KR20020007590A - 배기 압력 측정기를 갖는 식각 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 식각 반응실과 배기 펌프에 연결된 배기관에 배기 압력 측정기를 설치하여 배기 압력을 감시하는 식각 장치에 관한 것이다. 본 발명의 목적은 배기관 내의 배기 압력을 항상 일정하게 유지하기 위해서 배기 압력을 감시하는데 있다. 이러한 목적을 달성하기 위해서 본 발명은 식각 반응실, 제 1 배기관에 의해서 식각 반응실과 직렬로 연결되는 터보 펌프, 제 2 배기관에 의해서 터보 펌프와 직렬로 연결되는 드라이 펌프 및 제 3 배기관에 의해서 드라이 펌프와 직렬로 연결되는 가스 스크러버로 이루어지는 식각 장치에 있어서, 제 1 배기관, 제 2 배기관 및 제 3 배기관 중 최소한 두 개의 배기관에 배기 압력 측정기가 설치되는 것을 특징으로 하는 배기 압력 측정기를 갖는 식각 장치를 제공한다.
Description
본 발명은 배기 압력 측정기를 갖는 식각 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 식각 반응실과 배기 펌프에 연결된 배기관에 배기 압력 측정기를 설치하여 배기 압력을 감시하는 식각 장치에 관한 것이다.
반도체 장치는 박막 공정, 사진 공정, 식각 공정 등을 수 회 내지 수십 회 반복하여 제조된다. 이러한 공정 중에서 특히 금속 박막을 식각하는 공정에서는 식각 후 발생하는 불순물 입자를 제거하기 위해서 배기 펌프를 사용한다. 이러한불순물 입자는 식각 반응실에서 식각을 할 때 발생하는 가스에서 비롯된다. 따라서, 배기 펌프를 사용하여 가스를 식각 반응실 외부로 배출시키는데, 배기관 내부에 가스가 증착되면 배기 능력의 감소가 발생하게 된다.
배기 능력의 감소를 방지하기 위해서 증착된 폴리머는 주기적으로 제거된다. 그런데, 폴리머가 배기관에 증착되는 상태를 알 수 없으면 어느 시점에서 폴리머를 제거하여야 하는지 예상하기가 어렵고, 증착된 폴리머로 인한 배기 능력 감소로 식각 불량이 발생하게 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 배기관 내의 배기 압력을 항상 일정하게 유지하기 위해서 배기 압력을 감시하는데 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 식각 장치를 나타내는 개략도이다.
<도면의 주요 부호에 대한 설명>
10; 식각 장치 12; 식각 반응실
14; 터보 펌프 16; 드라이 펌프
18; 가스 스크러버 20, 22, 24; 배기 압력 측정기
30, 32, 34; 신호 발생기
이러한 목적을 달성하기 위해서 본 발명은 식각 반응실, 제 1 배기관에 의해서 식각 반응실과 직렬로 연결되는 터보 펌프, 제 2 배기관에 의해서 터보 펌프와 직렬로 연결되는 드라이 펌프 및 제 3 배기관에 의해서 드라이 펌프와 직렬로 연결되는 가스 스크러버로 이루어지는 식각 장치에 있어서, 제 1 배기관, 제 2 배기관 및 제 3 배기관 중 최소한 두 개의 배기관에 배기 압력 측정기가 설치되는 것을 특징으로 하는 배기 압력 측정기를 갖는 식각 장치를 제공한다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세히 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 식각 장치를 나타내는 개략도이다.
도 1을 참조하면, 식각 장치(10)는 식각 반응실(12), 터보 펌프(Turbo Pump; 14), 드라이 펌프(Dry Pump; 16), 가스 스크러버(Gas Scrubber; 18), 배기 압력 측정기(20, 22, 24) 및 신호 발생기(30, 32, 34)로 이루어진다.
식각 반응실(12)에서는 반도체 기판 위에 증착된 금속 박막 등에 대한 식각 공정이 이루어진다. 식각 공정 중 발생된 가스는 터보 펌프(14), 드라이 펌프(16) 등과 같은 배기 펌프에 의해서 식각 반응실(12)로부터 배출되고, 가스 스크러버(18)에서 환경 오염을 방지하기 위한 안전한 상태로 처리된다.
식각 반응실(12)과 터보 펌프(14)는 배기관(13)에 의해서 연결된다. 터보 펌프(14)와 드라이 펌프(16)는 배기관(15)에 의해서 연결된다. 드라이 펌프(16)와 가스 스크러버(18)는 배기관(17)에 의해서 연결된다. 식각 반응실(12), 터보 펌프(14), 드라이 펌프(16), 가스 스크러버(18)는 직렬로 연결된다.
식각 반응실(12), 터보 펌프(14), 드라이 펌프(16) 및 가스 스크러버(18)를 연결하는 배기관(13, 15, 17)에는 배기 압력 측정기(20, 22, 24)가 설치된다. 배기 압력 측정기(20, 22, 24)는 최소한 두 군데 설치된다. 즉, 식각 반응실(12)과 터보 펌프(14) 사이, 터보 펌프(14)와 드라이 펌프(16) 사이 또는 드라이 펌프(16)와 가스 스크러버(18) 사이 중에서 두 군데를 선택하여 배기 압력 측정기(20, 22, 24)를 설치한다.
식각 반응실(12)에서 발생된 가스가 증착되어 배기관(13, 15, 17)이 막히는 경우, 배기관 내의 압력은 정상적인 경우보다 높아진다. 따라서, 배기관(13, 15, 17)이 막혀서 배기 펌프(14, 16)의 배기 능력이 감소하는지 여부는 배기 압력 측정기(20, 22, 24)에서 측정한 배기 압력을 통해서 알 수 있다. 배기관(13, 15, 17)을 청소하여야 할 정도로 배기 능력이 감소할 때의 배기관(13, 15, 17) 내 배기 압력을 기준값으로 하여, 배기 압력 측정기(20, 22, 24)에서 측정한 압력이 이 기준값 이상이 되면 배기관(13, 15, 17)을 청소하여 증착된 폴리머를 제거한다.
배기 압력 측정기(20, 22, 24)의 상태는 작업자가 주기적으로 감시할 수도 있지만, 신호 발생기(30, 32, 34)를 배기 압력 측정기(20, 22, 24)에 설치하여 감시하는 것이 바람직하다. 배기 압력 측정기(20, 22, 24)에서 기준값 이상의 압력이 측정되면, 신호 발생기(30, 32, 34)에서 배기관 청소 신호가 발생된다. 이러한 신호에 의해서 작업자는 배기관(13, 15, 17)을 청소하여할 시기를 알 수 있다. 배기관 청소 신호는 여러 개의 신호 발생기(30, 32, 34)에서 측정한 압력 중에서 가장 큰 값이 기준값을 초과하는 경우 발생한다.
따라서, 본 발명에 따르면 배기관이 막혀서 배기 능력이 감소하기 전에 배기관을 청소할 수 있으므로 배기 불량으로 인한 식각 불량을 방지할 수 있다.
Claims (3)
- 식각 반응실, 제 1 배기관에 의해서 상기 식각 반응실과 직렬로 연결되는 터보 펌프, 제 2 배기관에 의해서 상기 터보 펌프와 직렬로 연결되는 드라이 펌프 및 제 3 배기관에 의해서 상기 드라이 펌프와 직렬로 연결되는 가스 스크러버로 이루어지는 식각 장치에 있어서,상기 제 1 배기관, 상기 제 2 배기관 및 상기 제 3 배기관 중 최소한 두 개의 배기관에 배기 압력 측정기가 설치되는 것을 특징으로 하는 배기 압력 측정기를 갖는 식각 장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 식각 장치는 신호 발생기를 더 포함하며, 상기 배기 압력 측정기에서 소정의 수치 이상의 압력을 측정하면 상기 신호 발생기는 배기관 청소 신호를 발생하는 것을 특징으로 하는 배기 압력 측정기를 갖는 식각 장치.
- 제 2항에 있어서, 상기 배기관 청소 신호는 복수 개의 상기 신호 발생기 중에서 가장 큰 수치의 압력을 측정한 신호 발생기에서 발생하는 것을 특징으로 하는 배기 압력 측정기를 갖는 식각 장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020000040963A KR20020007590A (ko) | 2000-07-18 | 2000-07-18 | 배기 압력 측정기를 갖는 식각 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020000040963A KR20020007590A (ko) | 2000-07-18 | 2000-07-18 | 배기 압력 측정기를 갖는 식각 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR20020007590A true KR20020007590A (ko) | 2002-01-29 |
Family
ID=19678416
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1020000040963A KR20020007590A (ko) | 2000-07-18 | 2000-07-18 | 배기 압력 측정기를 갖는 식각 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR20020007590A (ko) |
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- 2000-07-18 KR KR1020000040963A patent/KR20020007590A/ko not_active Application Discontinuation
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