KR20020007807A - 넓은 동작 범위를 가지는 이미지 센서 픽셀 - Google Patents

넓은 동작 범위를 가지는 이미지 센서 픽셀 Download PDF

Info

Publication number
KR20020007807A
KR20020007807A KR1020000041282A KR20000041282A KR20020007807A KR 20020007807 A KR20020007807 A KR 20020007807A KR 1020000041282 A KR1020000041282 A KR 1020000041282A KR 20000041282 A KR20000041282 A KR 20000041282A KR 20020007807 A KR20020007807 A KR 20020007807A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
signal
node
voltage
reset
reset signal
Prior art date
Application number
KR1020000041282A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100364605B1 (ko
Inventor
이서규
민대성
Original Assignee
이서규
(주) 픽셀플러스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이서규, (주) 픽셀플러스 filed Critical 이서규
Priority to KR1020000041282A priority Critical patent/KR100364605B1/ko
Publication of KR20020007807A publication Critical patent/KR20020007807A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100364605B1 publication Critical patent/KR100364605B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
    • H04N25/621—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

넓은 동작 범위를 가지는 이미지 센서 픽셀이 게시된다. 본 발명의 이미지 센서 픽셀은 본 발명의 이미지 센서 픽셀은 신호 전하를 생성하여, 제1 노드에 제공하는 포토 다이오드; 오프셋 수신단으로 제1 리셋 신호를 수신하고, 오프셋 출력단으로 제2 리셋 신호를 발생하는 오프셋 회로로서, 제2 리셋 신호의 전압 레벨의 범위를 제어할 수 있는 오프셋 회로; 제2 리셋 신호에 응답하여, 제1 노드의 전압을 상승시키는 리셋 트랜지스터; 제1 노드 신호에 의하여 게이팅되고, 제1 노드의 전압 레벨에 연동하는 전압 레벨을 가지는 제2 노드를 포함하는 드라이브 트랜지스터; 및 라인 선택 신호에 응답하여, 제2 노드의 신호를 전송하는 셀렉터 트랜지스터를 구비한다. 본 발명의 이미지 센서 픽셀에 의하면, 포토 다이오드에서 과잉(過剩) 발생한 신호 전하가 인접한 픽셀로 흘러가는 블루밍 현상이 현저히 감소한다. 또한, 이미지 센서 픽셀의 고감도 동작 범위는 현저히 증가한다.

Description

넓은 동작 범위를 가지는 이미지 센서 픽셀{IMAGE SENSOR PIXEL HAVING WIDE DYNAMIC RANGE}
본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로서, 특히 이미지 센서의 픽셀에 관한 것이다.
일반적으로, 이미지 센서란 빛의 에너지에 반응하는 반도체 장치의 성질을 이용하여, 이미지를 찍어(capture) 내는 장치를 말한다. 자연계에 존재하는 각 피사체에서 발생되는 빛은 파장 등에서 고유의 값을 가진다. 그리고, 이미지 센서의 픽셀은 각 피사체에서 발생하는 빛을 감지하여, 전기적인 신호로 변환한다. 즉, 이미지 센서의 픽셀은 피사체에서 발생되는 빛의 파장에 따른 전기적인 신호를 발생한다. 이미지 센서는 이러한 전기적인 신호를 이용하여, 피사체의 영상을 인식한다.
도 1은 기존의 이미지 센서의 픽셀을 나타내는 도면이다. 도시된 바와 같이, 기존의 이미지 센서 픽셀은 포토 다이오드(103), 리셋 트랜지스터(101), 드라이브 트랜지스터(105) 및 셀렉터 트랜지스터(107)로 구성된다. 그리고, 트랜지스터(109)는 게이트에 소정의 전압(VGG)이 인가되어, 상기 드라이브 트랜지스터(105) 및 셀렉터 트랜지스터(107)의 전류 소스로 작용한다.
리셋 트랜지스터(101)의 게이트 단자에는 타이밍 발생기(미도시)로부터 제공되는 리셋 신호(RESET)가 인가된다. 즉, 리셋 트랜지스터(101)의 게이트 단자에는 접지전압(VSS) 또는 전원전압(VDD)이 직접적으로 인가된다.
"하이(high)"인 리셋 신호(RESET)에 의하여, 리셋 트랜지스터(101)의 소스단자인 플로팅 노드(N102)에 인가되는 바이어싱(biasing) 전압은 (VDD-Vt1)로 된다. 여기서, VDD는 외부에서 공급되는 전원 전압을, Vt1은 리셋 트랜지스터(101)의 문턱 전압을 나타낸다.
이와 같이, 바이어스 전압이 전원전압(VDD)으로부터 강하한 전압이 됨으로 인하여, 플로팅 노드(N102)의 동작 범위는 제한되고, 결국 이미지 센서의 고감도 인식 범위가 감소되는 요인으로 작용한다.
한편, 리셋 신호(RESET)가 "로우(low)"인 신호 감지 모드일 때, 리셋 트랜지스터(101)는 완전히 "턴오프(turn-off)"된다. 그러므로, 포토 다이오드(104)에 빛 에너지 등에 의하여 과잉(過剩) 발생하는 신호 전하는 인접한 다른 픽셀로 흘러가는 소위 블루밍(bloooming) 현상이 발생한다. 이와 같은 블루밍 현상은 인접한 픽셀에 노이즈(noise)를 발생하는 문제점으로 작용한다.
본 발명의 목적은 이미지 센서의 고감도 인식 범위를 증대시키고, 블루밍 현상을 방지하는 이미지 센서 픽셀을 제공하는 것이다.
본 발명의 상세한 설명에서 사용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여, 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.
도 1은 기존의 이미지 센서의 픽셀을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지 센서 픽셀을 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2에서 제1 리셋 신호와 제2 리셋 신호의 관계를 나타내는 도면이다.
도 4는 종래기술과 본 발명에서의 이미지 센서 픽셀의 주요 요소와 관련되는 부분의 에너지 포텐셜(potential)을 비교하여 나타내는 도면이다.
도 5는 종래기술과 본 발명에서의 이미지 센서 픽셀의 플로팅 노드와 이미지 센서 픽셀의 출력 단자(VOUT)의 전압 범위를 나타내는 도면이다.
도 6은 종래기술과 본 발명에서의 이미지 센서의 조도에 따른 출력을 비교하여 나타내는 도면이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일면은 이미지 센서 픽셀에 관한 것이다. 본 발명의 이미지 센서 픽셀은 신호 전하를 생성하여, 소정의 제1 노드에 제공하는 포토 다이오드; 오프셋 수신단으로 소정의 제1 리셋 신호를 수신하고,오프셋 출력단으로 제2 리셋 신호를 발생하는 오프셋 회로로서, 상기 제2 리셋 신호의 전압 레벨의 범위를 제어할 수 있는 상기 오프셋 회로; 소정의 제2 리셋 신호에 응답하여, 상기 제1 노드의 전압을 상승시키는 리셋 트랜지스터; 상기 제1 노드 신호에 의하여 게이팅되고, 상기 제1 노드의 전압 레벨에 연동하는 전압 레벨을 가지는 제2 노드를 포함하는 드라이브 트랜지스터; 및 소정의 라인 선택 신호에 응답하여, 상기 제2 노드의 신호를 전송하는 셀렉터 트랜지스터를 구비한다.
본 발명과 본 발명의 동작 상의 잇점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 대하여, 동일한 참조부호는 동일한 부재임을 나타낸다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지 센서 픽셀을 나타내는 도면이다. 도 2를 참조하면, 본 발명의 이미지 센서 픽셀은 리셋 트랜지스터(201), 포토 다이오드(203), 드라이브 트랜지스터(205), 셀렉터 트랜지스터(207) 및 오프셋 회로(211)로 구성된다.
상기 포토 다이오드(203)는 주입되는 에너지, 예를 들면, 빛 에너지에 반응하여, 신호 전하를 생성한다. 생성되는 신호 전하는 제1 노드, 본 명세서에서는 플로팅 노드(N202)로 제공된다. 리셋 트랜지스터(201)는 상기 오프셋 회로(209)의 오프셋 출력단(N211T)과 접속되는 게이트 단자를 가진다. 그러므로, 리셋트랜지스터(201)는 제2 리셋 신호(RESET2)에 응답하여, 플로팅 노드(N202)의 전압을 바이어싱 전압으로 상승시킨다.
드라이버 트랜지스터(205)는, 상기 플로팅 노드(N202)에 의하여, 게이팅된다. 따라서, 상기 드라이버 트랜지스터(205)의 소스 단자인 제2 노드(N206)의 전압 레벨은 상기 플로팅 노드(N202)의 전압 레벨에 연동한다. 즉, 상기 플로팅 노드(N202)의 전압이 (VDD+Vt2)이하의 범위에서는, 상기 제2 노드(N206)의 전압 레벨은 상기 플로팅 노드(N202)의 전압보다 Vt2 만큼 작게 된다. 여기서, Vt2는 상기 드라이버 트랜지스터(205)의 문턱 전압을 나타낸다.
상기 셀렉터 트랜지스터(207)는 소정의 라인 선택 신호(LS)에 응답하여, 상기 제2 노드(N206)의 신호를 본 발명의 이미지 센서 픽셀의 출력 신호(VOUT)로 제공한다. 여기서, 상기 라인 선택 신호(LS)는, 외부에서 입력되는 어드레스가 디코더(미도시)에 의하여 디코딩되는 신호로서, 픽셀의 로우(row)를 선택하는 신호이다.
그리고, 트랜지스터(209)는 게이트에 소정의 전압(VGG)이 인가되어, 상기 드라이브 트랜지스터(205) 및 셀렉터 트랜지스터(207)의 전류 소스로 작용한다.
한편, 상기 오프셋 회로(211)는 오프셋 수신단(N211R)으로 리셋 명령을 나타내는 제1 리셋 신호(RESET1)를 수신하고, 오프셋 출력단(N211T)으로 제2 리셋 신호(RESET2)를 발생한다.
상기 오프셋 회로(211)는 구체적으로 제1 커패시터(Coff), 일방향 전류 소자(211a), DC 가변기(211b)를 구비한다. 상기 제1 커패시터(Coff)는 상기 오프셋수신단(N211R)과 상기 오프셋 출력단(N211T) 사이에 형성된다. 따라서, 상기 제2 리셋 신호(RESET2)는 상기 제1 리셋 신호(RESET1)에 커플링된다.
상기 DC 가변기(211b)는 일측 단자가 접지 전압(VSS)에 연결되고, 제2 리셋 신호(RESET2)의 DC 전압을 변화시킬 수 있다. 상기 일방향 전류 소자(211a)는 상기 DC 가변기(211b)의 타측 단자(N211S)와 상기 오프셋 출력단(N211T) 사이에 형성되어, 상기 DC 가변기(211b)의 타측 단자(209g)에서 상기 오프셋 출력단(209f)으로 흐르는 전류만을 전송한다. 바람직하기로는 상기 일방향 전류 소자(209b)는 게이트 단자와 한쪽 접합 단자가 상기 DC 가변기(209c)의 타측 단자(209g)에 공통으로 접속되는 모스 트랜지스터이다.
상기 제2 커패시터(Cp)는 접지 전압(VSS)과 상기 오프셋 출력단(N211T) 사이에 비자의적으로 형성되는 커패시터를 모델링한 것이다.
한편, 본 명세서에서는 상기 DC 가변기(211b)와 상기 일방향 전류 소자(211a)를 합하여 "전압 가변부"라 칭할 수 있다.
도 3은 도 2에서 제1 리셋 신호(RESET1)와 제2 리셋 신호(RESET2)의 관계를 나타내는 도면이다. 도 3을 참조하면, 상기 제1 리셋 신호(RESET1)가 전원 전압인 VDD일 때, 상기 제2 리셋 신호(RESET2)는 [Coff/(Cp+Coff)]*(VDD+Vdc-Vt3)가 된다. 여기서, Vdc는 상기 DC 가변기(211b)에 의하여 발생하는 DC전압을 나타낸다.
상기 제1 리셋 신호(RESET1)가 "하이"일 때, 상기 제2 리셋 신호(RESET2)는 상기 DC 가변기(211b)에 의하여 발생되는 Vdc에 의하여 (VDD+Vt1) 이상으로 될 수 있다. 그러므로, 리셋 트랜지스터(201)에 의한 전압 강하는 방지될 수 있다. 따라서, 플로팅 노드(N202)는 전원전압(VDD)으로 바이어싱된다.
상기 제1 리셋 신호(RESET1)가 접지 전압인 0V일 때, 상기 제2 리셋 신호(RESET2)는 [Coff/(Cp+Coff)]*(Vdc-Vt3)가 된다. 그러므로, 상기 제1 리셋 신호(RESET1)가 "로우(low)"일 때, 상기 제2 리셋 신호(RESET2)는 상기 DC 가변기(211b)에 의하여 발생되는 Vdc에 의하여 Vt1 이상으로 될 수 있다. 그러므로, 포토 다이오드(203)에서 과잉(過剩) 발생하는 신호 전하는 전원전압(VDD) 쪽으로 이동하여, 블루밍 현상이 완화될 수 있다.
도 4는 종래기술과 본 발명에서의 이미지 센서 픽셀의 주요 요소와 관련되는 부분의 에너지 포텐셜(potential)을 비교하여 나타내는 도면이다. 도면 (a)는 이미지 센서의 주요부분의 단면을 나타낸다. 영역 I은 포토 다이오드(103, 203)의 영역을 나타낸다. 영역 II는 플로팅 노드(N102, N202)의 소스 영역을 나타낸다. 영역 III은 리셋 트랜지스터(101, 201)의 게이트 영역을 나타낸다. 영역 IV는 리셋 트랜지스터(101, 201)의 드레인 영역인 전원 전압(VDD) 영역을 나타낸다.
그래프 (b)는 리셋 신호(RESET, RESET1)가 "하이(high)"일 때의 에너지 포텐셜을 나타낸다. 그래프 (b)를 참조하면, 종래기술에서는 영역 II와 영역 III의 에너지 포텐셜은 영역 IV에 비하여, Vt1 만큼 높게 나타난다. 이에 반해, 본 발명에서는 영역 II와 영역 III의 에너지 포텐셜도 영역 IV의 에너지 포텐셜과 동일하게 된다. 따라서, 본 발명의 이미지 센서 픽셀은 종래기술의 이미지 센서 픽셀에 비하여, 빗금친 면적에 해당하는 부분만큼 고감도로 동작하는 영역이 증가한다고 할 수 있다.
그래프 (c)는 상기 리셋 신호(RESET, RESET1)가 "로우(low)"일 때의 에너지 포텐셜을 나타낸다. 그래프 (c)를 참조하면, 본 발명에서의 영역 III의 에너지 포텐셜은 종래기술에서의 영역 III의 에너지 포텐셜에 비하여, Vts 만큼 감소한다. 여기서, Vts는 제1 리셋 신호(RESET1)가 "0V"일 때의 제2 리셋 신호(RESET2)의 전압을 나타낸다. 즉, Vts는 [Coff/(Cp+Coff)]*(Vdc-Vt3)이다.
이와 같이, 본 발명에서 영역 III의 에너지 포텐셜가 감소함으로 인하여, 영역 I에서 발생한 신호 전하는 영역 II와 영역 III을 거쳐, 영역 IV로 흘러갈 수 있다. 따라서, 영역 I에서 과잉(過剩) 발생한 신호 전하가 다른 픽셀로 흘러감으로 인하여, 발생하는 블루밍 현상은 현저히 감소될 수 있다.
도 5는 종래기술과 본 발명에서의 이미지 센서 픽셀의 플로팅 노드(N102, N202)와 이미지 센서 픽셀의 출력 단자(VOUT)의 전압 범위를 나타내는 도면이다. 여기서, α는 종래기술에서의 플로팅 노드(N102)의 전압 범위를 나타낸다. β는 본 발명에서의 플로팅 노드(N202)의 전압 범위를 나타낸다. γ는 종래기술에서의 이미지 센서 픽셀의 출력 단자의 전압 범위를 나타낸다. δ는 본 발명에서의 이미지 센서 픽셀의 출력 단자의 전압 범위를 나타낸다. 도 5를 참조하면, 종래기술과 비교하여, 본 발명의 플로팅 노드(N102, N202) 및 출력 단자(VOUT)의 동작 범위가 모두 증가함을 알 수 있다. 따라서, 본 발명에 의하여, 이미지 센서 픽셀의 고감도 동작 영역이 증가함을 알 수 있다.
도 6은 종래기술과 본 발명에서의 이미지 센서의 조도에 따른 출력(미도시)을 비교하여 나타내는 도면이다. 도 6을 참조하면, 종래기술에서는 지점 k1에서 조도에 대한 이미지 센서의 출력은 완만하게 증가하기 시작한다. 이에 반해, 본 발명에서는 지점 k2까지 조도에 대한 이미지 센서의 출력 전압의 기울기는 동일하게 유지한다. 그리고, 지점 k2를 지나면서, 조도에 대한 이미지 센서의 출력 전압은 일정하게 됨을 알 수 있다. 즉, 본 발명의 이미지 센서는 종래기술과 비교하여, 저저도에서는 높은 감도(high sensitivity)를 가지는 반면에, 고조도에서는 낮은 감도(low sensitivity)를 가지게 된다는 것을 알 수 있다. 결론적으로, 본 발명에 따른 이미지 센서 픽셀을 이용하는 이미지 센서는 매우 높은 동작 범위를 가지고 있음을 알 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
상기와 같은 본 발명의 이미지 센서 픽셀에 의하면, 리셋 신호가 "로우"일 때, 리셋 트랜지스터에 인가되는 전압이 문턱 전압 이상이 된다. 따라서, 포토 다이오드에서 과잉(過剩) 발생한 신호 전하가 인접한 픽셀로 흘러가는 블루밍 현상이 현저히 감소한다. 또한, 리셋 신호가 "하이"일 때, 리셋 트랜지스터에 인가되는 전압이 전원 전압보다 문턱 전압 이상이 보다 높게 할 수 있다. 따라서, 플로팅 노드의 전압은 전원 전압(VDD)로 바이어싱되어, 이미지 센서 픽셀의 고감도 동작 범위를 증가할 수 있다.

Claims (3)

  1. 이미지 센서의 픽셀에 있어서,
    신호 전하를 생성하여, 소정의 제1 노드에 제공하는 포토 다이오드;
    오프셋 수신단으로 소정의 제1 리셋 신호를 수신하고, 오프셋 출력단으로 제2 리셋 신호를 발생하는 오프셋 회로로서, 상기 제2 리셋 신호의 전압 레벨의 범위를 제어할 수 있는 상기 오프셋 회로;
    소정의 제2 리셋 신호에 응답하여, 상기 제1 노드의 전압을 상승시키는 리셋 트랜지스터;
    상기 제1 노드 신호에 의하여 게이팅되고, 상기 제1 노드의 전압 레벨에 연동하는 전압 레벨을 가지는 제2 노드를 포함하는 드라이브 트랜지스터; 및
    소정의 라인 선택 신호에 응답하여, 상기 제2 노드의 신호를 전송하는 셀렉터 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 픽셀.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 오프셋 회로는
    상기 오프셋 수신단과 상기 오프셋 출력단 사이에 형성되는 커패시터; 및
    상기 접지 전압과 상기 오프셋 출력단 사이에 형성되며, 상기 제2 리셋 신호의 DC 전압 레벨을 조절할 수 있는 가변 전압부를 구비하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 픽셀.
  3. 제2 항에 있어서, 상기 가변 전압부는
    일측 단자가 상기 접지 전압단과 연결되며, DC 전압을 가변할 수 있는 DC 가변기; 및
    상기 DC 가변기의 타측 단자와 상기 오프셋 출력단 사이에 형성되는 일방향 전류 소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 픽셀.
KR1020000041282A 2000-07-19 2000-07-19 넓은 동작 범위를 가지는 이미지 센서 픽셀 KR100364605B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000041282A KR100364605B1 (ko) 2000-07-19 2000-07-19 넓은 동작 범위를 가지는 이미지 센서 픽셀

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000041282A KR100364605B1 (ko) 2000-07-19 2000-07-19 넓은 동작 범위를 가지는 이미지 센서 픽셀

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020007807A true KR20020007807A (ko) 2002-01-29
KR100364605B1 KR100364605B1 (ko) 2002-12-16

Family

ID=19678697

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000041282A KR100364605B1 (ko) 2000-07-19 2000-07-19 넓은 동작 범위를 가지는 이미지 센서 픽셀

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100364605B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100843663B1 (ko) * 2007-05-02 2008-07-03 주식회사 티엘아이 센싱소자의 면적을 증가시킬 수 있는 이미지 센서 및 이의 구동방법, 그리고, 이미지 센서의 단위픽셀 및 이의 구동방법
KR100977834B1 (ko) * 2007-12-31 2010-08-25 인제대학교 산학협력단 넓은 동적 범위을 갖는 씨모스 이미지 센서
KR20180113506A (ko) * 2016-02-18 2018-10-16 소니 주식회사 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 구동 방법, 및, 전자 기기

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102407036B1 (ko) 2015-11-03 2022-06-10 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이미지 센서의 동작 방법
KR102546197B1 (ko) 2016-07-25 2023-06-21 에스케이하이닉스 주식회사 단위 픽셀 장치 및 그 동작 방법
CN106340514B (zh) * 2016-11-01 2017-10-10 京东方科技集团股份有限公司 一种有源像素传感器、驱动电路及驱动方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100218270B1 (ko) * 1996-06-28 1999-09-01 윤종용 이미지 센서 시스템
JP3915161B2 (ja) * 1997-03-04 2007-05-16 ソニー株式会社 ブルーミング防止構造を備えた固体撮像素子のダイナミックレンジ拡大方法とその固体撮像素子
KR100246355B1 (ko) * 1997-09-09 2000-03-15 김영환 어드밴스드 포토 시스템의 픽셀구조
JP4200545B2 (ja) * 1998-06-08 2008-12-24 ソニー株式会社 固体撮像素子およびその駆動方法、並びにカメラシステム
JP2000152090A (ja) * 1998-11-06 2000-05-30 Sony Corp 固体撮像装置
KR100284309B1 (ko) * 1998-12-30 2001-03-02 김영환 이미지 센서에서의 리셋 전압을 자동으로 조절하기 위한 리셋전압 조절 장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100843663B1 (ko) * 2007-05-02 2008-07-03 주식회사 티엘아이 센싱소자의 면적을 증가시킬 수 있는 이미지 센서 및 이의 구동방법, 그리고, 이미지 센서의 단위픽셀 및 이의 구동방법
KR100977834B1 (ko) * 2007-12-31 2010-08-25 인제대학교 산학협력단 넓은 동적 범위을 갖는 씨모스 이미지 센서
KR20180113506A (ko) * 2016-02-18 2018-10-16 소니 주식회사 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 구동 방법, 및, 전자 기기

Also Published As

Publication number Publication date
KR100364605B1 (ko) 2002-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6054704A (en) Driven capacitor storage pixel sensor and array
US7110030B1 (en) Solid state image pickup apparatus
US20020020863A1 (en) CMOS active pixel for improving sensitivity
JP4825982B2 (ja) 固体撮像素子及びその信号読み出し方法
KR100542171B1 (ko) 블루밍방지구조를구비한고체촬상소자의구동방법
US8717475B2 (en) Image pickup apparatus
US5861621A (en) Photosensor circuit having an initial setting unit
KR20030004350A (ko) 판독시 누설이 감소된 부트스트랩핑 증폭을 하는 능동픽셀센서
US7919993B2 (en) Correlated double sampling circuit
CN100490166C (zh) 可感知的、光接收范围宽的半导体摄像器件
JP4061326B2 (ja) 広いダイナミックレンジを有する画像受光デバイス
US5912483A (en) Output circuit provided with source follower circuit having depletion type MOS transistor
KR100364605B1 (ko) 넓은 동작 범위를 가지는 이미지 센서 픽셀
KR100436074B1 (ko) 안정한 저전압동작이 가능한 증폭형 고체촬상장치용출력회로
US20040109074A1 (en) Image sensor and optical pointing system using the same
US7486322B2 (en) Light sensor circuit having source/drain voltage changing-over circuit to minimize afterglow
US7573017B2 (en) Pixel sensors using nonlinear capacitance with logarithmic characteristics
US7088393B1 (en) Output-compensated buffers with source-follower input structure, methods of operating same, and image capture devices using same
KR100977834B1 (ko) 넓은 동적 범위을 갖는 씨모스 이미지 센서
JP3596130B2 (ja) 昇圧回路、これを搭載した固体撮像装置
US7646048B2 (en) CMOS image sensor
JP2003174596A (ja) 固体撮像装置用出力回路
KR19980034554A (ko) 반도체 메모리 장치의 내부 전원 전압 발생 회로
JP4503955B2 (ja) 固体撮像装置およびカメラ
JP3142943B2 (ja) 固体撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120925

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131025

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141125

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150924

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161025

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171025

Year of fee payment: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181025

Year of fee payment: 17

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191125

Year of fee payment: 18