KR20020002536A - Chip scale package of image sensor - Google Patents
Chip scale package of image sensor Download PDFInfo
- Publication number
- KR20020002536A KR20020002536A KR1020000036739A KR20000036739A KR20020002536A KR 20020002536 A KR20020002536 A KR 20020002536A KR 1020000036739 A KR1020000036739 A KR 1020000036739A KR 20000036739 A KR20000036739 A KR 20000036739A KR 20020002536 A KR20020002536 A KR 20020002536A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- refractive index
- image sensor
- microlens
- layer
- index matching
- Prior art date
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 claims description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 4
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 claims description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000032900 absorption of visible light Effects 0.000 claims 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-AHCXROLUSA-N lead-203 Chemical compound [203Pb] WABPQHHGFIMREM-AHCXROLUSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- HDKLIZDXVUCLHQ-UHFFFAOYSA-N non-3-en-2-one Chemical compound CCCCCC=CC(C)=O HDKLIZDXVUCLHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
Abstract
Description
본 발명은 이미지센서의 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 이미지센서의 칩 스케일 패키지(Chip Scale Package, 이하 CDP라 함)에 관한 것이다.The present invention relates to a package of an image sensor, and more particularly, to a chip scale package (hereinafter referred to as CDP) of an image sensor.
잘 알려진 바와 같이, CSP는 낮은 패키지 가격(Packaging Cost) 및 치밀한 패키지 면적(Dimension) 등으로 일반적인 전기소자 및 광전기소자에 널리 사용되고 있으며, 특히 CMOS 및 CCD 이미지센서 칩 제조 공정의 일환으로 패키지 공정이 이루어진다는 점에서 매우 효과적이기 때문에 이미지센서에 응용도가 매우 높은 패키징 방법이다.As is well known, CSP is widely used in general electric and optoelectronic devices due to its low packaging cost and compact package dimension, and is particularly packaged as part of the CMOS and CCD image sensor chip manufacturing process. It is very effective in that it is a highly applicable packaging method for image sensors.
그런데, 종래의 CSP를 광집속용 마이크로렌즈(Microlens)가 적용된 이미지센서에 응용할 경우, 광집속 효율이 일반적인 패키지에서보다 오히려 떨어지는 문제가 발생하는 바, 이를 이하에서 상세히 설명한다. 먼저, 종래의 CSP 구조에 대해 살펴보고, 이러한 구조에서 왜 마이크로렌즈가 적용된 이미지센서에 CSP를 응용할 경우 광집속 효율이 떨어지는지 그 이유를 살펴본다.However, when the conventional CSP is applied to an image sensor to which a light focusing microlens is applied, a problem occurs that the light focusing efficiency is lower than that of a general package, which will be described in detail below. First, the conventional CSP structure will be described, and why the light focusing efficiency will be reduced when the CSP is applied to the image sensor to which the microlens is applied.
도1은 CSP가 아닌 일반적인 패키지 구조를 보여주고, 도2는 종래의 CSP 구조를 보여준다. 도면부호 100은 이미지센서 칩, 101은 마이크로렌즈, 102는 공기, 103은 플라스틱 또는 세라믹 패키지 바디(body), 104는 글래스 리드, 105는 리드프레임, 201은 제1접착층, 202는 제2접착층, 203은 투명리드(글래스), 204는 CSP 기판을 각각 나타낸다.Figure 1 shows a general package structure other than a CSP, and Figure 2 shows a conventional CSP structure. Reference numeral 100 is an image sensor chip, 101 is a microlens, 102 is air, 103 is a plastic or ceramic package body, 104 is a glass lead, 105 is a lead frame, 201 is a first adhesive layer, 202 is a second adhesive layer, 203 denotes a transparent lead (glass), and 204 denotes a CSP substrate.
도1과 같이 일반적인 패키지는 통상의 제조공정으로 마이크로렌즈(101)까지 형성된 이미지센서(100)를 제조한 다음, 플라스틱 또는 세라믹으로 밀페하여 패키징하는 반면에, 도2와 같이 CSP 구조는 CSP 공정 진행시 이미지센서(100)와 투명 리드(transparent Lid)(203) 사이의 부착력 및 밀페를 위하여 접착층(Adhesive Material)(201)을 적용하게 된다.The general package as shown in FIG. 1 manufactures the image sensor 100 formed up to the microlens 101 in a conventional manufacturing process, and then packages it by sealing it with plastic or ceramic, whereas the CSP structure as shown in FIG. An adhesive layer 201 is applied for adhesion and sealing between the image sensor 100 and the transparent lid 203.
이와 같이 종래의 CSP 방법에서는 공정상 이미지센서 디바이스와 투명 리드 사이에 접착 물질의 적용이 불가피하게 되는데, 이 접착 물질과 마이크로렌즈 물질 간의 굴절율 미스매치(Mismatch)로 인하여 도1의 일반적인 패키지에서보다 광집속 효율이 떨어지게 된다.As such, in the conventional CSP method, an adhesive material is inevitably applied between the image sensor device and the transparent lead in the process, and due to the refractive index mismatch between the adhesive material and the microlens material, the optical material is lighter than in the general package of FIG. Focusing efficiency will be reduced.
즉, 일반적인 패키지 구조에서는 광 투과 경로가 공기/글래스(플라스틱) 리드/공기/마이크로렌즈의 순으로 형성되고, 종래의 CSP에서는 공기/투명리드/접착층/마이크로렌즈 순으로 형성된다.That is, in the general package structure, the light transmitting path is formed in the order of air / glass lead / air / microlens, and in the conventional CSP, air / transparent lead / adhesive layer / microlens is formed.
따라서, 일반적인 패키지에서의 마이크로렌즈의 상대적인 굴절율(Relative Refractive Index)은 아래 수학식 1과 같다. 하기 수학식에서 NMicrolense는 마이크로렌즈 굴절율, NAir는 공기 굴절율, NAdhesive Material 1은 마이크로렌즈 상부의 제1접착층을 각각 나타낸다.Therefore, the relative refractive index of the microlens in the general package is represented by Equation 1 below. In the following equation, N Microlense represents a microlens refractive index, N Air represents an air refractive index, and N Adhesive Material 1 represents a first adhesive layer on an upper portion of the microlens.
이처럼 이미지센서에서 광 집속 효율에 직접적인 영향을 미치는 요인은 마이크로렌즈와 그 바로 위에 형성되는 매질과의 상대적인 굴절율인데, 상기 수학식1 및 수학식2에서 항상 NAir< NAdhesive Material 1이므로 마이크로렌즈를 적용한 이미지센서에 대한 종래의 CSP 구조는 일반적인 패키지에 나쁜 광-전기적 특성을 보이게 된다. 현재까지 개발된 접착 물질은 굴절율(Refractive Index)이 550nm 파장 빛에서 1.50 ∼ 1.60의 값을 가지므로 약 30 ∼ 50 %정도의 특성(External Quantum Efficiency, Sensitivity, Minimum Illumination, Frame rate etc.) 저하가 발생하게 된다.As such, a factor directly affecting the light focusing efficiency of the image sensor is a relative refractive index between the microlens and a medium formed thereon, and since N Air <N Adhesive Material 1 in Equations 1 and 2, The conventional CSP structure of the applied image sensor exhibits poor photo-electric characteristics in a general package. The adhesive materials developed so far have a refractive index of 1.50 to 1.60 in 550 nm wavelength light, so that the degradation of about 30 to 50% (External Quantum Efficiency, Sensitivity, Minimum Illumination, Frame rate etc.) Will occur.
이러한 문제점은 시뮬레이션을 통하여 명확히 이끌어낼 수 있는 바, 도3, 도4 및 도5를 참조하여 이를 구체적으로 살펴본다.This problem can be clearly elicited through a simulation, which will be described in detail with reference to FIGS. 3, 4, and 5.
도3은 일반적인 패키지 구조에서 포토다이오드에 입사되는 광 투과 경로상에 위치하는 각 층들을 보여주고, 도4는 종래의 CSP 구조에서 포토다이오드에 입사되는 광 투과 경로상에 위치하는 각 층들을 보여준다.FIG. 3 shows each layer located on a light transmission path incident on a photodiode in a typical package structure, and FIG. 4 shows each layer located on a light transmission path incident on a photodiode in a conventional CSP structure.
도3을 참조하면, 일반적인 패키지 구조에서는 공기/글래스(플라스틱) 리드(104)/공기(102)/마이크로렌즈(10)/제1평탄화층(16)/칼라필터어레이(15)/제2평탄화층(14)/절연층(13)을 투과하여 광이 포토다이오드(12)에 입사된다. 절연층(13)은 금속증착전절연층, 금속층간절연층 등 다층의 절연층이다. 도면부호 11은 기판이다,Referring to FIG. 3, in the general package structure, air / glass (plastic) lead 104 / air 102 / microlens 10 / first leveling layer 16 / color filter array 15 / second leveling Light is incident on the photodiode 12 through the layer 14 / insulating layer 13. The insulating layer 13 is a multilayer insulating layer such as an insulating layer before metal deposition or an intermetallic insulating layer. Reference numeral 11 is a substrate,
도4를 참조하면, 종래의 CSP 구조에서는 공기/투명리드(203)/제1접착층(201)/마이크로렌즈(101)/제1평탄화층(16)/칼라필터어레이(15)/제2평탄화층(14)/절연층(13)을 투과하여 포토다이오드(12)로 입사된다.Referring to FIG. 4, in the conventional CSP structure, air / transparent lead 203 / first adhesive layer 201 / microlens 101 / first flattening layer 16 / color filter array 15 / second flattening It penetrates the layer 14 / insulating layer 13 and enters the photodiode 12.
상기 두가지 광 경로에서 적용된 각 매질의 굴절율(550nm에서)는 표1과 같다.The refractive index (at 550 nm) of each medium applied in the two optical paths is shown in Table 1.
상기의 두가지 광 경로에서, 일반적인 패키지에서의 광 경로의 경우 마이크로렌즈의 상대적인 굴절율(Relative Refractive Index)은 1.58 정도의 값을 갖으며, 종래의 CSP 구조에서의 경우 마이크로렌즈의 상대적인 굴절율은 1.02 정도의 값을 갖게된다.In the above two optical paths, the relative refractive index of the microlenses is about 1.58 for the optical path in the general package, and the relative refractive index of the microlenses is about 1.02 for the conventional CSP structure. Will have a value.
그러므로, 종래의 CSP를 적용한 이미지센서의 경우 일반적인 패키지를 적용한 이미지센서에 비하여 외부로부터 입사된 광이 최종 포토다이오드로 입사될 수 있는 확률은 매우 적게 된다.Therefore, in the case of the image sensor to which the conventional CSP is applied, the probability that the light incident from the outside can be incident to the final photodiode is very small compared to the image sensor to which the conventional package is applied.
도5는 일반적인 패키지 적용시 이미지센서의 레이 트레이싱(Ray Traching )을 나타내고, 도6은 종래 CSP 적용시 이미지센서의 레이 트레이싱을 나타낸다. 도5 및 도6을 통해서 알수 있듯이 일반적인 패키지에서는 포토다이오드(PD)에 도달하는 광이 93.80%인데 반하여 종래의 CSP에서는 60.80% 밖에 되지 않는다.FIG. 5 shows a ray tracing of the image sensor in a typical package application, and FIG. 6 shows a ray tracing of the image sensor in a conventional CSP application. As can be seen from FIG. 5 and FIG. 6, in the general package, light reaching the photodiode PD is 93.80%, whereas in the conventional CSP, it is only 60.80%.
본 발명은 통상 재질의 마이크로렌즈를 적용하면서도 일반적인 패키지에서 보다 광집속효율을 증대시키는데 적합한 구조를 갖는 이미지센서의 칩 스케일 패키지(CSP)를 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a chip scale package (CSP) of an image sensor having a structure suitable for increasing light focusing efficiency in a general package while applying a microlens of a conventional material.
도1은 CSP가 아닌 일반적인 패키지 구조를 보여주는 단면도.1 is a cross-sectional view showing a general package structure other than a CSP.
도2는 종래의 CSP 구조를 보여주는 단면도.2 is a cross-sectional view showing a conventional CSP structure.
도3은 일반적인 패키지 구조에서 포토다이오드에 입사되는 광 투과 경로상에 위치하는 각 층들을 보여주는 단면도.3 is a cross-sectional view showing each layer located on a light transmission path incident on a photodiode in a general package structure.
도4는 종래의 CSP 구조에서 포토다이오드에 입사되는 광 투과 경로상에 위치하는 각 층들을 보여주는 단면도.Fig. 4 is a sectional view showing each layer located on a light transmission path incident on a photodiode in a conventional CSP structure.
도5는 일반적인 패키지 적용시 이미지센서의 레이 트레이싱(Ray Traching )을 나타내는 도면.5 is a view showing Ray Traching of the image sensor when applying a typical package.
도6은 종래 CSP 적용시 이미지센서의 레이 트레이싱을 나타내는 도면.6 is a view showing the ray tracing of the image sensor when applying the conventional CSP.
도7은 본 발명에 따른 CSP 구조를 나타내는 단면도.7 is a sectional view showing a CSP structure according to the present invention;
도8은 도7에서 포토다이오드로 입사되는 광 경로를 나타내는 도면.FIG. 8 is a view showing an optical path incident on a photodiode of FIG. 7; FIG.
도9는 본 발명의 CSP 적용시 이미지센서의 레이 트레이싱을 나타내는 도면.9 is a view showing the ray tracing of the image sensor when applying the CSP of the present invention.
상기 목적을 달성하기 위하여 안출된 본 발명은, 최상부층에 마이크로렌즈를 갖는 이미지센서 칩을 패키지하기 위한 투명리드 및 상기 투명리드와 상기 이미지센서 칩 사이의 부착력 및 밀폐를 위하여 그 사이에 개재되는 접착층을 구비하는 이미지센서 칩스케일패키지(CSP)에 있어서, 상기 접착층과 상기 마이크로렌즈 사이에 개재되어 상기 마이크로렌즈상에 상기 마이크로렌즈의 단차를 따라 일정두께로 형성되며, 상기 접착층을 통해 상기 마이크로렌즈로 입사되는 광의 상대적인 굴절율 값을 증가시키기 위한 굴절율매칭층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a transparent lead for packaging an image sensor chip having a microlens on an uppermost layer, and an adhesive layer interposed therebetween for adhesion and sealing between the transparent lead and the image sensor chip. In the image sensor chip scale package (CSP) having a, interposed between the adhesive layer and the microlens is formed with a predetermined thickness on the microlens along the step of the microlens, through the adhesive layer to the microlens It comprises a refractive index matching layer for increasing the relative refractive index value of the incident light.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the technical idea of the present invention. do.
도7은 본 발명에 따른 CSP 구조를 나타내고, 도8은 도7에서 포토다이오드로 입사되는 광 경로를 나타낸다. 종래의 CSP와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 인용하였다.FIG. 7 shows a CSP structure according to the present invention, and FIG. 8 shows an optical path incident on the photodiode in FIG. The same reference numerals are used for the same components as the conventional CSP.
도7 및 도8을 참조하면, 본 발명에 따른 CSP 구조에서는 마이크로렌즈(101)와 접착층(203) 사이에 굴절율 매칭을 위한 재질의 굴절율매칭층(700)이 개재되어 있다. 즉, 접착층(203)에서 마이크로렌즈(101)로 광이 진행할때 광이 느끼는 상대적인 굴절율 값을 공기에서 마이크로렌즈로 진행할때 광이 느끼는 상대적인 굴절율 1.58 이상의 값을 가질 수 있도록, 접착층(203)과 마이크로렌즈 사이에 마이크로렌즈의 굴절율보다 큰 2.0 이상의 굴절율을 갖는 굴절율매칭층(700)을 형성시킨다.7 and 8, in the CSP structure according to the present invention, a refractive index matching layer 700 of a material for refractive index matching is interposed between the microlens 101 and the adhesive layer 203. In other words, the adhesive layer 203 and the micro so that the relative refractive index value that the light feels when the light proceeds from the adhesive layer 203 to the microlens 101 may have a value of 1.58 or more relative light index when the light is advanced from the air to the microlens 101 A refractive index matching layer 700 having a refractive index of 2.0 or more larger than the refractive index of the microlens is formed between the lenses.
특히 굴절율매칭층(700)은 마이크로렌즈의 반구 형상을 따라 일정두께로 형성되는바, 마이크로렌즈(101) 상에서 굴절율매칭층(700) 역시 반구형상을 갖는다. 이에 의해 접착층(203)에서 굴절율매칭층(700)로 광이 진행할때 광이 느끼는 상대적인 굴절율을 1.58 이상으로 얻을 수 있고, 따라서 적어도 일반적인 패키지에서 보다 높게 최종 포토다이오드로 입사될 수 있는 입사광의 확률을 향상시킬 수 있다.In particular, the refractive index matching layer 700 is formed to have a predetermined thickness along the hemispherical shape of the microlens. The refractive index matching layer 700 also has a hemispherical shape on the microlens 101. As a result, the relative refractive index that the light feels when the light progresses from the adhesive layer 203 to the refractive index matching layer 700 can be obtained to be 1.58 or more, thus at least the probability of incident light that can be incident to the final photodiode higher than in a general package. Can be improved.
굴절율매칭층(700)으로는 2.0 이상의 굴절율을 가지면서 가시광 영역(400nm~700nm)의 광 흡수가 1% 이하인 무기물의 재질을 이용하는 것이 바람직하며, 그런 물질로서 200℃ 이하의 저온 PECVD(Plasma Enhanced CVD)를 이용한 실리콘옥시나이트라이드 또는 실리콘나이트라이드를 예로써 들 수 있다. 또한 200℃이하의 저온 스퍼터링(Sputtering) 또는 200℃ 이하의 저온 전자빔증착법을 이용한 타이타늄옥사이드(TiO2), 지르콘옥사이드(ZrO), 지르코늄옥사이드(ZrO2) 및 징크설파이드(ZnS) 등을 굴절율매칭층으로 사용가능 하다.As the refractive index matching layer 700, it is preferable to use a material of an inorganic material having a refractive index of 2.0 or more and light absorption in the visible region (400 nm to 700 nm) of 1% or less, and as such a material, low temperature PECVD (Plasma Enhanced CVD) of 200 ° C. or less. And silicon oxynitride or silicon nitride using). In addition, a refractive index matching layer may be used for titanium oxide (TiO 2 ), zircon oxide (ZrO), zirconium oxide (ZrO 2 ) and zinc sulfide (ZnS) using low temperature sputtering below 200 ° C. or low temperature electron beam deposition below 200 ° C. Can be used as
도8을 참조하면 본 발명에 따른 이미지센서에서의 광 경로는 공기/투명 리드(203)/접착층(201)/굴절율매칭층(700)/마이크로렌즈(101)/제1평탄화층(16)/칼라필터어레이(15)/제2평탄화층(14)/절연층(13)을 투과하여 포토다이오드(12)로 입사된다.Referring to FIG. 8, the optical path in the image sensor according to the present invention is air / transparent lead 203 / adhesive layer 201 / refractive index matching layer 700 / microlens 101 / first planarization layer 16 /. The color filter array 15, the second planarization layer 14, and the insulating layer 13 penetrate and enter the photodiode 12.
도9는 본 발명의 CSP 적용시 이미지센서의 레이 트레이싱을 나타낸다. 상기 시뮬레이션 결과에 나타난 바와 같이 본 실시예에서 광이 포토다이오드에 도달하는 확률은 97.20%로서 매우 높다.Figure 9 shows the ray tracing of the image sensor when applying the CSP of the present invention. As shown in the simulation results, the probability that light reaches the photodiode in this embodiment is very high as 97.20%.
아래 표2, 표3 및 표4는 앞서 설명한 도5, 도6 및 도9의 시뮬레이션을 위한각 패키지별 조건을 나타내는 것으로, 표2는 패키지별 각 매질의 특성치를, 표3은 레이 트레이싱을 위한 단위화소 조건을, 표4는 레이 트레이싱 결과를 각각 나타낸다.Tables 2, 3, and 4 below show the conditions of each package for the simulations of FIGS. 5, 6, and 9 described above, Table 2 shows characteristics of each medium of each package, and Table 3 shows ray tracing. Table 4 shows the ray tracing results.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical idea of the present invention has been described in detail according to the above preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.
본 발명의 칩 스케일 패키지(CSP)는 알려진 통상 재질의 마이크로렌즈를 적용하면서도 일반적인 패키지 및 종래의 CSP에서 보다 광집속효율을 증대시킨다.The chip scale package (CSP) of the present invention increases the light focusing efficiency of the conventional package and the conventional CSP while applying a known conventional microlens.
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020000036739A KR100623344B1 (en) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | Chip Scale Package of Image Sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020000036739A KR100623344B1 (en) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | Chip Scale Package of Image Sensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20020002536A true KR20020002536A (en) | 2002-01-10 |
| KR100623344B1 KR100623344B1 (en) | 2006-09-11 |
Family
ID=19675052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020000036739A KR100623344B1 (en) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | Chip Scale Package of Image Sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100623344B1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100838288B1 (en) * | 2006-12-05 | 2008-06-17 | 삼성전기주식회사 | Chip on glass and manufacturing method thereof and camera module having the same |
| WO2009079497A1 (en) * | 2007-12-18 | 2009-06-25 | Omnivision Technologies, Inc. | Reflowable camera module with improved reliability of solder connections |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04223371A (en) * | 1990-12-25 | 1992-08-13 | Sony Corp | Solid-state image sensing device |
| JPH04259256A (en) * | 1991-02-14 | 1992-09-14 | Olympus Optical Co Ltd | Solid state image sensor |
| JPH0541506A (en) * | 1991-08-06 | 1993-02-19 | Sony Corp | Solid-state image sensing device provided with microlens |
| JP2823726B2 (en) * | 1992-01-29 | 1998-11-11 | シャープ株式会社 | Clear molded solid-state imaging device |
-
2000
- 2000-06-30 KR KR1020000036739A patent/KR100623344B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100838288B1 (en) * | 2006-12-05 | 2008-06-17 | 삼성전기주식회사 | Chip on glass and manufacturing method thereof and camera module having the same |
| WO2009079497A1 (en) * | 2007-12-18 | 2009-06-25 | Omnivision Technologies, Inc. | Reflowable camera module with improved reliability of solder connections |
| US7911019B2 (en) | 2007-12-18 | 2011-03-22 | Omnivision Technologies, Inc. | Reflowable camera module with improved reliability of solder connections |
| CN101897175B (en) * | 2007-12-18 | 2013-07-24 | 豪威科技有限公司 | Reflowable camera module with improved reliability of solder connections |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100623344B1 (en) | 2006-09-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6040591A (en) | Solid state imaging device having refractive index adjusting layer and method for making same | |
| US20080118241A1 (en) | Control of stray light in camera systems employing an optics stack and associated methods | |
| US6614479B1 (en) | Solid-state image pickup device in-layer lens with antireflection film with intermediate index of refraction | |
| CN102130138B (en) | Image sensor and forming method thereof | |
| TWI809074B (en) | Multi-spectral light sensor | |
| US9761740B2 (en) | Electromagnetic radiation micro device, wafer element and method for manufacturing such a micro device | |
| US20090189055A1 (en) | Image sensor and fabrication method thereof | |
| KR960043255A (en) | Solid state imaging device and manufacturing method thereof | |
| WO2010086926A1 (en) | Optical device and method for manufacturing same | |
| CN101707203A (en) | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof | |
| US20050224694A1 (en) | High efficiency microlens array | |
| US10847664B2 (en) | Optical package and method of producing an optical package | |
| JP2013243364A (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| US20090160002A1 (en) | Image sensor and method for fabricating the same | |
| KR100623344B1 (en) | Chip Scale Package of Image Sensor | |
| US20190330054A1 (en) | Coated optical element component with a coated optical element and method to produce the same | |
| US20050001281A1 (en) | Process to improve image sensor sensitivity | |
| KR20010061335A (en) | Method for fabricating image sensor with improved light transmittance | |
| TW201834230A (en) | Display device | |
| JP2011061133A (en) | Semiconductor image sensor and method of manufacturing the same | |
| US10700221B2 (en) | Microlens having a carrier-free optical interference filter | |
| KR100670536B1 (en) | Image sensor having oxide layer over micro-lens | |
| KR20000044582A (en) | Image sensor | |
| US20230084280A1 (en) | Cover for an infrared detector and a method of fabricating a cover for an infrared detector | |
| US20240038802A1 (en) | Imaging apparatus and manufacturing method for imaging apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20110830 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |