KR20020027931A - Electro-Luminescence Device and the Manufacturing Method - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 유기발광소자의 구조 및 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 빛이 상부(기판이 형성되는 반대방향)측으로 발광하도록 하여 개구율과 휘도를 향상시키는 전면발광구조를 갖는 유기발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a structure and a manufacturing method of an organic light emitting device, and more particularly, to an organic light emitting device having a front light emitting structure for improving light aperture and luminance by emitting light toward an upper side (the opposite direction in which a substrate is formed) and a manufacturing method thereof. It is about.
일반적으로, 일렉트로루미네선스 EL(Electro-Luminescence)이란, 전자(electron)와 정공(hole)이 반도체(semiconductor)안에서 전자-정공쌍을 만들거나 캐리어(carrier)들이 좀더 높은 에너지 상태로 여기 된 후 다시 안정화 상태인 그들의 바닥상태(equilibrium state)로 떨어지는 과정을 통해 빛이 발생하는 현상을 말한다.In general, Electro-Luminescence (EL) means that electrons and holes form electron-hole pairs in a semiconductor or carriers are excited to a higher energy state. It is the phenomenon that light is generated by falling back to their equilibrium state.
도 1은 상술한 EL현상을 이용한 일반적인 EL소자의 단면을 도시한 도면으로, 전자와 정공이 형성되는 반도체층을 유기물질로 사용하는 유기EL(Electro-Luminescence)을 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a general EL device using the above-described EL phenomenon, and is a cross-sectional view showing an organic EL (Electro-Luminescence) using a semiconductor layer in which electrons and holes are formed as an organic material.
유기EL소자(10)의 적층 구조를 보면, 기판(11)과, 상기 기판(11)상에 양극(Anode : 13)이 형성되며, 상기 양극(13) 상부에는 음극(Cathode : 15)이 형성되고, 상기 음극(15)과 양극(13)사이에 발광층(17)이 형성된다.In the stacked structure of the organic EL device 10, an anode 13 is formed on the substrate 11 and the substrate 11, and a cathode 15 is formed on the anode 13. The light emitting layer 17 is formed between the cathode 15 and the anode 13.
즉, 도 1에 도시한 바와 같이 전극/발광층/전극의 구조로 이루어져 있으며, 전자 주입전극인 음극(15)은 상기 양극(13)보다 상대적으로 작은 일함수(Work Function)를 갖는 금속인 Ca, Mg, Al 등이 쓰인다.That is, as shown in FIG. 1, the electrode / light emitting layer / electrode has a structure, and the cathode 15, which is an electron injection electrode, is a metal having a work function relatively smaller than that of the anode 13; Mg, Al, etc. are used.
상기와 같이 일함수가 낮은 금속을 전자 주입전극(즉, 음극(15)으로 사용하는 이유는 음극(15)과 발광층(17)사이에 형성되는 장벽(Carrier)을 낮춤으로서 전자 주입에 있어 높은 전류밀도를 얻을 수 있기 때문이다.The reason why the metal having the low work function is used as the electron injection electrode (that is, the cathode 15) is to lower the barrier formed between the cathode 15 and the light emitting layer 17 to increase the current in the electron injection. This is because the density can be obtained.
이를 통해 소자의 발광효율을 증가시킬 수 있게 된다. 따라서, 가장 낮은 일함수를 갖는 칼슘(Ca)의 경우 높은 효율을 보이는 반면, Al의 경우 상대적으로 높은 일함수를 가지므로 낮은 효율을 갖게 된다. 그러나, Ca는 공기중의 산소나 수분에 의해 쉽게 산화되는 문제를 가지며, Al은 공기에 안정한 물질로써 유용함이 있다.This can increase the luminous efficiency of the device. Therefore, calcium (Ca) having the lowest work function shows high efficiency, while Al has a relatively high work function and thus has low efficiency. However, Ca has a problem of being easily oxidized by oxygen or moisture in the air, and Al is useful as a material that is stable in air.
한편. 양극(13)은 정공(hole) 주입을 위한 전극으로 일함수가 높고 발광된 빛이 소자 밖으로 나올 수 있도록 투명 금속 산화물을 사용하며, 가장 널리 사용되는 정공 주입전극으로는 ITO(Indium Tin Oxide)로써, 두께는 약 30㎚정도이다.Meanwhile. The anode 13 has a high work function and uses a transparent metal oxide to emit emitted light out of the device. The most widely used hole injection electrode is ITO (Indium Tin Oxide). The thickness is about 30 nm.
ITO의 경우 빛에 대해 투명한 장점을 가지는 반면, 증착공정이 쉽지 않다는 단점을 가진다. 따라서, 최근 주위에 대한 안정성면에서 장점을 보이는 polythiophene 등을 포함한 chemicallly-doping된 공액고분자(conjugated polmer)들이 hole 주입 전극으로 사용이 고려되고 있다.While ITO has the advantage of being transparent to light, it has the disadvantage that the deposition process is not easy. Therefore, recently, chemicallly-doping conjugated polmers including polythiophene, which show advantages in ambient stability, have been considered for use as hole injection electrodes.
이때, 양극(13)물질로 높은 일함수를 갖는 금속을 사용함으로써, 양극(13)에 서의 비발광 재결합을 통한 발광효율의 감소를 막을 수 있다.At this time, by using a metal having a high work function as the material of the anode 13, it is possible to prevent the reduction of the luminous efficiency through non-emitting recombination in the anode (13).
한편, 기판(1)으로는 대부분 투명한 유리를 사용하며, 발광층(17)재료로는 Alq3. Anthracene 등의 단분자 유기 EL과 PPV(Poly(p-phenylenevinylene), PT(polythiophene) 등과 그들의 유도체들인 고분자 유기 EL물질들이 쓰이며, 낮은 구동전압에서의 전하 방출을 위해 발광층의 얇은 박막화(100㎚)에 대한 연구가 진행되고 있다.On the other hand, mostly transparent glass is used as the board | substrate 1, and Alq3. Monomolecular organic EL such as Anthracene, poly (p-phenylenevinylene), poly (thiophene) such as polyvinphene (PT), and derivatives thereof are used, and thin film (100 nm) of the light emitting layer is used for charge emission at low driving voltage. Research is ongoing.
상술한 유기발광소자는 수동행렬(Passive Matrix : PM)구동방식과, 능동행렬(Active Matrix : AM)방식이 있으며, 현재 사용하는 액정표시장치의 해상도와 견주기 위해서는 AM구동방식을 사용함이 바람직하다.The organic light emitting device described above includes a passive matrix (PM) driving method and an active matrix (AM) driving method, and it is preferable to use an AM driving method in order to match the resolution of current liquid crystal displays.
AM방식이란, 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이 화소 하나에 전압을 인가하는 별도의 스위칭소자(S)를 형성하는 것으로 상기 스위칭소자(S)는 박막트랜지스터(TFT : Thin Film Transistor)가 가장 널리 쓰인다.In the AM method, as illustrated in FIGS. 2 and 3, a separate switching element S is applied to one pixel, and the switching element S is a thin film transistor (TFT). Widely used
그러나, 이와 같이 구성되는 PM구동방식 및 AM구동방식을 적용한 유기발광소자는 모두 발광층에서 발생한 빛이 기판쪽으로 발광하게 되는 데, 특히, AM구동방식을 채용한 유기발광소자는 스위칭소자(TFT)가 형성된 부분은 투과하지 못하게 되어 실질적으로 발광되는 면적인 개구율이 상당히 저하된다는 문제점이 있고, 또한, 상기와 같은 개구율이 저하되는 현상은 고밀도 화질로 진행될수록 더욱 심화된다는 문제점이 있다.However, in the organic light emitting device using the PM driving method and the AM driving method configured as described above, the light emitted from the light emitting layer emits light toward the substrate. In particular, the organic light emitting device employing the AM driving method has a switching device (TFT). There is a problem that the formed portion is not transmitted and the aperture ratio of the area that is substantially emitted is considerably lowered. Further, the phenomenon of the aperture ratio decreases further increases as the high density image quality progresses.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출 된 것으로서, 발광의 방향을 기판과 반대되는 방향으로 구조를 개선하여 개구율 및 휘도를 향상시키는 전면발광구조를 갖는 유기발광소자 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.The present invention has been made to solve the above problems, to provide an organic light emitting device having a front light emitting structure for improving the aperture ratio and brightness by improving the structure of the direction of light emission in a direction opposite to the substrate and a method of manufacturing the same have.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 기판과, 상기 기판의 상면에 형성된 반사판과, 상기 반사판의 상면에 형성된 제1전극과, 상기 제1전극의 상면에 형성된 발광층 및; 상기 발광층의 상면에 빛을 투과시키도록 형성된 제2전극을 포함하는 것을 제 1특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a substrate, a reflective plate formed on the upper surface of the substrate, a first electrode formed on the upper surface of the reflecting plate, a light emitting layer formed on the upper surface of the first electrode; It is a first feature to include a second electrode formed on the upper surface of the light emitting layer to transmit light.
또한, 상기 반사판에는 입사되는 빛을 모아주도록 다수의 오목부가 형성된 것을 제 2특징으로 한다.In addition, a second feature of the reflecting plate is that a plurality of recesses are formed to collect incident light.
또한, 기판의 상면에 반사판을 형성하는 단계와, 상기 반사판의 상면에 제1전극을 형성하는 단계와, 상기 제1전극의 상면에 발광층을 형성하는 단계 및 상기 발광층의 상면에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 제 3특징으로 한다.In addition, forming a reflecting plate on the upper surface of the substrate, forming a first electrode on the upper surface of the reflecting plate, forming a light emitting layer on the upper surface of the first electrode and forming a second electrode on the upper surface of the light emitting layer A third feature is to include the step of doing the following.
도 1은 일반적인 유기발광소자의 단면을 도시한 도면,1 is a cross-sectional view of a general organic light emitting device;
도 2는 종래의 액티브 매트릭스 구동방식의 유기발광소자의 단면을 도시한 단면도,2 is a cross-sectional view showing a cross section of an organic light emitting device of a conventional active matrix driving method;
도 3은 종래의 액티브 매트릭스 구동방식의 유기발광소자의 구성을 도시한 사시도,3 is a perspective view showing the configuration of an organic light emitting device of a conventional active matrix driving method;
도 4는 본 발명의 제 1실시 예에 따른 유기발광소자의 단면을 도시한 도면,4 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode according to a first embodiment of the present invention;
도 5는 본 발명의 제 2실시 예에 따른 유기발광소자의 단면을 도시한 도면,5 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode according to a second embodiment of the present invention;
도 6은 도 5의 A표시부를 확대해서 도시한 확대도,6 is an enlarged view of an enlarged view of the display unit A of FIG. 5;
도 7은 본 발명의 제 3실시 예에 따른 유기발광소자의 단면을 도시한 도면,7 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode according to a third embodiment of the present invention;
도 8은 도 4에 도시된 유기발광소자의 제조과정을 도시한 공정도,8 is a process chart showing a manufacturing process of the organic light emitting device shown in FIG.
도 9는 도 5에 도시된 유기발광소자의 제조과정을 도시한 공정도,9 is a process chart showing a manufacturing process of the organic light emitting device shown in FIG.
도 10은 본 발명에 의한 유기발광소자의 오목부가 다른 방법에 의해 형성되는 과정을 도시한 공정도,10 is a process chart showing a process in which the concave portion of the organic light emitting device according to the present invention is formed by another method;
도 11은 도 7에 도시된 유기발광소자의 제조과정을 도시한 공정도이다.FIG. 11 is a process diagram illustrating a manufacturing process of the organic light emitting diode illustrated in FIG. 7.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>
20 : 유기발광소자21 : 기판20 organic light emitting device 21 substrate
22 : 반사판23 : 제1전극22: reflector 23: first electrode
24 : 제1수송층25 : 발광층24: first transport layer 25: light emitting layer
26 : 제2수송층27 : 제2전극26: second transport layer 27: second electrode
22a : 오목부22a: concave
이하, 첨부된 도면 4내지 도 11을 참조하여 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings 4 to 11 will be described in more detail the configuration and operation of the present invention.
본 발명에 의한 유기발광소자(20)는 도 4에 도시한 바와 같이 기판(21)이 있고, 상기 기판(21)의 상면에는 빛을 기판(21)의 반대방향으로 반사시키는 반사판(22)이 형성되고, 상기 반사판(22)의 상면에는 제1전극(23)이 형성되고, 상기 제1전극(23)의 상부에는 발광층(25)이 형성되고, 상기 발광층(25)의 상측에는제2전극(27)이 형성된다.As shown in FIG. 4, the organic light emitting device 20 according to the present invention includes a substrate 21, and a reflecting plate 22 reflecting light in a direction opposite to the substrate 21 is formed on an upper surface of the substrate 21. The first electrode 23 is formed on the upper surface of the reflector 22, the light emitting layer 25 is formed on the first electrode 23, and the second electrode is formed on the light emitting layer 25. 27 is formed.
상기 제 1전극(23)은 애노드로 구성되고, 상기 제2전극(27)이 캐소드로 구성되거나(설명의 용이성을 위해 이하 “전자”로 칭함), 상기 제 1전극(23)이 캐소드로 구성되고, 상기 제 2전극(27)이 애노드로 구성되고(설명의 용이성을 위해 이하 “후자”라 칭함), 상기 캐소드는 애노드의 일함수보다 작은 물질을 사용하여 소자를 구성함이 바람직하다.The first electrode 23 is composed of an anode, the second electrode 27 is composed of a cathode (hereinafter referred to as "electron" for ease of explanation), or the first electrode 23 is composed of a cathode. Preferably, the second electrode 27 is composed of an anode (hereinafter referred to as "the latter" for ease of explanation), and the cathode constitutes an element using a material smaller than the work function of the anode.
상기 애노드는 상기 반사판(22)으로 빛을 통과시키도록 투명재질로 형성시킴이 바람직하며 그 재료로는 ITO가 사용되고, 상기 캐소드는 알루미늄(Al)이 사용된다.The anode is preferably formed of a transparent material to allow light to pass through the reflecting plate 22. ITO is used as the material, and aluminum is used as the cathode.
전자에 있어, 캐소드를 이루는 알루미늄 금속막은 상기 반사판(22)을 통해 반사되는 빛을 통과시킬 수 있도록 그 두께를 20㎚ ~ 100㎚정도의 두께로 얇게 형성함이 바람직하다.In the former, the aluminum metal film forming the cathode may be thinly formed to a thickness of about 20 nm to 100 nm so that light reflected through the reflecting plate 22 can pass therethrough.
후자에 있어, 애노드를 ITO를 사용할 때 상기 발광층(25)이 외부 충격에 민감하기 때문에 주의해야 한다. 즉, ITO층의 형성시 초기에는 증착속도를 작게 하여 상기 발광층(25)에 대한 충격을 최소화하고, 이후 증착속도를 크게 하여 애노드를 형성한다.In the latter case, care must be taken when using the ITO as an anode since the light emitting layer 25 is sensitive to external impacts. That is, in the formation of the ITO layer, the deposition rate is initially reduced to minimize the impact on the light emitting layer 25, and then the deposition rate is increased to form the anode.
다음, 상기 반사판(22)은 도 5 및 도 6에 도시한 바와 같이 상기 반사판(22)으로 입사되는 EL광을 모아 주도록 다수의 오목부(22a)가 추가로 구성되고, 상기 반사판(22)의 재질로는 빛을 반사시키는 특성이 있는 물질로서 불투명한 금속재질을 사용하는 것이 바람직하다.Next, as illustrated in FIGS. 5 and 6, a plurality of recesses 22a are further configured to collect the EL light incident on the reflecting plate 22, and the reflecting plate 22 may be formed. As a material, it is preferable to use an opaque metal material as a material having a property of reflecting light.
상기 반사판(22)의 금속재질로는 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 탄탈(Ta) 또는 이들의 합금 등의 금속이 있다.The metal material of the reflective plate 22 may be aluminum (Al), chromium (Cr), molybdenum (Mo), tungsten (W), titanium (Ti), tantalum (Ta), or an alloy thereof.
상기 기판(21)은 투명재질로 구성하여도 무방하나 불투명재질로 구성함이 가장 바람직하다.The substrate 21 may be made of a transparent material, but most preferably, the substrate 21 is made of an opaque material.
또한, 상술한 구조에서 상기 발광층(25)에는 도 7에 도시한 바와 같이 제 1,2수송층(24,26)을 각각의 구조에 맞게 추가로 구성할 수 있다.In addition, in the above-described structure, the first and second transport layers 24 and 26 may be additionally configured in the light emitting layer 25 as shown in FIG. 7.
다시 말하면, 발광층(25)을 경계로 상기 HTL(Hole Transporting Layer )이라는 정공수송층 및 ETL(Electron Transporting Layer)이라는 전자수송층을 각각 애노드와 캐소드에 접촉하게 형성시킨다.In other words, the hole transport layer called HTL (Hole Transporting Layer) and the electron transport layer called ETL (Electron Transporting Layer) are formed to contact the anode and the cathode, respectively.
전자의 경우 제1수송층(24)이 HTL을 이루고, 제 2수송층(26)이 ETL에 해당되며, 후자의 경우 상술한 반대의 구조가 된다.In the former case, the first transport layer 24 forms the HTL, the second transport layer 26 corresponds to the ETL, and in the latter case, the reverse structure is described above.
ETL은 Oxadiazole 유도체 등을 사용하며 HTL은 Diamine 유도체인 TPD와 광전도성 고분자인 poly(9-vinylcarbazole)을 사용하게 되는 데, 이러한 수송층의 조합을 통해 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.ETL uses Oxadiazole derivatives and HTL uses Diamine derivative TPD and photoconductive polymer poly (9-vinylcarbazole). Combinations of these transport layers provide the following effects:
첫째, 양자효율을 높이고, 캐리어들이 상기 발광층(25)에 직접 주입되지 않고 제 1,2수송층(24,26) 통과의 2단계 주입과정을 통해 구동전압을 낮출 수 있다.First, it is possible to increase the quantum efficiency and to lower the driving voltage through the two-step injection process of passing through the first and second transport layers 24 and 26 without carriers being directly injected into the light emitting layer 25.
둘째, 발광층(25)에 주입된 전자와 정공이 발광층(25)을 거쳐 반대편전극 즉, 캐소드 및 애노드로 이동시 반대편 수송층 즉, HTL 및 ETL에 막힘으로써 재결합 조절이 가능하며 이를 통해 발광효율을 향상시킬 수 있다.Second, when the electrons and holes injected into the light emitting layer 25 are moved to the opposite electrode, that is, the cathode and the anode, through the light emitting layer 25, the electrons and holes are blocked by the opposite transport layer, that is, HTL and ETL, to control recombination, thereby improving luminous efficiency. Can be.
셋째, 전자와 정공의 재결합에 의해 생성되는 singlet exection 전극과 발광층사이의 경계면에서 형성되어 quenching 하는 것을 막는다.Third, at the interface between the light emitting layer and the singlet exection electrode generated by recombination of electrons and holes, it prevents quenching.
여기서, quenching은 발광분자들이 가까워짐으로서 물질의 발광이 감속하는 현상을 말한다.Here, quenching refers to a phenomenon in which light emission of the material is slowed down as the light emitting molecules near each other.
다음은 상기와 같이 구성되는 유기발광소자의 제조공정에 대해서 설명한다.Next, the manufacturing process of the organic light emitting device configured as described above will be described.
도 8에 도시한 바와 같이 먼저, 기판(21)의 상면에 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 탄탈(Ta)중의 어느 하나 또는 이들을 합금 한 금속을 증착하여 반사판(22)을 형성한다.(S20)As shown in FIG. 8, first, any one of aluminum (Al), chromium (Cr), molybdenum (Mo), tungsten (W), titanium (Ti), and tantalum (Ta) may be disposed on an upper surface of the substrate 21. The reflective plate 22 is formed by depositing an alloyed metal. (S20)
상기 반사판(22)은 진공증착법이나, 스퍼터링공법에 의해 증착된다.The reflecting plate 22 is deposited by vacuum deposition or sputtering.
다음, 상기와 같이 반사판(22)의 증착시킨 후에는 상기 반사판(22)의 상면에 제1전극(23)을 형성시키고(S30), 상기 제1전극(23)의 상면에 유기물 발광 소재의 박막을 형성하여 발광층(25)을 형성(S40)한다.Next, after the deposition of the reflector 22 as described above, the first electrode 23 is formed on the upper surface of the reflector 22 (S30), the thin film of the organic light emitting material on the upper surface of the first electrode 23 To form a light emitting layer 25 (S40).
상기 발광층(25)의 두께는 통상 수십 ㎚에서 수백㎚까지 물질에 따라 적정두께가 정해지고, 그 박막 형성은 진공증착, 스핀코팅(Spin Coating), 잉크젯 프린팅(Ink Jet printing), 디핑(Dipping)방법에 의한다.The thickness of the light emitting layer 25 is usually determined according to the material from several tens of nm to several hundred nm, and the thin film is formed by vacuum deposition, spin coating, ink jet printing, and dipping. By method
상기와 같이 발광층(25)을 형성시킨 후에는 제2전극(27)을 형성(S50)한다.After forming the emission layer 25 as described above, the second electrode 27 is formed (S50).
상기 반사판(22)은 평판형으로 형성시켜도 무방하나 도 9에 도시한 바와 같이 발광층(25)으로부터 입사되는 빛을 모아 주도록 다수의 오목부(22a)를 형성시킬 수 있다.The reflective plate 22 may be formed in a flat plate shape, but as shown in FIG. 9, a plurality of recesses 22a may be formed to collect light incident from the light emitting layer 25.
상기 오목부(22a)의 형성은 상기 반사판(22)을 증착시키기 전에 기판(21)의 상면에 포토레지트와 같은 감광성수지(PR)를 도포(S21)한 후, 패턴(P)이 형성된 마스크(M)를 상기 감광성수지(PR)의 상면에 얼라인시켜 노광과정을 거치도록 하고(S22), 그후, 상기 감광성수지를 현상액을 이용하여 현상을 하고, 가열로에 집어넣어 고온으로 열처리를 행하면 원통형을 이루는 감광성수지(PR)의 상측이 녹아내려 오목부를 이루게 된다(S23).The concave portion 22a may be formed by applying a photosensitive resin PR such as a photoresist onto the upper surface of the substrate 21 before depositing the reflective plate 22 and then applying a pattern S21 to form a mask on which a pattern P is formed. (M) is aligned on the upper surface of the photosensitive resin (PR) to undergo an exposure process (S22), after which the photosensitive resin is developed using a developer, and put into a heating furnace to heat treatment at high temperature The upper side of the photosensitive resin PR forming the cylindrical is melted to form a recess (S23).
상기와 같이 열처리에 의해 오목부가 형성되면 그 상면에 오버코트막(O)을 적층시키고, 그 상면에 반사판(22)을 도포함으로서 오목부(22a)가 형성된 반사판(22)을 형성시키게 된다.(S24)When the concave portion is formed by the heat treatment as described above, the overcoat film O is laminated on the upper surface thereof, and the reflecting plate 22 is formed on the upper surface thereof to form the reflecting plate 22 having the concave portion 22a. (S24 )
상술한 내용에 있어서, 상기 감광성수지(PR) 및 오버코트막(O)은 엄격한 두께조절에 가장 적합한 스핀코팅(Spin Coating)기술에 의해 도포되며, 상기 반사판(22)은 스퍼터링(Sputtering)기술에 의해 증착된다.In the above description, the photosensitive resin (PR) and the overcoat film (O) is applied by a spin coating technique that is most suitable for strict thickness control, and the reflector plate 22 is sputtered by a sputtering technique. Is deposited.
상술한 내용에 있어서, 상기 오목부(22a)의 형성은 상술한 공법에 한정된 것은 아니며, 도 10에 도시한 바와 같이 기판(21)의 상면에 규소(Si) 또는 플라스틱(Plastic)으로 이루어진 다수의 비드(Bead)(B)를 분산시킨 열경화성수지(A)를 도포하는 방법에 의해 형성시킬 수 있다.In the above description, the formation of the concave portion 22a is not limited to the above-described method. As shown in FIG. 10, a plurality of concave portions 22a formed of silicon (Si) or plastic (Plastic) are formed on the upper surface of the substrate 21. It can form by the method of apply | coating the thermosetting resin (A) which disperse | distributed the beads (B).
상기 열경화성수지(A)는 아크릴(Acryl), BCB(Benzocyclobutene)로 이루어진다.The thermosetting resin (A) is made of acrylic (Acryl), BCB (Benzocyclobutene).
다음 도 11에 도시된 바와 같이 상술한 적층 과정에 제1전극(23)의 상면에 제1수송층(24)을 적층시키는 과정(S60) 및, 발광층(25)의 상면에 제2수송층을 형성시키는 과정(S70)을 추가로 포함하여 구성함이 바람직하다.Next, as shown in FIG. 11, the process of stacking the first transport layer 24 on the upper surface of the first electrode 23 in the aforementioned stacking process (S60), and forming the second transport layer on the upper surface of the light emitting layer 25. It is preferable to further include the step (S70).
또한, 상술한 구조에 있어서, 반사판(22)은 EL광의 반사만을 목적으로 하기때문에 상기 반사판(22) 및 상기 제1전극(23)의 사이에 절연막이나 평탄화막을 추가로 구성함이 바람직할 것이다.In addition, in the above-described structure, since the reflecting plate 22 is for the purpose of reflecting only the EL light, it is preferable to further configure an insulating film or a planarizing film between the reflecting plate 22 and the first electrode 23.
상술한 구조에 있어 스위칭소자를 도시하지는 않았지만 각 애노드에 접하도록 구성된다.Although not shown in the above-described structure, the switching element is configured to be in contact with each anode.
이와 같이 구성된 유기발광소자(20)는 기판(21)의 상면에 금속막을 증착시켜 반사판(22)을 형성함에 따라 발광층(25)에서 발광되는 빛이 상기 반사판(22)을 통해 반사되어 기판(21)의 상방향으로 투영되도록 구현함에 따라 기판(21)의 하부측으로 투영되던 종래의 구조에 있어서, 스위칭소자(S)가 형성된 면적만큼 빛이 투과되지 못했던 것을 기판(21)의 상방향으로 완전히 반사시키게 되어 개구율 및 휘도를 향상시키게 된다.In the organic light emitting device 20 configured as described above, as the metal film is deposited on the upper surface of the substrate 21 to form the reflector 22, the light emitted from the light emitting layer 25 is reflected through the reflector 22 and the substrate 21. In the conventional structure that is projected to the lower side of the substrate 21 by implementing the projection in the upward direction of), it is completely reflected in the upward direction of the substrate 21 that light has not transmitted through the area where the switching element S is formed. To improve the aperture ratio and luminance.
또한, 상기 반사판(22)을 다수의 오목부(22a)를 갖도록 형성하여 상기 발광층(25)으로부터 입사되는 빛을 모아 휘도를 높이게 된다.In addition, the reflective plate 22 is formed to have a plurality of recesses 22a to collect light incident from the light emitting layer 25 to increase luminance.
즉, 상기 오목부(22a)는 수직방향이나 비스듬하게 입사되는 EL광이라도 한곳으로 집중시켜 상측으로 반사시키기 때문에 휘도를 향상시키게 되고 휘도를 향상시킴에 따라 소비전력을 줄이게 된다.(도 6참조)That is, since the concave portion 22a concentrates the EL light incident in the vertical direction or at an angle and reflects it upward, the brightness is improved and the power consumption is reduced as the brightness is improved (see FIG. 6).
상기와 같은 오목부(22a)에 의해 휘도를 증가시킬 수 있는 장점을 활용하여 한사람이 정면에서 단말기를 주시하여 사용하는 시야각을 중요시하지 않는 휴대폰이나 PDA(Personal Digital Assistant)와 같은 개인용 단말기에 적용시킴으로써 그 활용도를 극대화 할 수 있다.By utilizing the advantage of increasing the brightness by the concave portion 22a as described above by applying to a personal terminal such as a mobile phone or PDA (Personal Digital Assistant) that does not matter the viewing angle used by one person watching the terminal from the front Its utilization can be maximized.
상술한 바와 같이 본 발명은 기판의 상면에 반사판을 형성하여, 발광층에서 발광하는 빛이 상기 기판을 통과하지 않고, 상기 기판의 반대방향으로 반사되는 구조를 구현함에 따라 스위칭 소자가 각 하나의 화소마다 형성되는 액티브매트릭스 구동방식에서 상기 스위칭소자에 의해 통과하지 못한 빛까지 상측으로 반사되도록 하여 개구율 및 휘도를 향상시킬 수 있게 된다.As described above, the present invention forms a reflecting plate on the upper surface of the substrate so that the light emitting layer does not pass through the substrate and implements a structure in which the light is reflected in the opposite direction of the substrate, so that the switching element is for each one pixel. In the formed active matrix driving method, light that has not passed by the switching element may be reflected upwards, thereby improving aperture ratio and luminance.
또한, 상기 반사판에 빛을 모아주는 다수의 오목부를 형성시켜 발광된 빛이 상기 오목부에 의해 모아진 후 기판의 수직방향으로 빛을 반사하도록 구성함에 따라 휘도 및 콘트라스트를 크게 향상시킬 수 있고, 따라서 소비전력을 줄이게 된다.In addition, by forming a plurality of recesses for collecting the light in the reflecting plate to reflect the light in the vertical direction of the substrate after the emitted light is collected by the recessed portion can greatly improve the brightness and contrast, and thus consume It will reduce power.
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