KR200198953Y1 - 래핑 캐리어 인서트 가공용 금형구조 - Google Patents

Abstract

본 고안은 래핑 캐리어 인서트 가공용 금형구조에 관한 것으로, 인서트(16)의 저면을 압착지지하여 펀칭시 밀림 현상을 방지하도록, 하판(22)의 상면 내측 둘레에 돌출부(24)가 형성된 금형구조를 구비하였다.

그러므로, 상판(21)과 하판(22)으로 인서트(16)를 파지시, 하판(22)의 돌출부(24)가 인서트(16)의 저면을 압착지지하여서 상판(21)과 함께 인서트(16)만을 확실하게 파지하므로 인서트(16)의 밀림 현상이 방지되며, 이에 따라 펀칭된 결합구멍(19) 둘레가 매끄럽게 가공되도록 하였다.

Description

래핑 캐리어 인서트 가공용 금형구조{metal mold structure for lapping carrier insert manufacturing}

본 고안은 래핑 캐리어 인서트에 관한 것으로, 특히 인서트의 내경을 가공하기 위한 래핑 캐리어 인서트 가공용 금형구조에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 소재인 웨이퍼(wafer)는 그 표면을 가공하기 위해 래핑 캐리어에 결합된 인서트에 결합시킨 후 상정반과 하정반으로 그 양면을 가공하게 된다.

이러한 웨이퍼를 래핑 캐리어에 지지하여 주는 인서트는, 재질이 나이론6과 그라스화이바12-15%가 혼합되어서 이루어지며, 외주면 둘레에는 요철과 요홈이 반복적으로 형성되어 래핑 캐리어에 안정적으로 결합된다.

그리고 인서트 중앙에는 웨이퍼가 결합지지되도록 결합구멍이 형성되어 있는데, 웨이퍼가 상정반 및 하정반에 의해 가공될시 인서트에 견고히 지지되려면 인서트의 내경이 확실하게 가공되어야 한다.

도1 및 도2는 인서트(5)에 결합구멍(6)을 형성시키기 위한 금형구조를 보이는 개략적 부분 단면도 및 그 확대 단면도로써, 이는 상판(1)과 하판(2), 그리고 펀치(3)로 이루어진다.

먼저, 상판(1)과 하판(2)으로 래핑 캐리어(4) 및 인서트(5)를 파지하고 펀치(3)로 인서트(5)의 중앙을 타격하여서 결합구멍(6)을 형성시킨다.

그런데 이러한 종래 래핑 캐리어 인서트 가공용 금형구조는, 상판(1)과 하판(2)이 래핑 캐리어(4)의 표면과 직접 접촉하여 압착하는 방식으로써, 압착 압력이 래핑 캐리어(4)의 표면에 전체적으로 작용하여 펀칭시 인서트(5)의 밀림현상을 제대로 잡아주지 못하였고, 이에 따라 펀칭된 하단부가 매끄럽지 못하게 절단되며 뜯김 현상이 발생하였으며, 제품 가공시 불량 제품 생산의 원인으로 작용하였다.

상술한 문제를 해결하기 위한 본 고안의 목적은, 인서트 부분만 압착하여서 펀칭시 밀림 현상을 방지하도록 한 래핑 캐리어 인서트 가공용 금형구조를 제공하는데 있다.

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 고안 래핑 캐리어 인서트 가공용 금형구조는, 인서트를 파지하는 상판 및 하판과, 인서트의 중앙부분을 펀칭하여 결합구멍을 형성시키는 펀치로 이루어진 래핑 캐리어 인서트 가공용 금형구조에 있어서, 인서트의 저면을 압착지지하여 펀칭시 밀림 현상을 방지하도록, 하판의 상면 내측 둘레에 돌출부가 형성된 것을 특징으로 한다.

따라서, 상판과 하판으로 인서트를 파지시, 하판의 돌출부가 인서트의 저면을 압착지지하여서 상판과 함께 인서트만을 확실하게 파지하므로 인서트의 밀림 현상이 방지되며, 이에 따라 펀칭된 결합구멍 둘레가 매끄럽게 가공되는 등의 효과가 있다.

도1 및 도2는 종래 인서트 가공용 금형구조 및 그 문제점을 보이는 개략적 부분 단면도들

도3은 래핑 캐리어가 설치된 상태를 보이는 개략적 평면도

도4는 래핑 캐리어에 인서트가 결합된 상태를 보이는 부분 확대도

도5 및 도6은 본 고안 래핑 캐리어 인서트 가공용 금형구조 및 그 장점을 보이는 개략적 부분 단면도들

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*

12 ; 래핑 캐리어 16 ; 인서트

19 ; 결합구멍 20 ; 웨이퍼

21 ; 상판 22 ; 하판

24 ; 돌출부 25 ; 펀치

본 고안의 구체적 특징 및 이점은 첨부된 도면을 참조한 이하의 설명으로 더욱 명확해 질 것이다.

도3은 일반적인 래핑 캐리어의 인서트가 설치된 상태를 보이는 평면도이고, 도4는 그 부분 확대도로써, 상정반과 하정반 사이에 구비되는 몸체(11)에는 다수의 래핑 캐리어(12)가 한조를 이루도록 설치되어 있고, 몸체(11) 중앙에는 외부의 동력에 의해 회전되는 회전체(13)가 구비되어 래핑 캐리어(12)의 치형(14)에 각각 치합되어 있다.

이러한 래핑 캐리어(12)에는 다수의 관통구멍(15)이 형성되어 있어 이에 인서트(16)가 결합되는바, 이는 재질이 나이론66과 그라스화이바13％ ±2％의 혼합으로 이루어져 외주면 둘레에는 요철(17)과 요홈(18)이 반복적으로 형성되어 있으며, 요철(17)과 요홈(18)은 60-80°의 각을 이룬다.

그리고 인서트(16)의 중앙에는 결합구멍(19)이 형성되어 있어 이에 반도체 소재인 웨이퍼(20)를 결합시키도록 되어 있다.

여기서 인서트(16)의 중앙에는 웨이퍼(20)를 결합시키기 위해 결합구멍(19)이 형성되는바, 도5는 인서트(16) 중앙에 결합구멍(19)을 형성시키기 위한 본 고안 금형구조를 보인 개략적 단면도이다.

이는 래핑 캐리어(12) 및 인서트(16)의 상면을 압착하는 상판(21)이 구비되고, 상판(21)과 대응되도록 작동되는 하판(22)이 구비된다.

하판(22)은 상면(23) 내측 둘레에 돌출부(24)가 형성되어 있어 인서트(16)의 저면에 접촉지지된다.

그리고 상판(21)과 하판(22)의 중앙에는 인서트(16)에 결합구멍(19)을 형성시키도록 펀치(25)가 설치되어 있다.

이러한 구성의 본 고안 래핑 캐리어 인서트 가공용 금형구조는, 상판(21)과 하판(22) 사이에 인서트(16)가 결합된 래핑 캐리어(12)를 위치시키고, 상판(21)과 하판(22)을 승강시켜서 이들을 파지하게 되는바, 상판(21)은 래핑 캐리어(12) 및 인서트(16) 전체에 밀착지지되며, 하판(22)은 돌출부(24)에 의해 인서트(16)의 저면에만 밀착지지된다.

이와 같은 상태는 상판(21)과 하판(22)의 돌출부에 의해 이들의 압착력이 인서트(16)에만 집중되므로 인서트(16)의 중앙을 펀치(25)로 가공할시 인서트(16)가 밀리지 않게 된다.

따라서 펀칭시 인서트(16)의 밀림 현상이 방지되고, 이에 따라 가공된 결합구멍(19)이 매끄럽게 가공되어 불량이 발생되지 않는다.

그러므로 본 고안 래핑 캐리어 인서트 가공용 금형구조는, 하판(22) 상면 내측 둘레에 돌출부(24)를 형성시키는 간단한 고안으로 인서트(16)를 확실하게 파지할 수 있게 되었고, 이에 따라 펀칭시 불량 발생을 제거하였다.

이상에서와 같은 본 고안에 따른 래핑 캐리어 인서트 가공용 금형구조에 의하면, 상판(21)과 하판(22)으로 인서트(16)를 파지시, 하판(22)의 돌출부(24)가 인서트(16)의 저면을 압착지지하여서 상판(21)과 함께 인서트(16)만을 확실하게 파지하므로 인서트(16)의 밀림 현상이 방지되며, 이에 따라 펀칭된 결합구멍(19) 둘레가 매끄럽게 가공되는 등의 효과가 있다.

Claims (1)

1. 인서트를 파지하는 상판 및 하판과, 상기 인서트의 중앙부분을 펀칭하여 결합구멍을 형성시키는 펀치로 이루어진 래핑 캐리어 인서트 가공용 금형구조에 있어서,

   인서트(16)의 저면을 압착지지하여 펀칭시 밀림 현상을 방지하도록, 하판(22)의 상면 내측 둘레에 돌출부(24)가 형성된 것을 특징으로 하는 래핑 캐리어 인서트 가공용 금형구조.