KR20020022636A - A chemicals mixed liquid supply apparatus for etching or cleaning semiconductor wafer - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 웨이퍼 식각 또는 세정용 케미컬 혼합액 공급장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 구성이 간단하고 부피가 작아 케미컬 혼합액을 필요로 하는 웨이퍼 세정장치 내에 개별적으로 용이하게 설치할 수 있고, 1종류 이상의 케미컬과 물을 다양한 조성으로 균일하게 혼합하여, 이를 식각 또는 세정장비로 공급하는 데 적당하도록 한 반도체 웨이퍼 식각 또는 세정용 케미컬 혼합액 공급장치 및 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chemical mixed liquid supply apparatus and method for etching or cleaning semiconductor wafers. The present invention is particularly simple in structure and small in volume, and can be easily installed separately in a wafer cleaning apparatus requiring a chemical mixed liquid. The present invention relates to a chemical mixed liquid supply apparatus and method for etching or cleaning a semiconductor wafer, wherein the mixture is uniformly mixed in various compositions and suitable for supplying the same to an etching or cleaning apparatus.
일반적으로, 반도체 제조공정에서 반도체 웨이퍼 위에 존재하는 불필요한 산화막을 제거하기 위하여 식각하거나, 웨이퍼에 소정 형상의 패턴을 형성하기 위하여 식각 공정의 결과로 발생되는 불순물 입자, 반응 부산물 그리고 외부에서 유입된 불순물을 제거하기 위해 웨이퍼의 세정을 하게 된다.Generally, impurity particles, reaction by-products, and impurities introduced from the etching process are removed in order to remove unnecessary oxides on the semiconductor wafer or to form a predetermined pattern on the wafer in the semiconductor manufacturing process. The wafer is cleaned to remove it.
이때, 불소, 염산, 황산, 과산화수소와 암모니아수 등으로 이루어진 케미컬을 정확한 농도로 균일하게 물에 희석 또는 서로 혼합하여 사용하기 때문에 상기 케미컬과 물을 균일하게 혼합하고, 이를 식각 또는 세정장비로 공급하기 위하여 케미컬 혼합액 공급장치가 사용된다.At this time, since chemicals made of fluorine, hydrochloric acid, sulfuric acid, hydrogen peroxide and ammonia water are uniformly diluted or mixed with water at the correct concentration and mixed with each other, the chemicals and water are uniformly mixed and supplied to an etching or cleaning equipment. A chemical mixture feeder is used.
도 1은 종래의 반도체 웨이퍼 식각 또는 세정용 케미컬 혼합액 공급장치를 도시한 구성도이다.1 is a block diagram showing a conventional chemical mixed liquid supply apparatus for etching or cleaning a semiconductor wafer.
이에 도시된 바와 같이, 종래의 케미컬 혼합액 공급장치는 물과 케미컬을 담을 수 있는 대용량의 교반조(101)와, 상기 교반조(101) 내에서 공급받은 물과 케미컬을 혼합시키는 펜 형태의 교반기(103)와, 상기 교반조(101)로 공급되는 케미컬의 양을 정확히 측정하기 위한 케미컬양측정기(105)와, 상기 물과 케미컬의 순환 및 공급을 위한 다수의 펌프들(107a,107b,107c)로 구성되어 있다.As shown in the drawing, the conventional chemical liquid mixture supply apparatus has a large-capacity stirring tank 101 capable of containing water and chemicals, and a pen-type stirrer for mixing water and chemicals supplied from the stirring tank 101 ( 103), a chemical volume meter 105 for accurately measuring the amount of chemical supplied to the stirring vessel 101, and a plurality of pumps (107a, 107b, 107c) for circulation and supply of the water and chemicals Consists of
이러한 구성에 의하여, 우선, 상기 교반조(101)에 많은 양의 물과 케미컬을 소정비율로 담은 후에, 상기 교반기(103)를 회전시켜 상기 교반조(101) 내에 와류를 발생시키면 상기 물과 케미컬이 균일하게 혼합된다.By this configuration, first, a large amount of water and chemicals are contained in the stirring tank 101 at a predetermined ratio, and then, when the stirrer 103 is rotated to generate vortices in the stirring tank 101, the water and chemicals This is mixed evenly.
이후, 균일하게 혼합된 상기 물과 케미컬의 혼합액을 이를 필요로 하는 반도체 웨이퍼 식각 또는 세정장비로 공급할 수 있었다.Thereafter, the mixed solution of water and chemical, which were uniformly mixed, could be supplied to a semiconductor wafer etching or cleaning equipment that requires it.
그러나, 일시에 많은 양의 혼합케미컬이 필요한 종래의 반도체 웨이퍼 세정장비와 식각장비를 위한 종래의 케미컬 혼합액 공급장치는 교반조(101) 내에 위치한 교반기(103)와 물과 케미컬의 순환 및 공급을 위한 여러 대의 펌프(107a,107b, 107c)가 필수적으로 설치되므로 그 구성이 복잡하고 부피가 상당히 커지는 것이 불가피하였다.However, the conventional chemical mixture liquid supply apparatus for the conventional semiconductor wafer cleaning equipment and etching equipment that requires a large amount of mixed chemicals at one time is used for the circulation and supply of the stirrer 103 located in the stirring vessel 101 and water and chemical. Since several pumps 107a, 107b, and 107c are essentially installed, its configuration is inevitably complicated and bulky.
상기와 같은 이유로, 종래의 케미컬 혼합액 공급장치는 반도체 웨이퍼 식각 또는 세정장비와 함께 설치하지 못하고 원거리에 설치할 수밖에 없었다.For the same reason as above, the conventional chemical liquid mixture supply device cannot be installed together with semiconductor wafer etching or cleaning equipment, but has to be installed at a long distance.
따라서, 많은 양의 물과 케미컬을 한꺼번에 혼합한 후, 이 케미컬 혼합액을배관을 통하여 원거리에 위치한 상기 웨이퍼 식각 또는 세정장비로 공급해야 하였다.Therefore, after mixing a large amount of water and chemical at once, this chemical mixture solution had to be supplied to the wafer etching or cleaning equipment located at a distance through a pipe.
이와 같은 종래의 방식은 여러장의 웨이퍼를 한 조에서 식각하고 세정하는 회분식 장비에서는 큰 문제가 되지 않았다.Such a conventional method is not a big problem in a batch equipment for etching and cleaning several wafers in one set.
이는, 상기 회분식 장비의 경우 식각 또는 세정을 위하여 몇가지의 상당히 많은 양의 케미컬 혼합액을 몇개의 대형 세정욕조에 채우고, 수십장의 웨이퍼가 적층된 카세트를 상기 케미컬 혼합액에 한꺼번에 차례로 침적하여 세정 또는 식각하는 방식을 취하였기 때문이다.In the case of the batch type equipment, some large amount of chemical mixture is filled in several large cleaning baths for etching or cleaning, and a cassette in which dozens of wafers are stacked is sequentially deposited on the chemical mixture for cleaning or etching. It is because
하지만, 최근의 기술적 동향에 따르면, 반도체 웨이퍼를 낱장씩 세정하는 소형의 매엽식 장비가 널리 사용되고 있으며, 상기 매엽식 세정장비는 종래의 회분식 장비에 비하여 상당히 소형화되었고, 이에 따라 사용되는 케미컬 혼합액의 소요량이 종래의 회분식 장비보다 1/50 ∼ 1/100로 감소되는 특징을 가지고 있다.However, according to recent technical trends, small sheet type equipment for cleaning semiconductor wafers one by one is widely used, and the single sheet type cleaning equipment has been considerably miniaturized as compared to conventional batch equipment, and thus the amount of chemical mixture used. It is characterized by being reduced to 1/50 to 1/100 of this conventional batch type equipment.
또한, 상기 세정장비에 사용되는 케미컬의 혼합비율과 종류는 각 공정에 따라 달라질 수 있으므로 다양한 혼합비율과 종류의 케미컬을 공급하는 것이 필수적이다.In addition, since the mixing ratio and type of chemicals used in the cleaning equipment may vary depending on each process, it is essential to supply various mixing ratios and types of chemicals.
따라서, 부피가 크고, 다양한 혼합비율과 종류의 케미컬을 공급하는 데 제한적일 수밖에 없는 종래의 케미컬 혼합액 공급장치는 상기 매엽식과 같은 반도체 웨이퍼 식각 또는 세정장비에 사용하기에는 곤란한 문제점이 있게 된다.Therefore, the conventional chemical mixture solution supplying device which is bulky and limited to supply various kinds of mixing ratios and types of chemicals has a problem that is difficult to use in semiconductor wafer etching or cleaning equipment such as the sheet type.
이에 본 발명은 상기와 같은 종래의 제반 문제점을 해소하기 위해 제안된 것으로, 본 발명의 목적은 순환 및 공급용의 여러 개의 펌프나 교반조 내의 교반기와 교반기를 구동하는 모터가 없는 간단한 구성으로 부피를 대폭 줄여서, 케미컬 혼합액을 필요로 하는 각각의 반도체 웨이퍼 세정장비 내에 개별적으로 설치 가능한 반도체 웨이퍼 식각 또는 세정용 케미컬 혼합액 공급장치를 제공하는 데 있다.Accordingly, the present invention has been proposed to solve the conventional problems as described above, the object of the present invention is to increase the volume in a simple configuration without a motor for driving the stirrer and the stirrer in a plurality of pumps or agitator for circulation and supply The present invention provides a chemical liquid supply device for etching or cleaning semiconductor wafers that can be individually installed in each semiconductor wafer cleaning equipment requiring a chemical mixture.
또한, 본 발명의 또 다른 목적은, 각각의 반도체 웨이퍼 식각 또는 세정장비가 요구하는 다양한 혼합비율과 종류의 케미컬 혼합액을 용이하게 공급하는 반도체 웨이퍼 식각 또는 세정용 케미컬 혼합액 공급장치 및 방법을 제공하는 데 있다.In addition, another object of the present invention is to provide a chemical mixture liquid supplying apparatus and method for etching or cleaning a semiconductor wafer which easily supplies various mixed ratios and types of chemical mixtures required by each semiconductor wafer etching or cleaning equipment. have.
도 1은 종래의 케미컬 혼합액 공급장치를 도시한 구성도.1 is a block diagram showing a conventional chemical liquid mixture supply device.
도 2a는 본 발명의 반도체 웨이퍼 식각 또는 세정용 케미컬 혼합액 공급장치를 도시한 구성도.Figure 2a is a block diagram showing a chemical mixed liquid supply apparatus for etching or cleaning the semiconductor wafer of the present invention.
도 2b는 도 2a의 변형 실시예를 도시한 구성도.FIG. 2B is a block diagram showing a modified embodiment of FIG. 2A.
도 3a는 본 발명의 반도체 웨이퍼 식각 또는 세정용 케미컬 혼합액 공급방법을 보여주는 개략적인 구성도.Figure 3a is a schematic diagram showing a method for supplying a chemical mixed solution for etching or cleaning a semiconductor wafer of the present invention.
도 3b는 본 발명의 두종류의 케미컬 혼합액을 공급하기 위한 방법을 보여주는 개략적인 구성도.Figure 3b is a schematic diagram showing a method for supplying two kinds of chemical mixture solution of the present invention.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
1 : 교반조 3 : 물공급배관1: stirring tank 3: water supply piping
5 : 물공급밸브 7a,7b : 체크밸브5: Water supply valve 7a, 7b: Check valve
9 : 케미컬양측정기 11 : 케미컬공급밸브9: Chemical quantity measuring instrument 11: Chemical supply valve
13 : 이송용가스가스공급배관 15 : 이송용가스공급밸브13: transfer gas supply pipe 15: transfer gas supply valve
17 : 와류발생용가스공급배관 19 : 와류발생용가스공급밸브17: vortex generating gas supply piping 19: vortex generating gas supply valve
21 : 혼합액공급배관 23 : 혼합액공급밸브21: mixed liquid supply piping 23: mixed liquid supply valve
25 : 배수배관 27 : 배수밸브25: drain pipe 27: drain valve
29 : 배기배관 31 : 배기밸브29 exhaust pipe 31 exhaust valve
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 기술적 사상에 의한 반도체 웨이퍼 식각 또는 세정용 케미컬 혼합액 공급장치는, 교반조와, 상기 교반조 내에 물을 공급하는 물공급수단과, 상기 교반조 내에 케미컬을 공급하는 케미컬공급수단과, 상기 교반조 내에 물과 케미컬이 공급되면, 공급된 물과 케미컬을 균일하게 혼합하기 위해, 상기 교반조 하부에서 내부로 불활성가스를 주입하여 와류를 발생시키는 와류발생용가스공급수단과, 상기 교반조 내에 공급된 상기 불활성가스를 외부로 배기하는 배기수단과, 상기 교반조에서 균일하게 혼합된 상기 물과 케미컬의 혼합액을 식각 또는 세정장비로 공급하는 혼합액공급수단을 포함하여 구성된다.In order to achieve the above object, a semiconductor wafer etching or cleaning chemical mixture liquid supply apparatus according to the technical idea of the present invention includes a stirring tank, water supply means for supplying water into the stirring tank, and chemical supply into the stirring tank. When the chemical supply means and the water and the chemical are supplied into the stirring tank, in order to uniformly mix the supplied water and the chemical, the inert gas is injected into the inside of the stirring tank to supply the vortex generating gas to generate the vortex Means, exhaust means for exhausting the inert gas supplied into the stirring tank to the outside, and a mixed liquid supply means for supplying a mixture of the water and the chemical uniformly mixed in the stirring tank to an etching or washing apparatus. do.
여기서, 상기 케미컬공급수단은, 상기 교반조 내에 공급되는 케미컬의 양을 측정하는 케미컬양측정기와, 상기 케미컬양측정기와 외부의 케미컬공급처와 상기 교반조와 3방향 연결되어, 상기 케미컬공급처로부터 상기 케미컬양측정기로 케미컬을 공급하거나 상기 케미컬양측정기로부터 상기 교반조로 케미컬을 공급할 수 있도록, 전달되는 개폐신호에 의해 선택적으로 개폐되는 3방향밸브로 구성된 케미컬공급밸브를 포함하는 케미컬공급부와, 상기 케미컬양측정기와 외부의 이송용가스공급처와 배기구와 3방향 연결되어, 상기 케미컬양측정기로부터 배출되는 가스를 상기 배기구로 배기하거나 상기 이송용가스공급처로부터 상기 케미컬양측정기로 불활성가스를 주입할 수 있도록, 전달되는 개폐신호에 의해 선택적으로 개폐되는 3방향밸브로 구성된 이송용가스공급밸브를 구비하여 상기 케미컬양측정기에 소정량의 케미컬이 채워지면 상기 케미컬을 상기 교반조 내로 가압이송하는 이송용가스공급부를 포함하는 것이 바람직하다.Here, the chemical supply means is connected to the chemical amount measuring device for measuring the amount of the chemical supplied into the stirring tank, the chemical amount measuring device and the external chemical supply destination and the stirring tank in three directions, the both sides of the chemical from the chemical supply source A chemical supply unit including a chemical supply valve configured to be selectively opened and closed by an open / closed signal transmitted to supply the chemical to the regular or to supply the chemical from the chemical volume meter to the stirring vessel; It is connected to an external transport gas supply destination and an exhaust port in three directions so that the gas discharged from the chemical quantity meter can be exhausted to the exhaust port or inert gas can be injected from the transport gas supply destination to the chemical volume meter. Composed of 3-way valve selectively opened and closed by signal To include in a gas supply valve for transferring the chemical periodic bilateral the chemical fill a predetermined amount of the chemical to the drawing the parts of the transporting gas for supply to the pressure transferred into the stirring tank is preferred.
여기서, 상기 케미컬양측정기는 서로 다른 종류의 케미컬의 양을 측정할 수 있도록 2개 이상 구비하고, 상기 케미컬공급부는 상기 케미컬양측정기에 각각 연결되는 2개 이상의 케미컬공급밸브를 포함하며, 상기 이송용가스공급부는 상기 케미컬양측정기에 각각 연결되는 2개 이상의 이송용가스공급밸브를 구비하여, 상기 교반조 내에 2종류 이상의 케미컬을 소정의 혼합비율로 공급 가능하게 될 수 있다.Here, the chemical amount measuring device is provided with two or more to measure the amount of different types of chemical, the chemical supply unit includes two or more chemical supply valves respectively connected to the chemical amount measuring device, the transfer The gas supply unit may include two or more transfer gas supply valves respectively connected to the chemical volume meter, so that two or more kinds of chemicals may be supplied into the stirring tank at a predetermined mixing ratio.
한편, 반도체 웨이퍼의 식각과 세정을 위해, 물과 케미컬을 혼합하고, 이를 반도체 웨이퍼 식각 또는 세정장비에 공급하는 반도체 웨이퍼 식각 또는 세정용 케미컬 혼합액 공급방법으로서, 교반조 내로 소정량의 물을 공급하여 채우는 물공급단계와, 외부의 케미컬공급처로부터 소정량의 케미컬을 케미컬양측정기에 공급하는 케미컬공급단계와, 상기 케미컬공급단계 후, 이송용가스공급부가 상기 케미컬양측정기에 불활성가스를 주입하여 상기 케미컬을 교반조 내로 가압이송하는 케미컬이송단계와, 상기 케미컬이송단계 후, 상기 교반조의 하부에서 내부로 불활성가스를주입하여 교반조 내에 공급된 상기 물과 케미컬에 와류를 발생시켜 균일하게 혼합하는 케미컬혼합단계와, 상기 케미컬혼합단계 후, 상기 이송용가스공급부가 상기 교반조 내로 불활성가스를 주입하여, 상기 교반조 내에서 균일하게 혼합된 물과 케미컬의 혼합액을 외부에 위치한 식각 또는 세정장비로 가압이송하는 혼합액공급단계를 포함하여 구성된다.On the other hand, for etching and cleaning the semiconductor wafer, a method of supplying a chemical mixture liquid for etching or cleaning the semiconductor wafer for mixing the water and chemical, and supplying it to the semiconductor wafer etching or cleaning equipment, by supplying a predetermined amount of water into the stirring tank Filling water supply step, a chemical supply step of supplying a predetermined amount of chemical from the external chemical supply source to the chemical volume meter, and after the chemical supply step, the transfer gas supply unit injects an inert gas into the chemical volume meter to the chemical Chemical conveying step of pressurized transfer into a stirring tank and, after the chemical transfer step, inert gas is injected into the lower part of the stirring tank to generate a vortex in the water and the chemical supplied into the mixing tank to mix uniformly And after the chemical mixing step, the transfer gas supply unit is turned into the stirring tank. By injecting gases, it is configured to include a mixture liquid supply step of pressure transferring the uniformly mixed in the mixing bath of the mixture of water and a chemical etching process or a wet station located outside.
여기서, 상기 케미컬공급단계는, 2개 이상의 케미컬공급처로부터 서로 다른 종류의 케미컬을 2개 이상의 케미컬양측정기에 각각 공급하고, 상기 케미컬이송단계는, 상기 2개 이상의 케미컬양측정기에 불활성 가스를 주입하여 서로 다른 종류의 케미컬을 교반조 내로 가압이송하여 서로 다른 종류의 케미컬을 소정의 혼합비율로 혼합 가능하게 될 수 있다.Here, the chemical supply step, the different types of chemicals from two or more chemical supply source to each of the two or more chemical volume meter, the chemical transfer step, by injecting an inert gas to the two or more chemical volume meter Different types of chemicals may be pressurized into the stirring tank to mix different types of chemicals at a predetermined mixing ratio.
이하, 상기와 같은 본 발명의 기술적 사상에 따른 일실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an embodiment according to the spirit of the present invention as described above will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2a은 본 발명의 반도체 웨이퍼 식각 또는 세정용 케미컬 혼합액 공급장치를 도시한 구성도이다.Figure 2a is a block diagram showing a chemical mixed liquid supply apparatus for etching or cleaning the semiconductor wafer of the present invention.
도시된 바와 같이, 본 발명은 종래와는 달리 여러개의 펌프나 교반기를 구비하지 않고서도, 물과 케미컬을 다양한 비율로 혼합하여, 이를 필요로 하는 장비에 공급할 수 있게 된다. (단, 여기서 케미컬이라 함은 불산, 염산, 황산, 과산화수소, 암모니아수 등 여러 화학약품들을 의미하며, 본 발명에 사용되는 케미컬은 통상적으로 액상이다.)As shown, the present invention, unlike the prior art, without having a plurality of pumps or agitators, it is possible to mix the water and the chemical in various ratios, it is possible to supply to the equipment in need thereof. (However, the chemical here means a number of chemicals, such as hydrofluoric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, hydrogen peroxide, ammonia water, the chemical used in the present invention is usually a liquid).
본 발명은 케미컬과 물을 혼합하기 위해 필요한 공간을 제공하는 교반조(1)가 설치된다.In the present invention, a stirring vessel 1 is provided which provides a space necessary for mixing chemical and water.
또한, 상기 교반조(1) 내로 케미컬과 혼합하기 위한 물을 공급하는 물공급수단(10)이 물공급배관(3)과 물공급밸브(5)와 체크밸브(7a)를 포함하여 상기 교반조 (1)의 일측에 연결되어 설치된다.In addition, the water supply means 10 for supplying water for mixing with the chemical into the stirring tank (1) includes a water supply pipe (3), a water supply valve (5) and a check valve (7a) It is connected to one side of (1) and installed.
여기서, 상기 물공급수단(10)은 도시되지 않은 물공급처와 상기 교반조(1)와 연결되는 물공급배관(3)과, 물의 공급량을 조절하기 위한 물공급밸브(5)를 포함하여 구성된다.Here, the water supply means 10 is configured to include a water supply pipe (3) connected to the water supply destination and the stirring tank (1) not shown, and a water supply valve (5) for adjusting the supply amount of water. .
또한, 바람직하게는 공급되는 물의 역류를 방지할 있도록 상기 물공급배관 (3)에 체크밸브(7a)가 설치될 수 있다.In addition, a check valve 7a may be installed in the water supply pipe 3 so as to prevent backflow of the water to be supplied.
또한, 도시되지 않은 외부의 케미컬공급처로부터 상기 교반조(1) 내로 케미컬을 공급하는 케미컬공급수단(20A)이, 케미컬양측정기(9)와, 3방향밸브인 케미컬공급밸브(11)를 포함하는 케미컬공급부와, 이송용가스공급밸브(15)를 포함하는 이송용가스공급부(20B)를 포함하여 구비된다.In addition, the chemical supply means 20A for supplying the chemical into the stirring vessel 1 from an external chemical supply source (not shown) includes a chemical quantity measuring device 9 and a chemical supply valve 11 which is a three-way valve. It includes a chemical supply unit and the transfer gas supply unit 20B including a transfer gas supply valve 15.
여기서, 상기 케미컬공급수단(20A)에는, 작업자가 원하는 소정량의 케미컬을 상기 교반조(1)로 공급하기 위하여 상기 케미컬의 정확한 양을 측정하는 케미컬양측정기(9)가 설치되고, 상기 케미컬양측정기(9)는 도시되지 않은 케미컬공급처로부터 이송되는 케미컬을 공급받게 된다.Here, the chemical supply means 20A is provided with a chemical amount measuring device 9 for measuring the exact amount of the chemical in order to supply a predetermined amount of chemical desired by the operator to the stirring vessel 1, and both sides of the chemical The regular 9 is supplied with chemicals conveyed from a chemical supplier, not shown.
또한, 상기 케미컬공급처와 상기 케미컬양측정기(9)와 상기 교반조(1)와 3방향으로 연결되는 배관 분기점에 3방향밸브(3way valve)인 케미컬공급밸브(11)를 포함하는 케미컬공급부가 설치된다.In addition, the chemical supply unit including a chemical supply valve 11 which is a three-way valve (3way valve) is installed at the pipe branch point connected in three directions with the chemical supply destination, the chemical quantity measuring instrument 9 and the stirring tank (1). do.
여기서, 이하 언급되는 3방향밸브로는 케미컬공급밸브(11), 이송용가스공급밸브(15), 배수밸브(27), 제 1케미컬공급밸브(11a), 제 2케미컬공급밸브(11b), 제 1이송용가스공급밸브(15a), 제 2이송용가스공급밸브(15b)가 있으며, 이들은 각각 3방향으로 연결되는 배관의 분기점에 설치된다.Here, the three-way valve mentioned below is a chemical supply valve 11, a transfer gas supply valve 15, a drain valve 27, the first chemical supply valve (11a), the second chemical supply valve (11b), There is a 1st transfer gas supply valve 15a and the 2nd transfer gas supply valve 15b, and they are each installed in the branch point of the pipe connected in three directions.
또한, 상기한 모든 3방향밸브(11,15,11a,11b,15a,15b,27)는 평상시에는 화살표로 도시된 1번방향이 닫혀 있는 상태에 있다가, 전달되는 개폐신호에 의해 1번방향은 열고 2번방향을 닫는 식으로 1번과 2번방향을 선택적으로 개폐하게 된다.In addition, all three-way valves (11, 15, 11a, 11b, 15a, 15b, 27) described above are normally closed in the first direction shown by arrows, and then in the first direction by an open / close signal transmitted. Open and close the direction 1 and 2 selectively by opening and closing direction 2.
이로써, 상기 3방향밸브(11,15,11a,11b,15a,15b,27)는 유체의 유동을 차단하거나 유체의 유동방향을 전환하는 역할을 하게 된다.Thus, the three-way valve (11, 15, 11a, 11b, 15a, 15b, 27) serves to block the flow of the fluid or to change the flow direction of the fluid.
한편, 상기 케미컬양측정기(9)에 공급된 케미컬을 상기 교반조(1)로 가압이송하기 위해 가압이송용의 불활성가스를 주입하는 이송용가스공급부(20B)가 구비된다.On the other hand, the transfer gas supply unit 20B for injecting the inert gas for the pressure transfer in order to pressurize the chemical supplied to the chemical volume meter 9 to the stirring tank (1) is provided.
여기서, 상기 이송용가스공급부(20B)는 도시되지 않은 외부의 이송용가스공급처와 상기 케미컬양측정기(9)와 연결되는 이송용가스공급배관(13)을 포함한다.Here, the transport gas supply unit 20B includes a transport gas supply pipe 13 connected to an external transport gas supply destination and the chemical quantity meter 9 that is not shown.
또한, 상기 배관 상에는 케미컬을 케미컬양측정기(9)에 채울 때 압력을 감소시키고, 상기 케미컬양측정기(9) 내의 케미컬을 상기 교반조(1)로 가압이송하기 위한 3방향밸브인 이송용가스공급밸브(15)가 설치된다.In addition, the supply pressure gas supply is a three-way valve for reducing the pressure when filling the chemical volume meter (9) on the pipe, and pressurized the chemical in the chemical meter (9) to the stirring vessel (1) The valve 15 is installed.
즉, 상기 케미컬공급밸브(11)의 1번방향이 열려 상기 케미컬양측정기(9)가 케미컬을 공급받을 때, 상기 이송용가스공급밸브(15)가 2번방향에서 열린 상태에 있기 때문에 상기 케미컬양측정기(9) 내부의 기체가 상기 이송용가스공급밸브(15)의 2번방향으로 빠져나가면서 상기 케미컬양측정기(9) 내부의 압력이 감소된다.That is, the chemical supply valve 11 is opened in the first direction when the chemical quantity measuring device 9 is supplied with the chemical, so that the chemical gas supply valve 15 is in the open state in the second direction. As the gas inside the quantum meter 9 escapes in the second direction of the transfer gas supply valve 15, the pressure inside the chemical volume meter 9 is reduced.
이와 같이, 상기 이송용가스공급밸브(15)의 2번방향이 평상시에 열려 있기 때문에 공급되는 케미컬이 상기 케미컬양측정기(9)에 원활하게 채워질 수 있게 된다.In this way, since the second direction of the transfer gas supply valve 15 is normally open, the supplied chemical can be smoothly filled in the chemical quantity measuring device 9.
한편, 평상시에 닫혀 있던 상기 이송용가스공급밸브(15)의 1번방향을 열게 되면 2번방향이 닫히고, 상기 이송용가스공급배관(13)을 통하여 상기 케미컬양측정기(9)로 불활성가스가 공급된다.On the other hand, when the first direction of the transfer gas supply valve 15, which is normally closed, is opened, the second direction is closed, and the inert gas flows into the chemical volume meter 9 through the transfer gas supply pipe 13. Supplied.
이렇게 되면, 상기 케미컬양측정기(9)의 내부압력이 증가하여 상기 케미컬양측정기(9)에 채워져 있던 케미컬이 상기 교반조(1)로 가압이송된다.In this case, the internal pressure of the chemical volume meter 9 is increased, and the chemicals filled in the chemical volume meter 9 are pressurized to the stirring tank 1.
이와 같은 구성에 의하면, 상기 케미컬을 상기 교반조(1)에 이송 공급하기 위한 수단으로 종래에 사용되던 여러개의 이송용 펌프는 설치할 필요가 없게 된다.According to such a structure, several transfer pumps conventionally used as a means for conveying and supplying the said chemical to the said stirring tank 1 do not need to be installed.
그리고, 상기 교반조(1) 내에 물과 케미컬이 공급되면, 공급된 물과 케미컬을 균일하게 혼합하기 위해, 상기 교반조(1) 하부에서 내부로 불활성가스를 주입하여 와류를 발생시키는 와류발생용가스공급수단(30)이 와류발생용가스공급배관(17)과 와류발생용공급밸브(19)와 체크밸브(7b)를 포함하여 구비된다.Then, when water and chemical are supplied into the stirring tank 1, in order to uniformly mix the supplied water and the chemical, the vortex generation for injecting an inert gas into the inside of the stirring tank 1 to generate a vortex The gas supply means 30 includes a vortex generating gas supply pipe 17, a vortex generating supply valve 19, and a check valve 7b.
여기서, 상기 와류발생용가스공급수단(30)은 상기 교반조(1)의 하부와 도시되지 않은 불활성가스의 공급처와 연결되는 와류발생용가스공급배관(17)을 구비한다.Here, the vortex generating gas supply means 30 is provided with a vortex generating gas supply pipe 17 connected to the lower portion of the stirring tank (1) and the supply destination of an inert gas (not shown).
또한, 상기 와류발생용가스공급배관(17) 상에는 와류발생용가스공급밸브(19)가 설치되며, 이로써 상기 불활성가스 공급처로부터 공급되는 불활성가스의 양을조절할 수 있게 된다.In addition, the vortex generating gas supply pipe 17 is provided on the vortex generating gas supply pipe 17, thereby adjusting the amount of inert gas supplied from the inert gas supply.
또한, 공급되는 상기 불활성가스의 역류를 방지하기 위해 상기 와류발생용가스공급배관(17)에는 체크밸브(7b)가 설치될 수 있다.In addition, a check valve 7b may be installed in the vortex generating gas supply pipe 17 to prevent a back flow of the inert gas supplied.
이와 같이 구성되는 경우, 상기 와류발생용가스공급수단(30)에 의해 상기 교반조(1)의 하부에서 내부로 불활성가스를 1, 2회 강하게 주입하면 와류가 발생되어 일부 혼합되어 있던 물과 케미컬이 순식간에 균일하게 혼합된다.In this case, if the inert gas is strongly injected once or twice from the lower portion of the stirring tank 1 by the vortex generating gas supply means 30, vortices are generated to partially mix the water and the chemical. This is mixed uniformly in an instant.
따라서, 물과 케미컬을 균일하게 혼합하기 위하여 종래와 같이 교반기와 교반기를 구동하는 구동모터를 설치하지 않아도 되는 간단한 구성을 취할 수 있게 된다.Therefore, in order to uniformly mix water and chemical, it becomes possible to take the simple structure which does not need to install the drive motor which drives a stirrer and a stirrer like conventionally.
여기서, 상기 와류발생용가스공급수단(30)은 상기 교반조(1) 내의 하부에서 교반조(1) 내의 물과 케미컬 속으로 불활성가스를 분사하여 와류를 효과적으로 발생시키기 위하여, 도시되지 않았지만 구경이 작은 다수개의 분사노즐이 형성된 살수장치(distributor)를 설치할 수 있으며, 상기 분사노즐을 통하여 상기 불활성가스를 1, 2회 상방향으로 강하게 분사하는 것이 바람직하다.Here, the vortex generating gas supply means 30 is sprayed with an inert gas into the water and chemical in the stirring tank 1 from the lower portion in the stirring tank 1 to effectively generate the vortex, although not shown in the aperture A distributor having a small number of injection nozzles may be provided, and the inert gas may be strongly injected one or two times upwardly through the injection nozzles.
한편, 상기 교반조(1) 내로 공급된 불활성가스를 외부로 배기하는 배기수단 (50)이 배기배관(29)과 배기밸브(31)를 포함하여 구비된다.On the other hand, the exhaust means 50 for exhausting the inert gas supplied into the stirring tank 1 to the outside is provided with an exhaust pipe 29 and an exhaust valve 31.
상기 배기수단(50)에는 상기 교반조(1) 상부에 연결되어 상기 교반조(1) 내에 공급된 불활성가스를 외부로 배기하는 배기배관(29)이 포함된다.The exhaust means 50 includes an exhaust pipe 29 connected to an upper portion of the stirring vessel 1 to exhaust the inert gas supplied into the stirring vessel 1 to the outside.
또한, 상기 배기배관(29) 상에는 배기되는 불활성가스의 양을 조절하기 위한 배기밸브(31)가 설치된다.In addition, an exhaust valve 31 for controlling the amount of inert gas exhausted is provided on the exhaust pipe 29.
이와 같은 구성에 의하여, 케미컬을 공급하기 위해 상기 교반조(1) 내로 공급된 이송용의 불활성가스와 교반조(1) 내에 와류를 발생시키기 위해 상기 교반조(1) 내로 주입된 불활성가스는 상기 배기밸브(31)가 열린 상태에서 상기 배기배관(29)을 통하여 배출된다.By such a configuration, the inert gas for the feed supplied into the stirring tank 1 and the inert gas injected into the stirring tank 1 to generate the vortex in the stirring tank 1 to supply the chemical are The exhaust valve 31 is discharged through the exhaust pipe 29 in the open state.
여기서, 상기 배기수단(50)은 이송용의 불활성가스가 상기 케미컬을 케미컬양측정기(9)에서 교반조(1)로의 이송을 위해 상기 교반조(1)에 함께 공급될 때, 교반조 내의 가스를 배기시킴으로 상기 교반조(1) 내의 압력을 감소시켜 상기 케미컬의 가압이송을 원활하게 한다.Here, the exhaust means 50 is a gas in the stirring tank when the inert gas for transfer is supplied together with the stirring tank (1) for the transfer of the chemical from the chemical volume meter (9) to the stirring tank (1) By exhausting the pressure in the stirring tank (1) to reduce the pressure transfer of the chemical smoothly.
또한, 상기 교반조(1)에서 균일하게 혼합된 상기 물과 케미컬의 혼합액을 도시되지 않은 반도체 웨이퍼 식각 또는 세정장비로 공급하는 혼합액공급수단(40)이 혼합액공급배관(21)과 혼합액공급밸브(23)와 배수밸브(27)를 포함하여 구비된다.In addition, the mixed liquid supply means 40 for supplying the mixed liquid of the water and chemical uniformly mixed in the stirring tank 1 to the semiconductor wafer etching or cleaning equipment (not shown) is the mixed liquid supply pipe 21 and the mixed liquid supply valve ( 23) and the drain valve 27 is provided.
여기서, 상기 혼합액공급수단(40)으로는 상기 교반조(1)와 반도체 웨이퍼 식각 또는 세정장비와 연결되는 혼합액공급배관(21)이 설치된다.Here, the mixed liquid supply means 40 is provided with a mixed liquid supply pipe 21 connected to the stirring vessel 1 and the semiconductor wafer etching or cleaning equipment.
또한, 상기 혼합액공급배관(21) 상에는 상기 혼합액공급배관(21)을 통해 공급되는 상기 케미컬 혼합액의 공급량을 조절하는 혼합액공급밸브(23)가 설치된다.In addition, on the mixed liquid supply pipe 21, a mixed liquid supply valve 23 for controlling the supply amount of the chemical mixed liquid supplied through the mixed liquid supply pipe 21 is installed.
이와 같은 구성에 의하여, 상기 이송용가스공급부(20B)가 상기 교반조(1) 내로 이송용의 불활성가스를 주입하게 되면, 상기 교반조(1) 내의 압력이 증가되어 상기 케미컬 혼합액이 상기 혼합액공급배관(21)을 통해 반도체 웨이퍼 식각 또는 세정장비에 가압이송된다.By such a configuration, when the transfer gas supply unit 20B injects the inert gas for transfer into the stirring vessel 1, the pressure in the stirring vessel 1 is increased so that the chemical mixture is supplied with the mixed solution. The pressure is transferred to the semiconductor wafer etching or cleaning equipment through the pipe 21.
이때, 상기 혼합액공급밸브(23)는 열린 상태에 있고, 상기 배기수단(50)의배기밸브(31)는 닫혀 있는 상태에 있어야 상기 케미컬 혼합액의 가압이송이 이루어진다.At this time, the mixed liquid supply valve 23 is in an open state, and the exhaust valve 31 of the exhaust means 50 is in a closed state to perform pressure transfer of the chemical mixed liquid.
또한, 상기 혼합액공급수단(40)은 상기 혼합액공급배관(21)에서 분기되는 배수배관(25)을 구비하는 것이 바람직하며, 이때 상기 혼합액공급배관(21)과 배수배관(25)과의 분기점에 3방향밸브인 배수밸브(27)를 설치할 수 있다.In addition, the mixed liquid supply means 40 is preferably provided with a drain pipe (25) branched from the mixed liquid supply pipe (21), in this case at the branch point of the mixed liquid supply pipe 21 and the drain pipe (25) A drain valve 27 that is a three-way valve can be provided.
이와 같이, 상기 배수밸브(27)가 설치되면, 필요한 경우에 상기 교반조(1)에 담긴 혼합액 또는 액체를 선택적으로 반도체 웨이퍼 세정장비로 공급하거나 외부로 배출할 수 있게 된다.As such, when the drain valve 27 is installed, the mixed liquid or liquid contained in the stirring vessel 1 may be selectively supplied to the semiconductor wafer cleaning equipment or discharged to the outside, if necessary.
한편, 케미컬 또는 케미컬 혼합액을 이송하기 위해 사용되는 이송용의 불활성가스나 상기 교반조(1) 내에서 와류발생을 위해 사용되는 불활성가스는 질소인 것이 바람직하다.On the other hand, it is preferable that the inert gas for conveyance used for conveying a chemical or chemical liquid mixture or the inert gas used for vortex generation in the said stirring tank 1 is nitrogen.
상기 질소의 경우 화학적으로 안정하여 상온에서 상기 케미컬과 불필요한 반응을 일으키지 않고, 상기 교반조(1)에 공급되는 물에 잘 녹지 않는 특성을 가지고 있다.The nitrogen is chemically stable and does not cause unnecessary reaction with the chemical at room temperature, and does not dissolve well in water supplied to the stirring tank 1.
또한, 질소는 일반적으로 무색, 무미, 무취의 기체로 인체에 해롭지 않으며, 양이 풍부해서 구하기 쉽기 때문에 케미컬 또는 케미컬 혼합액을 이송하기 위해 또는 와류발생을 위해 사용되는 불활성가스로 적당하다.In addition, nitrogen is generally colorless, tasteless, and odorless gas, which is not harmful to the human body, and because it is abundant and easy to obtain, it is suitable as an inert gas used for transporting chemical or chemical mixtures or for vortex generation.
여기서, 상기 이송용, 와류발생용의 불활성가스는 상기에 언급된 특성들을 갖는 것이라면 반드시 질소가 아니어도 무방하다.Here, the inert gas for conveying and vortex generation may not necessarily be nitrogen as long as it has the above-mentioned characteristics.
도 3a는 본 발명의 반도체 웨이퍼 식각 또는 세정용 케미컬 혼합액 공급방법을 보여주는 개략적인 구성도이다.Figure 3a is a schematic diagram showing a method for supplying a chemical mixed solution for etching or cleaning a semiconductor wafer of the present invention.
도시된 바와 같이, 본 발명은 각 단계들을 통해 물과 케미컬을 균일하게 혼합하고, 이를 반도체 웨이퍼 식각 또는 세정장비에 공급하게 된다.As shown, the present invention is to uniformly mix the water and the chemical through each step, and to supply it to the semiconductor wafer etching or cleaning equipment.
이하, 도 2a와 도 3a를 참조하여, 반도체 웨이퍼의 식각과 세정을 위해 물과 케미컬을 혼합하고, 이를 반도체 웨이퍼 식각 또는 세정장비에 공급하는 케미컬 혼합액 공급방법을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, referring to FIGS. 2A and 3A, a method of supplying a chemical mixture solution for mixing water and chemicals for etching and cleaning a semiconductor wafer and supplying the same to a semiconductor wafer etching or cleaning apparatus will be described below.
본 발명의 반도체 웨이퍼 식각 또는 세정용 케미컬 혼합액 공급방법은 우선, 교반조 내로 소정량의 물을 공급하여 채우는 물공급단계(ST100)가 진행된다.In the method of supplying a chemical mixed liquid for etching or cleaning a semiconductor wafer of the present invention, first, a water supply step (ST100) of supplying and filling a predetermined amount of water into a stirring tank is performed.
상기 물공급단계(ST100)가 진행되면, 소용량의 교반조(1) 내에서 케미컬을 혼합하기 위해 필요한 소정량의 물을 도시되지 않은 물공급처로부터 공급받아 상기 교반조(1)를 채우게 된다.When the water supply step (ST100) is in progress, a predetermined amount of water required for mixing the chemical in the small capacity stirring tank (1) is supplied from a water supply source (not shown) to fill the stirring tank (1).
이를 위해서는, 닫혀 있는 물공급밸브(5)를 열어 상기 교반조(1)에 소정량의 물이 채워지면 상기 물공급밸브(5)를 닫는다.To this end, the closed water supply valve 5 is opened to close the water supply valve 5 when a predetermined amount of water is filled in the stirring vessel 1.
계속해서, 도시되지 않은 외부의 케미컬공급처로부터 소정량의 케미컬을 케미컬양측정기(9)에 공급하는 케미컬공급단계(ST200)가 진행된다.Subsequently, a chemical supply step (ST200) of supplying a predetermined amount of chemical to the chemical quantity measuring device 9 from an external chemical supply source (not shown) is performed.
상기 케미컬공급단계(ST200)는 도시되지 않은 외부의 케미컬공급처로부터 케미컬을 공급받아 이를 상기 케미컬양측정기(9)에 공급하여 작업자가 원하는 정확한 양의 케미컬을 채우는 단계이다.The chemical supplying step (ST200) is a step of supplying chemicals from an external chemical supply source (not shown) and supplying the chemicals to the chemical quantity measuring device 9 to fill an accurate amount of chemicals desired by an operator.
이를 위해서는, 닫혀 있던 케미컬공급밸브(11)의 화살표 1번방향을 소정시간 열어 케미컬이 상기 케미컬양측정기(9)에 소정량 채워지게 한다.To this end, the direction of arrow 1 of the closed chemical supply valve 11 is opened for a predetermined time so that the chemical is filled in the chemical quantity measuring device 9 in a predetermined amount.
이후, 상기 케미컬공급밸브(11)는 원래대로 1번방향을 닫아 케미컬 공급을 중단한다.Thereafter, the chemical supply valve 11 closes the first direction to stop the chemical supply.
또한, 상기 케미컬공급단계(ST200) 후, 이송용가스공급부(20B)가 상기 케미컬양측정기(9)에 불활성가스를 주입하여 상기 케미컬을 교반조 내로 가압이송하는 케미컬이송단계(ST300)가 진행된다.In addition, after the chemical supply step (ST200), a chemical transport step (ST300) is carried out by the transport gas supply unit 20B injects an inert gas into the chemical volume meter (9) to pressurize the chemical into the stirring tank. .
이를 위해서, 3방향밸브인 이송용가스공급밸브(15)의 1번방향을 열면, 도시되지 않은 이송용가스공급처로부터 상기 케미컬양측정기(9)에 불활성가스가 공급된다.To this end, when the first direction of the transfer gas supply valve 15 which is a three-way valve is opened, an inert gas is supplied to the chemical volume meter 9 from a transfer gas supply destination (not shown).
이에 따라, 상기 케미컬양측정기(9)에 주입되는 상기 불활성가스의 압력으로 상기 케미컬양측정기에 채워져 있던 상기 케미컬이 밀려 상기 교반조(1) 내로 공급된다.Accordingly, the chemical filled in the chemical volume meter is pushed into the stirring vessel 1 by the pressure of the inert gas injected into the chemical volume meter 9.
이때, 상기 교반조(1) 상부에 연결되어 설치된 배기수단(50)의 배기밸브(31)가 열려 있어야만 이송되는 케미컬과 함께 상기 교반조(1) 내로 공급되는 불활성가스가 배기되면서 상기 케미컬 전후에 압력차가 발생하여 상기 케미컬의 이송이 원활하게 이루어지게 된다.At this time, the exhaust valve 31 of the exhaust means 50 connected to the upper part of the stirring tank 1 is opened and the inert gas supplied into the stirring tank 1 is exhausted together with the chemical which is transferred only before and after the chemical. The pressure difference is generated to facilitate the transfer of the chemical.
이와 같이, 상기 케미컬이 상기 교반조(1)로 원활하게 이송되면, 이후, 상기 이송용가스공급밸브(15)의 1번방향은 원래대로 닫힌다.As such, when the chemical is smoothly transferred to the stirring vessel 1, the first direction of the transfer gas supply valve 15 is closed as it is.
또한, 상기 물공급단계(ST100)와 상기 케미컬이송단계(ST300) 후, 상기 교반조(1)의 하부에서 내부로 불활성가스를 주입하여 교반조(1) 내에 공급된 상기 물과 케미컬을 균일하게 혼합하는 케미컬혼합단계(ST400)가 진행된다.In addition, after the water supply step (ST100) and the chemical transfer step (ST300), inert gas is injected into the lower portion of the stirring tank (1) to uniformly supply the water and the chemical supplied into the stirring tank (1). The chemical mixing step ST400 is performed.
이를 위해서, 상기 교반조(1) 하부에 위치한 와류발생용가스공급밸브(19)를 1,2회 여닫으면, 불활성가스가 상기 교반조(1) 내의 하부에서 분사되고, 상승하는 불활성가스가 일부만 혼합된 상태에 있는 물과 케미컬에 강하게 와류를 발생시킨다.To this end, when the vortex generating gas supply valve 19 located below the stirring tank 1 is closed one or two times, an inert gas is injected from the lower part of the stirring tank 1, and only a part of the rising inert gas is raised. Vortex is strongly generated in water and chemicals in the mixed state.
이로써, 상기 물과 케미컬이 순간적으로 균일하게 혼합된다.As a result, the water and the chemical are instantly and uniformly mixed.
한편, 이때 와류를 발생시키기 위해 상기 교반조(1) 내로 공급된 불활성가스는 상기 배기밸브(31)가 열려 있는 상태에서 상기 배기배관(29)을 통하여 배기된다.On the other hand, at this time, the inert gas supplied into the stirring tank 1 to generate the vortex is exhausted through the exhaust pipe 29 in the state in which the exhaust valve 31 is open.
또한, 상기 케미컬혼합단계(ST400) 후, 상기 이송용가스공급부(20B)가 상기 교반조(1) 내로 불활성가스를 주입하여, 상기 교반조(1) 내에서 균일하게 혼합된 물과 케미컬의 혼합액을 외부에 위치한 도시되지 않은 식각 또는 세정장비로 가압이송하는 혼합액공급단계(ST500)가 진행된다.In addition, after the chemical mixing step (ST400), the transport gas supply unit 20B injects an inert gas into the stirring tank (1), the mixed liquid of water and chemical uniformly mixed in the stirring tank (1) Mixing liquid supply step (ST500) of the pressure transfer to the etching or cleaning equipment not shown located outside.
이를 위해서는, 열려있는 상기 배기밸브(31)를 닫는다.To this end, the open exhaust valve 31 is closed.
또한, 1번방향에서 닫혀 있는 이송용가스공급부(20B)의 상기 이송용가스공급밸브(15)와 혼합액공급수단(40)의 혼합액공급밸브(23)를 각각 연다.Further, the transfer gas supply valve 15 and the mixed solution supply valve 23 of the mixed solution supply means 40 of the transfer gas supply unit 20B, which are closed in the first direction, are opened.
이렇게 되면, 상기 이송용가스공급부(20B)로부터 상기 교반조(1)로 불활성가스가 공급되면서, 상기 교반조(1)에서 균일하게 혼합된 물과 케미컬의 혼합액이 상기 불활성가스에 의해 가압이송되어 상기 반도체 웨이퍼 식각 또는 세정장비에 공급되는 것이다.In this case, while the inert gas is supplied from the transfer gas supply unit 20B to the stirring tank 1, the mixed solution of water and chemical uniformly mixed in the stirring tank 1 is pressurized and transferred by the inert gas. It is supplied to the semiconductor wafer etching or cleaning equipment.
이후, 상기 혼합액이 상기 반도체 웨이퍼 식각 또는 세정장비에 모두 공급되면, 닫혀 있는 상기 배기밸브(31)를 원래대로 열고, 상기 이송용가스공급밸브(15)는 1번방향에서 닫고, 2번방향에서 연다.Thereafter, when the mixed liquid is supplied to all of the semiconductor wafer etching or cleaning equipment, the closed exhaust valve 31 is opened as it is, and the transfer gas supply valve 15 is closed in the first direction, and in the second direction. Open.
또한, 혼합액공급수단(40)의 혼합액공급밸브(23)를 닫는다.In addition, the mixed liquid supply valve 23 of the mixed liquid supply means 40 is closed.
한편, 물과 케미컬의 혼합에 이상이 발생된 경우와 같이 상기 교반조(1) 내의 액체를 외부로 배출할 필요가 있는 경우, 상기 혼합액공급단계(ST500)에서, 닫혀 있는 상기 혼합액공급밸브(23)를 여는 대신 배수밸브(27)의 1번방향을 열면 상기 교반조(1) 내부의 액체가 외부로 배출된다.On the other hand, when it is necessary to discharge the liquid in the stirring tank 1 to the outside, such as when an abnormality occurs in the mixing of water and chemical, the mixed liquid supply valve 23 that is closed in the mixed liquid supply step (ST500) Opening the first direction of the drain valve 27 instead of opening the) is the liquid inside the stirring tank (1) is discharged to the outside.
한편, 도 2b는 본 발명의 변형 실시예를 도시한 구성도이다.On the other hand, Figure 2b is a block diagram showing a modified embodiment of the present invention.
도시된 바와 같이, 변형실시예에서는 케미컬의 양을 측정하는 케미컬양측정기(33,35)가 하나 더 구비된다.As shown, in the modified embodiment, there is one more chemical quantity meter 33, 35 for measuring the amount of chemical.
이와 같이, 하나의 케미컬양측정기(33,35)가 더욱 구비되면 물과 케미컬을 혼합할 때, 2종류의 케미컬을 교반조(1)에 공급하여 혼합할 수 있게 된다.In this way, if one chemical quantity measuring device (33, 35) is further provided, when mixing the water and the chemical, it is possible to supply the two types of chemical to the stirring tank (1) to mix.
따라서, 각각의 반도체 웨이퍼 식각 또는 세정장비가 요구하는 다양한 혼합비율과 종류의 케미컬 혼합액을 공급할 수 있게 되는 것이다.Therefore, it is possible to supply various mixing ratios and types of chemical mixtures required by each semiconductor wafer etching or cleaning equipment.
상기와 같이 2개의 케미컬양측정기(33,35)를 구비하면, 이에 따라 형성되는 배관의 분기점에는 적절한 3방향밸브(11a,11b,15a,15b)를 설치하는 구성을 가지게 된다.When the two chemical quantity measuring devices 33 and 35 are provided as described above, the branching points of the pipes thus formed have the configuration of installing appropriate three-way valves 11a, 11b, 15a, and 15b.
상기 구성에 의하면, 제 1케미컬양측정기(33)와 제 2케미컬양측정기(35) 중 하나는 케미컬의 양을 측정하여 상기 교반조(1)로 이송하는 역할을 분담하게 되고, 나머지 케미컬양측정기는 상기 케미컬과 함께 상기 교반조(1) 내로 공급된 불활성가스를 외부로 배기하는 배기배관(29)의 일부로서 역할을 하도록 사용될 수 있다.According to the configuration, one of the first chemical amount measuring device 33 and the second chemical amount measuring device 35 is to share the role of measuring the amount of the chemical and transfer to the stirring tank (1), the remaining chemical amount measuring device May be used to serve as part of an exhaust pipe 29 for exhausting the inert gas supplied into the stirring vessel 1 together with the chemical to the outside.
그리고, 두개의 케미컬양측정기(33,35)는 상기 설명된 역할을 분담하고, 교대로 역할을 바꾸면서 1종류의 케미컬은 물론 서로 다른 2종류의 케미컬을 상기 교반조(1)로 공급할 수 있게 된다.In addition, the two chemical volume measuring units 33 and 35 share the above-described roles, and can alternately supply roles to the stirring tank 1 as well as one type of chemical while changing roles. .
도 3b는 본 발명의 두종류의 케미컬 혼합액 공급하기 위한 방법을 보여주는 개략적인 구성도이다.Figure 3b is a schematic diagram showing a method for supplying two kinds of chemical mixture solution of the present invention.
도시된 바와 같이, 본 발명은 서로 다른 종류의 케미컬을 다양한 혼합비율로 혼합하여 반도체 웨이퍼 식각 또는 세정장비에 공급하기 위하여 각 단계들을 갖는다.As shown, the present invention has respective steps for mixing different kinds of chemicals in various mixing ratios and supplying them to semiconductor wafer etching or cleaning equipment.
도 2b와 도 3b를 참조하여, 서로 다른 종류의 케미컬을 다양한 혼합비율로 혼합하여 반도체 웨이퍼 식각 또는 세정장비에 공급하는 구체적인 방법을 설명하면 다음과 같다.2B and 3B, specific methods of mixing different kinds of chemicals in various mixing ratios and supplying them to the semiconductor wafer etching or cleaning equipment will be described below.
우선, 상술된 제 1실시예의 물공급단계(ST100)와 동일한 방법으로 교반조(1) 내에 소정량의 물을 공급하여 채우는 물공급단계(ST100)가 진행된다.First, a water supply step ST100 is performed in which a predetermined amount of water is supplied and filled into the stirring tank 1 in the same manner as the water supply step ST100 of the first embodiment described above.
또한 계속해서, 도시되지 않은 외부의 제 1케미컬공급처로부터 소정량의 제 1케미컬을 제 1케미컬양측정기(33)에 공급하는 제 1케미컬공급단계(ST200a)가 진행된다.In addition, a first chemical supply step ST200a is performed to supply the first chemical quantity meter 33 with a predetermined amount of first chemical from an external first chemical supply source (not shown).
상기 제 1케미컬공급단계(ST200a)를 위해서는, 제 1케미컬공급밸브(11a)의 화살표 1번방향을 소정시간 열어 제 1케미컬이 상기 제 1케미컬양측정기(33)에 소정량 채워지게 한다.For the first chemical supply step ST200a, the direction of arrow 1 of the first chemical supply valve 11a is opened for a predetermined time so that the first chemical is filled in the first chemical quantity meter 33 by a predetermined amount.
이후, 상기 제 1케미컬공급밸브(11a)는 원래대로 1번방향을 닫아 제 1케미컬의 공급을 중단한다.Thereafter, the first chemical supply valve 11a closes the first direction to stop supply of the first chemical.
또한, 상기 제 1케미컬공급단계(ST200a) 후, 상기 제 1케미컬양측정기(33)에 불활성가스를 주입하여 상기 제 1케미컬을 교반조(1) 내로 가압이송하는 제 1케미컬이송단계(ST300a)가 진행된다.In addition, after the first chemical supplying step (ST200a), by injecting an inert gas into the first chemical amount measuring device 33, the first chemical transfer step (ST300a) to pressurize the first chemical into the stirring tank (1) Proceeds.
이를 위해서, 제 1이송용가스공급밸브(15a)에서 닫혀 있는 1번방향을 열면, 도시되지 않은 이송용가스공급처로부터 상기 제 1케미컬양측정기(33)로 불활성가스가 공급된다.To this end, when the first direction closed by the first transfer gas supply valve 15a is opened, an inert gas is supplied to the first chemical quantity meter 33 from a transfer gas supply destination (not shown).
이에 따라, 상기 제 1케미컬양측정기(33)에 공급되는 상기 불활성가스의 압력으로 상기 제 1케미컬양측정기(33)에 채워져 있던 상기 제 1케미컬이 이송되어 상기 교반조(1) 내로 공급된다.Accordingly, the first chemical filled in the first chemical quantity meter 33 is transferred to the stirring vessel 1 by the pressure of the inert gas supplied to the first chemical quantity meter 33.
이때, 상기 교반조(1) 내에 상기 제 1케미컬과 함께 주입되는 불활성가스는 제 2케미컬공급밸브(11b)와 제 2이송용가스공급밸브(15b)가 2번방향으로 열려 있는 상태에서 배기배관(29b)을 통해 배기된다.At this time, the inert gas injected together with the first chemical in the stirring tank 1 is exhaust pipe in a state in which the second chemical supply valve 11b and the second transfer gas supply valve 15b are opened in the second direction. It is exhausted via 29b.
이와 같이, 상기 제 1케미컬이 상기 교반조(1)로 원활하게 이송되면, 이후, 상기 제 1이송용가스공급밸브(15a)에서 1번방향을 닫아 이송을 위한 불활성가스의 공급을 중단한다.As such, when the first chemical is smoothly transferred to the stirring vessel 1, the first chemical gas supply valve 15a is closed in the first direction to stop the supply of the inert gas for the transfer.
계속해서, 상기 제 1케미컬공급단계(ST200a)와 제 1케미컬이송단계(ST300a) 후, 도시되지 않은 외부의 제 2케미컬공급처로부터 소정량의 제 2케미컬을 제 2케미컬양측정기(35)에 공급하는 제 2케미컬공급단계(ST200b)가 진행된다.Subsequently, after the first chemical supplying step ST200a and the first chemical conveying step ST300a, a predetermined amount of the second chemical is supplied to the second chemical quantity meter 35 from an external second chemical supplying source (not shown). The second chemical supply step ST200b is performed.
상기 제 2케미컬공급단계(ST200b)를 위해서는, 제 2케미컬공급밸브(11b)의 화살표 1번방향을 소정시간 열어 제 2케미컬이 상기 제 2케미컬양측정기(35)에 소정량 채워지게 한다.For the second chemical supply step ST200b, the arrow 1 direction of the second chemical supply valve 11b is opened for a predetermined time so that the second chemical is filled in the second chemical amount meter 35 in a predetermined amount.
이후, 상기 제 2케미컬공급밸브(11b)는 원래대로 1번방향을 닫아서 제 2케미컬공급을 중단한다.Thereafter, the second chemical supply valve 11b closes the first direction to stop the second chemical supply.
또한, 상기 제 2케미컬공급단계(ST200b) 후, 상기 제 2케미컬양측정기(35)에 불활성가스를 주입하여 상기 제 2케미컬을 교반조(1) 내로 가압이송하는 제 2케미컬이송단계(ST300b)가 진행된다.In addition, after the second chemical supply step (ST200b), by injecting an inert gas into the second chemical volume meter 35, the second chemical transfer step (ST300b) to pressurize the second chemical into the stirring tank (1) Proceeds.
이를 위해서, 제 2이송용가스공급밸브(15b)를 닫혀 있는 1번방향에서 열면, 도시되지 않은 이송용가스공급처로부터 상기 제 2케미컬양측정기(35)로 불활성가스가 공급된다.To this end, when the second transfer gas supply valve 15b is opened in the closed first direction, an inert gas is supplied from the transfer gas supply destination (not shown) to the second chemical volume meter 35.
이에 따라, 상기 제 2케미컬양측정기(35)에 공급되는 상기 불활성가스의 압력으로 상기 제 2케미컬양측정기(35)에 채워져 있던 상기 제 2케미컬이 이송되어 상기 교반조(1) 내로 공급된다.Accordingly, the second chemical filled in the second chemical quantity meter 35 is transferred to the stirring vessel 1 by the pressure of the inert gas supplied to the second chemical quantity meter 35.
이때, 상기 교반조(1) 내에 상기 제 2케미컬과 함께 공급되는 불활성가스는 제 1케미컬공급밸브(11a)와 제 1이송용가스공급밸브(15a)가 2번방향으로 열려 있는 상태에서 배기배관(29a)을 통해 배기된다.At this time, the inert gas supplied with the second chemical in the stirring tank 1 is exhaust pipe in a state in which the first chemical supply valve 11a and the first transfer gas supply valve 15a are opened in the second direction. It is exhausted via 29a.
이와 같이, 상기 제 2케미컬이 상기 교반조(1)로 원활하게 이송되면, 이후, 상기 제 2이송용가스공급밸브(15b)에서 1번방향을 닫아 이송을 위한 불활성가스의 공급을 중단한다.As such, when the second chemical is smoothly transferred to the stirring vessel 1, the second chemical gas supply valve 15b is closed in the first direction to stop the supply of the inert gas for the transfer.
이와 같은 단계들을 진행하여, 상기 교반조(1)에 공급되는 상기 물과 제 1케미컬과 제 2케미컬의 양을 조절하여 다양한 비율로 상기 교반조(1)에 공급할 수 있게 된다.By proceeding with these steps, it is possible to adjust the amount of the water and the first chemical and the second chemical supplied to the stirring tank (1) can be supplied to the stirring tank (1) in various ratios.
이후, 상기 교반조(1)의 하부에서 내부로 불활성가스를 주입하여 교반조(1) 내에 공급된 상기 물과 제 1케미컬과 제 2케미컬을 균일하게 혼합하는 케미컬혼합단계(ST400)가 진행된다.Then, a chemical mixing step (ST400) of injecting an inert gas into the lower portion of the stirring tank 1 to uniformly mix the water and the first chemical and the second chemical supplied in the stirring tank 1 is carried out. .
이를 위해서, 상술된 실시예에서와 마찬가지로 상기 교반조(1) 하부에 위치한 와류발생용가스공급밸브(19)를 1, 2회 여닫으면, 불활성가스가 상기 교반조(1) 내의 하부에서 분사되고, 액체 속에서 상승하는 불활성가스가 일부만 혼합된 상태에 있는 물과 2종류의 케미컬에 강하게 와류를 발생시킨다.To this end, as in the above-described embodiment, when the vortex generating gas supply valve 19 located below the stirring tank 1 is opened once or twice, an inert gas is injected from the lower part of the stirring tank 1. In addition, vortices are strongly generated in water and two kinds of chemicals in which only part of the inert gas rising in the liquid is mixed.
이로써, 상기 물과 2종류의 케미컬이 순간적으로 균일하게 혼합된다.Thereby, the said water and two types of chemicals are instantaneously mixed uniformly.
한편 이때, 와류발생을 위해 상기 교반조(1)로 공급된 불활성가스는 2번방향에서 열려 있는 상기 제 1이송용가스공급밸브(15a)와 제 2이송용가스공급밸브(15b)를 거쳐서 상기 배기배관(29a,29b)을 통하여 배기된다.On the other hand, at this time, the inert gas supplied to the stirring tank (1) for the generation of vortex is passed through the first transfer gas supply valve 15a and the second transfer gas supply valve 15b opened in the second direction. Exhaust is exhausted through exhaust pipes 29a and 29b.
또한, 상기 케미컬혼합단계(ST400) 후, 상기 상기 교반조(1) 내로 이송용의 불활성가스를 주입하여, 상기 교반조(1) 내에서 균일하게 혼합된 물과 케미컬의 혼합액을 외부에 위치한 도시되지 않은 식각 또는 세정장비로 가압이송하는 혼합액공급단계(ST500)가 진행된다.In addition, after the chemical mixing step (ST400), by injecting the inert gas for transport into the stirring tank (1), the mixture of water and chemicals uniformly mixed in the stirring tank (1) is located outside The mixed liquid supplying step (ST500) for the pressure transfer to the etching or cleaning equipment is not performed.
이를 위해서는, 상기 제 1이송용가스공급밸브(15a)와 제 2이송용가스공급밸브(15b)를 닫혀 있는 1번방향에서 동시에 연다.To this end, the first transfer gas supply valve 15a and the second transfer gas supply valve 15b are simultaneously opened in the closed first direction.
이와 동시에, 닫혀 있는 혼합액공급밸브(23)를 연다.At the same time, the mixed liquid supply valve 23 is opened.
이렇게 되면, 상기 교반조(1)로 불활성가스가 공급되면서, 상기 교반조(1) 내부의 압력이 증가하여 균일하게 혼합된 물과 케미컬의 혼합액이 혼합액공급배관 (21)을 통해 외부에 위치한 반도체 웨이퍼 식각 또는 세정장비로 가압이송된다.In this case, while the inert gas is supplied to the stirring tank (1), the pressure inside the stirring tank (1) increases, the mixed solution of water and chemical uniformly mixed with the semiconductor is located outside through the mixed solution supply pipe (21) Pressurized to wafer etching or cleaning equipment.
이후, 상기 케미컬 혼합액이 상기 반도체 웨이퍼 식각 또는 세정장비에 모두 공급되면, 혼합액공급수단(40)의 혼합액공급밸브(23)를 닫고, 상기 제 1이송용가스공급밸브(15a)와 제 2이송용가스공급밸브(15b)의 1번방향에서 닫아 불활성가스의 공급을 중단한다.Thereafter, when the chemical mixed liquid is supplied to the semiconductor wafer etching or cleaning equipment, the mixed liquid supply valve 23 of the mixed liquid supply means 40 is closed, and the first feed gas supply valve 15a and the second transfer are used. The inlet gas is stopped by closing in the first direction of the gas supply valve 15b.
한편, 상기 교반조(1) 내의 액체를 외부로 배출할 필요가 있는 경우, 상기 혼합액공급단계(ST500)에서, 닫혀 있는 상기 혼합액공급밸브(23)를 여는 대신 배수밸브(27)의 1번방향에서 열면 상기 교반조(1) 내부의 액체가 외부로 배출된다.On the other hand, when it is necessary to discharge the liquid in the stirring tank 1 to the outside, in the mixed liquid supply step (ST500), instead of opening the closed liquid mixture supply valve 23 in the first direction of the drain valve 27 When opened in the liquid inside the stirring tank (1) is discharged to the outside.
상기와 같은 단계로써, 서로 다른 2종류의 케미컬을 균일하게 혼합하고, 이를 필요로 하는 반도체 웨이퍼 식각 또는 세정장비에 공급할 수 있게 되는 것이다.As described above, two different types of chemicals may be uniformly mixed and supplied to the semiconductor wafer etching or cleaning equipment that requires the same.
이와 같은 방식에 의하면, 상기 케미컬의 공급처와 케미컬의 종류와 케미컬양측정기를 단지 2개로 한정하지 않고, 더욱 다양한 종류의 케미컬을 혼합하여 반도체 웨이퍼 식각 또는 세정장비에 공급할 수 있다.According to this method, the chemical supply source, the chemical type, and the chemical quantity measuring device are not limited to two, but various types of chemicals can be mixed and supplied to the semiconductor wafer etching or cleaning equipment.
이를 위해서는, 상기 변형실시예와 마찬가지로 케미컬공급단계(ST200)와 케미컬이송단계(ST300)를 케미컬의 종류만큼 반복수행하면 된다.To this end, the chemical supply step (ST200) and the chemical transfer step (ST300) as in the modified embodiment may be repeated by the type of chemical.
물론 이경우에, 작업자가 원하는 여러 종류의 케미컬을 케미컬공급처로부터 공급받고, 상기 케미컬의 종류에 맞추어 케미컬양측정기를 더욱 구비하며, 이에 따라 배관과 3방향밸브를 부가적으로 설치하면 된다.In this case, of course, the operator may be supplied with various types of chemicals desired by the chemical supplier, and may further include a chemical quantity measuring instrument according to the type of the chemical, and additionally install the pipe and the three-way valve accordingly.
이에 대해서는, 2종류의 케미컬을 혼합하여 공급하는 변형실시예의 장치 및 방법과 대동소이하므로 자세한 설명은 생략하겠다.This is similar to the apparatus and method of the modified example in which two types of chemicals are mixed and supplied, and thus detailed description thereof will be omitted.
이와 같이, 본 발명은 케미컬을 케미컬양측정기와 교반조에 공급하고, 이후, 교반조의 케미컬 혼합액을 반도체 웨이퍼 식각 또는 세정장비에 공급하는 데 가압이송용의 불활성가스를 사용하기 때문에 여러 개의 순환 및 이송용 펌프를 필요로 하지 않는다.As described above, the present invention supplies the chemical to the chemical volume meter and the agitation tank, and then uses the inert gas for the pressure transfer to supply the chemical mixture of the agitation vessel to the semiconductor wafer etching or cleaning equipment. No pump is required.
또한, 교반조 내에서 물과 케미컬을 균일하게 혼합하기 위하여 상기 교반조의 하부에서 불활성가스를 주입하여 와류를 발생시키기 때문에 교반기를 필요로 하지 않는다.In addition, in order to uniformly mix water and chemical in the stirring tank, an inert gas is injected from the lower part of the stirring tank to generate vortices so that a stirrer is not required.
그러므로, 본 발명은 상기와 같은 간단한 구성으로 부피를 대폭 축소하여 각각의 반도체 웨이퍼 식각 또는 세정장비 내에 바로 설치하여 사용할 수 있게 되는 것이다.Therefore, the present invention can be installed and used directly in each semiconductor wafer etching or cleaning equipment by greatly reducing the volume by the simple configuration as described above.
또한, 본 발명은, 여러 종류의 케미컬을 상기 교반조 내로 공급하여 혼합할 수 있도록 구성되었기 때문에 반도체 웨이퍼 세정장비가 요구하는 다양한 혼합비율과 종류의 케미컬 혼합액을 매우 용이하게 공급할 수 있게 되는 것이다.In addition, since the present invention is configured to supply and mix various kinds of chemicals into the stirring vessel, it is possible to easily supply various mixing ratios and kinds of chemical mixtures required by semiconductor wafer cleaning equipment.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였으나. 본 발명은 다양한 변화와 변경 및 균등물을 사용할 수 있다. 본 발명은 상기 실시예를 적절히 변형하여 동일하게 응용할 수 있음이 명확하다. 따라서 상기 기재 내용은 하기 특허등록청구범위의 한계에 의해 정해지는 본 발명의 범위를 한정하는 것이 아니다.The preferred embodiment of the present invention has been described above. The present invention may use various changes, modifications, and equivalents. It is clear that the present invention can be applied in the same manner by appropriately modifying the above embodiments. Therefore, the above description does not limit the scope of the present invention as defined by the limitations of the following claims.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의한 반도체 웨이퍼 식각 또는 세정용 케미컬 혼합액 공급장치는 공급 및 순환용의 여러개의 펌프나 교반조 내에 설치되는 교반기와 교반기를 구동하는 모터가 없는 간단한 구성으로 부피를 대폭 줄일 수 있어서, 케미컬 혼합액을 필요로 하는 각각의 반도체 웨이퍼 식각 또는 세정장비 내에 개별적으로 설치할 수 있게 된다.As described above, the semiconductor wafer etching or cleaning chemical mixture supply device according to the present invention has a large volume with a simple configuration without a motor for driving an agitator and agitator installed in a plurality of pumps or agitators for supply and circulation. It can be reduced, so that it can be individually installed in each semiconductor wafer etching or cleaning equipment requiring a chemical mixture.
또한, 교반조 내에 여러 종류의 케미컬을 용이하게 공급하고 다양한 비율로 혼합할 수 있기 때문에, 각기 다른 다양한 혼합비율과 종류의 케미컬 혼합액을 요구하는 각각의 반도체 식각 또는 세정장비에 신속하게 적용할 수 있는 효과가 있다.In addition, since various kinds of chemicals can be easily supplied and mixed in various ratios in the mixing vessel, they can be quickly applied to each semiconductor etching or cleaning equipment requiring different mixing ratios and types of chemical mixtures. It works.
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Legal Events
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N231 | Notification of change of applicant | ||
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
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