KR20020009702A - Power on reset circuit - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A power-on reset circuit is provided to control the voltage level of a reset signal by adjusting the number of diodes, to easily embody all the elements on one-chip by forming the elements as active elements, and to minimize consumption current by using only active elements. CONSTITUTION: A plurality of diodes(D1-Dn) are serially connected between a source voltage terminal(Vcc) and a ground side. A PMOS transistor(PM1) and an NMOS transistor(NM1) are connected in parallel to the plurality of diodes(D1-Dn) and are serially connected to each other. An output terminal outputs a power-on reset signal(POR) to a junction of the PMOS transistor(PM1) and NMOS transistor(NM1). If a source voltage is applied through the source voltage terminal(Vcc), the diodes(D1-Dn) are turned on.

Description

파워-온 리셋회로{POWER ON RESET CIRCUIT}Power-On Reset Circuit {POWER ON RESET CIRCUIT}

본 발명은 리셋신호의 전압 크기를 다이오드의 수로써 조정할 수 있도록 한 파워-온 리셋회로에 관한 것으로, 특히 액티브(active) 소자들로만 구성하여 칩에 쉽게 구현하고, 소비전류를 최소화하도록 한 파워-온 리셋회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a power-on reset circuit for adjusting the voltage level of a reset signal by the number of diodes. The present invention relates to a power-on circuit which is easily implemented on a chip by using only active elements and minimizes current consumption. It relates to a reset circuit.

종래의 파워-온 리셋회로는 인가되는 전압을 드레쉬홀드(threshold) 전압과 비교하는 전압 감지부와, 상기에서 감지하여 전압이 드레쉬홀드 전압 이상이면 리셋신호(reset)를 발생시키는 리셋신호 발생부로 이루어진다.The conventional power-on reset circuit includes a voltage sensing unit for comparing an applied voltage with a threshold voltage, and generating a reset signal that senses the above and generates a reset signal when the voltage is greater than or equal to the threshold voltage. It is made of wealth.

이와 같이 구성되는 종래기술에 대하여 살펴보면 다음과 같다.Looking at the prior art configured as described above is as follows.

전원 감지부에서는 전원 전압 인가시 그 전원 전압과 드레쉬홀드 전압을 비교하고, 비교 결과 상기 전원 전압이 드레쉬홀드 전압 이상이면 이를 알리는 신호를 리셋신호 발생부로 발생시킨다.When the power supply voltage is applied, the power detection unit compares the power supply voltage with the threshold voltage. When the power supply voltage is greater than or equal to the threshold voltage, the power detection unit generates a signal informing the reset signal generator.

그러면 상기 리셋신호 발생부는 적당 시간 지연시킨 후 리셋신호를 만들어 다음 단으로 전달하게 된다. 여기서 리셋신호는 저항 혹은 저항과 캐패시터의 조합으로 만든다.Then, the reset signal generator generates a reset signal after a suitable time delay and delivers it to the next stage. Here, the reset signal is made of a resistor or a combination of resistors and capacitors.

상기에서 발생된 리셋신호를 필요로 하는 회로는 디지털 로직 회로나 메모리 회로 등에서 필요로 한다.Circuits that require the reset signal generated above are required in digital logic circuits, memory circuits, and the like.

그러나, 상기에서와 같은 종래기술에 있어서 리셋신호 생성시 시간의 조절이쉽지 않거나 혹은 많은 시간이 소요되어 실제 칩(Chip) 동작 시간을 지연시켜 하는 경우가 많고, 또한 지연을 위해 카운터 등을 사용하는데 이 경우 회로가 더 복잡해지며 구현시 많은 면적을 차지하게 되는 문제점이 있다.However, in the prior art as described above, it is not easy to adjust the time when generating the reset signal or it takes a lot of time to delay the actual chip operation time, and also use a counter for delay. In this case, the circuit becomes more complicated and takes a large area in implementation.

따라서 상기에서와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 다이오드의 수를 조정하여 리셋신호의 전압 레벨을 조정하도록 한 파워-온 리셋회롤르 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention for solving the above-described conventional problems is to provide a power-on reset circuit for adjusting the voltage level of the reset signal by adjusting the number of diodes.

본 발명의 다른 목적은 모든 소자들을 액티브(active) 소자들로 구성하여 원-칩(One-chip)상에 구현을 용이하게 한 파워-온 리셋회로를 제공함에 있다.It is another object of the present invention to provide a power-on reset circuit which is made of all active devices to facilitate implementation on a one-chip.

본 발명의 다른 목적은 액티브 소자들만을 이용하여 소비전류를 최소화하도록 한 파워-온 리셋회로를 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a power-on reset circuit for minimizing current consumption using only active devices.

도 1은 본 발명의 파워-온 리셋회로에 대한 기념도.1 is a memorial diagram for a power-on reset circuit of the present invention.

도 2는 본 발명의 파워-온 리셋회로에 대한 제1실시예.Figure 2 is a first embodiment of the power-on reset circuit of the present invention.

도 3은 도 2에서, 파워(POWER)가 인가되어 5V전압이 될 때까지 각 노드별 전압의 변화 특성도.FIG. 3 is a diagram illustrating a characteristic change of voltage for each node until power is applied to reach a 5V voltage in FIG. 2.

도 4는 도 2에서, 파워의 상승률(rising rate)이 각각 다른 경우에 대한 파워-온 리셋신호의 파형도.FIG. 4 is a waveform diagram of a power-on reset signal for the case where the rising rate of power is different in FIG. 2; FIG.

도 5는 본 발명 피모스 트랜지스터의 연결 수를 다르게 연결한 경우의 파워-온 리셋회로에 대한 제2실시예.FIG. 5 is a second embodiment of a power-on reset circuit in the case where the connection number of the PMOS transistor of the present invention is connected differently; FIG.

도 6은 도 5에서, 파워가 인가되어 5V전압이 될 때까지 각 노드별 전압의 변화 특성도.FIG. 6 is a characteristic diagram of voltage change for each node until power is applied to reach a 5V voltage in FIG. 5. FIG.

도 7은 본 발명 파워-온 리셋회로에 대한 제3실시예.Fig. 7 is a third embodiment of the present invention power-on reset circuit.

***** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ********** Explanation of symbols for the main parts of the drawing *****

P : 피모스 트랜지스터 N : 엔모스 트랜지스터P: PMOS transistor N: NMOS transistor

C : 캐패시터C: Capacitor

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 전원전압단과 접지측 사이에 직렬연결되는 n개의 다이오드와, 상기 n개의 다이오드와 병렬로 연결되고 서로는 직렬연결된 피모스 및 엔모스 트랜지스터와, 상기 피모스 및 엔모스 트랜지스터의 연결점에 파워-온 리셋신호(POR)를 출력하는 출력단으로 이루어진 것을 특징으로 한다.To achieve the above object, the present invention provides n diodes connected in series between a power supply terminal and a ground side, PMOS and NMOS transistors connected in parallel with the n diodes in series, and the PMOS and NMOS transistors. Characterized in that the output terminal for outputting a power-on reset signal (POR) to the connection point of the MOS transistor.

본 발명은 상기 피모스 및 엔모스 트랜지스터와 병렬로 구동능력을 위하여 인버터를 2단 연결한 것을 특징으로 한다.The present invention is characterized in that the inverter is connected in two stages for the driving capability in parallel with the PMOS and NMOS transistor.

상기에서 본 발명에서 다이오드는 모스 전계효과 트랜지스터(MOSFET)를 다수개 연결한 것을 특징으로 한다.In the present invention, the diode is characterized in that a plurality of MOSFETs (MOSFET) connected.

이하, 첨부한 도면에 의거하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings in detail as follows.

도 1은 본 발명의 파워-온 리셋회로에 대한 개념도로서, 이에 도시한 바와 같이, 전원전압단과 접지측 사이에 직렬연결되는 n개의 다이오드(D1-Dn)와, 상기 n개의 다이오드(D1-Dn)와 병렬로 연결되고 서로는 직렬연결된 피모스 및 엔모스 트랜지스터(PM1)(NM1)와, 상기 피모스 및 엔모스 트랜지스터(PM1)(NM1)의 연결점에 파워-온 리셋신호(POR)를 출력하는 출력단으로 구성한다.1 is a conceptual diagram of a power-on reset circuit of the present invention. As shown in FIG. 1, n diodes D1-Dn connected in series between a power supply voltage terminal and a ground side, and the n diodes D1-Dn are illustrated in FIG. ) Outputs a power-on reset signal (POR) to a connection point of the PMOS and NMOS transistors PM1 (NM1) and the PMOS and NMOS transistors PM1 (NM1) connected in parallel with each other in series. It consists of an output stage.

도 2는 본 발명의 파워-온 리셋회로에 대한 실시예로서, 이에 도시한 바와 같이, 전원전압단과 직렬로 연결되는 n개의 피모스 트랜지스터(P1-P6)와, 상기 n개의 피모스 트랜지스터(P1-P6)와 병렬로 연결되고 서로는 직렬연결된 피모스 및 엔모스 트랜지스터(P7)(N1)와, 상기 피모스 및 엔모스 트랜지스터(P7)(N1)와 병렬로 2단으로 연결되는 제1인버터(P8,N2) 및 제2인버터(P9,N3)로 구성한다.2 shows an embodiment of the power-on reset circuit of the present invention. As shown therein, n PMOS transistors P1-P6 connected in series with a power supply voltage terminal and the n PMOS transistors P1 are shown in FIG. A first inverter connected in parallel with P6 and connected in series with each other, and a first inverter connected in two stages in parallel with the PMOS and NMOS transistors P7 and N1; It consists of (P8, N2) and the second inverters (P9, N3).

이와 같이 구성된 본 발명의 동작 및 작용 효과에 대하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation and effect of the present invention configured as described in detail as follows.

먼저, 도 1에서 전원전압단(Vcc)을 통해 전원전압이 인가되면 직렬 연결된 n개의 다이오드(D1-Dn)가 턴온상태가 된다. 상기에서 다이오드의 턴온전압이 vthd라 하고, 엔모스 트랜지스터(NM1)의 턴온전압을 vth라 한다.First, when a power supply voltage is applied through the power supply voltage terminal Vcc in FIG. 1, the n diodes D1 -Dn connected in series are turned on. The turn-on voltage of the diode is referred to as vthd, and the turn-on voltage of the NMOS transistor NM1 is referred to as vthd.

이때 엔모스 트랜지스터(NM1)가 턴온되면, 피모스 트랜지스터(PM1)와 상기 엔모스 트랜지스터(NM1)에 의해 일정 전압이 되면 파워-온 리셋신호(POR)가 발생된다. 즉 상기 다이오드(D1-Dn)의 턴온전압이 엔모스 트랜지스터(NM1)의 턴온전압 보다 크면, 상기 엔모스 트랜지스터(NM1)는 턴온되어 파워-온 리셋신호(POR)가 발생된다.At this time, when the NMOS transistor NM1 is turned on, when the PMOS transistor PM1 and the NMOS transistor NM1 become a constant voltage, a power-on reset signal POR is generated. That is, when the turn-on voltage of the diodes D1 -Dn is greater than the turn-on voltage of the NMOS transistor NM1, the NMOS transistor NM1 is turned on to generate a power-on reset signal POR.

상기 파워-온 리셋신호(POR)는 전원전압이 vthd × 다이오드수 + vth 이상이 될 때까지 리셋신호를 유지한다.The power-on reset signal POR holds the reset signal until the power supply voltage becomes more than vthd x number of diodes + vth.

이와 같이 동작하는 파워-온 리셋회로의 실시예인 도 2에 의거하여 살펴보면 다음과 같다.Referring to FIG. 2, which is an embodiment of a power-on reset circuit operating as described above, is as follows.

전원전압단(Vcc)을 통해 전원전압이 인가되면 게이트와 드레인이 각각 연결된 n개의 피모스 트랜지스터(P1-P6)는 모두 온 상태가 된다. 상기 n개의 피모스 트랜지스터(P1-P6)가 턴온됨에 따라 엔모스 트랜지스터(N1)가 턴온 또는 턴오프된다.When the power supply voltage is applied through the power supply voltage terminal Vcc, the n PMOS transistors P1 to P6 to which the gate and the drain are respectively connected are turned on. As the n PMOS transistors P1-P6 are turned on, the NMOS transistor N1 is turned on or off.

가령 피모스 트랜지스터의 턴온전압을 vthd, 엔모스 트랜지스터(N1)의 턴온전압을 vth라 할 때, 전원전압단을 통해 인가되는 전원 전압이 n개의 피모스 트랜지스터(P1-P6)를 거쳐 엔모스 트랜지스터(N1)의 게이트로 공급하는 전압이 (vthd × 다이오드수 + vth)이상이 되면, 상기 엔모스 트랜지스터(N1)는 턴온상태가 된다.For example, when the turn-on voltage of the PMOS transistor is vthd and the turn-on voltage of the NMOS transistor N1 is vth, the power supply voltage applied through the power supply voltage terminal passes through the n PMOS transistors P1-P6 and the NMOS transistor. When the voltage supplied to the gate of N1 becomes equal to or higher than (vthd x number of diodes + vth), the NMOS transistor N1 is turned on.

이때 전원전압단과 연결된 피모스 트랜지스터(P7)도 턴온된다.At this time, the PMOS transistor P7 connected to the power supply voltage terminal is also turned on.

따라서 상기 피모스 트랜지스터(P7)와 엔모스 트랜지스터(N1)가 각각 턴온되어 net015 출력단을 통해 소정의 크기를 갖는 파워-온 리셋신호를 출력한다.Accordingly, the PMOS transistor P7 and the NMOS transistor N1 are turned on, respectively, and output a power-on reset signal having a predetermined size through the net015 output terminal.

상기 파워-온 리셋신호는 피모스 트랜지스터(P8)와 엔모스 트랜지스터(N2)로 이루어진 인버터를 통해 반전되고, 이 반전된 파워-온 리셋신호를 net068 출력단을 통해 출력한다.The power-on reset signal is inverted through an inverter consisting of a PMOS transistor P8 and an NMOS transistor N2, and the inverted power-on reset signal is output through a net068 output terminal.

상기 net068 출력단을 통해 출력되는 반전된 파워-온 리셋신호는 다시 피모스 트랜지스터(P9)와 엔모스 트랜지스터(N3)로 이루어진 인버터를 통해 반전된 본래의 파워-온 리셋신호(POR)를 최종 출력단을 통해 출력한다.The inverted power-on reset signal outputted through the net068 output terminal is again converted into an original power-on reset signal (POR) inverted through an inverter consisting of a PMOS transistor P9 and an NMOS transistor N3. Output through

결국 2단으로 이루어진 인버터(P8,N2)(P9,N3)를 통해 파워-온 리셋신호를 출력하는 것은 디지털들을 구동하기 위한 버퍼의 역할과 더블어 전류 소모를 막아준다.As a result, outputting the power-on reset signal through the two-stage inverters P8 and N2 (P9 and N3) prevents double current consumption as a buffer for driving digitals.

이와 같이 동작하는 상태에서, 전원전압단을 통해 인가되는 전압이 0V에서 5V로 점차 높아질 때 각 노드별 파워-온 리셋신호(POR)의 전압은 도 3에서와 같고, 전원전압의 상승률(rising rate)이 각각 다른 경우의 파워-온 리셋신호(POR)의 파형은 도 4에 도시한 바와 같다.In this state of operation, when the voltage applied through the power supply voltage terminal gradually increases from 0V to 5V, the voltage of the power-on reset signal POR for each node is the same as in FIG. 3, and the rising rate of the power supply voltage (rising rate) The waveforms of the power-on reset signal POR when) are different from each other are shown in FIG. 4.

상기 피모스 트랜지스터(P7)는 파워-온 리셋신호(POR)가 0으로 떨어지기 전까지는 전원전압단으로부터의 전원전압(Vcc)을 net015 출력단에 인가하여 파워-온 리셋신호(POR)를 Vcc 전압으로 잡아주는 역할을 한다.The PMOS transistor P7 applies the power supply voltage Vcc from the power supply voltage terminal to the net015 output terminal until the power-on reset signal POR drops to zero, thereby applying the power-on reset signal POR to the Vcc voltage. It serves to hold.

이와 같이 동작하다가 파워-온 리셋신호(POR)가 0가 되면, 피모스 트랜지스터(P7)는 턴오프가 되어 전류가 흐르는 패스(PATH)를 끊어주는 역할을 하여 전류 소모를 막아준다.In this manner, when the power-on reset signal POR becomes 0, the PMOS transistor P7 turns off and cuts off a path PATH through which current flows, thereby preventing current consumption.

그리고 피모스 트랜지스터를 다이오드 형태로 구성하여 연결할 경우 도 5에서와 같이 피모스 트랜지스터의 연결 수를 다르게 연결한 경우 도 6에서와 같이 파워-온 리셋신호(POR)가 발생함을 알 수 있다.In addition, when the PMOS transistor is configured in the form of a diode and connected, the power-on reset signal POR is generated as shown in FIG.

이상에서와 같이 피모스 트랜지스터와 엔모스 트랜지스터는 모두 액티브(ACTIVE) 소자들로 원-칩(ONE CHIP)상에 구현을 용이하게 한다.As described above, both the PMOS transistor and the NMOS transistor are active elements, and the PMOS transistor and the NMOS transistor are easily implemented on one chip.

그리고 전원전압의 상승률에 무관하게 파워-온 리셋신호의 전압레벨은 같으므로, 상기 전원전압의 상승률과 무관하게 전압 레벨을 감지하여 리셋신호를 발생한다.Since the voltage level of the power-on reset signal is the same regardless of the rate of increase of the power supply voltage, the voltage level is detected regardless of the rate of increase of the power supply voltage to generate a reset signal.

또한 도 2에 도시한 피모스 트랜지스터(P1-P6)를 서로 직렬 연결하는 대신 도 7에서와 같이 제1피모스 트랜지스터(P1)와 피모스 트랜지스터(P22)를 이용하여 전류 미러를 형성하고, 상기 전류 미러와 직렬로 캐패시터(C)를 연결하여 구성한다.In addition, instead of connecting the PMOS transistors P1-P6 shown in FIG. 2 to each other in series, a current mirror is formed using the first PMOS transistor P1 and the PMOS transistor P22 as shown in FIG. The capacitor C is connected in series with the current mirror.

이와 같은 경우, 캐패시터(C)는 리셋동작이 수행되고 난 후 전원전압에 의해 차지-업(charge up)되어 리셋신호를 0으로 전환시켜준다.In this case, the capacitor C is charged up by the power supply voltage after the reset operation is performed, thereby converting the reset signal to zero.

상기 캐패시터(C)가 충분한 전원전압이 되어 차지될 수 있게 전압감지 스위치가 사용되었다, 빠른 전원공급을 맞추기 위해 캐패시터의 차징 비율(charging rate)은 리셋신호의 최소 필요한 기간을 보장하기 위해 조정된다.A voltage sensing switch was used to allow the capacitor C to be charged with sufficient supply voltage. In order to match fast power supply, the charging rate of the capacitor is adjusted to ensure the minimum required duration of the reset signal.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명은 액티브 소자들로만 구성하여 칩에 쉽게 구현할 수 있도록 하여 면적을 줄이고, 또한 다이오드의 수를 조절하거나 제거를 통하여 리셋이 발생되는 전압을 쉽게 조절할 수 있도록 한 효과가 있다. 또한 본 발명은 액티브 소자들로만 구성하여 소비전류를 최소화하고, 전압 레벨을 감지하는데 사용된 소자들이 파워-업 비율의 변화에 영향을 거의 받지 않으므로 파워-업 비율의 변화에도 안정적으로 동작하는 효과가 있다.As described in detail above, the present invention has the effect of reducing the area by configuring only active elements so that the chip can be easily implemented, and also easily adjusting the voltage generated by the reset by adjusting or removing the number of diodes. In addition, the present invention is configured only with active elements to minimize the current consumption, and since the elements used to detect the voltage level is almost unaffected by the change in the power-up ratio, there is an effect that it operates stably even with the change in the power-up ratio. .

Claims (3)

전원전압단과 접지측 사이에 직렬연결되는 n개의 다이오드와, 상기 n개의 다이오드와 병렬로 연결되고 각각 직렬연결된 피모스 및 엔모스 트랜지스터와, 상기 피모스 및 엔모스 트랜지스터의 연결점에 파워-온 리셋신호(POR)를 출력하는 출력단을 포함한 것을 특징으로 하는 파워-온 리셋회로.N diodes connected in series between a power supply voltage terminal and a ground side, PMOS and NMOS transistors connected in parallel with the n diodes in series, respectively, and a power-on reset signal at a connection point of the PMOS and NMOS transistors. A power-on reset circuit comprising an output stage for outputting (POR). 제1항에 있어서, 상기 피모스 및 엔모스 트랜지스터와 병렬로 구동 능력을 위해 인버터를 2단 연결한 것을 특징으로 하는 파워-온 리셋회로.The power-on reset circuit according to claim 1, wherein an inverter is connected in two stages for driving capability in parallel with the PMOS and NMOS transistors. 제1항에 있어서, n개의 다이오드는 모스 전계효과 트랜지스터(MOSFET)를 이용한 것을 특징으로 하는 파워-온 리셋회로.The power-on reset circuit according to claim 1, wherein the n diodes use a MOS field effect transistor (MOSFET).
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