KR20020014316A - Image sensor having voltage controlling layer on photodiode and mehtod for forming the same - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 8
- 230000032258 transport Effects 0.000 abstract 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
- H01L27/14616—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor characterised by the channel of the transistor, e.g. channel having a doping gradient
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
Description
본 발명은 이미지 센서의 제조 방법에 관한 것으로, 포토다이오드 영역의 농도구배 없이도 전위를 조절할 수 있는 이미지 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing an image sensor, and more particularly, to an image sensor and a method of manufacturing the same, wherein a potential can be adjusted without a concentration gradient of a photodiode region.
이미지 센서(image sensor)는 1차원 또는 2차원 이상의 광학 정보를 전기신호로 변환하는 장치이다. 이미지 센서의 종류는 크게 나누어 촬상관과 고체 촬상 소자로 분류된다. 촬상관은 텔레비전을 중심으로 하여 화상처리기술을 구사한 계측, 제어, 인식 등에서 널리 상용되며 응용 기술이 발전되었다. 시판되는 고체 이미지 센서는 MOS(metal-oxide-semiconductor)형과 CCD(charge coupled device)형의 2종류가 있다.An image sensor is an apparatus that converts optical information of one or two dimensions or more into an electrical signal. The types of image sensors are broadly classified into imaging tubes and solid-state imaging devices. Imaging tubes are widely used in measurement, control, and recognition using image processing technology centered on televisions, and applied technologies have been developed. There are two types of commercially available solid-state image sensors, a metal-oxide-semiconductor (MOS) type and a charge coupled device (CCD) type.
CMOS 이미지 센서는 CMOS 제조 기술을 이용하여 광학적 이미지를 전기적 신호로 변환시키는 소자로서, 화소수 만큼 MOS트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력을 검출하는 스위칭 방식을 채용하고 있다. CMOS 이미지 센서는 종래 이미지센서로 널리 사용되고 있는 CCD 이미지센서에 비하여 구동 방식이 간편하고 다양한 스캐닝 방식의 구현이 가능하며, 신호처리 회로를 단일칩에 집적할 수 있어 제품의 소형화가 가능할 뿐만 아니라, 호환성의 CMOS 기술을 사용하므로 제조 단가를 낮출 수 있고, 전력 소모 또한 크게 낮다는 장점을 지니고 있다.CMOS image sensor is a device that converts an optical image into an electrical signal by using CMOS fabrication technology, and adopts a switching method in which MOS transistors are made by the number of pixels and the outputs are sequentially detected using the same. The CMOS image sensor is simpler to drive than the CCD image sensor, which is widely used as a conventional image sensor, and can realize various scanning methods, and it is possible to integrate the signal processing circuit onto a single chip, thereby miniaturizing the product, and making it compatible. CMOS technology allows for lower manufacturing costs and significantly lower power consumption.
도 1은 4개의 트랜지스터와 2개의 캐패시턴스 구조로 이루어지는 CMOS 이미지센서의 단위화소를 보이는 회로도로서, 광감지 수단인 포토다이오드(PD)와 4개의 NMOS트랜지스터로 구성되는 CMOS 이미지센서의 단위화소를 보이고 있다. 4개의 NMOS트랜지스터 중 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)는 포토다이오드(PD)에서 생성된 광전하를 플로팅 센싱노드로 운송하는 역할을 하고, 리셋 트랜지스터(Rx)는 신호검출을 위해 상기 플로팅 센싱노드에 저장되어 있는 전하를 배출하는 역할을 하고, 드라이브 트랜지스터(Dx)는 소스팔로워(Source Follower)로서 역할하며, 셀렉트 트랜지스터(Sx)는 스위칭(Switching) 및 어드레싱(Addressing)을 위한 것이다. 도면에서 "Cf"는 플로팅센싱노드가 갖는 커패시턴스를, "Cp"는 포토다이오드가 갖는 커패시턴스를 각각 나타낸다.1 is a circuit diagram showing a unit pixel of a CMOS image sensor composed of four transistors and two capacitance structures, and a unit pixel of a CMOS image sensor composed of a photodiode (PD) as an optical sensing means and four NMOS transistors. . Of the four NMOS transistors, the transfer transistor Tx serves to transport the photocharges generated by the photodiode PD to the floating sensing node, and the reset transistor Rx is stored in the floating sensing node for signal detection. It serves to discharge the charge, the drive transistor (Dx) serves as a source follower (Source Follower), the select transistor (Sx) is for switching (Switching) and addressing (Addressing). In the figure, "Cf" represents capacitance of the floating sensing node, and "Cp" represents capacitance of the photodiode, respectively.
이와 같이 구성된 이미지센서 단위화소에 대한 동작은 다음과 같이 이루어진다. 처음에는 리셋 트랜지스터(Rx), 트랜스퍼 트랜지스터(Tx) 및 셀렉트 트랜지스터(Sx)를 온(on)시켜 단위화소를 리셋시킨다. 이때 포토다이오드(PD)는 공핍되기 시작하여 커패시턴스 Cp는 전하축적(carrier changing)이 발생하고, 플로팅 센싱노드의 커패시턴스 Cf는 공급전압 VDD 전압까지 전하축전된다. 그리고 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)를 오프시키고 셀렉트 트랜지스터(Sx)를 온시킨 다음 리셋트랜지스터(Rx)를 오프시킨다. 이와 같은 동작 상태에서 단위화소 출력단(Out)으로부터 출력전압 V1을 읽어 버퍼에 저장시키고 난 후, 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)를 온시켜 빛의 세기에 따라 변화된 커패시턴스 Cp의 캐리어들을 커패시턴스 Cf로 이동시킨 다음, 다시 출력단(Out)에서 출력전압 V2를 읽어들여 V1 - V2에 대한 아날로그 데이터를 디지털 데이터로 변경시키므로 단위화소에 대한 한 동작주기가 완료된다.Operation of the image sensor unit pixel configured as described above is performed as follows. Initially, the unit pixel is reset by turning on the reset transistor Rx, the transfer transistor Tx, and the select transistor Sx. At this time, the photodiode PD starts to deplete, the capacitance Cp occurs in the carrier change, and the capacitance Cf of the floating sensing node is charged up to the supply voltage VDD. The transfer transistor Tx is turned off, the select transistor Sx is turned on, and the reset transistor Rx is turned off. In this operation state, after reading the output voltage V1 from the unit pixel output terminal Out and storing it in the buffer, the transfer transistor Tx is turned on to move the carriers of the capacitance Cp changed according to the light intensity to the capacitance Cf. The output voltage (V2) is read from the output terminal (Out) again and the analog data for V1-V2 is converted into digital data, so one operation cycle for the unit pixel is completed.
도 2a는 종래 이미지 센서의 포토다이오드, 트랜스퍼 트랜지스터 및 플로팅 센싱노드의 개략적 구성을 보이는 평면도이고, 도 1b는 도 2a의 A-A'선을 따른 단면도로서, p형 실리콘 기판(20), 상기 p형 실리콘 기판(20) 내에 주입된 n형 불순물층으로 이루어지는 포토다이오드(21), 광전하를 운송하는 역할을 하는 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트(22) 및 플로팅 센싱노드(23)을 보이고 있다. 도 1b에서 미설명 도면부호 '24'는 필드산화막을 나타낸다.FIG. 2A is a plan view showing a schematic configuration of a photodiode, a transfer transistor, and a floating sensing node of a conventional image sensor, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along a line A-A 'of FIG. 2A. The photodiode 21 formed of the n-type impurity layer implanted into the type silicon substrate 20, the gate 22 of the transfer transistor serving to transport the photocharges, and the floating sensing node 23 are shown. In FIG. 1B, reference numeral 24 denotes a field oxide film.
도 1a 및 도 1b에 보이는 바와 같은 형태의 포토다이오드를 갖는 종래 이미지 센서의 동작시 포토다이오드(21) 내부가 완전히 공핍되고, 이때 포토다이오드의 내부는 전면적에 걸쳐 같은 전위(φ)를 같게 된다.1A and 1B, the inside of the photodiode 21 is completely depleted during operation of a conventional image sensor having a photodiode of the type shown in FIG. 1A, wherein the inside of the photodiode has the same potential φ over the entire area.
포토다이오드의 전하운송 효율을 향상시키기 위해 종래에는 이미지 주입 공정의 변화를 통하여 포토다이오드 내부 불순물층의 농도 차이를 둠으로써 전자가 플로팅 센싱노드로 전송되기 유리한 전위를 형성시키는 방법을 이용한다. 그러나, 이와 같은 방법을 적용할 경우 농도 차이를 유발시키기 위해서는 이온주입을 위한 마스크 공정 및 이온주입 공정을 수회 실시하여야 하는 공정상의 번거로움이 있다. 또한 이온주입 공정을 여러번 실시함으로써 포토다이오드 영역 표면에 격자 결함을 유발시키기 때문에 이를 제거하기 위한 추가적인 열공정을 실시해야만 하며, 결함이 완전하게 제거되지 않는 경우에는 투사되는 빛이 없는 상태에서 다이오드에 의해 방출되는 전류, 즉 암전류가 증가하기 때문에 소자의 특성이 열화된다.In order to improve the charge transport efficiency of the photodiode, a method of forming an electric potential which is advantageous for electrons to be transferred to the floating sensing node by varying the concentration of the impurity layer inside the photodiode through a change in the image injection process is used. However, in the case of applying such a method, in order to cause a difference in concentration, there is a troublesome process in that a mask process for ion implantation and an ion implantation process must be performed several times. In addition, since the ion implantation process causes lattice defects on the surface of the photodiode region, an additional thermal process must be performed to remove the defects. The characteristics of the device deteriorate because the emitted current, that is, the dark current, increases.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 1회의 이온주입 공정만으로도 포토다이오드에서 플로팅 센싱노드로 전자가 우송되기에 유리한 전위를 형성시킬 수 있는, 이미지 센서 및 그 제조 방법을 제공하는데 목적이 있다.An object of the present invention is to provide an image sensor and a method of manufacturing the same, which are capable of forming a potential for transferring electrons from a photodiode to a floating sensing node with only one ion implantation process.
도 1은 종래 기술에 따른 CMOS 이미지 센서의 단위화소 구조를 개략적으로 보이는 단면도,1 is a cross-sectional view schematically showing a unit pixel structure of a conventional CMOS image sensor;
도 2a는 종래 이미지 센서의 포토다이오드, 트랜스퍼 트랜지스터 및 플로팅 센싱노드의 개략적 구성을 보이는 평면도,2A is a plan view showing a schematic configuration of a photodiode, a transfer transistor, and a floating sensing node of a conventional image sensor;
도 2b는 도 2a의 A-A'선을 따른 단면도,FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 2A;
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서의 구조를 보이는 개략도,3A and 3B are schematic views showing the structure of an image sensor according to an embodiment of the present invention;
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 제조 공정 단면도.4A and 4B are cross-sectional views of an image sensor manufacturing process according to an embodiment of the present invention.
*도면의 주요부분에 대한 도면 부호의 설명** Description of reference numerals for the main parts of the drawings *
30: 실리콘 기판 31: 포토다이오드30: silicon substrate 31: photodiode
32: 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 33: 플로팅 센싱 노드32: Gate of transfer transistor 33: Floating sensing node
34: 전위 조절층34: potential control layer
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 광감지를 위한 포토다이오드 영역 및 상기 포토다이오드와 연결된 광전하 운송수단을 구비하는 이미지 센서에 있어서, 상기 포토다이오드 영역 표면에 형성되고 전하운송 방향과 나란하며 상기 포토다이오드에서 상기 광전하 운송수단으로 갈수록 그 사이의 간격이 증가하는 적어도 한쌍의 전위 조절층을 포함하는 이미지 센서를 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an image sensor including a photodiode region for photodetection and a photocharge transport unit connected to the photodiode, the photodiode region being formed on a surface of the photodiode region and parallel to a charge transport direction. It provides an image sensor comprising at least a pair of potential control layer in the interval between the photodiode to the photocharge transport means increases.
또한 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 제1 도전형의 반도체 기판; 상기 반도체 기판 내에 형성된 제2 도전형의 불순물층; 상기 반도체 기판과 상기 불순물층으로 이루어지는 광감지 수단에 의해 생성된 광전하를 운송하는 광전하 운송수단; 및 상기 불순물층 상에 형성되며 전하운송 방향과 나란하고 상기 광감지 수단에서 상기 광전하 운송수단으로 그 사이의 간격이 증가하는 적어도 한쌍의 전위 조절층을 포함하는 이미지 센서를 제공한다.In addition, the present invention for achieving the above object, a first conductive semiconductor substrate; A second conductive impurity layer formed in the semiconductor substrate; Photocharge transport means for transporting photocharges generated by the light sensing means comprising the semiconductor substrate and the impurity layer; And at least one pair of potential control layers formed on the impurity layer and parallel to the charge transport direction and having a distance therebetween from the photosensitive means to the photocharge transport means.
또한 전술한 이미지 센서를 제조하는 방법에 있어서, 반도체 기판 상에 단위 활성영역을 격리시키기 위한 필드산화막과 상기 전위조절층을 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 제조 방법을 제공한다.In the method of manufacturing the above-described image sensor, there is provided an image sensor manufacturing method comprising simultaneously forming a field oxide film and the potential control layer for isolating a unit active region on a semiconductor substrate.
본 발명은 포토다이오드의 전하운송 효율을 개선시키기 위해 포토다이오드 영역에 전하운송 방향과 나란하며 포토다이오드에서 전하운송을 위한 트랜스퍼 트랜지스터 영역으로 갈수록 그 폭이 감소하는 전위 조절층을 구비하여 1회의 이온주입으로도 전하전송에 유리한 전위를 형성할 수 있는 이미지 센서 및 그 제조 방법을 제공한다. 상기 전위 조절층은 필드산화막으로 형성한다.In order to improve the charge transport efficiency of the photodiode, the present invention includes a potential control layer parallel to the charge transport direction in the photodiode region and the width thereof decreases from the photodiode to the transfer transistor region for charge transport. In addition, the present invention provides an image sensor and a method of manufacturing the same that can form a potential for charge transfer. The potential control layer is formed of a field oxide film.
이하, 첨부된 도면 도 3a 및 도 3b를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 구조를 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, an image sensor structure according to an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 3A and 3B.
도 3a는 본 발명에 따른 이미지 센서의 포토다이오드, 트랜스퍼 트랜지스터 및 플로팅 센싱노드의 개략적 구성을 보이는 평면도이고, 도 3b는 도 3a의 B-B'선을 따른 단면도로서, p형 실리콘 기판(30), 상기 p형 실리콘 기판(30) 내에 주입된 n형 불순물층으로 이루어지는 포토다이오드(31), 광전하를 운송하는 역할을 하는 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트(32) 및 플로팅 센싱 노드(33)과 함께 포토다이오드(31) 영역 표면에 전하운송 방향과 나란하며 포토다이오드(31)에서 트랜스퍼 트랜지스터 영역으로 갈수록 그 사이의 간격이 증가하는 한쌍의 전위 조절층(34)을 구비하는데 그 특징이 있다.3A is a plan view showing a schematic configuration of a photodiode, a transfer transistor, and a floating sensing node of an image sensor according to the present invention, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 3A, and shows a p-type silicon substrate 30. And a photodiode 31 including an n-type impurity layer implanted into the p-type silicon substrate 30, a photodiode together with a gate 32 and a floating sensing node 33 of a transfer transistor serving to transport photocharges. (31) It is characterized by having a pair of potential control layers 34 parallel to the direction of charge transport on the surface of the region, the interval between which increases from the photodiode 31 to the transfer transistor region.
도 3a와 같이 포토다이오드(31) 영역에 전위 조절층(34)을 구비함으로써 도 3b에 보이는 바와 같이 포토다이오드(31) 영역에서 트랜스퍼 트랜지스터 영역으로 갈수록 계단형태로 낮아지는 내부 전위(φ) 분포를 얻을 수 있다. 이웃하는 전위 조절층(34) 사이의 간격이 좁을수록 그 하부의 공핍층 전위는 낮아진다. 이와 같이전위 조절층(34) 사이의 간격을 조절함으로써 포토다이오드(31)에서 센서 영역(33)으로 전하가 운송되기에 유리한 전위 분포를 얻을 수 있다. 그에 따라서 전하운송 효율이 크게 개선되어 적은 양의 전자도 완벽하게 플로팅 센싱노드(33)으로 전송될 수 있기 때문에 저조도 환경에서의 이미지 센서 특성을 개선시킬 수 있다.As shown in FIG. 3A, since the potential adjusting layer 34 is provided in the photodiode 31 region, as shown in FIG. 3B, the distribution of the internal potential φ lowering in a step shape from the photodiode 31 region to the transfer transistor region is reduced. You can get it. The narrower the gap between adjacent potential control layers 34, the lower the depletion layer potential thereunder. By adjusting the distance between the potential control layer 34 in this way, it is possible to obtain a potential distribution which is advantageous for the transfer of charge from the photodiode 31 to the sensor region 33. Accordingly, the charge transport efficiency is greatly improved, so that a small amount of electrons can be completely transmitted to the floating sensing node 33, thereby improving image sensor characteristics in a low light environment.
이하, 도 3a 및 도 3b 그리고 도 4a 및 도 4b를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 제조 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing an image sensor according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3A and 3B and FIGS. 4A and 4B.
먼저 도 4a에 도시한 바와 같이, p형 실리콘 기판(30)에 필드산화막(35)을 형성하여 포토다이오드(31), 트랜스퍼 게이트(32) 영역, 플로팅 센싱노드(33) 등이 형성될 단위 활성영역을 격리시킨다. 상기 필드산화막(35) 형성 과정에서 도 3a에 보이는 바와 같이 포토다이오드(31) 영역에서 플로팅 센싱노드(33)로 갈수록 그 사이의 간격이 감소하는 한쌍의 전위조절층(34)을 형성한다.First, as shown in FIG. 4A, a field oxide film 35 is formed on a p-type silicon substrate 30 to form a photodiode 31, a transfer gate 32 region, a floating sensing node 33, and the like. Isolate the area. In the process of forming the field oxide layer 35, as shown in FIG. 3A, a pair of potential control layers 34 are formed in which the gap between the photodiode 31 and the floating sensing node 33 decreases.
다음으로 도 4b에 보이는 바와 같이, 포토다이오드 영역(31)에 n형 불순물을 이온주입한다.Next, as shown in FIG. 4B, n-type impurities are implanted into the photodiode region 31.
이후 계속하여 통상의 이미지 센서 제조 공정을 진행한다.After that, the normal image sensor manufacturing process is continued.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications, and changes can be made in the art without departing from the technical spirit of the present invention. It will be apparent to those of ordinary knowledge.
상기와 같이 이루어지는 본 발명은 포토다이오드에 전하운송 방향과 나란하게 한쌍의 전위조절층을 형성함으로써 포토다이오드 내부에 자연적인 전위차를 유발시킬 수 있기 때문에 전하운송 효율이 개선된 이미지 센서를 제조할 수 있다. 또한 종래와 같이 포토다이오드에 수회에 걸친 이온주입 공정을 진행하지 않기 때문에 공정이 간단하고, 불순물 이온주입에 의한 실리콘 기판의 격자 결함 발생 확률을 감소시킬 수 있는 부수적인 효과를 얻을 수 있다.According to the present invention as described above, by forming a pair of potential control layers in parallel with the direction of charge transport in the photodiode, a natural potential difference can be induced inside the photodiode, thereby manufacturing an image sensor having improved charge transport efficiency. . In addition, since the ion implantation process is not performed several times on the photodiode as in the related art, the process is simple, and the side effect of reducing the probability of occurrence of lattice defects in the silicon substrate by impurity ion implantation can be obtained.
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0047524A KR100523664B1 (en) | 2000-08-17 | 2000-08-17 | Cmos image sensor having tapered potential distribution for charge transfer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0047524A KR100523664B1 (en) | 2000-08-17 | 2000-08-17 | Cmos image sensor having tapered potential distribution for charge transfer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20020014316A true KR20020014316A (en) | 2002-02-25 |
| KR100523664B1 KR100523664B1 (en) | 2005-10-21 |
Family
ID=19683551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0047524A KR100523664B1 (en) | 2000-08-17 | 2000-08-17 | Cmos image sensor having tapered potential distribution for charge transfer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100523664B1 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101021094B1 (en) | 2011-01-19 | 2011-03-14 | 클레어픽셀 주식회사 | Image Sensor |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR960015532B1 (en) * | 1992-12-14 | 1996-11-15 | 삼성전자 주식회사 | Solid state image pick-up device and manufacturing and driving method |
| KR970011376B1 (en) * | 1993-12-13 | 1997-07-10 | 금성일렉트론 주식회사 | Ccd type solid state image sensing device |
| DE69512863T2 (en) * | 1994-11-11 | 2000-04-20 | Sanyo Electric Co | Solid state imaging device and driving method therefor |
| KR100205230B1 (en) * | 1996-06-08 | 1999-07-01 | 윤종용 | Solid-state image sensor with enhanced charge transfer efficiency |
-
2000
- 2000-08-17 KR KR10-2000-0047524A patent/KR100523664B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100523664B1 (en) | 2005-10-21 |
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