KR20020030410A - 전해이온수 생성장치 및 반도체 소자의 세정방법 - Google Patents

전해이온수 생성장치 및 반도체 소자의 세정방법 Download PDF

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Abstract

일정농도이상의 금속이온이 포함된 전해이온수의 공급을 차단하는 전해이온수 생성장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 세정방법에 대해 개시되어 있다. 이 장치는, 전해이온수에 포함된 금속이온을 검출하는 검출기와 금속이온 검출시 전해이온수의 생성을 중단시키는 제어기를 구비한다. 특히, 반도체 소자를 제조하는 세정공정시 일정농도이상의 금속이온이 함유된 전해이온수의 투입을 차단하는 데 매우 효과적이다.

Description

전해이온수 생성장치 및 반도체 소자의 세정방법{Electrolytic ionized water producing apparatus and method of cleaning semiconductor device}
본 발명은 전해이온수 생성장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 세정방법에 관한 것으로, 특히 일정농도이상의 금속이온이 포함된 전해이온수의 공급을 차단시키는 전해이온수 생성장치 및 반도체 소자의 세정방법에 관한 것이다.
전해이온수는 물질의 표면을 세정하는 공정에서 불순물을 제거하는 데 이용된다. 물질의 표면에는 금속, 입자, 유지(oil), 기타 많은 불순물이 존재한다. 전해이온수는 필요에 따라 산화-환원능력 및 수소이온 농도지수(이하 "pH"라 함)를 변화시켜 물질 표면의 불순물을 효과적으로 제거한다. 예를들어, 전해이온수에 의하여 불순물의 정전기적인 인력을 상쇄시켜 불순물을 부유하게 함으로써 물질의 표면으로부터 불순물을 제거한다. 또한, 산화성 이온수의 경우는 불순물을 산화시킨 후 분해함으로써 이를 물질의 표면으로부터 제거하기도 한다. 따라서, 전해이온수를 이용한 세정은 물질표면에 존재하는 불순물을 제거하는 데 매우 효과적이다. 덧붙여, 전해이온수 자체의 강한 산화성을 이용하여 살균의 용도로도 사용한다.
전해이온수는 전해질을 공급받은 탈이온수에 직류를 가함으로써 전기분해가 발생하여 만들어 진다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래의 전해이온수 생성장치를 설명하기로 한다. 전해이온수 생성장치는 2실형 전해이온수 생성장치, 3실형 전해이온수 생성장치 및 기타 전해이온수 생성장치(미국등록특허번호 5,616,221, 일본공개특허평11-151493)가 있으나 여기서는 3실형 전해이온수 생성장치에 대해 설명하기로 한다.
도1은 종래의 3실형 전해이온수 생성장치를 나타낸 개략도이다.
도1을 참조하면, 3실형 전해이온 생성장치는 크게 캐소드(cathode) 영역과 애노드(anode) 영역 및 중간실로 나뉘어 진다. 캐소드영역은 캐소드 멤브레인 (membrane)(112)과 캐소드 전극(110) 그리고 캐소드 챔버(chamber)(108)로 이루어 지며, 애노드 영역은 애노드 멤브레인(118)과 애노드 전극(116) 그리고 애노드 챔버(114)로 이루어 진다. 그리고, 애노드 멤브레인과 캐소드 멤브레인 사이에는 중간실(120)이 있다. 한편, 전해이온수를 생성하는 원리를 살펴보면, 탈이온수 인입구(104)로 인입하여 전해질 공급부(102)에서 생성된 전해질을 공급받은 탈이온수는 각각 캐소드 챔버(108) 및 애노드 챔버(114)로 들어간다. 여기서, 전해질 공급부(102)는 캐소드로 향하는 탈이온수 인입구(104)와 애노드로 향하는 탈이온수 인입구(104)에 설치할 수 있고 또는 중간실(120)로 들어가는 탈이온수 인입구(104)에 설치할 수도 있다. 또한, 전해질 공급부(102)를 산화성 이온수 배출구와 환원성 이온수의 배출구에 설치할 수도 있으며 캐소드로 향하는 탈이온수 인입구와 산화성 이온수의 배출구 또는 애노드로 향하는 탈이온수 인입구와 환원성 이온수의 배출구에 설치할 수도 있다. 이어서, 캐소드 전극(110)은 캐소드 챔버(108)에 있는 전해질이 포함된 탈이온수에 전자(electron)를 공급하여 환원성 이온수를 생성하게 하게 된다. 또한, 애노드 전극(116)은 애노드 챔버(114)에 인입된 탈이온수로부터 전자를 빼앗아 산화성 이온수를 생성시킨다. 한편, 3실형 전해이온수 생성장치에는 캐소드 멤브레인(112)과 애노드 멤브레인(118)에 역류되는 이온수를 중화하기 위하여 중간실 (120)이 있다. 필요에 따라, 전해이온수의 배출구(128)에는 금속이온을정제할 수 있는 필터(filter)(126)를 설치할 수 있다.
그런데, 종래의 전해이온수 생성장치에 의한 전해이온수 생성에는 다음과 같은 문제가 있다. 캐소드 전극(110)와 애노드 전극(116)은 Pt 또는 백금화한 Ti 등 금속이 주로 사용되는 데, 이 금속들이 이온화하여 불순물로서 전해이온수에 포함될 수가 있다. 이러한 불순물은 정제과정인 필터(126)을 거친다고 해도 완벽하게 제거할 수는 없다. 금속이온 불순물은 경우에 따라서는 제품의 기능에 치명적인 영향을 줄 수 있다. 예를들어, 반도체 세정공정중의 세정액중에 금속이온 불순물이 포함되어 있다면 반도체 소자에 치명적인 손상을 가져 온다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 전해이온수에 내재하는 금속이온을 영향을 받지 않는 세정작업을 위한 전해이온수 생성장치를 제공하는 것이다.
도1은 종래의 전해이온수 생성장치를 나타낸 개략도이다.
도2 및 도3은 본 발명에 따른 전해이온수 생성장치를 나타내는 개략도이다.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
102 ; 전해질 공급부 104 ; 탈이온수 인입구
108 ; 캐소드 챔버 110 ; 캐소드 전극
112 ; 캐소드 멤브레인 114 ; 애노드 챔버
116 ; 애노드 전극 118 ; 애노드 멤브레인
120 ; 중간실 124 ; 중간실 배출구
128 ; 전해이온수 배출구 202 ; 탈이온수 생성장치
204 ; 전해이온수 분배장치 206 ; 인입구
208 ; 전해이온수 생성장치 210 ; 인출부위
212 ; 차단밸브 214 ; 세정장치
216 ; 검출기 220 ; 제어기
222 ; 차단기 300 ; 혼합기
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 의한 전해이온수 생성장치는, 환원성 전해이온수와 산화성 전해이온수를 분리생성하여 배출하는 전해이온수 생성장치와 상기 전해이온수 생성장치로부터 배출된 전해이온수의 일부를 인출하여 검출기로 보내는 인출부위와 상기 인출부위에서 인출된 전해이온수에 내재하는 금속이온의 농도를 검출하는 검출기 및 상기 검출기에 연결되어 상기 전해이온수의 생성을 중단시키거나 상기 전해이온수가 세정장치로 인입되는 것을 차단시키는 제어기를 구비하는 전해이온수 생성장치이다.
또한, 검출기로서 포텐시오스타트(Potentiostat), 이온선택성 전극 (Selective ion meter), IC (Ion Chromatography; 이온 크로마토그래피), X선 이용 검출기, AES(Atomic Emission Spectroscope;원자발광광도법), AAS(Atomic Absorption Spectroscope;원자흡광광도법), ICP-MS(Inductively Coupled Plasma - Mass Spectrometry; 유도결합플라즈마-질량분석기)으로 이루어진 군중에서 선택된 어느 하나 또는 2 이상을 결합하여 사용한다. 또한, 상기 검출기 중에서 포텐시오스타트, 이온선택성 전극, IC, X선 이용 검출기는 In-situ법으로 검출하는 것이 바람직하다.
필요한 경우, 상기 환원성 전해이온수와 상기 산화성 전해이온수 각각의 일부를 인출하여 혼합시키는 혼합기를 더 포함할 수 있으며, 상기 전해이온수 생성후에 금속이온을 제거하는 필터를 설치할 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 전해이온수 생성장치에서 생성된 전해이온수를 반도체기판의 세정공정에 적용한다. 또한, 상기 제어기에서 차단시키는 금속이온의 농도가 0.1ppb(particles per billion) 내지 1.5 ppb가 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정하는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
도2는 본 발명의 일실시예에 의한 전해이온수 생성장치를 나타내는 개략도이다.
도2를 참조하면, 전원(200)이 작동되고 차단기(222)가 연결되면 탈이온수 생성장치(202)에서 탈이온수가 생성된다. 이어서, 탈이온수는 전해이온수 분배장치 (204)에 의해 분리된 상태에서 전해질 공급부(102)에서 생성된 전해질을 공급받아 전해이온수 생성장치(208)으로 보내어 진다. 다음에, 캐소드 영영에서는 환원성 전해이온수를 생성하고 애노드 영역에서는 산화성 전해이온수를 생성한 후 생성된 전해이온수를 세정장치(214)를 향하여 배출시킨다. 전해이온수 생성장치(208)에서 생성된 환원성 이온수와 산화성 이온수의 대부분은 세정장치(214)으로 보내어 진다. 한편, 세정장치(214)로 향하는 전해이온수의 일부를 인출부위 (210)에서 인출하여 검출기(216)로 보낸다. 검출기(216)에서는 금속이온 함유여부 및 함유된 양을 확인한 다음 확인된 이온수는 배출구(218)을 통하여 외부로 배출한다. 여기서, 금속이온을 검출하는 검출기로서는 포텐시오스타, 이온선택성 전극, X선 이용 검출기, AES, AAS, ICP-MS, IC 으로 이루어진 군중에서 선택된 어느 하나 또는 2이상을 결합하여 사용할 수 있다.
각 검출기를 측정원리를 중심으로 구체적으로 살펴보기로 한다. 포텐시오스타트는 각 금속이온들은 특정전위에서 환원이 일어나므로 전압을 스캔(scan)하면서 전류를 측정하면 금속이온의 존재유무를 알 수 있으며, 피크면적(peak area)으로부터 농도를 알 수 있다. 이러한 방법으로 전이금속의 오염농도를 측정할 경우, ppb 단위까지 검출할 수 있다. 특히, Fe이온, Ti이온, Pt이온, Cu이온 등의 검출에 적합하다. 이온선택성 전극은 측정원리는 포텐시오스타트와 유사하나 멤브레인(membrane)을 이용하여 금속이온의 선택성을 증가시킬 수 있다. 즉, 특정금속만을 선택하여 그 농도를 알아볼 수 있다. 몇몇 금속원소(Na, Ka, Ca, Cu, Pb, Ag 등)에 대해서는 상용화된 전극이 있다. IC는 컬럼(Column)과 엘루언트(Eluent)를 이용하여 금속원소들을 분리하고 이를 단순 포텐시오스타트 검출기로 검출하는 방식이다. 특히, 각종 금속이온을 분리하여 검출할 수 있다. X선(X-ray)를 이용한 검출기는 X선을 쬐여 발생하는 형광(Fluorescence)를 검출하는 방법으로 ppm(particles per million)단위의 금속이온 농도를 검출할 수 있다. 덧붙여, 상기 포텐시오스타트, 이온선택성 전극, IC, X선을 이용한 검출기는 In-situ로 분석이 가능하다. AES는 시료액체를 기화한 후 플라즈마 상태로 만들어 발생하는 금속원소의 방출광을 검출한다. 이때, 방출광은 각 금속원소마다 특정 파장을 나타내기 때문에 방출광의 세기를 분석하여 농도를 분석한다. 이 방법으로는 대부분의 금속원소에 대한 검출이 가능하다. AAS는 시료액체를 기화시킨 후 금속원소의 흡수 스펙트럼 강도를 측정하여 정량 분석을 한다. 이 방법을 이용하여 대부분의 금속원소에 대한 검출이 가능하다. ICP-MS는 ICP방식으로 시료액체를 기화시킨 후 MS(질량분석기)를 이용하여 금속원소를 분석하는 방법으로 모든 원소에 대한 검출이 가능하다. 만일, 검출기에서 검출된 금속이온이 허용될 수 있는 농도이상이면 상기 전해이온수가 세정장치로 보내어 지는 것을 차단하여야 한다. 특히, 반도체 소자를 제조하는 세정공정에서 금속이온의 농도가 0.1ppb 내지 1.5ppb이상이면 제품에 치명적인 손상을 가져 온다. 그러므로, 허용한도를 초과한 금속이온이 존재하면 전해이온수가 세정장치(214)에 투입되는 것을 차단하여야 한다. 차단가능한 방법을 고려해보면,제어기(220)내에 있는 차단장치를 작동시키거나 탈이온수 생성장치(202)이전에 차단기(222)를 두어 탈이온수의 생성을 차단하거나 세정장치(214)로 인입되는 전해이온수를 차단밸브(212)로 차단하는 방법이 있으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를들어, 탈이온수 생성장치(202)의 작동을 중단시키는 경우, 금속이온 검출결과을 전달받은 제어기(220)는 차단기(222)를 작동하여 탈이온수 생성장치(202)에 전원(200)이 공급되는 것을 차단시킨다.
도3은 본 발명의 다른 실시예에 의한 전해이온수 생성장치를 나타내는 개략도이다.
도3을 참조하면, 도2에서와 같은 방법으로 생성되어 인출된 전해이온수를 혼합기(300)에 보낸다. 다음에, 혼합기(300)에서 처리된 이온수는 검출기(216)에서 금속이온 함유여부를 확인한다. 이때, 금속이온을 검출하는 검출기로서는 포텐시오스타, 이온선택성 전극, X선 이용 검출기, AES, AAS, ICP-MS, IC 으로 이루어진 군중에서 선택된 어느 하나 또는 2이상을 결합하여 사용할 수 있다. 한편, 혼합기(300)는 검출기(216)에서 금속이온 검출시 상기 전해이온수에 혼합되어 있는 수소이온(H+)과 수산화이온(OH-)들의 간섭효과를 배제하기 위해 사전처리작업을 하는 곳이다. 여기서, 이온들의 간섭효과란 전해이온수 자체에 내재되어 있는 H+과 OH-들이 금속이온 검출시 검출기의 검출결과에 노이즈(noise)로써 영향을 주는 것을 말한다. 그런데, 상기 검출기(216)중에서 간섭효과의 영향을 받는 것은 포텐시오스타트, 이온선택성 전극, IC가 있다. 따라서, 상기 검출기들은 금속이온을 검출하기이전에 혼합기(300)에서 사전처리하는 것이 바람직하다. 또한, 간섭효과를 거의 없는 검출기는 X선 이용 검출기, AES, AAS, ICP-MS가 있다. 그런데, 간섭효과의 영향을 거의 받지 않는 검출기라고 할지라도 금속이온 검출결과에 대한 신뢰도 향상을 위하여 혼합기를 사용하는 것이 바람직하다. 이어서, 검출기(216)에서 금속이온 함유여부가 확인된 이온수는 배출밸브를 통해 외부로 배출된다. 만일, 검출기에서 검출된 금속이온이 허용할 수 있는 농도이상이면 상기 전해이온수가 세정장치로 보내어 지는 것을 차단시켜야 한다. 그러므로, 허용한도를 초과한 금속이온이 존재하면 전해이온수가 세정장치로 투입되는 것이 차단되어야 한다. 차단가능한 방법을 고려해보면, 제어기(220)내에 있는 차단장치를 작동시키거나 탈이온수 생성장치(202)이전에 차단기(222)를 두어 탈이온수의 생성을 차단하거나 세정장치(214)로 인입되는 전해이온수를 차단밸브(212)로 차단하는 방법 등이 있으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를들어, 탈이온수 생성장치(202)의 작동을 중단시키는 경우, 금속이온 검출결과을 전달받은 제어기(220)은 차단기(222)를 작동시켜 탈이온수 생성장치(202)에 전원(200)이 공급되는 것을 차단시킨다.
이상 본 발명을 상세히 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정하지 않고 당업자에 의해 많은 변형 및 개량이 가능하다. 예컨대, 본 발명에서는 3실형 전전해이온수 생성장치에 대해 설명하였으나, 2실형 전해이온수 생성장치 및 기타 전해이온수 생성장치에도 적용될 수 있다.
상술한 본 발명에 의한 전해이온수 생성장치에 따르면, 금속이온농도를 검출하는 검출기와 금속이온의 농도가 일정량을 초과하면 전해이온수가 세정장치에 공급되는 것을 차단하는 제어기를 구비하여 세정작업시 전극용출에 의한 오염을 사전에 방지할 수 있다.

Claims (8)

  1. 환원성 전해이온수와 산화성 전해이온수를 분리생성하여 배출하는 전해이온수 생성장치;
    상기 전해이온수 생성장치로부터 배출된 전해이온수의 일부를 인출하여 검출기로 보내는 인출부위;
    상기 인출부위에서 인출된 전해이온수에 내재하는 금속이온의 농도를 검출하는 검출기; 및
    상기 검출기에 연결되어 상기 전해이온수의 생성을 중단시키거나 상기 전해이온수가 세정장치로의 인입되는 것을 차단시키는 제어기;
    를 구비하는 전해이온수 생성장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 검출기로서 포텐시오스타트, 이온선택성 전극, IC, X선 이용 검출기, AES, AAS, ICP-MS 으로 이루어진 군중에서 선택된 어느 하나 또는 2 이상이 결합된 것을 특징으로 하는 전해이온수 생성장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 환원성 전해이온수와 상기 산화성 전해이온수 각각의일부를 인출하여 혼합시키는 혼합기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전해이온수 생성장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 혼합기를 이용하는 검출기가 포텐시오스타트, 이온선택성 전극, IC 인 것을 특징으로 하는 전해이온수 생성장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 검출기 중에서 In-situ로 검출하는 검출기가 포텐시오스타트, 이온선택성 전극, IC, X선 이용 검출기인 것을 특징으로 하는 전해이온수 생성장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 전해이온수 생성후에 금속이온을 제거하는 필터가 있는 것을 특징으로 하는 전해이온수 생성장치.
  7. 환원성 전해이온수와 산화성 전해이온수를 분리생성하여 배출하는 단계;
    상기 전해이온수 생성장치로부터 배출된 전해이온수의 일부를 인출하여 검출기로 보내는 인출하는 단계;
    상기 인출된 전해이온수에 내재하는 금속이온을 검출하는 단계; 및
    상기 전해이온수의 생성을 중단시키거나 상기 전해이온수가 세정장치로 인입되는 것을 차단시키는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 세정방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제어기에서 차단시키는 금속이온의 농도가 0.1ppb 내지 1.5 ppb인 것을 특징으로 하는 반도체기판의 세정방법.
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Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2830733B2 (ja) * 1994-03-25 1998-12-02 日本電気株式会社 電解水生成方法および電解水生成機構
JP3479356B2 (ja) * 1994-10-20 2003-12-15 ホシザキ電機株式会社 電解水生成装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150050232A (ko) * 2013-10-31 2015-05-08 주식회사 위드텍 용액의 메탈에 대한 온라인 모니터링 시스템

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