KR20020040236A - Phase shift mask and fabricating method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 위상반전 마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 차광층을 마스크 기판의 외곽에만 형성하고 마스크의 주패턴은 차광층을 배제한 반전층만으로 형성하여 차광층과 반전층의 반사율 차이를 제거하므로서 최종 위상반전 마스크의 검사를 용이하게 하여 위상반전마스크의 신뢰성을 향상시키고 제조시간을 단축시키도록 한 반도체장치의 노광용 위상반전 마스크 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a phase inversion mask and a method of manufacturing the same, and particularly, a light shielding layer is formed only on an outer side of a mask substrate, and a main pattern of the mask is formed only of an inversion layer excluding the light shielding layer, thereby removing a difference in reflectance between the light shielding layer and the inversion layer. Accordingly, the present invention relates to an exposure phase inversion mask of a semiconductor device and a method of manufacturing the same, which facilitate inspection of the final phase inversion mask, thereby improving reliability of the phase inversion mask and shortening the manufacturing time.
반도체장치가 고집적화 및 고밀도화에 따라 단위 소자의 크기가 감소되고, 이에 따라, 도선 등의 선폭이 작아지고 있다. 그러므로, 미세 패턴을 형성하기 위해서는 접촉묘화(contact printing) 방법, 프록시미티묘화(proximity printing) 방법 및 프로젝션묘화(projection printing) 방법 등의 노광 방법을 이용하는 포토리쏘그래피(photolithography) 공정으로는 한계가 있다. 따라서, 미세 패턴을 형성하기 위해 노광시 전자 빔 또는 이온 빔 등을 이용하거나, 또는, 위상반전마스크(Phase Shifting Mask)를 이용할 수 있다.As semiconductor devices become more integrated and denser, the size of the unit element is reduced, and as a result, the line width of the conducting wire is reduced. Therefore, there is a limit to a photolithography process using exposure methods such as a contact printing method, a proximity printing method, and a projection printing method for forming a fine pattern. . Therefore, in order to form a fine pattern, an electron beam or an ion beam may be used during exposure, or a phase shifting mask may be used.
상기 위상반전마스크는 위상반전영역과 투광영역을 포함하는 데, 위상반전영역을 통과하는 광의 위상을 180°로 반전시켜 투광영역을 통과하는 광과 상쇄 간섭을 일으켜 해상력과 초점심도를 향상시켜 양호한 패턴을 얻을 수 있다. 위상반전마스크는 종류에 따라 교번형(Alternated type), 림형(Rim type), 감쇄형(Attenuated type) 및 아웃리거형(Outrigger type) 등이 있다.The phase inversion mask includes a phase inversion area and a light transmissive area, which inverts the phase of light passing through the phase inversion area to 180 ° to cause destructive interference with light passing through the light transmissive area, thereby improving resolution and depth of focus, thereby providing a good pattern. Can be obtained. The phase inversion mask includes an alternating type, a rim type, an attenuated type, and an outrigger type according to the type.
반도체장치의 감광막 노광용으로 사용되는 위상반전 마스크는 웨이퍼상의 사이드 로브(side lobe)현상을 방지하기 위하여 메인 패턴 사이에 차광막을 잔류시킨다. 그러나, 이러한 잔류 차광막은 MoSiN 등의 반전층과 반사율 차이에 의하여 완성된 마스크의 검사를 곤란하게 만든다.The phase inversion mask used for the photosensitive film exposure of the semiconductor device leaves a light shielding film between the main patterns in order to prevent side lobe on the wafer. However, such a residual light shielding film makes it difficult to inspect the completed mask due to a difference in reflectance from an inversion layer such as MoSiN.
도 1a 내지 도 1d는 종래 기술에 따른 위상반전 마스크 제조공정 단면도이다.1A to 1D are cross-sectional views of a manufacturing process of a phase inversion mask according to the prior art.
도 1a를 참조하면, 제 1 영역과 제 2 영역이 정의된 투명기판인 석영 기판(10) 위에 반전막(11), 차광막(12)을 형성한 다음 그 위에 감광막(13)을 도포하여 형성한다. 이때, 반전막(11)은 MoSiN을 약 930Å의 두께로 형성하고, 차광막(12)은 도전성 물질로 Cr과 CrOx등을 사용하여 약 1050Å의 두께로 형성하며, 감광막(13)은 제품명 ZEP7000을 사용하여 약 4000Å의 두께로 형성할 수 있다. 또한, 제 1 영역은 투명기판(10)의 가장자리를 정의하고 제 2 영역은 상기 제 1 영역에 의하여 둘러싸인 기판(10)의 나머지 영역을 지칭한다.Referring to FIG. 1A, an inversion film 11 and a light shielding film 12 are formed on a quartz substrate 10, which is a transparent substrate having a first region and a second region defined thereon, and then formed by applying a photosensitive film 13 thereon. . In this case, the inversion film 11 is formed to a thickness of about 930 Å MoSiN, the light shielding film 12 is formed to a thickness of about 1050 Å using Cr, CrO x and the like as the conductive material, the photosensitive film 13 is a product name ZEP7000 It can be used to form a thickness of about 4000 kPa. In addition, the first region defines the edge of the transparent substrate 10 and the second region refers to the remaining region of the substrate 10 surrounded by the first region.
그리고, 감광막의 소정부위에 전자빔 등으로 노광(E-beam writing)을 실시하여 감광막의 일부를 변성시킨 변성막을 형성한다. 노광되지 않은 감광막 부위는 현상시 잔류하게 된다.Then, an e-beam writing is performed on a predetermined portion of the photoresist film to form a modified film in which a part of the photoresist film is modified. The unexposed photoresist portion remains during development.
그 다음, 전자빔에 의하여 노광된 감광막인 변성막을 현상(develop)하여 제거한다. 따라서, 차광막(12) 상에는 노광되지 않은 감광막패턴(13)이 잔류하여 이후 차광막(12) 패턴 형성용 식각시 식각마스크로 이용된다.Then, the modified film, which is a photosensitive film exposed by the electron beam, is developed and removed. Accordingly, the unexposed photoresist pattern 13 remains on the light shielding film 12, and is used as an etching mask during etching for forming the light shielding film 12 pattern.
도 1b를 참조하면, 크롬 등으로 이루어진 차광막(12)의 소정 부위를 감광막패턴(13)을 식각마스크로 이용하는 플라즈마 방식의 건식식각으로 제거하여 잔류한 차광막으로 이루어진 차광막패턴(120)을 형성한다.Referring to FIG. 1B, a predetermined portion of the light shielding film 12 made of chromium or the like is removed by dry etching of a plasma method using the photoresist pattern 13 as an etching mask to form a light shielding film pattern 120 formed of the remaining light shielding film.
그리고, 동일한 패턴을 갖는 감광막패턴(13)과 차광막패턴(120)을 식각마스크로 이용하여 이로부터 보호되지 않는 부위의 반전막을 제거하여 잔류한 반전막으로 이루어진 반전막패턴(110)을 형성한다. 이때, 반전막패턴(110)은 플라즈마를 이용하는 건식식각으로 형성되며, 그 결과 투명기판(10)의 소정 부위가 노출되어 투광영역을 형성한다.Then, using the photosensitive film pattern 13 and the light shielding film pattern 120 having the same pattern as an etching mask, the inversion film of the portion that is not protected from it is removed to form an inversion film pattern 110 composed of the remaining inversion film. In this case, the inversion film pattern 110 is formed by dry etching using plasma, and as a result, a predetermined portion of the transparent substrate 10 is exposed to form a transmissive area.
도 1c를 참조하면, 차광막패턴(120) 위에 잔류한 감광막패턴을 제거하여 투명기판(10) 상에 반전막패턴(110)과 차광막패턴(120)을 잔류시킨다.Referring to FIG. 1C, the photoresist layer pattern remaining on the light shielding layer pattern 120 is removed to leave the inversion layer pattern 110 and the light shielding layer pattern 120 on the transparent substrate 10.
그리고, 반전막패턴(110)과 그 위에 동일한 패턴으로 위치한 차광막패턴(120)을 포함하는 투명기판(10)의 전면에 상기 패턴사이의 갭을 충분히 매립하는 두께로 감광막(14)을 회전도포법 등의 방법으로 다시 형성한다.The photosensitive film 14 is rotated and coated to a thickness sufficient to fill a gap between the patterns on the front surface of the transparent substrate 10 including the inverted film pattern 110 and the light blocking film pattern 120 positioned in the same pattern thereon. It is formed again in the same manner.
그 다음, 감광막(14)에 다시 전자빔 등으로 다시 노광 및 현상을 실시하여 위상반전 마스크의 가장자리인 제 1 영역에 감광막 제 1 감광막패턴(140)을 잔류시키고 제 1 영역에 의하여 둘러싸인 제 2 영역의 차광막패턴(120)상에 제 2 감광막패턴(141)을 잔류시킨다. 이때, 제 2 감광막패턴(141)은 차광막패턴(120)의 상부 표면을 전부 덮지 않고 일부만 덮도록 폭이 좁게 형성한다.Then, the photosensitive film 14 is exposed and developed again with an electron beam or the like to leave the photosensitive film first photosensitive film pattern 140 in the first region, which is an edge of the phase inversion mask, and then to the second region surrounded by the first region. The second photosensitive film pattern 141 is left on the light blocking film pattern 120. In this case, the second photoresist layer pattern 141 is formed to have a narrow width so as to cover only part of the upper surface of the light shielding layer pattern 120.
그리고, 제 1 감광막패턴(140)과 제 2 감광막패턴(141)을 식각마스크로 이용하여 제 2 영역의 노출된 차광막패턴을 건식식각 등의 비등방성식각으로 제거하여 그 하지층인 반전막패턴(110)의 일부를 노출시킨다.Then, using the first photoresist layer pattern 140 and the second photoresist layer pattern 141 as an etch mask, the exposed light shielding layer pattern of the second region is removed by anisotropic etching such as dry etching to form an inverted layer pattern that is an underlying layer. Expose a portion of 110).
그 다음, 제 1 감광막패턴과 제 2 감광막패턴을 산소 애슁 등의 방법으로 제거하여 차광막패턴(121)의 상부 표면을 모두 노출시킨다.Then, the first photoresist pattern and the second photoresist pattern are removed by a method such as oxygen ashing to expose all of the upper surface of the light shielding pattern 121.
그러나, 상술한 종래 기술에 따른 위상반전 마스크는 차광막패턴의 크롬과 반저막을 이루는 MoSiN과 반사율이 다르기 때문에 위상반전 마스크 완성 후 검사시 감도(sensitivity)가 저하되어 마스크의 신뢰성이 저하되고, 이러한 문제를 해결하기 위하여 검사공정이 반복적으로 진행하여야하고 또한 세정공정 수도 증가하여 장비의 부하와 전체적인 제조공정시간을 증가시키는 문제점이 있다.However, since the phase inversion mask according to the related art has a different reflectance from chromium of the light shielding pattern and MoSiN forming a semi-low film, the sensitivity is lowered during inspection after completion of the phase inversion mask, thereby reducing the reliability of the mask. In order to solve the problem, the inspection process must be repeatedly performed and the number of cleaning processes is increased, thereby increasing the load of equipment and the overall manufacturing process time.
따라서, 본 발명의 목적은 차광층을 마스크 기판의 외곽에만 형성하고 마스크의 주패턴은 차광층을 배제한 반전층만으로 형성하여 차광층과 반전층의 반사율 차이를 제거하므로서 최종 위상반전 마스크의 검사를 용이하게 하여 위상반전마스크의 신뢰성을 향상시키고 제조시간을 단축시키도록 한 반도체장치의 노광용 위상반전 마스크 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.Therefore, an object of the present invention is to form a light shielding layer only on the outer periphery of the mask substrate, and the main pattern of the mask is formed only with an inversion layer excluding the light shielding layer, thereby eliminating the difference in reflectance between the light shielding layer and the inversion layer, thereby facilitating inspection of the final phase shift mask. The present invention provides an exposure reversal mask for a semiconductor device and a method of manufacturing the same to improve the reliability of the phase reversal mask and to shorten the manufacturing time.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 위상반전 마스크 제조방법은 외각이 제 1 영역이 되고 상기 제 1 영역에 둘러싸인 부위가 제 2 영역이 되도록 정의된 투명기판상에 반전막과 차광막을 차례로 형성하는 제 1 단계와, 상기 제 2 영역의 상기 차광막과 반전막을 소정의 형태로 패터닝하여 상기 제 2 영역의 상기 투명기판 표면을 노출시키는 투광영역을 형성하는 제 2 단계와, 상기 제 2 영역의 잔류한 상기 차광막을 제거하는 제 3 단계를 포함하여 이루어진다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of fabricating a phase inversion mask, in which an inversion film and a light shielding film are sequentially formed on a transparent substrate defined so that an outer shell becomes a first region and a portion surrounded by the first region becomes a second region. And a second step of patterning the light shielding film and the inversion film of the second area into a predetermined shape to form a light transmitting area exposing the surface of the transparent substrate of the second area, and remaining of the second area. And a third step of removing the light shielding film.
본 발명의 또 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 위상반전 마스크의 레이아웃은 외각이 제 1 영역이 되고 상기 제 1 영역에 둘러싸인 부위가 제 2 영역이 되도록 정의된 투명기판과, 상기 제 1 영역을 덮도록 상기 투명기판상에 형성된 차광막과, 상기 제 2 영역의 상기 투명기판상에 배열된 반전막패턴을 포함하여 이루어진다.In order to achieve another object of the present invention, a layout of a phase shift mask according to the present invention includes a transparent substrate defined so that an outer shell becomes a first region and a portion surrounded by the first region becomes a second region, and the first region. And a light blocking film formed on the transparent substrate so as to cover the gap, and an inversion film pattern arranged on the transparent substrate of the second region.
도 1a 내지 도 1d는 종래 기술에 따른 위상반전 마스크 제조공정 단면도1A to 1D are cross-sectional views of a manufacturing process of a phase inversion mask according to the prior art.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 따른 위상반전 마스크 제조공정 단면도2a to 2d is a cross-sectional view of the manufacturing process of the phase inversion mask according to the present invention
도 3은 본 발명에 따라 제조된 위상반전 마스크의 레이아웃3 is a layout of a phase shift mask manufactured according to the present invention.
본 발명에서는 가장자리가 제 1 영역이 되고 제 1 영역으로 둘러싸인 나머지 부위가 제 2 영역이 되도록 정의된 석영 등으로 이루어진 투명기판상에 반전막패턴을 형성하고 제 1 영역의 반전막패턴은 크롬 등으로 이루어진 차광막으로 덮혀있고 제 2 영역의 반전막패턴은 그대로 노출되도록 하여, 노광시 실제 패턴을 웨이퍼상에 전사시키는 투광영역을 갖는 제 2 영역의 반전막패턴만으로 노광 패턴을 정의한다.In the present invention, an inversion film pattern is formed on a transparent substrate made of quartz or the like, the edge of which is defined as a first area and the remaining area surrounded by the first area is a second area, and the inversion film pattern of the first area is made of chromium or the like. The exposure pattern is defined only by the inversion film pattern of the second region, which is covered with the light shielding film and the inversion film pattern of the second region is exposed as it is, and has a light-transmitting region for transferring the actual pattern onto the wafer during exposure.
따라서, 실제 노광패턴을 정의하는 제 2 영역이 반전막패턴만으로 형성되므로 서로 다른 물질이 적층되어 있는 종래 기술과 비교하여 각각의 물질 특성에 기인한 고유 반사율 차이에 기인한 문제점을 제거하여 완성된 위상반전 마스크에 대한 제품 검사를 용이하게 하여 제품의 신뢰성을 향상시키고 제조공정시간을 단축시킨다.Therefore, since the second region defining the actual exposure pattern is formed only with the inversion film pattern, the phase completed by eliminating the problems caused by the difference in intrinsic reflectance due to the characteristics of each material compared to the prior art in which different materials are stacked. It facilitates product inspection for inverted masks, improving product reliability and reducing manufacturing process time.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 따른 위상반전 마스크 제조공정 단면도이다.2A to 2D are cross-sectional views of a manufacturing process of a phase inversion mask according to the present invention.
도 2a를 참조하면, 제 1 영역과 제 2 영역이 정의된 투명기판인 석영 기판(20) 위에 반전막(21), 차광막(22)을 차례로 형성한 다음, 그(22) 위에 감광막(23)을 도포하여 형성한다. 이때, 반전막(21)은 MoSiN을 약 930Å의 두께로 형성하고, 차광막(22)은 도전성 물질로 Cr과 CrOx등을 사용하여 약 1050Å의 두께로 형성하며, 감광막(23)은 제품명 ZEP7000을 사용하여 약 4000Å의 두께로 형성할 수 있다. 또한, 제 1 영역은 투명기판(20)의 가장자리를 정의하고 제 2 영역은 상기 제 1 영역에 의하여 둘러싸인 기판(20)의 나머지 영역을 지칭한다.Referring to FIG. 2A, an inverting film 21 and a light blocking film 22 are sequentially formed on a quartz substrate 20, which is a transparent substrate having a first region and a second region defined thereon, and then a photosensitive film 23 is formed thereon. It is formed by applying. In this case, the inversion film 21 forms MoSiN to a thickness of about 930 kW, the light shielding film 22 is formed to a thickness of about 1050 kW using Cr, CrO x, etc. as a conductive material, and the photoresist film 23 uses a product name ZEP7000. It can be used to form a thickness of about 4000 kPa. In addition, the first region defines an edge of the transparent substrate 20 and the second region refers to the remaining region of the substrate 20 surrounded by the first region.
그리고, 감광막의 소정부위에 전자빔 등으로 노광(E-beam writing)을 실시하여 감광막의 일부를 변성시킨 변성막을 형성한다. 노광되지 않은 감광막 부위는 현상시 잔류하게 된다.Then, an e-beam writing is performed on a predetermined portion of the photoresist film to form a modified film in which a part of the photoresist film is modified. The unexposed photoresist portion remains during development.
그 다음, 전자빔에 의하여 노광된 감광막인 변성막을 현상(develop)하여 제거한다. 따라서, 차광막(22) 상에는 노광되지 않은 감광막패턴(23)이 잔류하여 이후 차광막(22) 패턴 및 반전막패턴 형성용 식각시 식각마스크로 이용된다.Then, the modified film, which is a photosensitive film exposed by the electron beam, is developed and removed. Therefore, the unexposed photosensitive film pattern 23 remains on the light shielding film 22, and is used as an etching mask for etching the light shielding film 22 pattern and the reverse film pattern.
도 2b를 참조하면, 크롬 등으로 이루어진 차광막(220)의 소정 부위를 감광막패턴(23)을 식각마스크로 이용하는 플라즈마 방식의 건식식각으로 제거하여 잔류한 차광막으로 이루어진 차광막패턴(220)을 형성한다.Referring to FIG. 2B, a predetermined portion of the light shielding film 220 made of chromium or the like is removed by dry etching using a plasma method using the photoresist pattern 23 as an etching mask to form a light shielding film pattern 220 formed of the remaining light shielding film.
그리고, 동일한 패턴을 갖는 감광막패턴(23)과 차광막패턴(220)을 식각마스크로 이용하여 이로부터 보호되지 않는 부위의 반전막을 제거하여 잔류한 반전막으로 이루어진 반전막패턴(210)을 형성한다. 이때, 반전막패턴(210)은 플라즈마를 이용하는 건식식각으로 형성되며, 그 결과 투명기판(20)의 소정 부위가 노출되어 투광영역을 형성한다.Then, using the photosensitive film pattern 23 and the light shielding film pattern 220 having the same pattern as an etching mask, the inversion film pattern 210 formed of the remaining inversion film is formed by removing the inversion film of a portion not protected from it. In this case, the inversion film pattern 210 is formed by dry etching using plasma, and as a result, a predetermined portion of the transparent substrate 20 is exposed to form a transmissive area.
도 2c를 참조하면, 차광막패턴(220) 위에 잔류한 감광막패턴을 제거하여 투명기판(20) 상에 반전막패턴(210)과 차광막패턴(220)을 잔류시킨다.Referring to FIG. 2C, the photoresist layer pattern remaining on the light shielding layer pattern 220 is removed to leave the inversion layer pattern 210 and the light shielding layer pattern 220 on the transparent substrate 20.
그리고, 반전막패턴(210)과 그 위에 동일한 패턴으로 위치한 차광막패턴(220)을 포함하는 투명기판(20)의 전면에 상기 패턴사이의 갭을 충분히 매립하는 두께로 감광막(24)을 회전도포법 등의 방법으로 다시 형성한다.Then, the photosensitive film 24 is rotated and coated to a thickness sufficiently filling the gap between the patterns on the front surface of the transparent substrate 20 including the inverted film pattern 210 and the light blocking film pattern 220 positioned in the same pattern thereon. It is formed again in the same manner.
그 다음, 감광막(24)에 다시 전자빔 등으로 다시 노광 및 현상을 실시하여 위상반전 마스크의 가장자리인 제 1 영역에만 감광막 감광막패턴(24)을 잔류시키고 제 1 영역에 의하여 둘러싸인 제 2 영역의 차광막패턴(220) 상부 표면은 노출시킨다.Then, the photoresist film 24 is exposed and developed again with an electron beam or the like to leave the photoresist photoresist pattern 24 only in the first region, which is an edge of the phase inversion mask, and the light shielding pattern of the second region surrounded by the first region. The top surface 220 is exposed.
도 2d를 참조하면, 감광막패턴(24)을 식각마스크로 이용하여 제 2 영역의 노출된 차광막패턴을 건식식각 등의 비등방성식각으로 제거하여 그 하지층인 반전막패턴(210)의 표면을 노출시킨다.Referring to FIG. 2D, by using the photoresist pattern 24 as an etch mask, the exposed light shielding pattern of the second region is removed by anisotropic etching such as dry etching to expose the surface of the inversion film pattern 210 that is the underlying layer. Let's do it.
그 다음, 감광막패턴을 산소 애슁 등의 방법으로 제거하여 제 1 영역의 차광막패턴(220)의 상부 표면도 노출시킨다.Then, the photoresist pattern is removed by a method such as oxygen ashing to expose the upper surface of the light shielding pattern 220 in the first region.
도 3은 본 발명에 따라 제조된 위상반전 마스크의 레이아웃이다.3 is a layout of a phase inversion mask manufactured according to the present invention.
도 3을 참조하면, 제 1 영역과 제 2 영역이 정의된 석영 등으로 이루어진 투명기판(20)의 가장자리를 정의하는 상기 제 1 영역의 투명기판을 덮고 있는 제 1반전막패턴(도시안됨)상에 크롬 등의 차광물질로 이루어진 차광막패턴(220)이 형성되어 있다.Referring to FIG. 3, a first inversion film pattern (not shown) covering a transparent substrate of the first region defining an edge of the transparent substrate 20 made of quartz or the like in which the first region and the second region are defined. A light shielding film pattern 220 made of a light shielding material such as chromium is formed in the film.
실제 위상반전 마스크를 이용하여 웨이퍼상에 소정의 이미지를 전사하기 위한 투광영역이 형성되는 제 2 영역의 상기 투명기판(20)상에는 소정의 패턴을 갖는 제 2 반전막패턴(210)이 배열되어 있다.A second inversion film pattern 210 having a predetermined pattern is arranged on the transparent substrate 20 in a second region in which a transmissive area for transferring a predetermined image is formed on a wafer using an actual phase inversion mask. .
따라서, 본 발명의 실시예에서는 제 2 영역의 제 2 반전막패턴(210)이 차광영역이 되고 제 2 영역의 나머지 부위가 투광영역이 되며, 제 2 영역의 차광영역을 제 2 반전막패턴(210) 하나의 재료로 형성하므로 크롬 등과의 적층구조로 차광영역을 형성하는 종래 기술과 달리 반사율 차이에 의한 문제점들이 방지된다.Therefore, in the exemplary embodiment of the present invention, the second reversed film pattern 210 of the second area becomes the light shielding area, and the remaining part of the second area becomes the light transmitting area, and the light shielding area of the second area corresponds to the second reversed film pattern ( 210) Since the material is formed of a single material, problems due to difference in reflectance are prevented, unlike in the prior art of forming a light shielding area in a laminated structure with chromium or the like.
따라서, 본 발명의 위상반전 마스크 및 그 제조방법은 실제 노광패턴을 정의하는 제 2 영역이 반전막패턴만으로 형성되므로 서로 다른 물질이 적층되어 있는 종래 기술과 비교하여 각각의 물질 특성에 기인한 고유 반사율 차이에 기인한 문제점을 제거하여 완성된 위상반전 마스크에 대한 제품 검사를 용이하게 하여 제품의 신뢰성을 향상시키고 제조공정시간을 단축시키는 장점이 있다.Therefore, the phase inversion mask of the present invention and the method of manufacturing the same are inherent reflectance due to the characteristics of each material compared to the prior art in which different materials are laminated since the second region defining the actual exposure pattern is formed only of the inversion film pattern. By eliminating the problems caused by the difference, it is easy to inspect the product for the completed phase inversion mask, thereby improving the reliability of the product and shortening the manufacturing process time.
Claims (8)
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| KR100866448B1 (en) * | 2007-06-20 | 2008-10-31 | 주식회사 동부하이텍 | Mask for exposure |
| US9989857B2 (en) | 2014-10-20 | 2018-06-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photomask and method of forming the same and methods of manufacturing electronic device and display device using the photomask |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970016774A (en) * | 1995-09-13 | 1997-04-28 | 김광호 | Manufacturing method of half-tone phase inversion mask |
| KR970016762A (en) * | 1995-09-21 | 1997-04-28 | 김광호 | How to make a half-tone phase reversal mask |
| KR19990086182A (en) * | 1998-05-26 | 1999-12-15 | 윤종용 | Rim type phase reversal mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacturing same |
| JP2000286182A (en) * | 1999-03-30 | 2000-10-13 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | Manufacture of phase shift mask |
| KR20000067048A (en) * | 1999-04-22 | 2000-11-15 | 김영환 | Method for Manufacturing Of Phase Shift Mask |
-
2000
- 2000-11-24 KR KR1020000070224A patent/KR20020040236A/en not_active Application Discontinuation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970016774A (en) * | 1995-09-13 | 1997-04-28 | 김광호 | Manufacturing method of half-tone phase inversion mask |
| KR970016762A (en) * | 1995-09-21 | 1997-04-28 | 김광호 | How to make a half-tone phase reversal mask |
| KR19990086182A (en) * | 1998-05-26 | 1999-12-15 | 윤종용 | Rim type phase reversal mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacturing same |
| JP2000286182A (en) * | 1999-03-30 | 2000-10-13 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | Manufacture of phase shift mask |
| KR20000067048A (en) * | 1999-04-22 | 2000-11-15 | 김영환 | Method for Manufacturing Of Phase Shift Mask |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100866448B1 (en) * | 2007-06-20 | 2008-10-31 | 주식회사 동부하이텍 | Mask for exposure |
| US9989857B2 (en) | 2014-10-20 | 2018-06-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photomask and method of forming the same and methods of manufacturing electronic device and display device using the photomask |
| US10474034B2 (en) | 2014-10-20 | 2019-11-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Phase shift mask |
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