KR20020044295A - 에프에프에스 액정표시소자 - Google Patents

Abstract

본 발명은 기존 모드의 단점인 시야각의 협소함을 극복한 FFS(Fringe Field Switching) 모드에서 공정 마진으로 부족으로 발생하는 러빙시 흑선무라를 개선하는 방법으로 공정마진이 넓은 광시야각 제품을 실현할 수 있는 러빙시 발생하는 흑선 무라가 없는 FFS 액정표시소자에 관한 것으로, 제 1 ITO로 이루어진 박스 형태로 형성된 상대전극 및 게이트 버스라인과 상대전극 버스라인과, 절연층을 사이에 두고 형성된 데이터 버스라인과 TFT(Thin Film Transistor)와, 제 2 ITO로 이루어지고, 영역별로 패터닝을 달리하여 전기장 방향을 서로 다르게 형성한 화소전극으로 구성되며, 특정각으로 러빙된 하부기판과, 상기 하부기판의 러빙방향에 대해 안티 패러렐(anti-parallel)하게 혹은 패러렐(parallel)하게 러빙된 상부기판과, 양 또는 음의 유전율 특성을 갖고 주입된 액정과, 상기 하부기판 외측에 부착된 편광판의 편광축은 상기 하부기판의 러빙방향 일치하고, 상부기판의 외측에 부착된 상부기판의 편광축은 상기 하부기판의 편광축과 교차(cross)되게 부착된 것으로서, 상기 화소전극은 러빙시 발생하는 흑선무라를 한 단위화소내에서 초기 러빙방향과 전기장 방향간에 이루어지는 사이각(β)이 서로 다르게 되도록 패터닝된 것을 특징으로 하여 러빙시의 흑선무라의 정확한 특성을 이해함으로써 써브픽셀내에서 화소구조 변경을 통하여 공정마진을 넓게 한 설계로 수율 향상 및 화면품위 향상에 기여하는 유용한 발명이다.

Description

에프에프에스 액정표시소자{FFS LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}

본 발명은 FFS 액정표시소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기존 모드의 단점인 시야각의 협소함을 극복한 FFS(Fringe Field Switching) 모드에서 공정 마진으로 부족으로 발생하는 러빙시 흑선무라를 개선하는 방법으로 공정마진이 넓은 광시야각 제품을 실현할 수 있는 러빙시 발생하는 흑선 무라가 없는 FFS 액정표시소자에 관한 것이다.

종래 액정표시장치로서 TN(Twisted Nematic) 모드가 가장 많이 응용되는데 이는 시야각의 협소함이 가장 큰 단점으로 대두되고 있다. 한편, 시야각을 향상시키기 위하여 FFS 모드에 관한 기술은 대한민국 특허 출원 제 98-9243호에 개시된 바 있다. 도 1 은 종래 FFS 구조에서의 단위화소를 나타낸 평면도로서, 종래 구조에서 투과율을 최대로 얻기 위해서는 음의 액정의 경우 게이트 버스 라인(2) 및 상대전극(6) 게이트 버스라인(3)에 대해서 ±12°로 러빙(rubbing)하고, 음의 액정의 경우 게이트 버스 라인(2)에 대해서 ±12°로 러빙하기 위해서는 테이블을 12°로 틀고, 롤 헤드(roll head) 각은 0° 셋팅후 직진운동을 시키거나, 또는 테이블을 0°로 셋팅하고 롤 헤드각을 보정각을 고려하여 12.1˝로 셋팅후 직진운동 시키면 된다. 그러나 이런 방식으로 러빙할 경우 도 2 에 도시한 바와 같이 수평방향으로 흑선(10)이 발생한다. 참고부호 8은 화소전극을 나타내고 A는 러빙방향을 나타낸다. 또한 참고부호 4 는 데이터 버스라인을 나타낸다.

흑선은 전압무인가시에도 아주 엷게 보이기는 하지만 일반적으로 전압인가시 Vth(문턱치 전압)이상의 눈에 민감한 영역, 다시 말하면 약간의 휘도면화에도 그 경계의 구분이 명확한 그레이 영역에서 잘 보인다. 이로인해 특정 그레이 패턴(Gray Pattern)에서 수평방향의 띠 모양으로 발생한 휘도불균일(흑선)은 화질 품위를 떨어뜨리는 문제점으로 작용하고 있다.

본 발명의 목적은 상기한 바와 같은 종래 액정표시장치에서의 문제점을 개선하기 위해 안출한 것으로, TN 모드의 단점인 시야각의협소함으로 극복한 FFS 모드에서 공정마진 부족으로 발생하는 러빙시 흑선무라를 개선하고자 러빙시 발생하는 흑선 무라가 없는 FFS 액정표시소자를 제공하는데 있다.

도 1 은 종래의 FFS모드 액정표시소자의 단위화소를 나타낸 평면도.

도 2 는 종래의 액정표시소자에 있어서 흑선이 발생한 상태를 나타낸 화면.

도 3 은 본 발명의 일실시예에 따른 FFS모드 액정표시소자의 단위화소를 나타낸 평면도.

도 4a 및 도 4 b는 도 3 에서의 각 영역에서 러빙방향과 필드방향과의 관계 및 상하 편광판 배치 및 오프시 액정분자 배열관계를 나타낸 도면.

도 3 은 본 발명의 일실시예에 따른 FFS모드 액정표시소자의 단위화소를 나타낸 평면도.

도 4a 및 도 4 b는 도 3 에서의 각 영역에서 러빙방향과 필드방향과의 관계 및 상하 편광판 배치 및 오프시 액정분자 배열관계를 나타낸 도면.

도 5 는 본 발명의 다른 실시예에 따른 FFS모드 액정표시소자의 단위화소를 나타낸 평면도.

도 6a 및 도 6 b는 도 5 에서의 각 영역에서 러빙방향과 필드방향과의 관계 및 상하 편광판 배치 및 오프시 액정분자 배열관계를 나타낸 도면.

도 7 은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 FFS모드 액정표시소자의 단위화소를 나타낸 평면도.

도 8a 및 도 8b는 도 7 에서의 각 영역에서 러빙방향과 필드방향과의 관계 및 상하 편광판 배치 및 오프시 액정분자 배열관계를 나타낸 도면.

도 9 는 단위 화소에서 사이각에 따른 V-T특성결과를 나타낸 그래프.

도 10 은 문턱전압부근에서의 확대 그래프이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

2 : 게이트 버스라인 3 : 상대전극 게이트 버스라인

4 : 데이터 버스라인 6 : 상대전극

8 : 화소전극

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 제 1 ITO로 이루어진 박스 형태로 형성된 상대전극 및 게이트 버스라인과 상대전극 버스라인과, 절연층을 사이에 두고 형성된 데이터 버스라인과 TFT(Thin Film Transistor)와, 제 2 ITO로 이루어지고, 영역별로 패터닝을 달리하여 전기장 방향을 서로 다르게 형성한 화소전극으로 구성되며, 특정각으로 러빙된 하부기판과, 상기 하부기판의 러빙방향에 대해 안티 패러렐(anti-parallel)하게 혹은 패러렐(parallel)하게 러빙된 상부기판과, 양 또는 음의 유전율 특성을 갖고 주입된 액정과, 상기 하부기판 외측에 부착된 편광판의 편광축은 상기 하부기판의 러빙방향 일치하고, 상부기판의 외측에 부착된 상부기판의 편광축은 상기 하부기판의 편광축과 교차(cross)되게 부착된 것으로서, 상기 화소전극은 러빙시 발생하는 흑선무라를 한 단위화소내에서 초기 러빙방향과 전기장 방향간에 이루어지는 사이각(β)이 서로 다르게 되도록 패터닝된 것을 특징으로 하는 러빙시 발생하는 흑선 무라가 없는 FFS 액정표시소자가 제공된다.

또한 본 발명에 있어서, 음의 유전율 특성을 갖는 액정을 사용할 경우 상기 화소전극의 일부영역에서 러빙각 기준으로 특정사이각(β)이 ±45도 이하로 형성하고, 다른 일부 영역에서는 특정사이각(β)+α각이 러빙방향 기준으로 ±45도 이하로 형성하며, 특정사이각(β)+α각인 영역의 액정분자가 전기장 인가시 더 쉽게 회전하여 투과율을 발생하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명에 있어서, 양의 유전율 특성을 갖는 액정을 사용할 경우 상기 화소전극의 일부영역에서 러빙각 기준으로 특정사이각(β)이 ±45도 이상으로 형성하고, 다른 일부 영역에서는 특정사이각(β)-α각이 러빙방향 기준으로 ±45도이상으로 형성하며, 특정사이각(β)+α인 영역의 액정분자가 전기장 인가시 더 쉽게 회전하여 투과율을 발생하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명에 있어서, 상기 화소전극의 일부영역에서 러빙각 기준으로 특정사이각(β)이 ±12도이고, 다른 일부영역에서는 특정사이각(β)+α각이 러빙방향 기준으로 ±24이며, ±24도인 영역의 액정분자가 전기장 인가시 더 쉽게 회전하여 투과율을 발생하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명에 있어서, 상기 화소전극의 일부영역에서 러빙각 기준으로 특정사이각(β)이 ±78도이고, 다른 일부영역에서는 특정사이각(β)-α각이 러빙방향 기준으로 ±64이며, ±64도인 영역의 액정분자가 전기장 인가시 더 쉽게 회전하여 투과율을 발생하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명에 있어서, 한 써브화소에서 특정사이각(β)에 대해 다른 사이각(β')을 갖는 영역이 1개 이상 존재한 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명에 있어서, 음의 액정의 경우 특정사이각(β)+α각 영역이, 그리고 양의 액정의 경우 특정사이각(β)-α각 영역이 한 써브픽셀 기준으로 1/2 혹은 1/3인 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명에 있어서, 특정사이각(β)+α 혹은 특정사이각(β)-α인 영역이 한 써브픽셀내에서 1/2인 경우에 한 써브픽셀내에서 특정사이각(β)+α혹은 특정사이각(β)-α인 영역이 1개 이상인 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명에 있어서, 액정셀의 Δnd의 특성이 0.20∼0.50μm인 것을 특징으로 한다.

본 발명은 FFS 모드나 IPS 모드 같이 정규 블랙(Normally Black) 전기 광학 특성을 갖는 구조에서 발생하는 흑선 무라를 예방하는 기술로, Vth이상 전압이 인가되는 눈에 민감한 그레이 영역에서는 일반적으로 전기장 효과(effect)보다 러빙 효과(effect)가 주로 작용하는 영역인데, 이와 같은 휘도변화에 민감하게 작용하는 영역에서는 러빙포의 불균일 기인으로 발생하는 흑선무라의 정도를 완화시키기 위해서 기존 투과율 최대, 위주로 설계된 전기장에 대해 12°한 화소를 러빙하던 것을 한 화소를 분할하여 전기장에 대해 액정분자가 쉽게 회전할 수 있게 되어, 결과적으로 러빙 불균일에 둔감하게 되어 흑선무라를 예방하였다.

기본적으로 제 1 ITO로 이루어진 박스 형태의 상대전극 및 게이트 버스라인과 상대전극 버스라인을 형성하고, 절연층을 사이에 두고 데이터 버스 라인과 TFT(Thin Film Transistor)를 형성한다. 그리고 제 2 ITO로 이루어진 화소 전극은 한 써브 화소내에서 초기 러빙방향과 전기장 방향 간에 이루어지는 시야각(β)이 서로 다르게 되도록 화소 전극 패터닝하여 형성한다. 결과적으로 한 써브 화소내에서 동일 러빙방향 기준으로 사이각(β)이 음의 액정을 사용할 경우 일부영역에서 특정각(여기서는 β=12도)으로 형성하고, 다른 일부 영역에서는 특정각+α(여기서는 β=24도)로 형성한다. 물론 특정각 +α인 영역을 한 화소내에서 1/2 혹은 1/3이 되게 형성할 수도 있고, 한 써브 화소내에서 1/2 영역인 경우에 한 써브 픽셀내에서 특정사이가(β)+α영역이 1개 이상이 되게 형성할 수도 있다. 마찬가지로 한 써브 화소내에서 동일 러빙방향 기준의 사이각(β)이 양의 액정을 사용할 경우 일부영역에서 특정각(β=78도)으로 형성하고, 다른 일부 영역에서는 특정각-α(=64도)로 형성한다. 물론 특정각 -α인 영역을 한 화소내에서 1/2 혹은 1/3이 되게 형성할 수도 있고, 한 써브 화소내에서 1/2 영역인 경우에 한 써브 픽셀내에서 특정사이각(β)-α영역이 1개 이상이 되게 형성할 수도 있다. 상기와 같은 구조에서 하판의 러빙은 투과율을 고려하여 특정각으로 러빙하고, 상부기판의 러빙은 하부 기판의 러빙방향에 대해 안티-패러렐(anti-parallel) 하게 혹은 패러렐(parallel)하게 러빙한다. 일반적으로, 음의 유전율 특성을 갖는 액정을 사용할 경우 러빙은 게이트 버스 라인을 기준으로 ±45도 이하로 이상적으로는 ±12도로 러빙하고, 양의 유전율 특성을 갖는 액정을 사용할 경우 러빙은 게이트 버스 라인을 기준으로 ±45도 이상으로 이상적으로는 ±78도로 러빙하고, 하부기판 외측에 부착된 편광판의 편광축은 하부기판의 러빙방향과 일치시키고, 상부기판의 외측에 부착된 상부기판의 편광축은 하부기판의 편광축과 크로스(crossed)되게 부착하여 전압무인가시에 다크 상태가 되는 정규 블랙 모드(Normally Black Mode)를 만든다.

상기와 같은 구조에서 전기장 인가시 Vth(문턱전압)이상인 눈에 민감한 영역으로 전기장 효과보다는 러빙 효과가 주로 작용하는 그레이 영역에서 러빙 방향에 대해 특정각(여기서는 β=12도)로 패터닝된 영역에서의 액정분자가 더 쉽게 전기장에 반응하여 광을 투과하게 된다. 전기장 인가시 액정분자가 더 쉽게 전기장에 반응해서 광을 투과하는 경우는 일반적으로 러빙 효과보다 전기장 효과를 강화시킨 것과 같은 효과가 나타난다. 따라서 불균일로 인해 러빙력 불균일로 발생하는 흑선무라를 방지할 수 있다.

도 3 은 본 발명의 일실시예를 나타낸 도면으로서, 러빙방향(A)과 전기장간의 사이각(β)이 특정각+α(여기서 β=24도)인 영역이 1/3인 경우의 상세도이다. 도 3에 도시한 바와 같이, 여기서 영역 2 는 β=24도인 영역으로 한 써브픽셀의 1/3을 차지하고 있다.

도 4a 는 상기 도 3의 영역 1 및 3에서 러빙방향과 필드 방향과의 관계 및 상하 편광판 배치 및 오프시 액정분자 배열관계를 나타내고 있다. 도 4b는 영역 2에서 러빙방향과 필드 방향과의 관계 및 상하 편광판 배치 및 오프 시 액정분자 배열관계를 나타내고 있다. 참고부호 16 및 18은 각각 상대전극과 화소전극을 나타낸다.

상기와 같은 구조로 패널 제작시 사이각(β)이 12도인 영역보다는 사이각(β)이 24도인 영역에서 인가되는 전기장에 대해 더 쉽게 액정분자들이 반응하게 된다. 결과적으로 한 써브픽셀 내에서 사이각(β)이 12도로만 이루어진 것보다는 1/3영역은 사이각(β)이 24도이고, 나머지 2/3영역은 사이각(β)이 12도인 써브픽셀이 전압인가시 액정분자가 쉽게 틀어져, Vth이상의 눈에 민감한 그레이 영역에서 러빙 효과보다는 전기장 효과가 상대적으로 커져 불균일로 인해 발생하는 러빙강도 불균일에 의한 흑선무라를 감소시킬 수 있다.

도 5 는 본 발명의 다른 실시예를 나타낸 것으로서, 러빙방향과 전기장간의 사이각(β)이 특정각+α(여기서 β=24도)인 영역이 1/2인 경우의 상세도이다. 도 5 에 도시한 바와 같이, 여기서 영역 2와 영역 3은 β=24도인 영역으로 한 써브픽셀의 1/2을 차지하고 있다. 도 6a 는 상기 도 5 의 영역 1 및 4에서 러빙방향과 필드방향과의 관계 및 상하 편광판 배치 및 오프시 액정 분자 배열관계를 나타내고 있다. 도 6b는 상기 도 5 의 영역 2 및 3에서 러빙방향과 필드 방향과의 관계 및 상하 편광판 배치 및 오프시 액정분자 배열관계를 나타내고 있다.

상기와 같은 구조로 패널 제작시 사이각(β)이 12도인 영역보다는 사이각(β)이 24도인 영역에서 인가되는 전기장에 대해 더 쉽게 액정분자들이 반응하게된다. 결과적으로 한 써브 픽셀내에 사이각(β)이 24도이고, 나머지 1/2 영역은 사이각(β)이 12도인 써브픽셀이 전압인가시 액정분자가 쉽게 틀어져, Vth(문턱전압)이상의 눈에 민감한 그레이 영역에서 러빙 효과보다는 전기장 효과가 상대적으로 커져 포 불균일 기인으로 발생하는 러빙강도 불균일에 의한 흑선무라를 감소시킬 수 있다. 본 실시예가 사이각(β)이 24도인 영역이 1/3인 실시예보다 흑선무라 감소 측면에서는 더 효과적이나, 반대로 최대(max), 투과율 측면에서는 불리하다. 참고부호 26 및 28은 각각 화소전극과 상대전극을 나타낸다.

도 7 은 본 발명의 또 다른 일실시예에로 러빙방향과 전기장간의 사이각(β)이 특정각 +α(여기서 β=24도)인 영역이 1/2인 경우로 도 5 의 변형된 구조의 상세도이다. 도 7에 도시한 바와 같이, 여기서 영역 2, 영역 4, 영역 6은 β=24도인 영역으로 한 써브픽셀의 1/2을 차지하고 있다. 도 8a 는 상기 도 7의 영역 1, 영역 3, 영역 5에서 러빙방향과 필드방향과의 관계 및 상하 편광판 배치 및 오프시 액정 분자 배열관계를 나타내고 있다. 도 8b는 상기 도 7의 영역 2, 영역 4, 영역 6에서 러빙방향과 필드 방향과의 관계 및 상하 편광판 배치 및 오프시 액정분자 배열관계를 나타내고 있다.

상기와 같은 구조로도 마찬가지로 패널 제작시 사이각(β)이 12도인 영역보다는 사이각(β)이 24도인 영역에서 인가되는 전기장에 대해 더 쉽게 액정분자들이 반응하게 된다. 결과적으로 한 써브픽셀내에 사이각(β)이 12도로만 이루어진 것보다는 1/2영역은 사이각(β)이 24도이고, 나머지 1/2영역은 사이각(β)이 12도인 써브픽셀이 전압인가시 액정분자시 쉽게 틀어져, Vth(문턱전압)이상의 눈에 민감한 그레이 영역에서 러빙 효과보다는 전기장 효과가 상대적으로 커져 포 불균일 기인으로 발생하는 러빙강도 불균일에 의한 흑선무라를 감소시킬 수 있다. 본 실시예가 사이각(β)이 24도인 영역이 1/3인 실시예보다 흑선무라 감소측면에서는 더 효과적이나, 반대로 최대(max), 투과율 측면에서는 불리하다. 참고부호 36 및 38은 각각 화소전극과 상대전극을 나타낸다.

도 9 는 본 발명의 시뮬레이션 결과로 액정의 Δn=0.077, 셀갭(d)은 4μm조건하에서 한 써브픽셀에서 사이각(β)에 따른 전압별 투과율 특성을 나타낸 결과이다. 이에 도시한 바와 같이, 써브화소에서 사이각(β)에 따른 V-T 특성 결과를 알 수 있는데, 여기서 한 써브픽셀내에서 사이각(β)이 12도인 경우와 24도인 경우, 그리고 β=24도인 영역이 1/2인 경우와 1/3인 경우 각각에 대한 전압별 투과율 특성이다. 이 결과에서 알 수 있듯이 사이각(β)이 24도인 영역이 커질수록 Vth부근에서의 투과율이 전압인가시 더 쉽게 발생함을 알 수 있다. 도 10 은 상기 도 9에서 Vth(문턱전압) 부근의 확대 그래프이다.

따라서, 상기한 본 발명에 따른 러빙시 발생하는 흑선 무라가 없는 FFS 액정표시소자에 의하면, 본 발명은 러빙시의 흑선무라의 정확한 특성을 이해함으로써써브픽셀내에서 화소구조 변경을 통하여 공정마진을 넓게 한 설계로 수율 향상 및 화면품위 향상에 기여하는 유용한 발명이다.

아울러 본 발명의 바람직한 실시예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가 등이 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허청구의 범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.

Claims (9)

1. 제 1 ITO로 이루어진 박스 형태로 형성된 상대전극 및 게이트 버스라인과 상대전극 버스라인과,

   절연층을 사이에 두고 형성된 데이터 버스라인과 TFT(Thin Film Transistor)와,

   제 2 ITO로 이루어지고, 영역별로 패터닝을 달리하여 전기장 방향을 서로 다르게 형성한 화소전극으로 구성되며,

   특정각으로 러빙된 하부기판과, 상기 하부기판의 러빙방향에 대해 안티 패러렐(anti-parallel)하게 혹은 패러렐(parallel)하게 러빙된 상부기판과,

   양 또는 음의 유전율 특성을 갖고 주입된 액정과, 상기 하부기판 외측에 부착된 편광판의 편광축은 상기 하부기판의 러빙방향 일치하고, 상부기판의 외측에 부착된 상부기판의 편광축은 상기 하부기판의 편광축과 교차(cross)되게 부착된 것으로서,

   상기 화소전극은 러빙시 발생하는 흑선무라를 한 단위화소내에서 초기 러빙방향과 전기장 방향간에 이루어지는 사이각(β)이 서로 다르게 되도록 패터닝된 것을 특징으로 하는 FFS 액정표시소자.
2. 제 1 항에 있어서, 음의 유전율 특성을 갖는 액정을 사용할 경우 상기 화소전극의 일부영역에서 러빙각 기준으로 특정사이각(β)이 ±45도 이하로 형성하고,다른 일부 영역에서는 특정사이각(β)+α각이 러빙방향 기준으로 ±45도 이하로 형성하며, 특정사이각(β)+α각인 영역의 액정분자가 전기장 인가시 더 쉽게 회전하여 투과율을 발생하는 것을 특징으로 하는 FFS 액정표시소자.
3. 제 1 항에 있어서, 양의 유전율 특성을 갖는 액정을 사용할 경우 상기 화소전극의 일부영역에서 러빙각 기준으로 특정사이각(β)이 ±45도 이상으로 형성하고, 다른 일부 영역에서는 특정사이각(β)-α각이 러빙방향 기준으로 ±45도 이상으로 형성하며, 특정사이각(β)-α인 영역의 액정분자가 전기장 인가시 더 쉽게 회전하여 투과율을 발생하는 것을 특징으로 하는 FFS 액정표시소자.
4. 제 2 항에 있어서, 상기 화소전극의 일부영역에서 러빙각 기준으로 특정사이각(β)이 ±12도이고, 다른 일부영역에서는 특정사이각(β)+α각이 러빙방향 기준으로 ±24이며, ±24도인 영역의 액정분자가 전기장 인가시 더 쉽게 회전하여 투과율을 발생하는 것을 특징으로 하는 FFS 액정표시소자.
5. 제 3 항에 있어서, 상기 화소전극의 일부영역에서 러빙각 기준으로 특정사이각(β)이 ±78도이고, 다른 일부영역에서는 특정사이각(β)-α각이 러빙방향 기준으로 ±64이며, ±64도인 영역의 액정분자가 전기장 인가시 더 쉽게 회전하여 투과율을 발생하는 것을 특징으로 하는 FFS 액정표시소자.
6. 제 1 항에 있어서, 한 써브화소에서 특정사이각(β)에 대해 다른 사이각(β')을 갖는 영역이 1개 이상 존재한 것을 특징으로 하는 FFS 액정표시소자.
7. 제 1 항에 있어서, 음의 액정의 경우 특정사이각(β)+α각 영역이, 그리고 양의 액정의 경우 특정사이각(β)-α각 영역이 한 써브픽셀 기준으로 1/2 혹은 1/3인 것을 특징으로 하는 FFS 액정표시소자.
8. 제 7 항에 있어서, 특정사이각(β)+α 혹은 특정사이각(β)-α인 영역이 한 써브픽셀내에서 1/2인 경우에 한 써브픽셀내에서 특정사이각(β)+α혹은 특정사이각(β)-α인 영역이 1개 이상인 것을 특징으로 하는 FFS 액정표시소자.
9. 제 1 항에 있어서, 액정셀의 Δnd의 특성이 0.20∼0.50μm인 것을 특징으로 하는 FFS 액정표시소자.