KR20020025544A - Manufacture method of optical connector - Google Patents

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KR20020025544A
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Abstract

PURPOSE: A method for manufacturing an optical connector is provided to reduce a total size and easily arrange optical elements according to an optical axis using a plurality of etching mask layers. CONSTITUTION: First upper and lower etching mask layers(143,144) are deposited on both surface of a wafer and a first patterning step is performed to expose hole corresponding and V-groove corresponding areas(155,157). A second etching mask layer is deposited on the first upper and lower etching mask layers(143,144) and a second patterning step is performed to expose a micro pit corresponding area(150) and the hole corresponding area(155). The micro pit and hole corresponding areas(150,155) are etched by a predetermined depth(d1). The second etching mask layer is removed, the micro pit and hole corresponding areas(150,155) is etched by a predetermined depth(d2), and the first upper etching mask layer(143) is removed.

Description

광커넥터 제조 방법{Manufacture method of optical connector}Manufacture method of optical connector

본 발명은 광커넥터 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 다수개의 에칭 마스크층을 이용하여 광파이버 또는 볼렌즈 등이 실장되는 V-그루브 또는 마이크로피트의 깊이를 다르게 제조함으로써 정확하게 광축이 정렬되도록 한 광커넥터 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing an optical connector, and more particularly, to optically align an optical axis by manufacturing different depths of V-grooves or micro feet on which an optical fiber or a ball lens is mounted using a plurality of etching mask layers. It relates to a connector manufacturing method.

요즘은 광통신 시스템의 전송 방식이 광통신망에서의 전송 데이타의 증가와 함께 파장 분할 다중(WDM;Wavelength Division Multiplexing) 전송 방식으로 바뀌어 가고 있다. 이러한 파장 분할 다중(WDM) 시스템에서 네트워크간의 연동성이 요구됨에 따라 회선 분배기(OXC;Optical crossing Connector) 즉, 광커넥터는 필수적인 핵심소자가 되었다.Nowadays, the transmission method of the optical communication system is changing to the wavelength division multiplexing (WDM) transmission method with the increase of the transmission data in the optical communication network. As inter-network interoperability is required in such wavelength division multiplexing (WDM) systems, an optical crossing connector (OXC), or an optical connector, has become an essential core element.

이러한 광커넥터는 도 1을 참조하면, 마이크로미러(10)가 배치되어 있고 이 마이크로미러(10)를 구동시키는 액추에이터(15)와, 상기 액추에이터(15) 둘레에 상기 마이크로미러(10)로 광신호를 전송하는 입력 광파이버(20)와 상기 마이크로미러(10)로부터 반사된 광신호를 수신하여 전송하는 출력 광파이버(22) 및 상기 입력 및 출력 광파이버(20)(22)와 마이크로미러(10) 사이에 배치되어 광을 집속시켜 주는 볼렌즈(25)(27)가 정렬되어 있는 광학 벤치(30)로 구성된다. 여기에서 상기 입력 및 출력 광파이버(20)(22)는 V-그루브(35)에, 상기 볼렌즈(25)(27)는 이 V-그루브(35)에 연통되어 있는 마이크로피트(40)에 각각 배치된다. 그리고 상기 광파이버(20)(22), 볼렌즈(25) 및 마이크로미러(10)는 광축에 일치하도록 배열된다.Referring to FIG. 1, the optical connector includes an actuator 15 in which a micromirror 10 is disposed and drives the micromirror 10, and an optical signal to the micromirror 10 around the actuator 15. Between the input optical fiber 20 and the output optical fiber 22 for receiving and transmitting the optical signal reflected from the micromirror 10 and between the input and output optical fiber 20, 22 and the micromirror 10 It consists of the optical bench 30 arrange | positioned and the ball lens 25 and 27 which focus light. Here, the input and output optical fibers 20, 22 are connected to the V-groove 35, and the ball lenses 25, 27 are connected to the micro feet 40 connected to the V-groove 35, respectively. Is placed. The optical fibers 20, 22, the ball lens 25 and the micromirror 10 are arranged to coincide with the optical axis.

상기와 같이 구성된 광커넥터는 상기 입력 광파이버(20)에서 전달된 광신호가 상기 볼렌즈(25)를 경유하여 마이크로미러(10)에 반사된 다음, 다시 소정의 볼렌즈(27)를 거쳐 출력 광파이버(22)를 통해 출력되어 소정의 장소로 광신호를 전송하도록 되어 있다. 상기 볼렌즈(25)(27)는 광신호를 집속시켜 광손실을 줄이고 광경로를 최소화하는데 사용된다.In the optical connector configured as described above, the optical signal transmitted from the input optical fiber 20 is reflected to the micromirror 10 via the ball lens 25 and then again through the predetermined ball lens 27 to output the optical fiber ( 22) to transmit an optical signal to a predetermined place. The ball lenses 25 and 27 are used to focus optical signals to reduce optical loss and to minimize optical paths.

한편, 상기 마이크로피트(40)에 상기 액추에이터(15)를 설치하기 위한 홀(17) 및 V-그루브(35)가 연결되는 부분에는 콘벡스 코너(45)가 형성되어 있다. 그리고 상기 액추에이터(15), 볼렌즈(25)(27) 및 상기 광파이버(20)(22)는 각각 그 크기가 다르므로 그 중심을 광축에 정렬시키기 위해서는 이러한 소자들을 수용하는상기 홀(17), 상기 V-그루브(35) 및 상기 마이크로피트(40)가 그 깊이가 각각 달라야 한다.Meanwhile, a convex corner 45 is formed at a portion where the hole 17 and the V-groove 35 for installing the actuator 15 are connected to the micropit 40. Since the actuators 15, the ball lenses 25 and 27, and the optical fibers 20 and 22 are different in size, the holes 17 accommodate these elements in order to align the center thereof with the optical axis. The V-groove 35 and the micropit 40 should be different in depth.

그런데 광커넥터의 제조 과정에서 에칭을 할 때, 에칭하고자 하는 그루브의 폭이나 깊이에 따라 시간이나 온도 등의 최적의 에칭조건이 각각 다르게 된다. 다시말하면, 상기 홀(17), 상기 V-그루브(35) 및 상기 마이크로피트(40)가 각각 상이한 폭과 깊이를 가지므로 각각 패터닝한 대로 에칭이 되도록 하기 위해서는 각각의 에칭 조건에 따라 에칭이 행해져야 한다. 그러나 종래에는 한번의 패터닝에 의해 에칭이 이루어지므로, 에칭시 어느 한 곳에 에칭 조건을 맞추거나 그들의 평균적인 조건으로 에칭 조건을 설정할 수밖에 없다. 따라서 이러한 경우, 표준이 된 그루브 외의 다른 곳에서는 그 에칭 조건이 부적합하여 패터닝한 대로 에칭이 이루어질 수 없으며 평균적인 조건에 의한다 하더라도 각각의 에칭에 결함을 가질 수밖에 없다.However, when etching in the manufacturing process of the optical connector, the optimum etching conditions such as time and temperature are different depending on the width and depth of the groove to be etched. In other words, since the holes 17, the V-grooves 35, and the micropits 40 each have different widths and depths, etching is performed according to respective etching conditions in order to be etched as patterned. Should. However, in the related art, since etching is performed by one patterning, the etching conditions are inevitably matched to one of the etching conditions or the etching conditions are set to their average conditions. Therefore, in such a case, the etching conditions are not suitable because the etching conditions are not suitable elsewhere except the standard groove, and each etching has a defect even if the average conditions are used.

특히, 상기 마이크로피트(40)나 홀(17) 등의 콘벡스 코너(45)에서는 그 형상이 정확하게 에칭이 되지 않고 패턴 형상이 손상되는 이른바 콘벡스 코너(convex corner)효과가 발생된다. 그러면, 원래 설계했던 대로 정확한 치수의 규격을 얻을 수 없어 상기 광파이버(20)(22)나 볼렌즈(25)(27) 등의 광학 소자의 배치가 달라지게 된다. 그 결과 광축에 따른 각 소자의 정렬이 일치하지 않게 되므로 광신호의 정확한 전송이 어렵게 되고 광손실을 초래한다.In particular, in the convex corner 45 such as the micropit 40 or the hole 17, a so-called convex corner effect occurs in which the shape is not etched accurately and the pattern shape is damaged. As a result, the exact dimensions of the specification cannot be obtained as originally designed, and the arrangement of the optical elements such as the optical fibers 20, 22, the ball lenses 25, 27, and the like is changed. As a result, the alignment of the elements along the optical axis is not matched, which makes it difficult to accurately transmit the optical signal and causes light loss.

따라서 이러한 콘벡스 코너 효과에 의한 패턴 손상을 방지할 수 있도록 도 2에 도시된 바와 같은 특수한 코너 보상 패턴(50)(52)이 요구된다. 즉, 콘벡스 코너 효과를 고려하여 에칭시 그러한 현상이 발생되는 것이 억제되도록 보완하는 보상패턴을 에칭 마스크(65) 상에 형성하고, 그것을 이용하여 광커넥터를 제조함으로써 소망하는 형상의 광커넥터를 얻을 수 있다. 여기에서 도면 번호 17' 및 40'는 상기 에칭 마스크(65)에 각각 형성된 홀 대응영역 및 마이크로피트 대응영역을 나타낸다.Accordingly, special corner compensation patterns 50 and 52 as shown in FIG. 2 are required to prevent pattern damage due to the convex corner effect. In other words, by considering the convex corner effect, a compensation pattern is formed on the etching mask 65 so as to suppress the occurrence of such a phenomenon during etching, and an optical connector is manufactured using the same to obtain an optical connector having a desired shape. Can be. Reference numerals 17 'and 40' denote hole corresponding regions and micropit corresponding regions formed in the etching mask 65, respectively.

이러한 코너 보상 패턴(50)(52)을 이용하여 광커넥터를 제조하는 방법에 대해 살펴본다.A method of manufacturing an optical connector using the corner compensation patterns 50 and 52 will be described.

도 3a 및 도 3b와 같이, 양면 폴리싱된 (100) 방향의 상부 실리콘 웨이퍼(60)에 실리콘다이옥사이드(63)를 입힌 후에 그 위에 실리콘 에칭 마스크로 사용하기 위해 LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)를 이용하여 실리콘나이트라이드(65)를 양면에 증착한다. 그런 다음, 도 3c와 같이 상기 양쪽의 실리콘나이트라이드 층(65)에 각각 반응 이온 에칭(RIE) 공정을 통해 패터닝 한다. 상기 실리콘나이트라이드 층(65)에는 에칭과정동안 콘벡스 코너 효과에 의해 패턴 형상이 손상되지 않도록 코너 보상 패턴(50)(52)이 추가된다.3A and 3B, after applying silicon dioxide 63 to the upper silicon wafer 60 in the double-side polished (100) direction, a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) is used for use as a silicon etching mask thereon. The silicon nitride 65 is deposited on both surfaces. Thereafter, as shown in FIG. 3C, the silicon nitride layers 65 are patterned through reactive ion etching (RIE). Corner compensation patterns 50 and 52 are added to the silicon nitride layer 65 so that the pattern shape is not damaged by the convex corner effect during the etching process.

또한, 도 4a 및 도 4b와 같이, 하부 실리콘 웨이퍼(70)에도 실리콘 옥사이드(72) 및 실리콘나이트라이드(75)를 차례대로 증착한 다음, 도 4c와 같이 반응 이온 에칭(RIE)공정에 의해 패터닝한다.4A and 4B, silicon oxide 72 and silicon nitride 75 are sequentially deposited on the lower silicon wafer 70, and then patterned by a reactive ion etching (RIE) process as illustrated in FIG. 4C. do.

그런 다음 상기 상부 및 하부 웨이퍼(60)(70)를 각각 KOH 수용액을 이용하여 비등방성 습식 에칭을 수행하여 도 3d 및 도 4d와 같이 V-그루브 대응영역(67), 마이크로피트 대응영역(68) 및 홀 대응영역(69)(69')을 형성한다. 그리고 이와 같이 형성된 상기 상부 웨이퍼(60)와 하부 웨이퍼(70)를 도 5a 및 도 5b와 같이 접착시킨다.Then, the upper and lower wafers 60 and 70 are anisotropic wet etched using KOH aqueous solution, respectively, to form a V-groove corresponding region 67 and a micropit corresponding region 68 as shown in FIGS. 3D and 4D. And hole correspondence regions 69 and 69 '. The upper wafer 60 and the lower wafer 70 thus formed are bonded to each other as shown in FIGS. 5A and 5B.

이렇게 형성된 광커넥터의 홀(17)에 상기 마이크로미러 액추에이터(15)를 설치하고 V-그루브(35) 및 마이크로피트(40)에 각각 광파이버(20)(22) 및 볼렌즈(25)(27)들을 광축에 맞게 설치한다.The micromirror actuator 15 is installed in the hole 17 of the optical connector thus formed, and the optical fibers 20, 22, and ball lenses 25, 27 are respectively provided in the V-groove 35 and the micropit 40. Install them in the optical axis.

상기한 제조 공정에서 코너 보상 패턴(50)(52)으로 인하여 광커넥터 제조를 위한 전체적인 패턴이 복잡해지고 그 크기 또한 커질 수 밖에 없다.Due to the corner compensation patterns 50 and 52 in the above manufacturing process, the overall pattern for manufacturing the optical connector becomes complicated and its size also becomes large.

또한, 광축의 위치가 달라지면, 에칭 깊이를 다르게 하여야 하기 때문에 새로운 형태의 보상 패턴이 요구된다. 즉, 상기 마이크로피트(40)나 홀(17)의 폭이나 깊이 등에 따라서 그에 맞는 보상 패턴(50)(52)의 설계가 달라져야 한다. 따라서 광축이 변할 때마다 보상 패턴을 새로 준비해야 하는 번거로움이 있다.In addition, if the position of the optical axis is different, a new type of compensation pattern is required because the etching depth must be different. That is, the design of the compensation patterns 50 and 52 according to the width or depth of the micropit 40 or the hole 17 should be changed. Therefore, there is a need to prepare a new compensation pattern each time the optical axis changes.

특히, 광파이버의 입출력단이 인접해 있는 부분이나 콘벡스 코너 영향이 크게 나타나는 부분에서는 이 보상 패턴(50)(52)이 복잡해지므로 광경로를 최소화 할 수 없게 된다. 이에 따라 광경로차에 따른 광손실을 초래한다. 더욱이 광커넥터의 채널수가 많아질수록 복잡해져 보상 패턴 형성에 어려움이 따르고, 광학 소자의 소형화에 대한 요구를 만족시킬 수 없게 된다.In particular, since the compensation patterns 50 and 52 are complicated in areas where the input / output ends of the optical fibers are adjacent to each other or where convex corner effects are large, the optical path cannot be minimized. This causes light loss due to the optical path difference. In addition, as the number of channels of the optical connector increases, it becomes more complicated, resulting in difficulty in forming a compensation pattern, and cannot satisfy the demand for miniaturization of an optical element.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 에칭시 콘벡스 코너 현상을 방지하기 위한 코너 보상 패턴을 요하지 않고 다수개의 에칭 마스크 층을 이용하여 간단하게 광커넥터를 제조할 수 있어 전체적인 크기를 줄이고 광축에 따라 광학 소자들을 용이하게 정렬할 수 있도록 한 광커넥터 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, it is possible to simply manufacture the optical connector using a plurality of etching mask layers without the need for a corner compensation pattern to prevent the convex corner phenomenon when etching the overall size It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing an optical connector that can reduce and easily align optical elements along an optical axis.

도 1은 종래에 따른 광커넥터의 개략적인 사시도,1 is a schematic perspective view of an optical connector according to the related art,

도 2는 종래에 따른 광커넥터 제조 방법에 사용되는 마스크 패턴을 개략적으로 나타낸 도면,2 is a view schematically showing a mask pattern used in the conventional optical connector manufacturing method,

도 3a 내지 도 3d는 종래에 따른 광커넥터의 상부 기판을 제조하는 공정을 나타낸 도면,3A to 3D are views illustrating a process of manufacturing an upper substrate of an optical connector according to the related art;

도 4a 내지 도 4b는 종래에 따른 광커넥터의 하부 기판을 제조하는 공정을 나타낸 도면,4a to 4b is a view showing a process for manufacturing a lower substrate of the conventional optical connector,

도 5a 및 도 5b는 종래에 따른 광커넥터의 상부 기판 및 하부 기판을 부착한 형태를 나타낸 도면,5a and 5b is a view showing a form attached to the upper substrate and the lower substrate of the conventional optical connector,

도 6은 본 발명에 따른 광커넥터의 사시도,6 is a perspective view of an optical connector according to the present invention;

도 7은 도 6의 Ⅵ-Ⅵ선 단면도,7 is a cross-sectional view taken along the line VI-VI of FIG. 6;

도 8a 및 도 8b는 본 발명에 따른 광커넥터의 그루브에 설치된 광학 소자의 단면도,8A and 8B are cross-sectional views of optical elements installed in the grooves of the optical connector according to the present invention;

도 9a 내지 도 9i는 본 발명에 따른 광커넥터의 제조 공정을 나타낸 도면.9A to 9I are views showing a manufacturing process of the optical connector according to the present invention.

<도면 중 주요 부분에 대한 설명><Description of main part of drawing>

100...마이크로미러 103...홀100 ... micromirror 103 ... hole

105...액추에이터 110...마이크로피트105 ... actuator 110 ... microfeet

115...V-그루브 120,122...볼렌즈115 ... V-groove 120,122 ... ball lens

125,127...광파이버 130...광학 벤치125,127 ... optical fiber 130 ... optical bench

133...기준 표시부 135...기판133 ... reference mark 135 ... substrate

140...웨이퍼 143,144...제1에칭 마스크층140 ... wafer 143,144 ... first etching mask layer

145...제2에칭 마스크층 147...V-그루브 대응영역145 ... Secondary etching mask layer 147 ... V-groove corresponding area

150...마이크로피트 대응영역 155...홀 대응영역150 ... microfoot counterpart 155 ... hole counterpart

C,C'...광축 R...광파이버 단면의 반지름C, C '... Optical axis R ... Radius of optical fiber cross section

L...그루브 반폭 n,d2...그루브 깊이L ... groove half width n, d2 ... groove depth

t...기판 표면으로부터 광축까지의 수직거리t ... vertical distance from the surface of the substrate to the optical axis

본 발명은 상기한 목적을 달성하기 위하여, 웨이퍼 양면에 제1에칭 마스크층을 증착하고 볼렌즈를 실장할 마이크로피트 대응영역과 마이크로미러 액추에이터를 설치할 홀 대응영역 그리고 광파이버를 실장할 V-그루브 대응영역이 노출되도록 제1패터닝하는 단계와; 이렇게 패터닝된 상기 제1에칭 마스크층 위에 제2마스크 층을 증착한 후 상기 마이크로피트 대응영역과 홀 대응 영역이 노출되도록 제2패터닝하는 단계와; 상기 마이크로피트 대응영역과 홀 대응영역을 소정 깊이 d1으로 제1에칭을 하는 단계와; 상기 제2에칭 마스크층을 제거한 다음, 마이크로피트 대응영역과 V-그루브 대응영역을 깊이 d2로 제2에칭을 하고 상기 제2에칭 마스크충을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a micropit corresponding region for depositing a first etching mask layer on both sides of a wafer and mounting a ball lens, a hole corresponding region for installing a micromirror actuator, and a V-groove corresponding region for mounting an optical fiber. First patterning the substrate to be exposed; Depositing a second mask layer on the patterned first etching mask layer and performing second patterning to expose the micropit corresponding region and the hole corresponding region; First etching the micropit corresponding region and the hole corresponding region to a predetermined depth d 1 ; And removing the second etching mask layer, second etching the micropit corresponding region and the V-groove corresponding region to a depth d 2 , and removing the second etching mask filling.

또한, 본 발명은 상기 마이크로피트 대응영역과 V-그루브 대응영역이 그 깊이가 상호 다른 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention is characterized in that the micropit corresponding region and the V-groove corresponding region are different in depth.

또한, 본 발명은 상기 V-그루브의 깊이 d2는, 광파이버 단면의 반지름을 R이라 하고 상기 웨이퍼 표면으로부터 상기 광파이버와 V-그루브 경사면이 만나는 점까지의 수직거리를 m, 상기 V-그루브의 에칭각을 α(rad)라 하면, 광축이 상기 웨이퍼 표면보다 t만큼 위에 위치하는 경우 하기의 수학식을 만족하는 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention, the depth d 2 of the V-groove, the radius of the optical fiber cross-section R is the vertical distance from the wafer surface to the point where the optical fiber and the V-groove inclined plane meets m, the etching of the V-groove If the angle is α (rad), the optical axis satisfies the following equation when the optical axis is positioned t by the surface of the wafer.

<수학식>Equation

또한, 본 발명은 상기 마이크로미러 액추에이터와 그에 대응되는 위치의 웨이퍼에 각각 기준 표시부가 형성되어 있어 상기 마이크로미러 액추에이터를 상기 홀 대응영역에 정확하게 조립할 수 있도록 된 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention is characterized in that the reference display portion is formed on each of the micromirror actuator and the wafer at a position corresponding thereto, so that the micromirror actuator can be accurately assembled to the hole corresponding area.

이하 본 발명에 따른 광케넥터 제조 방법에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing an optical connector according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 6을 참조하면, 본 발명에 따른 광커넥터는 다수개의 마이크로미러(100)가 메트릭스 형태로 배치되어 홀(103) 내에 삽입되고 상기 마이크로미러를 구동시키는 액추에이터(105)와; 상기 마이크로미러(100)와 광축이 일치하도록 각각에 대응되는 마이크로피트(110) 및 V-그루브(115)에 각각 볼렌즈(120)(122)와 광파이버(125)(127)가 설치된 광학 벤치(130);를 포함한다.Referring to FIG. 6, an optical connector according to the present invention includes: an actuator 105 in which a plurality of micromirrors 100 are arranged in a matrix form and inserted into a hole 103 to drive the micromirrors; Optical benches in which ball lenses 120, 122, and optical fibers 125, 127 are respectively installed in the micropits 110 and V-grooves 115 corresponding to the micromirrors 100 and the optical axes, respectively. 130);

상기 광파이버(125)(127)는 전술한 바와 같이 입력 광파이버(125) 및 출력 광파이버(127)로 구분되며, 상기 볼렌즈(120)는 상가 입력 광파이버(125)에 대응되게 인접되어 광신호를 집속시켜 상기 마이크로미러(100)에 전송하고, 상기 볼렌즈(122)는 이 마이크로미러(100)에서 반사된 광신호를 집속시켜 출력 광파이버(127)에 전송한다.The optical fibers 125 and 127 are divided into an input optical fiber 125 and an output optical fiber 127 as described above, and the ball lens 120 is adjacent to the malleable input optical fiber 125 to focus an optical signal. The ball lens 122 focuses the optical signal reflected by the micromirror 100 and transmits the optical signal to the output optical fiber 127.

도 7은 도 6의 Ⅵ-Ⅵ선 단면도로서, 상기 볼렌즈(120)(122)와 광파이버(125)(127)가 광축(C)에 일치되게 배치된 것을 보인 것이다. 이와 같이 광커넥터에서는 광경로를 최소화 함과 아울러 광손실을 줄이기 위해서는 이들 광학소자(120)(125)의 광축을 정렬시키는 것이 중요하다. 이에 따라, 상기 마이크로피트(110)나 V-그루브(115)의 폭이나 깊이는 광축(C)의 위치에 따라 달라지게 된다.FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line VI-VI of FIG. 6, in which the ball lenses 120 and 122 and the optical fibers 125 and 127 are arranged to coincide with the optical axis C. Referring to FIG. As such, in the optical connector, in order to minimize the optical path and reduce the optical loss, it is important to align the optical axes of the optical devices 120 and 125. Accordingly, the width or depth of the micropit 110 or the V-groove 115 may vary depending on the position of the optical axis C.

도 8a는 광축(C)이 기판(135) 표면보다 수직거리 t만큼 아래에 위치한 경우로서, 광학 요소, 예컨대 볼렌즈(120)(122)나 광파이버(125)(127) 등을 광축 정렬할 수 있도록 하는 배치를 보인 것이다. 여기에서는 광파이버(125)(127)를 예를 들어 설명한다. 상기 광파이버(125)(127)의 반지름을 R, 상기 기판(135) 표면으로부터 상기 광파이버(125)(127)와 V-그루브(115) 경사면이 만나는 점(p)까지의 수직거리를 m, 상기 V-그루브(115)의 깊이를 n, V-그루브의 에칭각을 α(rad)라 한다. 또한, 상기 V-그루브(115)의 반폭을 L이라 하면, 이 L은 하기의 수학식으로 표현될 수 있다.FIG. 8A illustrates a case in which the optical axis C is positioned below the surface of the substrate 135 by a vertical distance t. The optical elements such as the ball lenses 120, 122, the optical fibers 125, 127, and the like may be optically aligned. The layout is shown to make it. Here, the optical fibers 125 and 127 will be described as an example. R is the radius of the optical fibers 125 and 127, m is the vertical distance from the surface of the substrate 135 to the point (p) where the optical fibers 125, 127 and the slope of the V-groove 115 meets, The depth of the V-groove 115 is n, and the etching angle of the V-groove is α (rad). In addition, if the half-width of the V-groove 115 is L, this L may be expressed by the following equation.

위 식에서 상기 V-그루브(115)의 폭은 2L로 계산된다. 또한, 상기 m, n은 하기의 수학식을 만족한다.In the above formula, the width of the V-groove 115 is calculated as 2L. In addition, m and n satisfy the following equation.

상기 수학식 2의 n을 구하는 식에서 L 대신에 상기 수학식 1에서의 L을 대입하여 정리하면 n은 다음의 식으로 나타낼 수 있다.In the equation for obtaining n in Equation 2, if L is substituted in L in Equation 1 instead of L, n may be represented by the following equation.

이상에 설명한 것과 달리, 광축(C')이 도 8b와 같이 기판(135) 표면보다 위쪽에 있는 경우에는 상기 수학식 1,2에서 t 대신에 (-t)를 대입하여 구할 수 있다. 이외에, 광축이 기판 표면과 일치될 경우에는 t에 0을 대입하여 구할 수 있다.Unlike the above description, when the optical axis C 'is located above the surface of the substrate 135 as shown in FIG. 8B, it may be obtained by substituting (-t) instead of t in Equation 1 and 2 above. In addition, when the optical axis coincides with the surface of the substrate, it can be obtained by substituting 0 for t.

한편, 상기 액추에이터(105)를 상기 홀(103)에 삽입하여 조립할 때, 상기 광파이버(125)(127), 볼렌즈(120)(122) 그리고 마이크로미러(100)를 광축에 맞게 정렬할 수 있도록 기준이 되는 기준 표시부(133)가 마련된다. 따라서, 이 기준 표시부(133)에 의해 상기 액추에이터(105)을 용이하게 조립할 수 있다.Meanwhile, when the actuator 105 is inserted into the hole 103 and assembled, the optical fibers 125, 127, the ball lenses 120, 122, and the micromirror 100 may be aligned with an optical axis. A reference display unit 133 serving as a reference is provided. Therefore, the actuator 105 can be easily assembled by the reference display portion 133.

다음은 이러한 구조를 갖는 광커넥터의 제조 방법에 대해 설명한다.Next, the manufacturing method of the optical connector which has such a structure is demonstrated.

도 9a 및 도 9b와 같이, 양면 폴리싱된 (100)방향의 웨이퍼(140) 양면에 각각 상부 및 하부 제1에칭 마스크층(143)(144)을 증착하고 상기 광파이버(125)(127)가 실장되는 V-그루브 대응영역(147), 상기 볼렌즈(120)(122)가 실장되는 마이크로피트 대응영역(150) 그리고 상기 액추에이터(105)가 설치되는 홀 대응영역(155)이 노출되도록 제1 패터닝을 한다. 여기에서 상기 제1에칭 마스크층(143)은 SixNy로 구성된 물질로 형성되는 것이 바람직하며 더욱 바람직하게는, 실리콘나이트라이드(Si3N4)가 사용된다.9A and 9B, upper and lower first etching mask layers 143 and 144 are deposited on both sides of the wafer 140 in the double-side polished (100) direction, and the optical fibers 125 and 127 are mounted. First patterning to expose the V-groove corresponding region 147, the micropit corresponding region 150 in which the ball lenses 120 and 122 are mounted, and the hole corresponding region 155 in which the actuator 105 is installed. Do it. Here, the first etching mask layer 143 is preferably formed of a material consisting of Si x N y , and more preferably, silicon nitride (Si 3 N 4 ) is used.

그런 다음, 상기 제1에칭 마스크층(143) 위에 제 9c와 같이 제2에칭 마스크층(145)을 증착시킨다. 또한, 도 9d와 같이 반응 이온 에칭(RIE) 공정에 의해 상기마이크로피트 대응영역(150)과 홀 대응영역(155)이 노출되도록 한 다음, 도 9e와 같이 하부 제1에칭 마스크층(144)에 홀 대응영역(155)이 노출되도록 하여 제2 패터닝을 한다. 이러한 제2패턴을 따라 도 9f에 도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼(140) 표면으로부터 깊이 d1만큼 비등방성 제1에칭을 수행한다. 이때 수산화칼륨(KOH)에 의해 비등방성 습식 에칭 공정을 이용하여 에칭할 수 있다.Thereafter, a second etching mask layer 145 is deposited on the first etching mask layer 143 as in the ninth case. In addition, as shown in FIG. 9D, the micropit corresponding region 150 and the hole corresponding region 155 are exposed by a reactive ion etching (RIE) process, and then the lower first etching mask layer 144 is exposed as shown in FIG. 9E. A second patterning is performed by exposing the hole correspondence region 155. According to this second pattern, as shown in FIG. 9F, anisotropic first etching is performed from the surface of the wafer 140 by a depth d 1 . At this time, it may be etched using potassium hydroxide (KOH) using an anisotropic wet etching process.

상기와 같이 제1에칭을 한 후에 상기 제2에칭 마스크층(145)을 제거하면, 도 9g와 같이 마이크로피트 대응영역(150)과 함께 V-그루브 대응영역(157)도 노출된다. 이렇게 형성된 상기 제1에칭 마스크층(143)의 패턴에 의해 d2의 깊이로 제2에칭을 한다. 이러한 과정에 의해 상기 홀 대응영역(155)은 상기 홀(103)로 형성된다. 이때에도 제1에칭과 같이 수산화칼륨(KOH)에 의해 비등방성 습식 에칭 공정을 이용하여 제2에칭을 할 수 있다. 제2에칭을 끝낸 후에 도 9i와 같이 상기 제1에칭 마스크층(143)을 제거한다.When the second etching mask layer 145 is removed after the first etching as described above, the V-groove corresponding region 157 is exposed together with the micropit corresponding region 150 as shown in FIG. 9G. The second etching is performed to a depth of d 2 by the pattern of the first etching mask layer 143 thus formed. Through this process, the hole corresponding area 155 is formed as the hole 103. In this case, as in the first etching, the second etching may be performed by using an anisotropic wet etching process using potassium hydroxide (KOH). After finishing the second etching, the first etching mask layer 143 is removed as shown in FIG. 9I.

한편, 상기 제1에칭 및 제2에칭시 각각의 에칭 조건을 그 에칭 깊이나 폭 등에 맞추어 최적으로 하여 에칭할 수 있다. 또한, 제1에칭시 즉, 마이크로피트 대응영역(150)을 에칭시 상기 콘벡스 코너(45) 부분을 상기 제1에칭 마스크층(143)에 의해 보호함으로써 콘벡스 코너 현상을 방지할 수 있다. 이와 같이, 각각의 에칭을 위해 그에 맞는 2층의 에칭 마스크층(143)(145)을 이용하여 제조함으로써 용이하게 콘벡스 코너 현상을 방지하고 소정의 패턴대로 광커넥터를 제조할 수 있다.On the other hand, the etching conditions at the time of the first etching and the second etching can be etched optimally in accordance with the etching depth, the width and the like. In addition, the convex corner phenomenon may be prevented by protecting the portion of the convex corner 45 by the first etching mask layer 143 during the first etching, that is, when the micropit corresponding region 150 is etched. As such, by using two etching mask layers 143 and 145 suitable for each etching, the convex corner phenomenon can be easily prevented and the optical connector can be manufactured in a predetermined pattern.

상술한 바와 같이 하여 마이크로피트(110)는 (d1+d2) 깊이를, V-그루브(115)는 d2의 깊이를 갖는다. 여기에서 이들 깊이 d1,d2는 광축(C)의 위치에 따라 달라지며 상기 수학식1, 2에 의해 결정될 수 있다. 또한, 상기 (d1+d2) 또는 상기 d2는 수학식 3에서 그루브의 깊이 n을 구하는 식에 의해 구할 수 있다. 여기에서 변수로서 광파이버(125)(127) 또는 마이크로피트(110) 단면의 반지름(R)과 기판(135) 표면으로부터 광축(C)까지의 수직거리(t) 그리고 에칭 각도(α)가 결정되면 그루브의 폭 및 깊이를 구할 수 있다.As described above, the micropit 110 has a depth of (d 1 + d 2 ) and the V-groove 115 has a depth of d 2 . Here, these depths d 1 , d 2 depend on the position of the optical axis C and can be determined by Equations 1 and 2 above. In addition, the (d 1 + d 2 ) or the d 2 can be obtained by the equation to obtain the depth n of the groove in the equation (3). Here, as the parameters, the radius R of the optical fiber 125, 127 or micropit 110 cross section, the vertical distance t from the surface of the substrate 135 to the optical axis C, and the etching angle α are determined. The width and depth of the groove can be obtained.

우선, 상기 V-그루브(115)의 깊이 d2는 수학식 2 또는 3에서 구한 n과 동일하다. 그리고 상기 마이크로피트(110)의 깊이 (d1+d2) 또한 볼렌즈(120)(122)에 의해 결정되는 변수들을 대입하여 구할 수 있다. 즉, 상기 볼렌즈(120)(122) 단면의 반지름을 R'이라 하고 상기 웨이퍼(140) 표면으로부터 상기 볼렌즈(120)(122)와 마이크로피트(110) 경사면이 만나는 점까지의 수직거리를 m', 상기 마이크로피트의 에칭각을 alpha '(rad)라 하면, 광축이 상기 웨이퍼 표면보다 t만큼 위에 위치하는 경우, 하기의 수학식을 만족한다.First, the depth d 2 of the V-groove 115 is equal to n obtained by Equation 2 or 3. In addition, the depth d 1 + d 2 of the micropit 110 may also be obtained by substituting variables determined by the ball lenses 120 and 122. That is, the radius of the end surfaces of the ball lenses 120 and 122 is referred to as R 'and the vertical distance from the surface of the wafer 140 to the point where the ball lenses 120 and 122 meet the inclined plane of the micropit 110 is measured. When m 'and the etching angle of the micro feet are alpha' (rad), when the optical axis is located above t by the wafer surface, the following equation is satisfied.

이상과 같이 하여 그 크기가 다른 다수의 광학 소자를 갖는 광커넥터를 패턴대로 정확하게 제조할 수 있다.As described above, an optical connector having a plurality of optical elements having different sizes can be manufactured exactly as a pattern.

상기한 바와 같이, 본 발명은 크기가 각각 다른 각 광학 소자들이 광축에 맞게 정렬되도록 각 소자가 실장되는 그루브의 에칭 깊이를 다르게 제조한다. 이러한 에칭 깊이의 차이에 따른 에칭 조건의 차이를 개선하기 위해 각각의 에칭 패턴을 갖는 다수개의 에칭 마스크층을 마련한다. 이렇게 하여 각각의 광학 소자에 적합한 최적의 에칭 조건으로 에칭을 함으로써 콘벡스 코너 현상이 방지되고, 콘벡스 코너 현상 방지를 위한 별도의 코너 보상 패턴을 요하지 않으므로 제조 공정이 단순화 되고 광커넥터의 소형화를 이룰 수 있다. 이에 따라 입출력 채널의 다수화 및 집적화를 달성할 수 있다.As described above, the present invention manufactures different etching depths of grooves in which each element is mounted so that each optical element having a different size is aligned with an optical axis. In order to improve the difference in etching conditions due to the difference in etching depth, a plurality of etching mask layers having respective etching patterns are provided. In this way, etching with optimal etching conditions suitable for each optical element is prevented, and convex corner phenomenon is prevented, and a separate corner compensation pattern is not required to prevent convex corner phenomenon, thus simplifying the manufacturing process and miniaturizing the optical connector. Can be. As a result, multiplexing and integrating input / output channels can be achieved.

또한, 패턴 형상이 정확하게 형성되므로 광축 정렬이 정확하게 이루어지므로 광 입출력단의 광경로를 최소화할 수 있을 뿐 아니라 광손실을 감소시킬 수 있다.In addition, because the pattern shape is formed accurately, the alignment of the optical axis is precisely performed, thereby minimizing the optical path of the optical input / output terminal and reducing the optical loss.

Claims (7)

웨이퍼 양면에 제1에칭 마스크층을 증착하고 볼렌즈를 실장할 마이크로피트 대응영역과 마이크로미러 액추에이터를 설치할 홀 대응영역 그리고 광파이버를 실장할 V-그루브 대응영역이 노출되도록 제1패터닝하는 단계와;Depositing a first etching mask layer on both sides of the wafer, and first patterning the micropit corresponding region for mounting the ball lens, the hole corresponding region for installing the micromirror actuator, and the V-groove corresponding region for mounting the optical fiber; 이렇게 패터닝된 상기 제1에칭 마스크층 위에 제2마스크 층을 증착한 후 상기 마이크로피트 대응영역과 홀 대응 영역이 노출되도록 제2패터닝하는 단계와;Depositing a second mask layer on the patterned first etching mask layer and performing second patterning to expose the micropit corresponding region and the hole corresponding region; 상기 마이크로피트 대응영역과 홀 대응영역을 소정 깊이 d1으로 제1에칭을 하는 단계와;First etching the micropit corresponding region and the hole corresponding region to a predetermined depth d 1 ; 상기 제2에칭 마스크층을 제거한 다음, 마이크로피트 대응영역과 V-그루브대응영역을 깊이 d2로 제2에칭을 하고 상기 제2에칭 마스크층을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광커넥터 제조 방법.And removing the second etching mask layer, second etching the micropit corresponding region and the V-groove corresponding region to a depth d 2 , and removing the second etching mask layer. Manufacturing method. 제 1항에 있어서, 상기 마이크로피트 대응영역과 V-그루브 대응영역이 그 깊이가 상호 다른 것을 특징으로 하는 광커넥터 제조 방법.The method of claim 1, wherein the micropit corresponding region and the V-groove corresponding region have different depths. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 V-그루브의 깊이 d2는,The depth d 2 of the V-groove according to claim 1 or 2 , 광파이버 단면의 반지름을 R이라 하고 상기 웨이퍼 표면으로부터 상기 광파이버와 V-그루브 경사면이 만나는 점까지의 수직거리를 m, 상기 V-그루브의 에칭각을 α(rad)라 하면, 광축이 상기 웨이퍼 표면보다 t만큼 위에 위치하는 경우 하기의 수학식을 만족하는 것을 특징으로 하는 광커넥터 제조 방법.If the radius of the optical fiber cross section is R, the vertical distance from the wafer surface to the point where the optical fiber meets the V-groove inclined plane is m, and the etching angle of the V-groove is α (rad). The optical connector manufacturing method characterized by satisfying the following equation when positioned above by t. <수학식>Equation 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 마이크로피트의 깊이 (d1+d2)는,The depth of the micro feet (d 1 + d 2 ) of claim 1 or 2, 볼렌즈 단면의 반지름을 R'이라 하고 상기 웨이퍼 표면으로부터 상기 볼렌즈와 마이크로피트 경사면이 만나는 점까지의 수직거리를 m', 상기 볼렌즈의 에칭각을 α(rad)라 하면, 광축이 상기 웨이퍼 표면보다 t만큼 위에 위치하는 경우, 하기의 수학식을 만족하는 것을 특징으로 하는 광커넥터 제조 방법.If the radius of the ball lens cross section is R 'and the vertical distance from the wafer surface to the point where the ball lens and the micropit inclined plane meet is m' and the etching angle of the ball lens is α (rad), the optical axis is the wafer. When positioned above the surface by t, the optical connector manufacturing method characterized by the following equation. 제 1항에 있어서, 상기 제1에칭 마스크층 및 제 2에칭 마스크층은 SixNy를 사용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 광커넥터 제조 방법.The method of claim 1, wherein the first etching mask layer and the second etching mask layer are manufactured using Si x N y . 제 1항 또는 제 5항에 있어서, 상기 제1마스크층 및 제2에칭 마스크층은 실리콘나이트라이드(Si3N4)를 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 광커넥터 제조 방법.The method of claim 1, wherein the first mask layer and the second etching mask layer are formed using silicon nitride (Si 3 N 4 ). 제 1항에 있어서, 상기 마이크로미러 액추에이터와 그에 대응되는 위치의 웨이퍼에 각각 기준 표시부가 형성되어 있어 상기 마이크로미러 액추에이터를 상기 홀 대응영역에 정확하게 조립할 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 광커넥터 제조 방법.The optical connector manufacturing method according to claim 1, wherein a reference display portion is formed on each of the micromirror actuator and a wafer at a position corresponding to the micromirror actuator, so that the micromirror actuator can be accurately assembled to the hole corresponding region.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100416762B1 (en) * 2001-05-08 2004-01-31 삼성전자주식회사 A optical module and manufacturing method thereof
KR100716955B1 (en) * 2000-09-29 2007-05-10 삼성전자주식회사 Manufacture method of optical connector
CN108873146A (en) * 2014-04-02 2018-11-23 群创光电股份有限公司 display device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0225544A (en) * 1988-07-15 1990-01-29 Nippon Steel Corp Ni-cr austenitic stainless steel having excellent high temperature long time stability
JPH0270265A (en) * 1988-08-31 1990-03-09 Nec Corp Switching power supply
JPH0761559B2 (en) * 1989-08-17 1995-07-05 株式会社ヨシツカ精機 Pressing equipment for sizing
GB2355312B (en) * 1999-10-13 2001-09-12 Bookham Technology Ltd Method of fabricating an integrated optical component
KR100716955B1 (en) * 2000-09-29 2007-05-10 삼성전자주식회사 Manufacture method of optical connector
KR100446625B1 (en) * 2002-03-27 2004-09-04 삼성전자주식회사 Manufacture method of optical switch

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100716955B1 (en) * 2000-09-29 2007-05-10 삼성전자주식회사 Manufacture method of optical connector
KR100416762B1 (en) * 2001-05-08 2004-01-31 삼성전자주식회사 A optical module and manufacturing method thereof
CN108873146A (en) * 2014-04-02 2018-11-23 群创光电股份有限公司 display device
CN108873146B (en) * 2014-04-02 2020-12-29 群创光电股份有限公司 Display device

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