)와 고주파전원(7)의 양쪽 또는 어느 한쪽을 제어하도록 해도 된다.Inside the reaction vessel 1, a stage 2 having a heater capable of holding the substrate 3 and heating the substrate 3 as necessary is provided. At the opposite position of the stage 2, the target holding stand 5 holding the target 4 is provided. The target holding zone 5 is generally made of copper and is cooled by cooling water to avoid temperature rise during film formation. The target holder 5 has a magnet 6 for generating a magnetic field orthogonal to an electric field on the surface of the target 4 on the rear surface thereof, and is connected to the high frequency power supply 7 to apply a high frequency voltage. Plasma is generated on the surface of the C) so as to effectively sputter the target 4 of an insulator such as magnesium oxide. 8 is a gas inlet for introducing a sputtering gas for plasma generation, 9 is an exhaust port for evacuating the inside of the reaction vessel 1 by a vacuum exhaust pump (not shown), and 10 is a gas inlet 8 after the vacuum exhaust. It is a pressure control valve which controls the pressure in the reaction container 1 to predetermined pressure, in the state which introduce | transduced the sputtering gas through. 11 is target activating means for activating the surface of the target 4 during plasma generation, and 31 is a luminescence spectroscopic analyzer (plasma state observing means) for observing the plasma discharge state on the surface of the target 4. In the luminescence spectroscopy apparatus, since target atoms sputtered from the target 4 are excited in the plasma to generate light having a wavelength inherent to the element, the luminescence spectral intensity is spectroscopically detected and measured. The output of the target activating means 11 is adjusted by the output regulator (plasma state control means) 32 of the target activating means based on the observation of the luminescence spectroscopic analyzer 31. On the other hand, the plasma state control means may be connected to a power source of the high frequency power source 7 to control the output thereof, and both or one of the light emission spectrometer 31 and the high frequency power source 7 may be controlled.

이상과 같이 구성된 제 3 실시예의 박막형성장치의 동작에 대하여 설명한다. 우선, 스테이지(2)에 기판(3)을 실은 후, 가스도입구(8)로부터 스퍼터링 가스를 도입하고, 압력제어밸브(10)에 의해 배기포트(9)를 통하여 반응용기(1) 내를 소정의 압력으로 설정한다. 그 후, 타겟유지대(5)에 고주파전원(7)으로부터 고주파의 전압을 인가하면 플라즈마가 발생한다. 즉, 플라즈마 중의 스퍼터링 가스의 양의 이온이 음극이 되는 타겟유지대(5) 상의 타겟(4) 표면에 충돌하여, 타겟원자를 튕겨낸다. 그리고, 튕겨난 타겟 원자를 양극이 되는 스테이지(2)에 유지된 기판(3) 상에 퇴적시켜 성막한다. 이 때, 전계에 직교하여 발생한 마그네트(6)의 자계에 의한 작용으로 플라즈마 밀도가 높은 부분이 발생하여, 이온의 타겟 충돌량이 증가하는 마그네트론 플라즈마 방전이 발생한다. 이 마그네트론 플라즈마 방전과 병행하여 성막재료 활성화수단(11)에서 타겟(4) 표면에 에너지를 조사한다. 이 때, 발광분광 분석장치(31)에서 플라즈마 상태를 관찰하면서 출력조정기(32)(고주파전원(7)의 출력조정기를 겸해도 된다)에서 성막재료 활성화수단(11)이나 고주파전원(7)의 출력을 조정함으로써, 도 4에 나타내는 바와 같이, 내스퍼터성 재료인 Mg0로부터 임의의 개수의 Mg 원자와 0 원자가 클러스터형상으로 스퍼터링되어, 고속이고 양질의 박막을 기판(3) 상에 성막할 수 있다.The operation of the thin film forming apparatus of the third embodiment configured as described above will be described. First, after loading the substrate 3 on the stage 2, the sputtering gas is introduced from the gas inlet 8, and the pressure control valve 10 introduces the inside of the reaction vessel 1 through the exhaust port 9. Set to a predetermined pressure. Thereafter, plasma is generated when a high frequency voltage is applied from the high frequency power source 7 to the target holder 5. In other words, positive ions of the sputtering gas in the plasma collide with the surface of the target 4 on the target holder 5 serving as the cathode, and bounce off the target atoms. The bounced target atoms are deposited and deposited on the substrate 3 held on the stage 2 serving as an anode. At this time, a portion with high plasma density is generated by the action of the magnetic field of the magnet 6 generated orthogonal to the electric field, and a magnetron plasma discharge is generated in which the target collision amount of ions increases. In parallel with this magnetron plasma discharge, energy is irradiated to the surface of the target 4 by the film-forming material activation means 11. At this time, the luminescence spectroscopy analyzer 31 observes the plasma state, and the output regulator 32 (which may also serve as the output regulator of the high frequency power source 7) of the film forming material activating means 11 or the high frequency power source 7 can be used. By adjusting the output, as shown in Fig. 4, any number of Mg atoms and 0 atoms are sputtered in a cluster form from Mg0, which is a sputter resistant material, to form a high-speed, high-quality thin film on the substrate 3. .

상기 제 3 실시예에 기초한 실시예 3을 이하에 나타낸다.Example 3 based on the said 3rd Example is shown below.

반응용기(1) 내의 스테이지(2)에 기판(3)을 실은 후, 일단 반응용기(1) 내를 1 ×10-4Pa 정도까지 배기포트(9)를 통해 진공배기를 하였다. 타겟(4)으로는 MgO를 사용하였다. 가스도입구(8)로부터 플라즈마 생성용 스퍼터링 가스로서 아르곤 1Oml/min로 도입하고, 반응용기(1) 내의 압력을 압력제어밸브(1O)에 의해 1.0Pa로 제어하였다. 그 후, 타겟유지대(5)에 고주파전원(7)으로부터 13.56㎒의 고주파의 전압을 1.5kW 인가하여 마그네트론 플라즈마 방전을 발생시켰다. 이 마그네트론 플라즈마 방전과 병행하여 성막재료 활성화수단(11)에 KrF 엑시머레이저를 사용하여타겟(4) 표면에 조사하였다. 그렇게 하면 도 4에 나타내는 바와 같이, MgO가 클러스터형상으로 스퍼터링되고, 기판(3) 상에 성막속도 300∼500nm/min로 성막되었다.After loading the substrate 3 on the stage 2 in the reaction vessel 1, the inside of the reaction vessel 1 was evacuated through the exhaust port 9 to about 1 × 10 −4 Pa. MgO was used as the target 4. Argon was introduced at 10 ml / min as the sputtering gas for plasma generation from the gas inlet 8, and the pressure in the reaction vessel 1 was controlled to 1.0 Pa by the pressure control valve 10. Thereafter, 1.5 kW of high frequency voltage of 13.56 MHz was applied from the high frequency power source 7 to the target holding zone 5 to generate magnetron plasma discharge. In parallel with the magnetron plasma discharge, the film formation material activating means 11 was irradiated onto the surface of the target 4 using a KrF excimer laser. Then, as shown in FIG. 4, MgO was sputter | spattered in cluster shape, and it formed into a film on the board | substrate 3 at the film-forming speed of 300-500 nm / min.

성막과정에서의 MgO 클러스터화의 관찰에는 발광분광 분석장치(31)를 사용하였다. 종래의 전자빔 증착법으로 스퍼터링한 경우는, 플라즈마 중의 아르곤 이온은 파장 330nm 부근에서의 발광이 주로 관찰되고, MgO는 파장 500nm 부근에서도 발광이 관찰되지 않았다. 이에 대하여 제 3 실시예에 있어서, 같은 발광분광분석을 하면서, 성막과정에서 파장 500nm 부근의 MgO의 발광이 일정해지도록 KrF 엑시머 레이저광원의 출력이나 고주파전원(7)의 출력을 조정하면서 스퍼터링한 경우는, 도 4에 나타내는 바와 같은 Mg0의 클러스터가 일정 개수 내이도록 성막을 실시할 수 있었다.The luminescence spectroscopy analyzer 31 was used for the observation of MgO clustering during the film formation process. In the case of sputtering by the conventional electron beam vapor deposition method, light emission was observed mainly in the vicinity of wavelength 330nm for argon ions in plasma, and light emission was not observed even in the vicinity of wavelength 500nm for MgO. On the other hand, in the third embodiment, sputtering is performed while adjusting the output of the KrF excimer laser light source or the output of the high frequency power supply 7 so that the emission of MgO near the wavelength of 500 nm is constant during the film formation process while performing the same emission spectroscopic analysis. The film formation could be performed so that the cluster of Mg0 as shown in FIG. 4 was in a certain number.

실시예 3에 의해 형성된 산화 마그네슘층의 박막의 막질은 광학 밴드갭값이 7.7eV, X선 해석에 의한 막구조는 (1, 0, 0) 및 (1, 1, 0)면에 우선배향하였다. 막질에 관해서는 성막온도 등을 변화시킴으로써, 배향성을 제어하는 것도 가능하다. 형성된 두께 0.5㎛의 산화마그네슘층을 유전체 보호막으로 하여, 3전극 면방전방식에 의한 플라즈마 디스플레이 패널에 응용하였을 때의 방전성능은 방전개시전압이 150V이고, 양호한 특성을 나타내었다.In the film quality of the thin film of the magnesium oxide layer formed in Example 3, the optical band gap value was 7.7 eV, and the film structure by X-ray analysis was preferentially oriented on the (1, 0, 0) and (1, 1, 0) planes. Regarding the film quality, the orientation can be controlled by changing the film formation temperature and the like. When the magnesium oxide layer having a thickness of 0.5 mu m was used as the dielectric protective film, the discharge performance when the plasma display panel was applied to the three-electrode surface discharge method was 150 V, and exhibited good characteristics.

한편, 상기 제 3 실시예에서는, KrF 엑시머 레이저를 사용하였지만, 다른 레이저 예컨대, YAG 레이저, 자외선 램프, 근적외선 램프 혹은 적외선 램프 광원에 의한 광조사를 사용해도 같은 효과가 있다.On the other hand, in the third embodiment, although a KrF excimer laser is used, the same effect can be obtained by using light irradiation with another laser such as a YAG laser, an ultraviolet lamp, a near infrared lamp or an infrared lamp light source.

상술한 설명에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 의하면, 타겟 표면을 활성화시키면서 플라즈마에 의한 스퍼터링을 행하고, 클러스터화한 Mg0를 기판에 퇴적시켜 성막속도가 빠르고 낮은 비용으로 양질의 보호막(박막)을 형성함으로써, 플라즈마 디스플레이 패널의 저전압화와 발광효율의 향상을 도모할 수 있는 박막형성방법 및 장치를 제공할 수 있다.As can be seen from the above description, according to the present invention, sputtering by plasma is performed while activating a target surface, and clustered Mg0 is deposited on a substrate to form a high-quality protective film (thin film) at a fast and low cost. Formation can provide a thin film forming method and apparatus capable of lowering the voltage of the plasma display panel and improving the luminous efficiency.

Claims (16)

반응용기 내를 배기하여 진공상태로 하는 동시에 스퍼터링 가스를 도입한 상태로 반응용기 내를 소정압력으로 제어하고, 성막재료를 유지한 성막재료 유지수단에 고주파전압을 인가하여 플라즈마를 발생시키고, 성막재료 표면을 활성화시키면서 플라즈마에 의해 성막재료를 스퍼터링함으로써 성막재료를 클러스터화시키고, 그 클러스터화된 성막재료를 피처리체에 퇴적시켜 성막하는 것을 특징으로 하는 박막형성방법.The reaction vessel is evacuated to a vacuum state, and the inside of the reaction vessel is controlled to a predetermined pressure while a sputtering gas is introduced, and a plasma is generated by applying a high frequency voltage to the deposition material holding means holding the deposition material. A method of forming a thin film, characterized in that the film forming material is clustered by sputtering the film forming material by plasma while activating the surface, and the clustered film forming material is deposited on the object to be treated to form a film. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 성막재료 표면을 활성화시키는 방법이 레이저광의 조사인 것을 특징으로 하는 박막형성방법.A method of forming a thin film, characterized in that the method of activating the surface of the film forming material is irradiation of laser light. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 레이저의 광원이 KrF, ArF 등의 엑시머레이저, YAG 레이저의 제 2 또는 제 3 고조파, LD 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막형성방법.And a light source of the laser is any one of an excimer laser such as KrF and ArF, the second or third harmonic of the YAG laser, and LD. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 성막재료 표면을 활성화시키는 방법이 램프광의 조사인 것을 특징으로 하는 박막형성방법.A method of activating a film formation material surface is a method of forming a thin film, characterized in that the irradiation of lamp light. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 램프의 광원이 자외선, 원자외선, 적외선, 원적외선 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막형성방법.Thin film formation method, characterized in that the light source of the lamp is any one of ultraviolet rays, far infrared rays, infrared rays, far infrared rays. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 5, 클러스터화된 성막재료를 피처리체에 퇴적시킬 때 성막재료 표면의 활성화 및/또는 플라즈마의 강도를 제어하면서 성막하는 것을 특징으로 하는 박막형성방법.And depositing the clustered film forming material on the object to be processed while controlling the activation of the surface of the film forming material and / or the intensity of the plasma. 반응용기 내를 배기하여 진공상태로 하는 동시에 스퍼터링 가스를 도입한 상태로 반응용기 내를 소정압력으로 제어하고, 성막재료를 유지한 성막재료 유지수단에 고주파전압을 인가하여 플라즈마를 발생시키고, 성막재료에 매설된 가열수단에 의해 성막재료를 가열하면서 플라즈마에 의해 성막재료를 스퍼터링함으로써 성막재료를 클러스터화시키고, 그 클러스터화된 성막재료를 피처리체에 퇴적시켜 성막하는 것을 특징으로 하는 박막형성방법.The reaction vessel is evacuated to a vacuum state, and the inside of the reaction vessel is controlled to a predetermined pressure while a sputtering gas is introduced, and a plasma is generated by applying a high frequency voltage to the deposition material holding means holding the deposition material. A method of forming a thin film, characterized in that the film forming material is clustered by sputtering the film forming material by plasma while the film forming material is heated by heating means embedded in the film, and the clustered film forming material is deposited on the object to be treated to form a film. 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 7, 피처리체를 가열 가능하게 유지하고 있는 것을 특징으로 하는 박막형성방법.The thin film formation method characterized by holding the to-be-processed object heatable. 진공상태의 유지가 가능한 반응용기와, 반응용기 내를 소정의 압력으로 제어하는 압력제어수단과, 반응용기 내에 스퍼터링 가스를 공급하는 가스도입구와, 성막재료가 유지되어 고주파전압의 인가가 가능한 성막재료 유지수단과, 스퍼터링에 의해 성막되는 피처리체를 성막재료 유지수단의 대향위치에 유지하는 피처리체 유지수단과, 성막재료 유지수단에 고주파전압을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 고주파전원과, 성막재료 표면을 활성화시키는 성막재료 활성화수단을 갖고, 성막재료 표면의 활성화와 플라즈마에 의한 스퍼터링을 병행하여 행하여 피처리체에 성막하도록 구성한 것을 특징으로 하는 박막형성장치.A reaction vessel capable of maintaining a vacuum state, pressure control means for controlling the inside of the reaction vessel to a predetermined pressure, a gas inlet for supplying a sputtering gas into the reaction vessel, and a film formation material capable of applying high frequency voltage The material holding means, the object holding means for holding the object to be formed by sputtering at opposing positions of the film forming material holding means, a high frequency power source for generating a plasma by applying a high frequency voltage to the film forming material holding means, and the film material surface. And a film forming material activating means for activating the film forming material, the film forming apparatus being configured to perform film formation on the object to be processed in parallel with the activation of the film forming material surface and the sputtering by plasma. 제 9항에 있어서,The method of claim 9, 성막재료 활성화수단이 레이저인 것을 특징으로 하는 박막형성장치.Thin film forming apparatus, characterized in that the film forming material activation means is a laser. 제 10항에 있어서,The method of claim 10, 레이저의 광원이 KrF, ArF 등의 엑시머레이저, YAG 레이저의 제 2 또는 제 3 고조파, LD 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막형성장치.The light source of the laser is any one of an excimer laser such as KrF and ArF, the second or third harmonic of the YAG laser, and LD. 제 9항에 있어서,The method of claim 9, 성막재료 활성화수단이 램프인 것을 특징으로 하는 박막형성장치.Thin film forming apparatus, characterized in that the film forming material activation means is a lamp. 제 12항에 있어서,The method of claim 12, 램프의 광원이 자외선, 원자외선, 적외선, 원적외선 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막형성장치.A thin film forming apparatus, characterized in that the light source of the lamp is any one of ultraviolet rays, far infrared rays, infrared rays, and far infrared rays. 제 9항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 9 to 13, 성막재료 표면의 활성화와 플라즈마에 의한 스퍼터링을 병행하여 행하여 피처리체에 성막할 때, 플라즈마상태를 관찰하는 플라즈마상태 관찰수단을 갖는 동시에, 그 관찰결과에 기초하여 성막재료 활성화수단의 출력 및/또는 고주파전원의 출력을 제어하는 플라즈마상태 제어수단을 갖는 것을 특징으로 하는 박막형성장치.The plasma state observation means for observing the plasma state when the film deposition material is formed by performing the activation of the surface of the film formation material and the sputtering by plasma simultaneously, and at the same time based on the observation result, the output and / or high frequency of the film material activation means. And a plasma state control means for controlling the output of the power supply. 진공상태의 유지가 가능한 반응용기와, 반응용기 내를 소정압력으로 제어하는 압력제어수단과, 반응용기 내에 스퍼터링가스를 공급하는 가스도입구와, 성막재료가 유지되어 고주파전압의 인가가 가능한 성막재료 유지수단과, 스퍼터링에 의해 성막되는 피처리체를 성막재료 유지수단의 대향위치에 유지하는 피처리체 유지수단과, 성막재료 유지수단에 고주파전압을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 고주파전원과, 성막재료를 가열하기 위해 성막재료에 매설한 성막재료 가열수단을 갖고, 성막재료의 가열과 플라즈마에 의한 스퍼터링을 병행하여 행하여 피처리체에 성막하도록 구성한 것을 특징으로 하는 박막형성장치.A reaction vessel capable of maintaining a vacuum state, pressure control means for controlling the inside of the reaction vessel at a predetermined pressure, a gas inlet for supplying sputtering gas into the reaction vessel, and a film formation material capable of applying a high frequency voltage to the film formation material. A holding means, an object holding means for holding the object to be formed by sputtering at an opposite position of the film forming material holding means, a high frequency power source for generating a plasma by applying a high frequency voltage to the film forming material holding means, and heating the film forming material. And a film-forming material heating means embedded in the film-forming material for forming the film on the object to be processed in parallel with the heating of the film-forming material and sputtering by plasma. 제 9항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 9 to 15, 피처리체를 유지하는 피처리체 유지수단이 가열 가능하게 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막형성장치.A thin film forming apparatus, wherein: a target holding means for holding a target is configured to be heatable.
KR1020010084670A 2000-12-26 2001-12-26 Method and apparatus for forming thin film KR20020053010A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000394288A JP3874607B2 (en) 2000-12-26 2000-12-26 Thin film formation method
JPJP-P-2000-00394288 2000-12-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20020053010A true KR20020053010A (en) 2002-07-04

Family

ID=18859936

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010084670A KR20020053010A (en) 2000-12-26 2001-12-26 Method and apparatus for forming thin film

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP3874607B2 (en)
KR (1) KR20020053010A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040082814A (en) * 2003-03-20 2004-09-30 엘지전자 주식회사 Thin film oxide deposition method for Plasma Display Panel
KR100739140B1 (en) * 2005-04-07 2007-07-13 엘지전자 주식회사 Manufacturing method of plasma display panel device

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5235214B2 (en) * 2008-06-16 2013-07-10 株式会社アルバック Plasma display panel manufacturing method and film forming apparatus
US10937672B2 (en) 2015-10-09 2021-03-02 Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. Heating device and heating chamber

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6055946A (en) * 1983-09-04 1985-04-01 土倉　満 Improvement in sanitary napkin
JPH02209479A (en) * 1989-02-10 1990-08-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd Laser sputtering device
JPH04119982A (en) * 1990-09-11 1992-04-21 Sumitomo Electric Ind Ltd Production of boron nitride film
JPH08109469A (en) * 1994-10-12 1996-04-30 Sumitomo Electric Ind Ltd Production of metallic oxide thin film
JPH10130828A (en) * 1996-10-31 1998-05-19 Mitsubishi Materials Corp Mgo target and its production
JPH10183335A (en) * 1996-12-20 1998-07-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacture of magnesium oxide film and its manufacturing device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6055946A (en) * 1983-09-04 1985-04-01 土倉　満 Improvement in sanitary napkin
JPH02209479A (en) * 1989-02-10 1990-08-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd Laser sputtering device
JPH04119982A (en) * 1990-09-11 1992-04-21 Sumitomo Electric Ind Ltd Production of boron nitride film
JPH08109469A (en) * 1994-10-12 1996-04-30 Sumitomo Electric Ind Ltd Production of metallic oxide thin film
JPH10130828A (en) * 1996-10-31 1998-05-19 Mitsubishi Materials Corp Mgo target and its production
JPH10183335A (en) * 1996-12-20 1998-07-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacture of magnesium oxide film and its manufacturing device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040082814A (en) * 2003-03-20 2004-09-30 엘지전자 주식회사 Thin film oxide deposition method for Plasma Display Panel
KR100739140B1 (en) * 2005-04-07 2007-07-13 엘지전자 주식회사 Manufacturing method of plasma display panel device

Also Published As

Publication number Publication date
JP3874607B2 (en) 2007-01-31
JP2002194539A (en) 2002-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20110011737A1 (en) High-power pulse magnetron sputtering apparatus and surface treatment apparatus using the same
US7678241B2 (en) Film forming apparatus, substrate for forming oxide thin film and production method thereof
WO2004055233A1 (en) Transparent conductive film and film forming method therefor
US20090277781A1 (en) Magnetron sputtering apparatus and method for manufacturing thin film
WO2008044474A1 (en) Method for forming transparent conductive film
JP3836184B2 (en) Method for manufacturing magnesium oxide film
JP4240471B2 (en) Method for forming transparent conductive film
KR20020053010A (en) Method and apparatus for forming thin film
US6083356A (en) Method and device for pre-treatment of substrates
KR101117261B1 (en) Method and apparatus for forming of semiconductor material quantum dots in the dielectric thin film
TWI381063B (en) High-power pulse magnetron sputtering apparatus and surface treatment apparatus
JP2009256747A (en) Magnetron sputtering system, and method of manufacturing thin film
JP2004197207A (en) Thin film deposition system
US5631050A (en) Process of depositing thin film coatings
US6057233A (en) Process for producing thin film
JPH0992133A (en) Manufacture of plasma display panel
JP3865841B2 (en) Electron beam evaporation system
CN101864559B (en) Grid mesh magnetron sputtering hafnium evaporation method
JP3775851B2 (en) Vapor deposition apparatus and protective film manufacturing method
RU2759822C1 (en) Method for applying an anti-emission coating of pyrolytic carbon to grid electrodes of powerful electric vacuum devices
JP2000087249A (en) Thin film forming device and method
JPS61174726A (en) Formation of thin film
KR930008340B1 (en) Sputtering device
KR20040021190A (en) Evaporation System of MgO Layer Using Inductively Coupled Plasma on PDP And Method Thereof
JPH0672300B2 (en) Hybrid ion plating device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial
E801 Decision on dismissal of amendment
J121 Written withdrawal of request for trial