KR20020011817A - Test handler for testing semiconductor device - Google Patents

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KR20020011817A
KR20020011817A KR1020000045372A KR20000045372A KR20020011817A KR 20020011817 A KR20020011817 A KR 20020011817A KR 1020000045372 A KR1020000045372 A KR 1020000045372A KR 20000045372 A KR20000045372 A KR 20000045372A KR 20020011817 A KR20020011817 A KR 20020011817A
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김재용
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김정곤
메카텍스 (주)
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Abstract

PURPOSE: A semiconductor device test handler is provided to minimize the temperature nonuniformity within a test chamber by forcedly convecting gas locally heated by a heater unit, thereby preventing the fail of semiconductor devices. CONSTITUTION: A tray in which semiconductor device to be tested are seated is loaded in a semiconductor device loader, A semiconductor device handler unit feeds the semiconductor devices to designated places. A temperature measuring unit measures the temperature within a test chamber(352). In the test chamber(352), a gas heating unit(410), a convecting unit(420) for convecting gas heated by the gas heating unit(410) within the test chamber, and a controller comparing the measured temperature and a preset temperature to control the temperature measuring unit and the gas heating unit.

Description

반도체 디바이스 테스트 핸들러{Test handler for testing semiconductor device}Test handler for testing semiconductor device

본 발명은 반도체 디바이스 테스트 핸들러에 관한 것으로, 특히, 테스트 핸들러에서 테스트될 반도체 다바이스의 온도를 단시간내 정밀하게 조절 및 국부적으로 차이나는 온도 편차를 단시간내 보정하여 기 설정된 온도로 반도체 디바이스의 테스트가 수행되도록 한 반도체 디바이스 테스트 핸들러에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device test handler. In particular, a test of a semiconductor device is performed at a predetermined temperature by precisely adjusting a temperature of a semiconductor device to be tested in a test handler in a short time and correcting a locally different temperature deviation in a short time. And to a semiconductor device test handler.

통상 반도체 디바이스는 반도체의 특성을 이용하여 매우 작은 면적에 방대한 데이터를 저장, 방대한 데이터를 단시간내 처리하는 제품을 통칭한다.In general, semiconductor devices collectively refer to products that store massive data in a very small area and process massive data in a short time by using characteristics of the semiconductor.

이와 같은 반도체 디바이스를 제작하는 과정은 순수 실리콘 기판에 집적 회로가 형성되도록 하는 복수매의 반도체 박막을 형성하여 반도체 디바이스가 데이터를 저장 또는 데이터를 처리하는 기능을 수행하는 반도체 칩을 제작하는 과정, 반도체 칩이 다양한 기기와 접속되어 신호 입출력이 이루어지도록 하는 패키징 과정, 패키징된 반도체 디바이스가 다양한 환경에서 정상 작동 여부를 테스트하는 테스트 과정으로 크게 분류된다.The process of manufacturing such a semiconductor device is a process of manufacturing a semiconductor chip in which a semiconductor device performs a function of storing or processing data by forming a plurality of semiconductor thin films to form an integrated circuit on a pure silicon substrate, and a semiconductor. The packaging process allows the chip to be connected to various devices to perform signal input and output, and the test process to test whether the packaged semiconductor device operates normally in various environments.

이때, 테스트 과정은 매우 열악한 환경, 예를 들면, 인위적인 고온 환경에서 반도체 디바이스가 정상 동작하는 가를 판단하는 매우 중요한 공정으로, 이와 같은 테스트 과정을 수행하는 테스트 설비가 갖추어야할 조건으로는 반도체 디바이스에 가해지는 온도의 변동을 최소화되도록 해야 함은 물론, 최단 시간내에 지정된 온도에 도달하도록 해야 한다.In this case, the test process is a very important process for determining whether the semiconductor device operates normally in a very poor environment, for example, an artificial high temperature environment, and a condition that a test facility for performing such a test process should have is applied to the semiconductor device. Losing temperature should be minimized as well as reaching the specified temperature in the shortest time.

이와 같은 테스트 설비의 조건을 만족시키기 위해서 최근에는 테스트 설비의 내부에 전기적인 에너지에 의하여 발열하는 전기 히터가 내장되어 인가되는 전원의 조절에 의하여 테스트 설비 내부의 온도 콘트롤이 이루어지도록 하는 개념이 선보인 바 있다.Recently, in order to satisfy the conditions of the test equipment, a concept of controlling the temperature inside the test equipment by controlling the power applied to the built-in electric heater that generates heat by electric energy in the test equipment has been introduced. have.

그러나, 단순히 전기 히터에 의하여 테스트 설비 내부의 온도를 콘트롤할 경우, 테스트 설비 내부의 특성에 따른 온도 구배 즉, 테스트 설비의 중앙부는 자연 대류가 활발하게 이루어지고 테스트 설비의 측벽쪽은 자연 대류가 활발하게 이루어지지 않으며, 테스트 설비의 중앙부는 열손실이 작은 반면, 테스트 설비의 측벽에서는 열손실이 많이 발생함으로 테스트 설비의 중앙부와 테스트 설비의 측벽쪽에서의 온도 구배가 발생하게 된다. 즉, 이는 테스트 설비가 국부적으로 예를 들면, 테스트 설비의 중앙부위와 테스트 설비의 측벽쪽의 온도차가 심하게 발생함을 의미한다.However, when the temperature inside the test facility is controlled by an electric heater, the temperature gradient according to the characteristics of the test facility, that is, the central part of the test facility is active naturally, and the natural side convection is active on the side wall of the test facility. The heat dissipation in the central portion of the test fixture is small, whereas the heat loss is generated in the sidewall of the test fixture, resulting in a temperature gradient between the center portion of the test fixture and the sidewall of the test fixture. In other words, this means that the test equipment locally causes a large temperature difference, for example, between the central part of the test equipment and the side wall of the test equipment.

따라서, 본 발명은 이와 같은 종래 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 목적은 테스트 설비 내부에 국부적인 온도 구배가 최소화되도록 함에 있다.Accordingly, the present invention has been made in view of such a conventional problem, and an object of the present invention is to minimize the local temperature gradient inside the test facility.

또한, 본 발명의 다른 목적은 테스트 설비의 온도 구배가 최소화되면서 지정된 온도에 도달하는 시간이 최소가 되도록 함에 있다.In addition, another object of the present invention is to minimize the time to reach the specified temperature while minimizing the temperature gradient of the test fixture.

본 발명의 또다른 목적은 상세하게 후술될 본 발명의 상세한 설명에 의하여 보다 명확해질 것이다.Another object of the present invention will become more apparent from the detailed description of the present invention to be described later in detail.

도 1은 본 발명에 의한 반도체 디바이스 테스트 핸들러의 개념도.1 is a conceptual diagram of a semiconductor device test handler according to the present invention;

도 2는 본 발명에 의한 제 1 실시예를 설명하기 위한 개념도.2 is a conceptual diagram for explaining a first embodiment according to the present invention;

도 3은 본 발명에 의한 제 2 실시예를 설명하기 위한 개념도.3 is a conceptual diagram for explaining a second embodiment according to the present invention;

도 4는 본 발명에 의한 제 3 실시예를 설명하기 위한 개념도.4 is a conceptual diagram for explaining a third embodiment according to the present invention;

도 5는 본 발명에 의한 제 4 실시예를 설명하기 위한 개념도.5 is a conceptual diagram for explaining a fourth embodiment according to the present invention;

도 6은 본 발명에 의한 대류 방식 온도 조절 시스템의 블록도.Figure 6 is a block diagram of a convection type temperature control system according to the present invention.

이와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 반도체 디바이스 테스트 핸들러는 테스트될 반도체 디바이스가 수납된 트레이가 로딩된 반도체 디바이스 로더와, 반도체 디바이스를 지정된 위치로 이송하는 반도체 디바이스 핸들러 유닛과, 반도체 디바이스 핸들러 유닛에 의하여 이송된 반도체 디바이스를 테스트하는 테스트 챔버를 갖는 테스트 설비를 포함하며, 테스트 챔버 내부의 온도를 측정하는 온도 측정 수단과, 테스트 챔버에는 소정 발열량을 갖는 기체 가열 수단과, 기체 가열 수단에 의하여 가열된 기체를 테스트 챔버 내부에서 대류시키는 대류 수단과, 온도 측정 수단에 의하여 측정된 테스트 챔버 내부의 온도와 설정된 테스트 챔버 온도를 비교하여 온도 측정 수단 및 기체 가열 수단을 제어하는 제어수단을포함한다.The semiconductor device test handler according to the present invention for achieving the object of the present invention comprises a semiconductor device loader loaded with a tray containing the semiconductor device to be tested, a semiconductor device handler unit for transferring the semiconductor device to a designated position, and a semiconductor And a test facility having a test chamber for testing the semiconductor device transferred by the device handler unit, comprising: temperature measuring means for measuring a temperature inside the test chamber, gas heating means having a predetermined amount of heat in the test chamber, and gas heating means Convection means for convection the gas heated by the inside of the test chamber, and a control means for controlling the temperature measuring means and the gas heating means by comparing the temperature inside the test chamber measured by the temperature measuring means with the set test chamber temperature. do.

이하, 본 발명에 의한 반도체 디바이스 테스트 핸들러를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a semiconductor device test handler according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

첨부된 도 1에는 반도체 디바이스 테스트 핸들러(500)가 도시되어 있는 바, 반도체 디바이스 테스트 핸들러(500)는 전체적으로 보아 반도체 디바이스 로더(100), 반도체 디바이스 핸들러 유닛(200), 테스트 설비(300) 및 본 발명의 핵심 부분인 대류 방식 온도 조절 시스템(400)으로 구성된다.1, a semiconductor device test handler 500 is shown. The semiconductor device test handler 500 generally includes the semiconductor device loader 100, the semiconductor device handler unit 200, the test facility 300, and the present device. Convection type temperature control system 400, which is a key part of the invention.

반도체 디바이스 로더(100)는 선행 공정, 예를 들면, 반도체 칩을 제조하는 공정 및 제조된 반도체 칩을 패키징하는 패키지 공정이 종료된 후 테스트가 수행될 반도체 디바이스가 트레이(tray)에 수납되어 공정 대기하는 유닛으로 통상 복수매의 트레이가 적층 수납된다.In the semiconductor device loader 100, after a previous process, for example, a process of manufacturing a semiconductor chip and a package process of packaging a manufactured semiconductor chip is completed, the semiconductor device to be tested is stored in a tray and waiting for a process. In general, a plurality of trays are stacked and stored in a unit.

이와 같은 반도체 디바이스 로더(100)에 반도체 디바이스가 수납된 트레이 또는 트레이에 수납된 반도체 디바이스는 반도체 디바이스 핸들러 유닛(200)에 의하여 테스트 설비(300)로 이송된 후, 테스트가 수행된다.After the semiconductor device is stored in the semiconductor device loader 100, or the semiconductor device accommodated in the tray is transferred to the test facility 300 by the semiconductor device handler unit 200, a test is performed.

이때, 테스트 설비(300)는 반도체 디바이스를 테스트하는 공간을 제공하는 테스트 챔버, 테스트를 수행하는 테스트 유닛(350)으로 구성된다.In this case, the test facility 300 includes a test chamber that provides a space for testing a semiconductor device and a test unit 350 that performs a test.

한편, 테스트 설비(300)의 내부에는 테스트 유닛(350)이 지정된 테스트 환경에서 반도체 디바이스의 테스트를 수행하도록 하는 대류 방식 온도 조절 시스템(400)이 설치된다.Meanwhile, a convection type temperature control system 400 is installed in the test facility 300 to allow the test unit 350 to test a semiconductor device in a designated test environment.

이하, 대류 방식 온도 조절 시스템(400)의 구체적인 실시예를 <실시예 1> 내지 <실시예 4>를 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a specific embodiment of the convection type temperature control system 400 will be described with reference to <Example 1> to <Example 4>.

<실시예 1><Example 1>

첨부된 도 2 또는 도 3, 도 6에는 본 발명에 의한 대류 방식 온도 조절 시스템(400)이 적용된 테스트 설비(350)의 일실시예가 개념적으로 도시되어 있다.2, 3, and 6, one embodiment of a test installation 350 to which the convection type temperature control system 400 according to the present invention is applied is conceptually illustrated.

도 2 또는 도 3, 도 6에 도시된 테스트 설비(350)는 반도체 디바이스 로더(100)로부터 수평 상태의 트레이를 반도체 디바이스 핸들러 유닛(200)이 반도체 디바이스가 외부로 낙하하지 않도록 수직 상태가 되도록 한 후, 테스트 챔버(352)의 내부로 로딩되어 트레이에 수납된 모든 반도체 디바이스가 동시에 테스트 되는 것이 가능한 구조를 갖는다.The test facility 350 shown in FIGS. 2, 3, and 6 is configured to move the tray in a horizontal state from the semiconductor device loader 100 so that the semiconductor device handler unit 200 is in a vertical state so that the semiconductor device does not fall to the outside. Thereafter, all semiconductor devices loaded into the test chamber 352 and stored in the tray can be tested simultaneously.

이와 같이 테스트 설비(350)에 복수개의 반도체 디바이스가 동시에 로딩된 상태에서 복수개의 반도체 디바이스를 동시에 테스트하기 위해서는 테스트 설비(350) 내부의 온도가 테스트에 적합한 온도를 균일하면서 단시간내 갖도록 해야 한다.As described above, in order to simultaneously test a plurality of semiconductor devices in a state in which a plurality of semiconductor devices are simultaneously loaded in the test facility 350, the temperature inside the test facility 350 must have a temperature suitable for the test in a uniform and short time.

이를 구현하기 위하여 테스트 설비(350)의 내부에는 대류 방식 온도 조절 시스템(400)이 설치된다.In order to implement this, the convection type temperature control system 400 is installed in the test facility 350.

<제 1 실시예>에 의한 대류 방식 온도 조절 시스템(400)은 첨부된 도 2, 도 6에 도시된 바와 같이 테스트 챔버(352)의 내부에 설치되어 시간당 소정 발열량을 갖는 히터 유닛(410), 히터 유닛(410)의 상부에 설치되어 히터 유닛(410)에 의하여 가열된 공기를 대류시키는 대류 유닛(420), 테스트 챔버(352)의 내부에 설치된 온도 감지 센서(430) 및 히터 유닛(410) 및 대류 유닛(420)을 복합적으로 제어하는제어기(440)로 구성된다.The convection type temperature control system 400 according to the <first embodiment> is installed in the test chamber 352 as shown in FIGS. 2 and 6 to have a heater unit 410 having a predetermined amount of heat per hour, The convection unit 420 installed above the heater unit 410 to convection the air heated by the heater unit 410, the temperature sensor 430 and the heater unit 410 installed inside the test chamber 352. And a controller 440 for controlling the convection unit 420 in combination.

보다 구체적으로 히터 유닛(410)은 전기 에너지에 의하여 발열량이 조절되는 열선 방식을 사용하는 것이 무방하며, 대류 유닛(420)은 원통 형상으로 복수개의 회전익(422)을 갖는 대류 팬인 것이 무방하다.More specifically, the heater unit 410 may use a heating method in which the amount of heat is controlled by electric energy, and the convection unit 420 may be a convection fan having a plurality of rotor blades 422 in a cylindrical shape.

즉, 대류 유닛(420)은 히터 유닛(410)의 주변에 국부적으로 가열된 기체를 테스트 챔버(352) 내부에서 강제 대류 시킴과 동시에 테스트 챔버(352) 내부의 온도가 기 설정된 온도에 단시간내 도달하도록 피드백 제어가 이루어지도록 함으로써 테스트 챔버(352) 내부가 단시간내 균일한 온도 분포를 갖도록 하는 것이 바람직하다.That is, the convection unit 420 forces convection of the gas heated locally around the heater unit 410 in the test chamber 352, and at the same time, the temperature inside the test chamber 352 reaches a predetermined temperature within a short time. The feedback control is preferably performed so that the inside of the test chamber 352 has a uniform temperature distribution in a short time.

첨부된 도 3에는 <제 1 실시예>와 다른 <제 2 실시예>가 도시되어 있다.In FIG. 3, a <Second Embodiment> different from the <First Embodiment> is shown.

<제 2 실시예>Second Embodiment

<제 1 실시예>는 비교적 테스트 챔버(352)의 내부 면적이 작을 경우, 특히 유용한 효과가 발생되지만, 테스트 챔버(352)의 내부 면적이 증가할 경우, 테스트 챔버(352) 중 히터 유닛(410)과 히터 유닛(410)으로부터 멀리 떨어진 부분의 온도차가 많이 발생하게되는 문제점이 발생한다.The first embodiment has a particularly useful effect when the internal area of the test chamber 352 is relatively small, but the heater unit 410 of the test chamber 352 increases when the internal area of the test chamber 352 increases. ) And a temperature difference between a part far from the heater unit 410 occurs.

즉, 이처럼 테스트 챔버(352)의 내부 면적이 증가할수록 온도편차가 발생함은, 테스트 챔버(352)의 중앙 부분은 열손실이 작고, 테스트 챔버(352)의 측벽 부분에서는 열손실이 큼으로써 테스트 챔버(352)의 측벽 부분의 온도가 상대적으로 낮기 때문이다.That is, as the internal area of the test chamber 352 increases as described above, a temperature deviation occurs. The heat loss of the center portion of the test chamber 352 is small and the heat loss of the side wall portion of the test chamber 352 is large. This is because the temperature of the side wall portion of the chamber 352 is relatively low.

이와 같은 문제점을 극복하기 위해서 <제 2 실시예>에서는 히터 유닛(410)을복수개로 분할(411,412,413)하여 테스트 챔버(352)중 온도 분포가 불균일한 부분, 예를 들면, 테스트 챔버(352)의 측벽 부분에도 일부를 배치함으로써 테스트 챔버(352)중 온도 편차가 심한 곳의 온도 편차가 최소가 되도록 보정할 수 있다.In order to overcome such a problem, the second embodiment divides the heater unit 410 into a plurality of parts 411, 412, and 413 so that the temperature distribution of the test chamber 352 is uneven, for example, of the test chamber 352. By arranging a part of the sidewall portion, it is possible to correct the temperature deviation in the place where the temperature variation is severe in the test chamber 352 to be minimum.

본 발명에서는 바람직한 일실시예로 히터 유닛(410)을 3 개로 분할하였다.In the present invention, the heater unit 410 is divided into three as a preferred embodiment.

이때, 테스트 챔버(352)에는 적어도 2 개 이상의 온도 감지 센서(433,434)가 장착되어 테스트 챔버(352) 내부의 온도 감지 편차가 최소가 되도록 한다.At this time, at least two or more temperature sensors 433 and 434 may be mounted in the test chamber 352 to minimize the temperature sensing deviation inside the test chamber 352.

<실시예 3><Example 3>

앞서 설명한 <실시예 1>, <실시예 2>는 트레이에 복수개의 반도체 디바이스를 수납한 상태에서 트레이를 테스트 설비(350)로 이송한 후, 복수개의 반도체 디바이스를 동시에 테스트하는 것이 도시되어 있지만, 도 4, 도 5에 도시된 바와 같이 일부 테스트 설비(350)에서는 트레이로부터 반도체 디바이스를 하나씩 언로딩하여 개별적으로 테스트할 수도 있다.Although the above-described <Example 1> and <Example 2> transfer the trays to the test facility 350 in a state where a plurality of semiconductor devices are stored in the trays, the plurality of semiconductor devices are simultaneously tested. As shown in FIGS. 4 and 5, in some test facilities 350, semiconductor devices may be unloaded one by one from a tray and individually tested.

이와 같은 경우, 테스트 설비(350)에 개별적으로 투입된 반도체 디바이스는 개별적으로 테스트에 적합한 온도로 가열을 해주어야 한다.In this case, the semiconductor devices individually input to the test facility 350 must be heated to a temperature suitable for the test individually.

이를 구현하기 위하여 도 4에 도시된 테스트 설비(350)의 테스트 챔버(352)에는 대류 방식 온도 조절 시스템(400)이 설치된다.In order to implement this, the convection type temperature control system 400 is installed in the test chamber 352 of the test facility 350 shown in FIG. 4.

도 4에 도시된 대류 방식 온도 조절 시스템(400)은 전체적으로 "L"자 형상을 갖는 대류 덕트(460), 대류 유닛(470), 히터 유닛(480) 및 온도 감지 센서(490)로 구성된다.Convection type temperature control system 400 shown in FIG. 4 is composed of convection duct 460, convection unit 470, heater unit 480, and temperature sensor 490 having an overall “L” shape.

보다 구체적으로, 대류 덕트(460)의 상단 내부에는 대류 덕트(460) 중 개구된 외부로부터 소정 온도를 갖는 기체를 흡입하여 대류 덕트(460)의 하단 방향으로 기체를 송풍하는 대류 유닛(470)이 설치되고, 대류 유닛(470)의 하부에 해당하는 대류 덕트(460)의 내부에는 시간당 소정 발열량을 갖는 히터 유닛(480)이 내장된다.More specifically, inside the upper end of the convection duct 460, a convection unit 470 that sucks gas having a predetermined temperature from the outside of the opening of the convection duct 460 and blows the gas in the lower direction of the convection duct 460 is provided. The heater unit 480 having a predetermined amount of heat generated per hour is built in the convection duct 460 corresponding to the lower portion of the convection unit 470.

한편, 히터 유닛(480)을 통과하면서 소정 온도로 가열된 기체는 대류 덕트(460)에 형성된 기체 배출구(465)를 통하여 배출된다.On the other hand, the gas heated to a predetermined temperature while passing through the heater unit 480 is discharged through the gas discharge port 465 formed in the convection duct 460.

이때, 기체 배출구(465)와 근접한 위치에는 테스트될 반도체 디바이스가 안착되는 테스트 패드(454)가 형성되고, 테스트 패드(454)의 사이에는 바람직한 일실시예로 온도 감지 센서(490)이 설치된다.In this case, a test pad 454 is formed at a position close to the gas outlet 465, and a temperature sensor 490 is installed between the test pads 454.

이때, 기체 배출구(465)를 통하여 테스트 패드(454)로 배출되는 기체의 온도는 히터 유닛(480)에서 발열하는 발열 온도 및 대류 유닛(470)의 송풍 속도에 따라서 가변되는데, 기체 배출구(465)를 통하여 배출되는 기체의 온도의 높고 낮음은 제어기로부터 발생한 제어 신호에 의하여 히터 유닛(480)의 온도 및 대류 유닛(470)의 송풍 속도를 복합적으로 제어함으로써 수행된다.At this time, the temperature of the gas discharged to the test pad 454 through the gas outlet 465 is varied according to the exothermic temperature generated by the heater unit 480 and the blowing speed of the convection unit 470, the gas outlet 465 The high and low temperature of the gas discharged through the air is controlled by controlling the temperature of the heater unit 480 and the blowing speed of the convection unit 470 by a control signal generated from the controller.

<실시예 4><Example 4>

<실시예 4>는 <실시예 3>에 의하여 반도체 디바이스에 제공되는 기체의 온도를 조절하는데 필수적인 히터 유닛(480)을 복수개로 분할(481,482,483)하여, 예를 들면, 열손실이 많은 대류 덕트(460)의 측벽 부분에 분할된 히터 유닛(480)을 집중적으로 배치하여 다양한 원인에 의하여 발생한 온도 불균일을 극복할 수 있도록 한다.<Embodiment 4> divides the heater unit 480 which is essential for controlling the temperature of the gas provided to the semiconductor device by the Embodiment 3 into 481,482,483, for example, the convection duct which has a large heat loss ( The heater unit 480 divided in the side wall portion of the 460 is concentrated so as to overcome the temperature irregularity caused by various causes.

이상에서 상세하게 설명한 바에 따르면, 테스트 챔버 내부의 온도를 기 설정된 온도로 맞추기 위하여 테스트 챔버 내부에 단순히 히터 유닛을 설치하는 것에서 탈피하여 히터 유닛 주변에서 국부적으로 가열된 기체를 테스트 챔버 내부에서 대류시킴으로써 테스트 챔버 내부의 온도 불균일이 최소가 되도록 함과 동시에 테스트 챔버 내부의 온도가 단시간내 지정된 온도에 도달할 수 있도록 하여 반도체 디바이스가 테스트되는 도중 테스트 온도 설정 불량에 따라 발생하는 불량을 방지함에 있다.As described in detail above, in order to adjust the temperature inside the test chamber to a preset temperature, the test is performed by convection of a gas heated locally around the heater unit in the test chamber, instead of simply installing a heater unit inside the test chamber. The temperature unevenness within the chamber is minimized, and the temperature inside the test chamber can reach a predetermined temperature within a short time, thereby preventing a defect caused by a poor test temperature setting while the semiconductor device is being tested.

Claims (3)

테스트될 반도체 디바이스가 수납된 트레이가 로딩된 반도체 디바이스 로더와;A semiconductor device loader loaded with a tray containing the semiconductor device to be tested; 상기 반도체 디바이스를 지정된 위치로 이송하는 반도체 디바이스 핸들러 유닛과;A semiconductor device handler unit for transferring the semiconductor device to a designated position; 상기 반도체 디바이스 핸들러 유닛에 의하여 이송된 상기 반도체 디바이스를 테스트하는 테스트 챔버를 갖는 테스트 설비를 포함하며,A test fixture having a test chamber for testing the semiconductor device transferred by the semiconductor device handler unit, 상기 테스트 챔버 내부의 온도를 측정하는 온도 측정 수단과;Temperature measuring means for measuring a temperature inside the test chamber; 상기 테스트 챔버에는 소정 발열량을 갖는 기체 가열 수단과;The test chamber includes gas heating means having a predetermined amount of heat; 상기 기체 가열 수단에 의하여 가열된 기체를 상기 테스트 챔버 내부에서 대류시키는 대류 수단과;Convection means for convection the gas heated by said gas heating means within said test chamber; 상기 온도 측정 수단에 의하여 측정된 상기 테스트 챔버 내부의 온도와 설정된 테스트 챔버 온도를 비교하여 상기 온도 측정 수단 및 상기 기체 가열 수단을 제어하는 제어수단을 포함하는 반도체 디바이스 테스트 핸들러.And control means for controlling the temperature measuring means and the gas heating means by comparing the temperature inside the test chamber measured by the temperature measuring means with a set test chamber temperature. 제 1 항에 있어서, 상기 대류 수단은 원통 형상으로 복수개의 회전익을 갖는 대류 팬이고, 상기 기체 가열 수단은 전기 에너지에 의하여 발열량이 조절되는 히터 유닛인 반도체 디바이스 테스트 핸들러.The semiconductor device test handler according to claim 1, wherein the convection means is a convection fan having a plurality of rotary blades in a cylindrical shape, and the gas heating means is a heater unit in which the amount of heat is controlled by electrical energy. 제 2 항에 있어서, 상기 히터 유닛은 적어도 1 개 이상으로 분할되고, 분할된 상기 히터 유닛 중 일부는 열손실이 많이 발생하는 테스트 챔버의 측벽에 근접한 곳에 설치되어 온도 편차를 최소화하는 반도체 디바이스 테스트 핸들러.3. The semiconductor device test handler of claim 2, wherein the heater unit is divided into at least one or more, and some of the divided heater units are installed in close proximity to sidewalls of a test chamber in which heat loss occurs. .
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