JP2002118099A - モニタリング装置、プロセス装置、モニタリング方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents

モニタリング装置、プロセス装置、モニタリング方法および半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JP2002118099A
JP2002118099A JP2000308960A JP2000308960A JP2002118099A JP 2002118099 A JP2002118099 A JP 2002118099A JP 2000308960 A JP2000308960 A JP 2000308960A JP 2000308960 A JP2000308960 A JP 2000308960A JP 2002118099 A JP2002118099 A JP 2002118099A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sensor data
operation state
sensor
types
determining
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000308960A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigenori Isozaki
茂則 磯崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2000308960A priority Critical patent/JP2002118099A/ja
Publication of JP2002118099A publication Critical patent/JP2002118099A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 正確な機器の稼動状態の判断が可能となるよ
うなモニタリング方法を提供すること。 【解決手段】 センサA1〜B3からの出力であるセン
サデータを記憶し、このセンサデータごとにしきい値を
設定し、2種類以上のセンサデータが、各センサデータ
に対応するしきい値を越えたときにのみ、プロセス機器
A、Bの稼動状態が異常であると判断するように構成さ
れている異常判断部16とを備えていることを特徴とす
るモニタ10。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、モニタリング装
置、モニタリング方法および半導体装置の製造方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】プロセス機器は、多くのセンサを使って
適切に機器が稼動するようにフィードバック制御が行わ
れる。例えば、半導体装置の製造に用いられるエッチン
グ装置の場合、高周波電源の電圧・電流、反応室内の圧
力・温度等がそれぞれセンサで常時検出され、これらセ
ンサからの出力に基づいて装置制御が行われる。こうし
た装置の制御方法としては、しきい値を設定してフィー
ドバック制御を行う方法が頻繁に用いられる。すなわち
センサからの出力がしきい値を超えた場合に、しきい値
を越えないようにプロセス機器へ制御命令がなされるこ
とにより正常な稼動が補償されることとなる。例えば、
反応室内の圧力について所定のしきい値を予め設定して
おき、反応室内の圧力が何らかの事情により高くなって
しきい値を越えた場合には、圧力をしきい値以下の水準
にするために、ターボ分子ポンプの回転数を高くするよ
うな制御命令がプロセス機器になされることとなる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらランダム
ノイズの影響、センサの老朽化、サンプリングレートな
どのセンシング方法等が原因となって機器の稼動状態が
異常ではないのに、センサからの出力が一時的にしきい
値を越えるような場合もある。このような場合、上述し
た制御方法によれば、しきい値を越えたことを是正する
ために所定の制御命令がなされることになるが、実際の
稼動状態は異常ではないので、かかる制御は却って悪影
響を及ぼす場合があり、場合によっては機器停止等の重
大な自体を招きかねない。そこで本発明は、より正確な
機器の稼動状態の判断が可能となるようなモニタリング
方法等を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、装置の稼動状
態を示す複数種類の情報を検知するセンサから前記情報
の種類ごとに出力されるセンサデータに基づいて、前記
装置の稼動状態を判断するモニタリング装置において、
前記センサデータの種類ごとに所定の判定基準を記憶す
るための記憶手段と、前記各センサデータが、このセン
サデータに対応する前記判定基準を満足するか判断する
ための第1の判断手段と、前記第1の判断手段により前
記センサデータごとに得られる判断結果に基づいて前記
装置の稼動状態を判断する第2の判断手段と、を備える
ことを特徴とするモニタリング装置である。また、前記
記憶手段に記憶される判定基準は所定のしきい値で示さ
れており、前記第2の判断手段は、少なくとも2種類の
前記センサデータについて前記しきい値を越えている場
合に前記装置の稼動状態が異常であると判断するように
構成されていることを特徴とする前記モニタリング装置
である。また、装置の稼動状態を示す複数種類の情報を
検知するセンサから前記情報の種類ごとに出力されるセ
ンサデータに基づいて、前記装置の稼動状態を判断する
モニタリング装置において、前記センサデータの種類ご
とに第1のしきい値を記憶する手段と、少なくとも2種
類の前記センサデータについて、このセンサデータごと
に第2のしきい値を記憶する手段と、前記センサデータ
が前記第1のしきい値を超えた状態を異常と判断するよ
うに構成されている第1の判断手段と、前記センサデー
タのうち、少なくとも2種類の前記センサデータがこの
センサデータに対応する前記第2のしきい値を越えた状
態を異常と判断するように構成されている第2の判断手
段と、を備えていることを特徴とするモニタリング装置
である。
【0005】また、プロセス機器と、このプロセス機器
の稼動状態を示す複数種類の情報を検知するためのセン
サと、このセンサから前記情報の種類ごとに出力される
センサデータに基づいて前記プロセス機器の稼動状態を
判断するモニタリング装置とを備えるプロセス装置にお
いて、前記センサは、検知する情報の種類ごとに複数種
類備わっており、前記モニタリング装置は、前記センサ
データの種類ごとに所定の判定基準を記憶するための記
憶手段と、前記各センサデータが、このセンサデータに
対応する前記判定基準を満足するか判断するための第1
の判断手段と、前記第1の判断手段により前記センサデ
ータごとに得られる判断結果に基づいて前記装置の稼動
状態を判断する第2の判断手段と、を備えることを特徴
とするモニタリング装置である。また、装置の稼動状態
を示す複数種類の情報を検知するセンサから前記情報の
種類ごとに出力されるセンサデータに基づいて、前記装
置の稼動状態を判断するモニタリング方法において、前
記センサデータの種類ごとに所定の判定基準を記憶する
記憶工程と、前記各センサデータが、このセンサデータ
に対応する前記判定基準を満足するか判断するための第
1の判断工程と、前記第1の判断工程により前記センサ
データごとに得られる判断結果に基づいて前記装置の稼
動状態を判断する第2の判断工程と、を備えることを特
徴とするモニタリング方法である。
【0006】また、装置の稼動状態を示す複数種類の情
報を検知するセンサから前記情報の種類ごとに出力され
るセンサデータに基づいて、前記装置の稼動状態を判断
するモニタリング方法において、前記センサデータの種
類ごとに第1のしきい値を記憶する第1の記憶工程と、
少なくとも2種類の前記センサデータについて、このセ
ンサデータごとに第2のしきい値を記憶する第2の記憶
工程と、前記センサデータが前記第1のしきい値を超え
た状態または前記センサデータのうち、少なくとも2種
類の前記センサデータがこのセンサデータに対応する前
記第2のしきい値を越えた状態になった場合に前記装置
の稼動状態を異常であると判断する工程と、を備えてい
ることを特徴とするモニタリング方法である。また、装
置の稼動状態を示す複数種類の情報を検知するセンサか
ら前記情報の種類ごとに出力されるセンサデータに基づ
いて、前記装置の稼動状態の判断を行うモニタリング方
法において、前記センサデータのうち、2種類以上の前
記センサデータが前記センサデータごとに予め設定され
ているしきい値を越えたときにのみ前記装置の稼動状態
が異常であると判断する工程を備えることを特徴とする
モニタリング方法である。
【0007】また、装置の稼動状態を示す複数種類の情
報を検知するセンサから前記情報の種類ごとに出力され
るセンサデータに基づいて、前記装置の稼動状態の判断
を行うモニタリング方法において、前記センサデータの
うち、2種類以上の前記センサデータが前記センサデー
タごとに予め設定されている所定の数値範囲の値をとっ
たときにのみ、前記装置の稼動状態が異常であると判断
する第2の工程と、を備えることを特徴とするモニタリ
ング方法である。また、プロセス機器を用いて半導体装
置を製造する半導体装置の製造方法において、前記プロ
セス機器の稼動状態を示す複数種類の情報を検知するセ
ンサからの出力であるセンサデータを逐次取り込む工程
と、前記取り込まれたセンサデータのうち、2種類以上
の前記センサデータが所定の値をとったときにのみ前記
プロセス機器の稼動状態が異常であると判断する第2の
工程と、前記第2の工程の判断結果に基づいて前記プロ
セス機器の制御を行う第3の工程と、を備えることを特
徴とする半導体装置の製造方法である。
【0008】
【発明の実施の形態】(発明の第1の実施の形態)本発
明の第1の実施の形態を図面を用いて説明する。図1
は、本発明に係るモニタリング装置を、製造ラインを構
成する複数のプロセス機器に接続して実施する場合の構
成を示した図である。製造ラインを構成する製造機器
は、プロセス機器Aとプロセス機器Bという2つの機器
から構成されている。プロセス機器A、Bにはそれぞれ
センサA1、A2、A3とB1、B2、B3が内蔵され
ている。各センサA1〜B3は分岐コネクタ9a〜9f
を経由して製造機器の外部のモニタ10へ配線により接
続されている。図に示されるように、モニタリング装置
であるモニタ10は、各センサA1〜B3から出力され
る信号処理順に、アナログ/デジタル変換部12、デー
タ収集部13、データ取出部14、データ抽出部15、
異常判断部16および処理部17が順次接続される構成
となっている。以下これら各構成要素について説明す
る。アナログ/デジタル変換部12は、各センサからの
出力を取り込みデジタル変換した後、これらセンサデー
タをデータ収集部13に出力する。データ収集部13
は、センサA1〜B3ごとにセンサデータを記憶する。
図2にセンサA1から得られるセンサデータの一例を示
す。横軸はデータ数、縦軸はデータ値を示す。同じプロ
セスが繰り返し行われているのでセンサデータも同じ波
形が繰り返し現れる。
【0009】データ取出し部は、データ収集部13に記
憶されるセンサデータの中から、1プロセス分のデータ
を取り出す。この取り出し方法は、パターンマッチング
の方法を用いて行う。すなわち、予め1プロセス分のセ
ンサデータをテンプレートとして記憶しておき、センサ
データの中からテンプレートに類似する部分を取り出す
ことが行われる。データ抽出部15では、1プロセス分
のセンサデータの中から異常判断を行う対象となる部分
が抽出される。図3はセンサデータの抽出方法を示した
図である。図に示されるように、予めしきい値を設定し
ておき、センサデータのうちデータ値がしきい値以上に
なった部分が抽出される。このようにセンサデータの抽
出がセンサA1〜B3ごとに行われることになる。異常
判断部16では、抽出されたセンサデータを対象にして
異常判断が行われる。予め異常判断用のしきい値をセン
サA1〜B3ごとに設定しておき、少なくとも2種類の
センサデータについてしきい値を越えた時に異常が発生
したと判断する。図4は異常判断の方法を示した図であ
る。センサA1に対応するセンサデータのみがしきい値
を超えたとき(データ番号i〜j)においては、他のい
ずれのセンサに対応するセンサデータはしきい値を超え
ない。したがってこの場合は異常が発生したとは判断さ
れない。しかしながら、図に示されるようにセンサA1
に対応するセンサデータおよびセンサA2に対応するセ
ンサデータがそれぞれしきい値を超えたときデータ番号
(k〜l)には、異常が発生したと判断されることとな
る。なお、これらしきい値は、過去に得られたセンサデ
ータと、その時のプロセス機器の稼動とを比較して適切
な値が設定される。より詳細には、プロセス機器の稼動
状態が異常であると判断されるときに複数のセンサデー
タが突出して大きなセンサデータを取るような場合に、
その突出して大きなセンサデータよりも小さく、かつ通
常得られるセンサデータよりも大きい値をしきい値とし
て設定する。
【0010】異常が発生したと判断された場合、処理部
17により制御命令が製造ラインにフィードバックされ
て、プロセス機器を停止する等の処置が取られることと
なる。上述したように、機器に異常が発生する場合に
は、複数のセンサからの出力に異常が現れる点に着目
し、 複数のセンサからのセンサデータを連携させて、
プロセス機器の稼動状態を判断する構成とした。これに
より、正確な稼動状態の判断が可能となる。したがっ
て、誤判断に伴う機器動作等が減少してより効率の良い
機器の稼動が可能となる。なお、本発明は本実施の形態
に記載された内容に限定されないことはいうまでも無
い。例えば、本実施の形態においては、異常判断用のし
きい値をセンサデータごとに一つ用いたが、上限しきい
値と、下限しきい値を設定して、センサデータがこのし
きい値の間の値を取るときを正常な稼動と判断するよう
な構成としても良い。また、下限しきい値のみを設定し
たり、センサデータの種類によって上限しきい値と下限
しきい値を適宜設定するようにすることも当然可能であ
る。また、センサデータをしきい値が越えた状態が所定
時間経過した場合に、異常と判断するような構成として
も良い。また、上限しきい値を2つ設定して、1つ目の
しきい値を越えたときには警告が報知されるのみで、2
つ目のしきい値を越えた時に機器にフィードバック制御
がなされるような構成としても良い。
【0011】また、1種類のセンサデータに対応して大
小2種類のしきい値を設定し、小さい方のしきい値につ
いては上記と同様に複数種類のセンサデータがそれぞれ
に対応する小さい方のしきい値を越えた場合に異常と判
断する一方、大きいしきい値については単独のセンサデ
ータが越えた場合でも異常と判断するような構成として
も良い。この場合、単独のセンサデータについてあまり
に異常な値が得られた場合も装置の稼動状態が異常と判
断するのでより信頼性の高いモニタリングが可能とな
る。また、センサデータの組み合わせによって異なるし
きい値を設定しても良い。たとえばセンサデータXとセ
ンサデータYの組み合わせについてそれぞれしきい値を
設定し、共に各しきい値を越えた場合に異常と判断する
一方、センサデータXとセンサデータZの組み合わせに
ついて別途異なるしきい値をそれぞれ設定し、共にその
しきい値を越えた場合に異常と判断するような構成とし
ても良い。この場合、組み合わせごとに異なるしきい値
の設定が可能となるのでセンサデータの相関性に合わせ
てしきい値を設定することによりより精度の高いモニタ
リングが可能となる。また、かかる組み合わせは2種類
のセンサデータに限られず3種類以上でも良い。より具
体的に以下に説明する。たとえば、センサの種類がA1
〜Anまでn個ある場合に、過去の出力結果などからセ
ンサAiとAjからの出力が連動して異常値をとったと
きに異常が発生するといったようなことがわかっている
場合は、センサAiとAjからの出力がともにしきい値
を越えた場合を、異常と判断し、異なる組み合わせであ
るAiとAkからの出力がともにしきい値を越えた場合
には、異常と判断しないような構成としても良い。ま
た、組み合わせによってしきい値を異なる設定とするこ
とも当然可能である。たとえばセンサAiとAjの組み
合わせについては、しきい値をS1とS2とそれぞれ設
定し、Aiからの出力がS1を越え、かつ、Ajからの
出力がS2を越えた場合に異常と判断し、AiとAkの
組み合わせについては、しきい値をS3とS4と設定
し、Aiからの出力がS1を越え、かつ、Akからの出
力がS3を越えた場合に異常と判断するような構成とし
ても良い。また、これら異常判断のためのしきい値の設
定は、すべてのセンサからの出力について行う必要は当
然無く、一部のセンサからの出力について適用可能であ
ることは言うまでも無い。また、一つのセンサからの出
力が所定のしきい値を越えた場合に異常と判断するよう
な判断機能を付加する構成にしても良い。また、本実施
の形態においては所定のしきい値により異常判断を行っ
たが、所定の範囲を有する異常判定値をセンサデータご
とに設定し、少なくとも2種類のセンサデータが異常判
定値をとったときに機器の稼動状態が異常であると判断
するような構成としても良い。
【0012】また、異常判断はリアルタイムで行うこと
も当然可能である。この場合、センサデータを複数のセ
ンサの種類について逐次取得し、少なくとも2種類のセ
ンサデータが所定のしきい値を越えた場合を異常と判断
するような構成としても良い。また、しきい値は固定値
を用いる場合には限定されず、たとえば変動しきい値を
設定しても良い。また、本発明の適用は種々のプロセス
機器に適用可能であり、例えばスパッタリング装置、エ
ッチング装置、CVD装置など種々の装置に適用可能で
ある。また、製造装置に限られず、検査装置等にも適用
できる。また、本実施の形態においてはプロセス機器の
外部にモニタリング装置を配設する形態について記載さ
れているが、本発明の適用はこの場合に限られず、たと
えばプロセス機器の内部にモニタリング装置を組み込ん
でも良い。また、本実施の形態は、モニタリング装置の
内部にアナログ/デジタル変換部12を配設したが、た
とえばセンサによってデジタル変換されたデータを取り
込むようにしても良い。また、機器の稼動状態を判断し
て、その判断結果に基づいて所定の信号を直接機器に出
力するような構成としても良い。また、センサからの出
力の取り込み方は本実施の形態に限られず、汎用の方法
を用いて種々適用可能である。
【0013】なお本発明における異常とは、普通とは違
う状態であることをいう。すなわち、機器に処置がされ
るような状態に限られず、普通とは違う状態が認識され
るに過ぎない場合も含まれる。その他本発明はこの実施
の形態に限られず種々変形可能である。 (第2の実施の形態)以下本発明の第2の実施の形態に
ついて図面を用いて説明する。モニタリング装置である
モニタ10のハードウェア構成については第1の実施の
形態と同様なので同じ番号を付し説明を省略する。ま
た、このモニタ10は第1の実施の形態と同様にプロセ
ス機器Aとプロセス機器Bに接続されている。また、デ
ータ抽出部15により異常判断の対象となるセンサデー
タの抽出が行われる点についても第1の実施の形態と同
様である。以下本実施の形態の特徴である異常判断の手
法について説明する。異常判断部16には記憶手段が備
わっており、各センサデータに対応して所定の判定基準
が記憶されている。この判定基準はしきい値で示されて
おり、センサデータがそれぞれに対応するしきい値を超
えている場合は、異常判断部16は判定基準が不満足で
あると判断を行う。こうした判断が各センサデータにつ
いて行われる。
【0014】異常判断部16は、こうしてセンサデータ
ごとにえられる判断結果に基づいて総合的に装置の稼動
状態の判断を行う。たとえば少なくとも2種類のセンサ
データについて判定基準が不満足な場合に装置の稼動状
態を異常と判断するように構成される。このようにして
装置の稼動状態が異常であると判断された場合は処理部
17により警告音が鳴る等の処置が行われる。上述した
ように、異常が発生する場合には、複数のセンサからの
出力に相関性を有する異常が現れる点に着目し、複数の
センサからのセンサデータを連携させて、プロセス機器
の稼動状態を判断する構成とした。これにより、正確な
稼動状態の判断が可能となる。したがって、誤判断に伴
う機器動作等が減少してより効率の良い機器の稼動が可
能となる。なお、本実施の形態は第1の実施の形態に示
されている変形例と同様に種々変形可能である。特に判
定基準についてはしきい値で設定される場合に限られ
ず、所定の数値範囲で設定し、センサデータの値がこの
数値範囲外の値のときに判定基準が不満足であると判断
するような構成としても良い。このように数値範囲で設
定することにより、より精度の高い異常判断が可能とな
る。
【0015】(第3の実施の形態)図5は、本発明をプ
ロセス機器としてドライエッチング装置である反応性イ
オンエッチング(RIE)装置に適用した図である。こ
のドライエッチング装置は、エッチング室20と、この
エッチング室20内の下部に設けられシリコンのウエハ
29を保持し陰極となる下部電極23と、この下部電極
23に対向しエッチング室20の上部に設けられ内部が
空洞の陽極となる上部電極22と、この上部電極22の
下面を構成する格子状グリッド32と、上部電極22の
下部に設けられNeボンベ30に接続するガス導入口3
6と、上部電極22の内部に設けられ水平方向に指示さ
れたリング状陰極21と、このリング状陰極21と上部
電極22間に接続された直流電源31と、エッチング室
20に接続されたHBrボンベ24とCl2ボンベ25
とから構成される。なお図6において26はマスフロー
コントローラ、27はブロッキングコンデンサ、28は
高周波電源、35は排気用ポンプである。このように構
成されたドライエッチング装置の動作をシリコン基板の
エッチングを行う場合について説明する。エッチング室
20内は排気用ポンプ35により真空排気され10−2
Pa以下の圧力に保たれ、この圧力は図示しないセンサ
によって常時データが収集されている。また、エッチン
グ室20内にはエッチングガスとしてHBrボンベ24
よりHBrが30SCCMと、Cl2ボンベよりCl2
が10SCCM同時にマスフローコントローラ26を介
して導入される。このマスフローコントローラ26は図
示しないセンサによって、流量データが常時収集されて
いる。
【0016】上部電極22は接地され、表面に被エッチ
ング用のシリコンウエハ29を設置した下部電極23に
ブロッキングコンデンサ27を経由して接続した高周波
電源28より13.56MHz、100Wの高周波電力
を印加すると、エッチング室20内に導入されたHBr
とCl2の混合気体はグロー放電によりプラズマ化され
る。高周波電源28は、図示しないセンサによって電流
値のデータが常時検出される。発生したプラズマ中の電
子の移動度はイオンのそれに比べて非常に大きいので、
電子は接地された陽極である上部電極22に向かって流
れ、その結果として上部電極22と下部電極23の間に
電流が流れてブロッキングコンデンサ27に電荷が蓄積
される。両電極間に高周波電力が印加されたままブロッ
キングコンデンサ27に電荷が蓄積されると、陰極の電
圧効果が生じて下部電極の表面近傍にイオンシース層が
形成される。イオンシース層内では活性な陽イオン粒子
が電界によって加速され、ウエハ29のシリコン露出面
に衝突し、化学反応を生じながらシリコンを反応性エッ
チングする。上記の各センサで収集されたデータは図1
で示した上述のようなモニタ10内の各部によりデータ
処理されて、ドライエッチング機器全体の正常稼動が保
たれる。稼動状態が異常と判定された場合にはそれに伴
う処理命令がなされる。
【0017】このように本発明をエッチング装置に適用
することにより、正確な異常判断がなされるため、誤判
断に伴う装置の停止等が少なくなり、半導体装置の製造
歩留まりが向上する。なお、本発明はエッチング装置の
みに限られず、他のプロセス機器であるスパッタリング
装置やCMP研磨装置などに適用可能であることは言う
までも無い。たとえば半導体の製造ラインに備わるCV
D装置、スパッタリング装置、CMP装置のそれぞれに
本発明に係るモニタリング装置を配設し、それぞれ装置
の稼動状態の判断を行う。そして、例えばCVD装置の
稼動状態が異常と判断された場合には、このときに成膜
されていたロットについては不良の可能性が高いとして
後の工程に流す必要がないと判断できるので、結果的に
半導体装置の製造効率が高くなる。その他本発明は、本
実施の形態に限られず第1の実施の形態と同様に種々変
形可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るモニタリング装置を、製造ライン
を構成する複数のプロセス機器に接続して実施する場合
の構成を示した図。
【図2】センサから得られるセンサデータの一例を示し
た図。
【図3】センサデータの抽出方法の一例を示した図。
【図4】異常判断の方法を示した図。
【図5】本発明を適用したプロセス機器であるドライエ
ッチング装置を示した図。
【符号の説明】
モニタ10、アナログ/デジタル変換部12、データ収
集部13、データ取出部14、データ抽出部15、異常
判断部16。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 装置の稼動状態を示す複数種類の情報を
    検知するセンサから前記情報の種類ごとに出力されるセ
    ンサデータに基づいて、前記装置の稼動状態を判断する
    モニタリング装置において、 前記センサデータの種類ごとに所定の判定基準を記憶す
    るための記憶手段と、 前記各センサデータが、このセンサデータに対応する前
    記判定基準を満足するか判断するための第1の判断手段
    と、前記第1の判断手段により前記センサデータごとに
    得られる判断結果に基づいて前記装置の稼動状態を判断
    する第2の判断手段と、を備えることを特徴とするモニ
    タリング装置。
  2. 【請求項2】 前記記憶手段に記憶される判定基準は所
    定のしきい値で示されており、前記第2の判断手段は、
    少なくとも2種類の前記センサデータについて前記しき
    い値を越えている場合に前記装置の稼動状態が異常であ
    ると判断するように構成されていることを特徴とする請
    求項1記載のモニタリング装置。
  3. 【請求項3】 装置の稼動状態を示す複数種類の情報を
    検知するセンサから前記情報の種類ごとに出力されるセ
    ンサデータに基づいて、前記装置の稼動状態を判断する
    モニタリング装置において、 前記センサデータの種類ごとに第1のしきい値を記憶す
    る手段と、 少なくとも2種類の前記センサデータについて、このセ
    ンサデータごとに第2のしきい値を記憶する手段と、 前記センサデータが前記第1のしきい値を超えた状態を
    異常と判断するように構成されている第1の判断手段
    と、 前記センサデータのうち、少なくとも2種類の前記セン
    サデータがこのセンサデータに対応する前記第2のしき
    い値を越えた状態を異常と判断するように構成されてい
    る第2の判断手段と、 を備えていることを特徴とするモニタリング装置。
  4. 【請求項4】 プロセス機器と、 このプロセス機器の稼動状態を示す複数種類の情報を検
    知するためのセンサと、 このセンサから前記情報の種類ごとに出力されるセンサ
    データに基づいて前記プロセス機器の稼動状態を判断す
    るモニタリング装置とを備えるプロセス装置において、 前記センサは、検知する情報の種類ごとに複数種類備わ
    っており、 前記モニタリング装置は、前記センサデータの種類ごと
    に所定の判定基準を記憶するための記憶手段と、 前記各センサデータが、このセンサデータに対応する前
    記判定基準を満足するか判断するための第1の判断手段
    と、前記第1の判断手段により前記センサデータごとに
    得られる判断結果に基づいて前記装置の稼動状態を判断
    する第2の判断手段と、を備えることを特徴とするモニ
    タリング装置。
  5. 【請求項5】 装置の稼動状態を示す複数種類の情報を
    検知するセンサから前記情報の種類ごとに出力されるセ
    ンサデータに基づいて、前記装置の稼動状態を判断する
    モニタリング方法において、 前記センサデータの種類ごとに所定の判定基準を記憶す
    る記憶工程と、 前記各センサデータが、このセンサデータに対応する前
    記判定基準を満足するか判断するための第1の判断工程
    と、前記第1の判断工程により前記センサデータごとに
    得られる判断結果に基づいて前記装置の稼動状態を判断
    する第2の判断工程と、を備えることを特徴とするモニ
    タリング方法。
  6. 【請求項6】 装置の稼動状態を示す複数種類の情報を
    検知するセンサから前記情報の種類ごとに出力されるセ
    ンサデータに基づいて、前記装置の稼動状態を判断する
    モニタリング方法において、 前記センサデータの種類ごとに第1のしきい値を記憶す
    る第1の記憶工程と、 少なくとも2種類の前記センサデータについて、このセ
    ンサデータごとに第2のしきい値を記憶する第2の記憶
    工程と、 前記センサデータが前記第1のしきい値を超えた状態ま
    たは前記センサデータのうち、少なくとも2種類の前記
    センサデータがこのセンサデータに対応する前記第2の
    しきい値を越えた状態になった場合に前記装置の稼動状
    態を異常であると判断する工程と、を備えていることを
    特徴とするモニタリング方法。
  7. 【請求項7】 装置の稼動状態を示す複数種類の情報を
    検知するセンサから前記情報の種類ごとに出力されるセ
    ンサデータに基づいて、前記装置の稼動状態の判断を行
    うモニタリング方法において、 前記センサデータのうち、2種類以上の前記センサデー
    タが前記センサデータごとに予め設定されているしきい
    値を越えたときにのみ前記装置の稼動状態が異常である
    と判断する工程を備えることを特徴とするモニタリング
    方法。
  8. 【請求項8】 装置の稼動状態を示す複数種類の情報を
    検知するセンサから前記情報の種類ごとに出力されるセ
    ンサデータに基づいて、前記装置の稼動状態の判断を行
    うモニタリング方法において、 前記センサデータのうち、2種類以上の前記センサデー
    タが前記センサデータごとに予め設定されている所定の
    数値範囲の値をとったときにのみ、前記装置の稼動状態
    が異常であると判断する第2の工程と、 を備えることを特徴とするモニタリング方法。
  9. 【請求項9】 プロセス機器を用いて半導体装置を製造
    する半導体装置の製造方法において、 前記プロセス機器の稼動状態を示す複数種類の情報を検
    知するセンサからの出力であるセンサデータを逐次取り
    込む工程と、 前記取り込まれたセンサデータのうち、2種類以上の前
    記センサデータが所定の値をとったときにのみ前記プロ
    セス機器の稼動状態が異常であると判断する第2の工程
    と、 前記第2の工程の判断結果に基づいて前記プロセス機器
    の制御を行う第3の工程と、 を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP2000308960A 2000-10-10 2000-10-10 モニタリング装置、プロセス装置、モニタリング方法および半導体装置の製造方法 Pending JP2002118099A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000308960A JP2002118099A (ja) 2000-10-10 2000-10-10 モニタリング装置、プロセス装置、モニタリング方法および半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000308960A JP2002118099A (ja) 2000-10-10 2000-10-10 モニタリング装置、プロセス装置、モニタリング方法および半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002118099A true JP2002118099A (ja) 2002-04-19

Family

ID=18789197

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000308960A Pending JP2002118099A (ja) 2000-10-10 2000-10-10 モニタリング装置、プロセス装置、モニタリング方法および半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002118099A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114754528A (zh) * 2022-05-13 2022-07-15 珠海格力电器股份有限公司 一种用于冷储设备的运行控制方法、控制装置和冷储设备

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114754528A (zh) * 2022-05-13 2022-07-15 珠海格力电器股份有限公司 一种用于冷储设备的运行控制方法、控制装置和冷储设备
CN114754528B (zh) * 2022-05-13 2023-08-25 珠海格力电器股份有限公司 一种用于冷储设备的运行控制方法、控制装置和冷储设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5910011A (en) Method and apparatus for monitoring processes using multiple parameters of a semiconductor wafer processing system
KR101313912B1 (ko) 이상 검출 시스템, 이상 검출 방법 및 기억 매체
US6656848B1 (en) Plasma chamber conditioning
US20030045007A1 (en) Method of monitoring and/or controlling a semiconductor manufacturing apparatus and a system therefor
US20050212450A1 (en) Method and system for detecting electrical arcing in a plasma process powered by an AC source
US20080285202A1 (en) In situ monitoring of wafer charge distribution in plasma processing
US6826489B2 (en) Fault classification in a plasma process chamber
WO2001099145A1 (en) A method for fault identification in a plasma process
JPH10125660A (ja) プラズマ処理装置、プロセスモニタ方法及び半導体装置の製造方法
JP3893276B2 (ja) プラズマ処理装置
CN101680856A (zh) 质谱分析单元
JP2002299322A (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US6024831A (en) Method and apparatus for monitoring plasma chamber condition by observing plasma stability
JP2002118099A (ja) モニタリング装置、プロセス装置、モニタリング方法および半導体装置の製造方法
JP2004220923A (ja) 異常放電検出装置と検出方法、及び該異常放電検出装置を備えたプラズマ処理装置
JP2001144071A (ja) プラズマ処理方法及びその装置
CN101971300A (zh) 基于废气阻抗的端点检测
US6754552B2 (en) Control apparatus for plasma utilizing equipment
JP2003068717A (ja) 半導体処理装置
US6855209B2 (en) Plasma chamber cleaning
JP4476551B2 (ja) プラズマ処理装置および処理方法
JP2001284201A (ja) モニタリング装置、モニタリングシステムとそれらの方法、並びに半導体装置の製造方法
JP3884894B2 (ja) プラズマエッチング処理装置
JP3137810B2 (ja) マイクロ波プラズマ放電停止検知方法、マイクロ波プラズマ処理方法及びマイクロ波プラズマ処理装置
JP2007214176A (ja) 半導体装置の製造方法及びプラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20050414

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20050606