KR20020047432A - 광 감지소자 - Google Patents

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KR20020047432A
KR20020047432A KR1020000075823A KR20000075823A KR20020047432A KR 20020047432 A KR20020047432 A KR 20020047432A KR 1020000075823 A KR1020000075823 A KR 1020000075823A KR 20000075823 A KR20000075823 A KR 20000075823A KR 20020047432 A KR20020047432 A KR 20020047432A
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KR1020000075823A
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윤태환
이재균
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구본준, 론 위라하디락사
엘지.필립스 엘시디 주식회사
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Abstract

본 발명은 광 감지소자(optical sensor)에 관한 것으로 특히, 피사체에 반사된 빛에 의해 광전류를 유발하고 이를 영상신호화 하여 이미지를 읽어들이는 이미지 감지소자에 관한 것이다.
상기 광을 이용한 이미지 감지소자는 고 집적형 박막트랜지스터 또는 다이오드가 구성된 센서 어레이기판과, 센서 어레이기판에 연결되는 리드아웃회로(readout circuit)로 구성된다.
이때, 상기 리드아웃 회로는 영상신호 출력 후 상기 센서 어레이기판 의 전하 충전부(스토리지 커패시터(storage capacitor))에 남아있는 잔류전하를 제거(clear)하는 기능을 더욱 포함하여, 잔상이 발생하지 않아 신뢰성 있는 이미지 센서를 제작할 수 있다.

Description

광 감지소자{optical sensor}
본 발명은 광 감지소자에 관한 것으로, 특히 피사체에 반사된 빛에 의해 광전류를 유발하여 이를 영상신호화 하는 이미지 센서에 관한 것이다.
일반적으로, 이미지(image)를 감지하기 위한 광 감지소자(optical sensing device)는 엑스레이 검출장치(X-ray detector), 지문센서(fingerprint sensor), 명함리더(name card reader)등 그 응용범위가 매우 다양하다.
이러한 광 감지소자는 피사체에 빛을 쏘이고, 피사체에서 반사된 빛으로 광전류(photo current)를 생성하여 다양한 값의 광 전류에 의한 영상신호를 해석하여 표시화면에 영상을 구현하는 방식으로 동작하게 된다.
다양한 구조와 방식으로 광 감지소자들이 제작되고 있는 가운데 최근에는 박막트랜지스터 어레이기판을 이용한 광 감지소자가 제안되고 있다.
상기 센서 어레이기판(sensor array substrate)은 기본적으로 광을 감지하여 전류를 유발하는 센서 박막트랜지스터(sensor thin film transistor)와, 상기 센서박막트랜지스터에서 발생한 광 전류(photo current)를 저장하는 충전부인 스토리지 캐패시터(storage capacitor)와, 상기 충전부에 충전된 전하를 외부의 리드아웃 회로(readout circuit)에 출력하는 스위칭 박막트랜지스터(switch thin film transistor)로 구성된다.
상기 리드아웃 회로는 상기 센서 어레이기판에서 출력된 신호를 아날로그 영상신호로 증폭하여 외부의 시스템에 출력하는 기능을 한다.
도 1은 종래의 센서 어레이기판을 구성하는 일부 화소를 도시한 개략적인 평면도이다.
도 1은 광 감지소자에 포함되는 센서 어레이기판의 한 화소를 개략적으로 도시한 확대도이다. (도 1은 다양한 형태로 구성될 수 있는 화소 중 임의의 형태로 구성된 화소를 예를 들어 설명한다.)
도시한 바와 같이, 박막트랜지스터형 광 감지소자는 빛을 받아들이는 윈도우(W)와, 상기 윈도우(W)를 통해 출사하여 피사체(미도시)에 반사된 빛을 감지하여 전류를 발생하는 센서 박막트랜지스터(S)와, 상기 센서 박막트랜지스터에서 발생한 광 전류를 저장하는 스토리지-커패시터(C)와, 상기 스토리지-커패시터(C)에 저장된 신호를 외부의 리드아웃 회로에 전달하도록 하는 스위칭 박막트랜지스터(T)로 구성된다.
상기 스위칭 박막트랜지스터(T)는 스위칭 게이트전극(14)과 스위칭 소스전극(18)및 스위칭 드레인전극(20)과 스위칭 액티브층(26)으로 구성되며, 상기 센서 박막트랜지스터(T)는 센서 게이트전극(16)과 센서 소스전극(24)및 센서 드레인전극(22)과 센서 액티브층(28)으로 구성된다.
상기 스토리지-커패시터(C)는 스토리지 제 1 전극(40)과 스토리지 제 2 전극(41)과, 두 전극 사이에 개재된 유전층(미도시)으로 구성된다.
상기 센서 박막트랜지스터(S)와 스위칭소자(T)는 동시에 구성되며, 상기 두 소자의 액티브채널(26,28)은 비정질 실리콘(a-Si:H)을 이용하여 형성한다.
상기 비정질 실리콘은 실리콘(Si)에 수소이온이 결합된 구조로서, 실리콘과 수소는 결합력이 약하기 때문에, 빛을 받으면 상기 수소이온은 실리콘으로부터 쉽게 떨어져 나와 여기 된다.
결과적으로, 상기 비정질 실리콘의 표면은 상기 여기된 수소이온에 의해 광전류가 흐르게 된다.
이와 같은 원리를 이용하여 본 발명에 따른 광 감지소자를 구성할 수 있다.
도 2는 상기 센서 어레이기판과 리드아웃 회로의 구성을 간략히 도시한 등가회로이다.
도시한 바와 같이, 이미지 센서용 광 감지소자는 빛을 받아 광전류를 유발하는 센싱부(S)와, 상기 광전류를 충전하는 충전부(C)와, 상기 충전된 광전류를 리드아웃 회로(readout circuit)(33)로 출력하는 스위칭부(T)로 구성된다.
상기 센싱부(S)에는 피사체에서 반사된 빛이 입사하게 되며, 상기 빛의 정도에 따라 발생하는 광전류(photo current)의 양이 달라진다.
이러한 서로 다른 광전류 값은 곧 이미지의 영상정보 값이라 할 수 있다.
상기 센서 어레이기판(31)에서 발생한 광전류는 상기 충전부(C)에 충전되었다가, 어느 시점에서 상기 스위칭부(T)가 온(on)되면, 상기 충전부(C)에서 리드아웃 회로(33)로 출력된다.
상기 리드아웃 회로(33)는 크게 증폭단(A)과 상기 증폭된 신호를 샘플링(sampling)하고 저장(holding)하여, 상기 저장된 신호를 비디오 신호로 출력하는 샘플 & 홀딩부(S&H)로 구성된다.
이때, 증폭단(A)은 증폭회로(39)와 입력된 신호를 저장하는 제 1 증폭용량부(51), 상기 증폭단을 초기값으로 리셋(reset)시키는 스위칭 소자(53)로 구성된다.
상기 증폭단(A)에는 기준전압(Vref)이 항상 인가되는 상태이다.
이때, 상기 증폭단(A)의 증폭율이 초기값 증폭하게 되며, 이를 위한 증폭 용량부의 크기도 크다.
따라서, 종래의 구조는 다수의 소자를 구성하는데 있어서 고집적화를 이루기 어려운 구성이라 할 수 있다.
전술한 바와 같은, 종래의 광 감지소자의 대략적인 신호흐름을 설명하면 아래와 같다.
상기 증폭단(A)에 흐르는 기준전압(Vref1)값을 항상 2.5V의 값이 인가되고 있다고 가정하고, 상기 센서 어레이기판(31)으로부터 0.3V의 전압이 입력되었다고 가정하자. 상기 스위치 소자(53)가 오프상태일 때, 상기 입력된 전압값은 증폭단(A)에서 0.9V(3배 증폭일 경우의 값)로 증폭된다.
상기 증폭값 0.9V는 회로의 구성상 (-)전압값을 가지게 되며, 결국 기준전압(Vref)의 값인 2.5V에서 0.9V만큼 다운된 1.6V의 값이 다음 샘플 & 홀딩부(S&H)로 출력된다.
상기 샘플 & 홀딩부(S&H)는 이중 샘플링 구조를 가진다. 즉. 제 1 샘플 & 홀드 과정과 제 2 샘플 & 홀드 과정이 진행된다.
상기 제 1 샘플 & 홀드 과정에서는 기본전압 값이 상기 제 1 저장부(55)에 저장된다.
상기 제 2 샘플 & 홀드 과정에서는 상기 증폭신호(1.6V)가 상기 제 2 저장부(57)에 저장된다.
결과적으로, 상기 저장부에 홀딩된 두 신호의 차가 아날로그 영상신호로 출력된다.
이러한 과정은 게이트배선의 배선수에 따라, 한 배선씩 순차적으로 진행되며, 제 1 배선에 연결된 다수의 화소에서 신호를 출력한 후에 상기 리드아웃 회로에서 영상신호로 바꾸는 과정에서, 상기 제 1 배선을 제외한 배선에 연결된 다수의 화소에 구성된 충전부에 순차적으로 광전류를 충전하게 된다.(여기서, 상기 화소는 센서 박막트랜지스터와 스위칭 박막트랜지스터와 충전부로 구성된 기본단위를 말한다.)
이러한 과정을 통해 광 감지소자의 동작이 이루어지게 되는데, 종래에는 상기 광전류를 신호화 하는 과정 중 상기 충전부(C)와 상기 데이터라인에 존재하는잔류전하를 클리어(remove)하는 기능이 없기 때문에, 이미지를 처리한 후 잔상(residual image)이 남는 현상이 있었다.
예를 들면, 상기 광 감지소자를 지문센서(fingerprint sensor)로 사용할 경우, 잔류전하로 인한 부정확한 감지결과(잔상 등에 의한)로 영상 왜곡이 발생할 수 있다.
따라서, 본 발명은 전술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 상기 리드아웃 회로에 잔류전하를 클리어 할 수 있는 수단을 더욱 포함하여, 잔상과 영상 왜곡이 없는 이미지 센서용 광 감지소자를 제작하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 센서 어레이기판의 일부 화소를 개략적으로 도시한 평면도이고,
도 2는 종래의 센서 어레이기판과 리드아웃 회로의 구성을 간략하게 도시한 등가회로도이고,
도 3은 본 발명에 따른 센서 어레이기판과 리드아웃 회로의 구성을 간략하게 도시한 등가회로도이고,
도 4는 본 발명에 따른 리드아웃 회로의 회로도이고,
도 5와 도 6은 본 발명에 따른 리드아웃 회로의 동작 다이아그램을 도시한 도면이고,
도 7은 본 발명에 따른 광 감지소자를 이용한 명함리더 시스템의 동작을 순서대로 도시한 흐름도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
133 : 센서 어레이기판 135 : 리드아웃 회로
137 : 제 1 증폭용량부 139 : 제 2 증폭용량부
141 : 제 1 리셋 스위치 143 : 제 2 리셋 스위치
173 : 제 1 기본전압(VREF2) 155 : 샘플&홀딩부
C : 충전부 S : 센싱부
T : 스위칭부
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 이미지 센서용 광감지 소자는 빛을 투과하는 윈도우와, 센서 박막트랜지스터와 센서 스위칭소자와 스토리지 커패시터를 포함하는 다수의 화소가 매트릭스 형태로 구성된 센서 어레이기판과; 표면에 반사패턴이 구성된 피사체와; 상기 센서 어레이기판과 연결되고, 상기 센서 어레이기판에서 출력된 광전류를 입력받아 아날로그 신호화하고, 상기 센서 어레이기판에 남아있는 잔류전하를 방전하는 리드아웃 회로를 포함한다.
본 발명의 특징에 따른 상기 센서 박막트랜지스터는 제 1 전극과 제 2 전극과 제 3 전극과 광전류를 유발하는 액티브층으로 구성한다.
상기 스위칭 박막트랜지스터는 제 1 전극과 제 2 전극과 제 3 전극과 액티브층으로 구성한다.
본 발명의 특징에 따른 명함리더는 빛을 투과하는 윈도우와, 센서 박막트랜지스터와 센서 스위칭소자와 스토리지 커패시터를 포함하는 다수의 화소가 매트릭스 형태로 구성된 센서 어레이기판과; 표면에 반사패턴이 구성된 피사체와; 상기 센서 어레이기판과 연결되고, 상기 센서 어레이기판에서 출력된 광전류를 입력받아 아날로그 신호화하고, 상기 센서 어레이기판에 남아있는 잔류전하를 방전하는 리드아웃 회로부와; 상기 리드아웃 회로에서 출력된 아날로그 신호를 디지털 신호화 하는 아날로그/디지털 변환회로부와; 상기 디지털신호를 이미지화 하는 영상처리부와; 상기 영상 처리된 이미지를 문자인식 알고리즘을 통해 글자화 하는 문자 인식부를 포함한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 설명한다.
-- 실시예 --
본 발명의 특징은 상기 센서 어레이기판에 연결되어, 상기 센서 어레이기판에서 생성된 이미지 정보인 광 전류를 증폭하여 영상신호화 하는 리드아웃 회로(read out circuit)내에 센서 어레이기판의 커패시터 또는 배선에 잔류하는 전하를 제거하는 기능을 더욱 포함하는 것이다. 이는 잔상현상을 제거할 뿐 아니라 영상왜곡이 없도록 하는 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 센서 어레이기판과 리드아웃 회로(readout circuit)의 구성을 간략히 도시한 등가회로도이다.
도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 광 감지소자(131)는 센서 어레이기판(133)과, 상기 센서 어레이기판(133)에서 출력된 신호를 받아 아날로그 영상신호(analog image signal)로 증폭하여 ,상기 아날로그 신호를 디지털신호(digital signal)로 변환하는 아날로그/디지털변환회로(A/D converter)로 출력하는 리드아웃회로(135)로 구성한다.
이때, 상기 리드아웃 회로(135)의 증폭단(A)에는 신호를 증폭하기 위한 제 1 증폭용량부(137)와 제 2 증폭용량부(139)로 구성되고 상기 증폭회로를 초기화 하는 제 1 리셋 스위치(141)가 구성된다.
이때, 상기 증폭단(A)의 입력부에는 제 2 리셋스위치(143)가 제 2 기준전압(Vref2: 약 0V)이 흐르는 그라운드 라인(GND 배선)(173)과 접촉하여 더욱 구성된다.
전술한 증폭단(A)의 구성은, 상기 센서 어레이기판(133)에서 출력된 값을 증폭할 때, 증폭값은 상기 제 1 증폭용량부(137)와 제 2 증폭용량부(139)의 저장용량비에 의해 증폭되기 때문에 상기 저장부의 크기는 최소형으로 구성할 수 있다.
상기 증폭단(A)에 의해 증폭된 값은 샘플 & 홀드부(S&H)에서 샘플링과 동시에 홀딩(저장)된 후, 쉬프트 레지스터(shift register)(미도시)의 제어에 의해 순차적으로 외부회로(미도시)로 출력된다.
이때, 상기 제 2 리셋스위치(143)가 온 되는 순간, 상기 센서 어레이기판(133)에 남겨진 잔류전하는 상기 제 2 리셋 스위치(143)를 통해 상기 제2 기준전압(Vref2)이 흐르는 그라운드배선(173)을 통해 외부로 방전된다.
따라서, 어레이기판의 잔류전하를 클리어 할 수 있다.
이하, 도 4와 도 5를 참조하여 본 발명에 따른 광 감지소자의 리드아웃 회로(readout circuit)의 동작순서를 설명한다.
도 4는 본 발명에 따른 광 감지소자에 구성되는 개략적인 리드아웃 회로의 등가회로도이고, 도 5는 상기 리드아웃 회로의 동작을 나타내는 리드아웃 타임 다이아 그램(time diagram)을 도시한 도면이다.
앞에서도 설명하였지만, 리드아웃회로는 센서 어레이기판에서 발생한 미소전류를 증폭하여 이를 영상신호화 하는 수단이다.
따라서, 리드아웃 회로의 동작특성은 크게 입력된 신호를 증폭단에 서 증폭하고, 상기 증폭단에서 출력된 신호를 샘플링하고, 샘플링한 값을 저장하는 부분(147)과, 상기 저장된 신호를 외부로 출력하는 부분(149)으로 나눌 수 있다.
이러한 동작을 위해, 크게 상기 리드아웃 회로는 동작을 기준으로 다섯 부분으로 구분 할 수 있다.
제 1 동작부는 상기 센서 어레이기판(도 3의 133)에서 출력된 영상신호를 입력받는 입력부(151)이다.
이때, 본 발명에 따른 리드아웃 회로는 상기 입력부(151)에 구성된 제 2 리셋 스위치(143)를 더욱 구성하여, 상기 충전부의 잔류전하를 클리어 하는 기능이 더욱 추가 된다.
제 2 동작부는 상기 입력된 신호전압을 증폭하는 증폭단(153)이고, 제 3 동작부는 상기 증폭된 신호와 제 1 기본전압(Vref)을 각각 샘플링하고 홀딩하는 샘플 & 홀드부(155)이고, 제 4 동작부는 상기 홀딩된 각 신호를 외부로 내보내도록 제어신호를 내보내는 쉬프트 레지스터(157)이고, 제 5 동작부는 상기 쉬프트 레지스터에 의해 상기 샘플&홀딩부(155)에 저장된 영상신호를 외부로 출력하는 출력부(149)가 바로 그것이다. 전술한 구성을 통해, 본 발명에 따른 리드아웃 회로의 동작순서를 설명한다.
첫째, 상기 센서 어레이기판(도 3의 133)으로부터 출력되어 상기 입력부(151)의 패드부(152)를 통해 입력된 영상신호는, 상기 제 1 리셋스위치(141)가 오프상태(off state)가 되면 상기 증폭단(A)에 구성된 제 1 증폭용량부(137)와 제 2 증폭용량부(139)를 통해 입력된 전압(kV라 하자)이 증폭되며, 이때, 상기 증폭단(153)에서 출력되는 전압값은 상기 증폭단에 일정하게 흐르는 기준전압(Vref1 : mV라 하자)에서 상기 제 1 증폭용량부와 제 2 증폭용량부를 거쳐 증폭된 전압값의 차이 값인 (m-3k)V가 된다.(센서 어레이기판에서 출력된 신호가 3배 증폭한다고 가정할 경우이다.)
제 1 리셋신호(141`)와 제 2 리셋신호(154`)가 로우레벨일 때 제 1 스위치(reset1)와 제 2 스위치(reset2)가 오프 상태가 된다.
이때, 상기 제 1 샘플 & 홀드 신호(ΦSH1)(161`)가 동기(high level)하게 되면 기준 전압값(Vref2)이 상기 증폭단 으로부터 상기 샘플 & 홀딩부(155)의 제 1 저장부(165)에 입력된다.
연속하여, 제 2 샘플 & 홀드 신호(ΦSH2)(162`)가 동기(high level)하게 되면 상기 증폭단을 통해 증폭된 값인 (m-3k)V의 신호가 상기 샘플 & 홀딩부(155)의 제 2 저장부(167)에 입력된다. 이때, 상기 증폭값에는 노이즈 성분이 포함된다.
상기 제 1 저장부(165)와 제 2 저장부(167)에 저장된 신호는 상기 쉬프트 레지스터(157)에 인가되는 시작신호(ΦST)(168`)가 동기 되면, 상기 각각 제 1 영상신호배선(169)과 제 2 영상신호배선(171)을 통해 제 1 영상신호와 제 2 영상신호로 출력된다.
다음 시스템(아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하는 시스템)으로 입력되는 신호는 상기 제 1 영상신호와 제 2 영상신호의 차이 값(m-(m-3k)=3k)이며, 두 신호 값의 차이값(3k)이 비로소 초기 이미지를 나타내는 증폭된 영상신호가 된다.
이와 같은 이중 샘플 엔 홀딩방법을 사용하게 되면 기본 노이즈(base noise)성분을 제거할 수 있어서, S/N(신호 대 노이즈 비)를 개선하여 선명한 이미지를 얻을 수 있다.
이때, 도 6에 도시한 바와 같이, 상기 영상신호는 상기 쉬프트 레지스터(도 4의 157)에서 공급하는 ΦSR신호(174)가 동기 될 때마다 하나의 스테이지(도 4의 F)에 해당하는 신호가 처리된다.
상기 제 1 리셋 스위치(141)가 온(on)되는 동시에, 상기 제 2 리셋신호(ΦRESET2)(154`)가 하이 레벨로 동기되어 상기 제 2 리셋 스위치(154)가온(on)상태가 된다.
이때, 상기 제 2 리셋 스위치(154)가 온(on)상태가 되면 상기 센서 어레이기판(도 3의 133)에 구성되는 스위칭 소자(도 3의 T)의 게이트 전극에 게이트 신호(163)가 인가되고, 이때 상기 1차 방전된 후 상기 스토리지 캐패시터(도 3의 T)에 남은 잔류전하가 상기 스위칭 박막트랜지스터(도 3의 T)와 그라운드배선(도 4의 173)을 통해 외부로 흘러 나가게 된다.
한 라인에 대해 연속적인 신호처리 과정이 끝나면 상기 쉬프트 레지스터(도 4의 157)는 상기의 신호처리 과정을 다음 라인부터 시작하라는 EOS신호(181)를 내보내게 된다.
전술한 바와 같은 구성으로 본 발명에 따른 박막트랜지스터형 광 감지소자를 제작할 수 있다.
이와 같은 본 발명에 따른 광 감지소자를 명함리더(name card reader)에 이용할 경우를 이하, 간단히 설명한다.
상기 명함리더는 명함에 찍혀있는 내용을 이미지 또는 텍스트 정보로 저장하는 수단으로서, 수백 개의 명함을 리드하여 저장할 수 있다.
이하, 도 7을 참조하여, 광 감지소자를 이용한 명함리더의 구성과 동작순서를 설명한다.
도 7은 명함 리더용 시스템의 동작을 순서대로 설명한 흐름도이다.
전술한 바와 같은 센서 박막트랜지스터의 광 감지소자용 명함리더의 동작순서는 첫째(200st), 광 감지소자의 윈도우에 명함을 근접하게 위치시키면 광 감지소자의 하부에 위치하는 백라이트(미도시)로부터 출사한 빛이 상기 명함의 표면에서 반사되어 상기 센서 박막트랜지스터에 입사된다. 이때 반사되는 빛의 양은 어두운 부분과 밝은 부분이 다르다. 따라서 발생하는 전류의 양도 차이가 있다.
둘째(201st), 상기 센서 박막트랜지스터에서 발생한 광 전류는 상기 스토리지 캐패시터 스위칭 박막트랜지스터를 통해 상기 센서 어레이기판에 장착된 리드아웃회로로 입력되며, 아날로그 영상신호로 증폭된다.
셋째(203st), 상기 리드아웃 회로에서 증폭된 아날로그 영상신호는 다시 아날로그/디지털신호 변환회로(A/D converter)를 통해 디지털 영상신호로 바뀐다.
넷째(205st), 상기 디지털 신호화된 이미지 데이터는 영상 처리부를 통해 이미지화 된다.
다섯 번째(207st), 상기 이미지화 된 명함의 문자는 문자인식 알고리즘으로 인식 후 데이터 베이스(database)화 한다.
이와 같은 방법으로, 수 백개의 명함을 데이터 베이스화 하여 간편하게 보관할 수 있다.
전술한 바와 같이, 이미지에 반사된 광을 흡수하여 광전류를 유발하는 소자로서, 박막트랜지스터 뿐 광다이오드를 사용할 수 있다.
광 다이오드 또한 빛에 의해 광 전류가 흐르는 특성을 이용한다.
따라서, 본 발명에 따른 이미지 리더용 광감지소자는 이미지 신호를 리드아웃 하는 회로에 리셋기능을 더욱 추가함으로써, 영상신호 처리 후 상기 센서 어레이기판에 구성되는 캐패시터나 기타의 배선에 잔류하는 잔류 용량을 제거하여 잔상이 없는 신뢰성 있는 이미지 센서를 제조할 수 있는 효과 가 있다.
또하, 더블 샘플링과 홀딩 방법으로 노이즈를 제거할 수 있으므로, 신호 대 노이즈 비(signal to noise ratio)를 개선하여 선명한 이미지를 얻을 수 있다.

Claims (5)

  1. 빛을 투과하는 윈도우와, 센서 박막트랜지스터와 센서 스위칭소자와 스토리지 캐패시터를 포함하는 다수의 화소가 매트릭스 형태로 구성된 센서 어레이기판과;
    표면에 반사패턴이 구성된 피사체와;
    상기 센서 어레이기판과 연결되고, 상기 센서 어레이기판에서 출력된 광전류를 입력받아 아날로그 신호화하고, 상기 센서 어레이기판에 남아있는 잔류전하를 방전하는 리드아웃 회로
    를 포함하는 이미지 리더용 광 감지소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 센서 박막트랜지스터는 제 1 전극과 제 2 전극과 제 3 전극과 광전류를 유발하는 액티브층으로 구성된 이미지 리더용 광감지 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 스위칭 박막트랜지스터는 제 1 전극과 제 2 전극과 제 3 전극과 액티브층으로 구성된 이미지 리더용 광 감지 시스템.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 스토리지 캐패시터는 제 1 스토리지 전극과, 유전층과, 제 2 스토리지 전극으로 구성된 이미지 리더용 광 감지소자.
  5. 빛을 투과하는 윈도우와, 센서 박막트랜지스터와 센서 스위칭소자와 스토리지 커패시터를 포함하는 다수의 화소가 매트릭스 형태로 구성된 센서 어레이기판과;
    표면에 반사패턴이 구성된 피사체와;
    상기 센서 어레이기판과 연결되고, 상기 센서 어레이기판에서 출력된 광전류를 입력받아 아날로그 신호화하고, 상기 센서 어레이기판에 남아있는 잔류전하를 방전하는 리드아웃 회로부와;
    상기 리드아웃 회로에서 출력된 아날로그 신호를 디지털 신호화 하는 아날로그/디지털 변환회로부와;
    상기 디지털신호를 이미지화 하는 영상처리부와;
    상기 영상처리된 이미지를 문자인식 알고리즘을 통해 글자화 하는 문자인식부
    를 포함하는 명함리더.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008020692A1 (en) * 2006-08-16 2008-02-21 Siliconfile Technologies Inc. Pixel for picking up image signal and method of manufacturing the pixel
CN112987071A (zh) * 2019-12-13 2021-06-18 晋原光电有限公司 用于感测消除静电的x光机的传感器

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62152281A (ja) * 1985-12-26 1987-07-07 Fuji Photo Film Co Ltd 電子スチルカメラ方式
JPS6439880A (en) * 1987-08-05 1989-02-10 Canon Kk Photoelectric converting device
KR19980083731A (ko) * 1997-05-17 1998-12-05 구자홍 잔상제거기능을 가지는 액정표시장치
JPH11150257A (ja) * 1998-07-01 1999-06-02 Canon Inc 光電変換装置
KR20000018568A (ko) * 1998-09-03 2000-04-06 김영환 액정표시소자의 잔상제거회로
KR20000019835A (ko) * 1998-09-15 2000-04-15 구본준, 론 위라하디락사 액정 표시장치의 잔상 제거장치 및 그 방법
JP2000201300A (ja) * 1998-11-02 2000-07-18 Canon Inc 固体撮像装置、画像入力装置及び固体撮像装置のリセット方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62152281A (ja) * 1985-12-26 1987-07-07 Fuji Photo Film Co Ltd 電子スチルカメラ方式
JPS6439880A (en) * 1987-08-05 1989-02-10 Canon Kk Photoelectric converting device
KR19980083731A (ko) * 1997-05-17 1998-12-05 구자홍 잔상제거기능을 가지는 액정표시장치
JPH11150257A (ja) * 1998-07-01 1999-06-02 Canon Inc 光電変換装置
KR20000018568A (ko) * 1998-09-03 2000-04-06 김영환 액정표시소자의 잔상제거회로
KR20000019835A (ko) * 1998-09-15 2000-04-15 구본준, 론 위라하디락사 액정 표시장치의 잔상 제거장치 및 그 방법
JP2000201300A (ja) * 1998-11-02 2000-07-18 Canon Inc 固体撮像装置、画像入力装置及び固体撮像装置のリセット方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008020692A1 (en) * 2006-08-16 2008-02-21 Siliconfile Technologies Inc. Pixel for picking up image signal and method of manufacturing the pixel
US8304822B2 (en) 2006-08-16 2012-11-06 Siliconfile Technologies Inc. Pixel for picking up image signal and method of manufacturing the pixel
CN112987071A (zh) * 2019-12-13 2021-06-18 晋原光电有限公司 用于感测消除静电的x光机的传感器

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