KR200190122Y1 - 마그네트론의 배기파이프와 안테나캡 결합구조 - Google Patents

Abstract

본 고안은 마그네트론의 배기파이프와 안테나캡 결합구조에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 상기 배기파이프의 구조를 개선하여 안테나캡의 결합을 용이하게 한 마그네트론의 배기파이프와 안테나캡 결합구조에 관한 것이다.

즉, 상기 배기파이프의 하단을 내측으로 절곡시켜 배기파이프의 하단으로 흘러내린 은(Ag)도금물질이 그 내부에 집적되게 하므로서 마그네트론의 동작중에 배기파이프로부터 안테나캡이 이탈되는 것을 방지함은 물론이고, 마그네트론의 출력 및 주파수를 일정하게 유지시킨 마그네트론의 배기파이프와 안테나캡 결합구조를 제공함에 그 목적이 있으며, 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 고안은 마그네트론의 세라믹관 상단에 배기파이프를 결합시킨 다음, 배기파이프의 외주연에 안테나캡을 결합시킴에 있어서, 상기 배기파이프(8b)의 하단을 내측으로 절곡시켜 배기파이프(8b)의 하단으로 흘러내린 은(Ag)도금물질이 그 내부에 집적되게 한 다음, 상기 배기파이프(8b)의 외주연에 안테나캡(8c)을 결합시킨 것을 특징으로 한 것이다.

Description

마그네트론의 배기파이프와 안테나캡 결합구조

본 고안은 마그네트론의 배기파이프와 안테나캡에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 상기 배기파이프의 구조를 개선하여 안테나캡의 결합을 용이하게 한 마그네트론의 배기파이프와 안테나캡 결합구조에 관한 것이다.

일반적인 마그네트론의 구조를 첨부도면 도 1를 참고로 설명하면 다음과 같다. 에노드(2)와, 상기 에노드(2) 중심축에 열전자를 방출하는 필라멘트(1)와, 상기 에노드(2) 내측에 방사상으로 형성된 복수매인 베인(3)과, 상기 에노드(2) 상단과 하단에 설치되어 자기력선을 생성하는 마그네트(5)와, 상기 마그네트(5)로 부터 자기력선을 인가받아 수직 방향으로 자계를 형성시키는 상부폴피스 및 하부폴피스(4)와, 상기 베인(3)에 용접되어 전자기파를 외부로 돌출하는 안테나(8) 등으로 구성된다.

여기에서, 상기 안테나(8)의 설치구조를 상세히 설명하면, 도 2와 같이 세라믹관(8a)의 상단에 안테나(8)의 상단이 고정된 배기파이프(8b)가 용접되고, 상기 배기파이프(8b)의 외주연에 안테나캡(8c)이 끼움결합된다.

그러나, 종래에는 세라믹관(8a)의 상단에 배기파이프(8b)를 용접할 때 배기파이프(8b)의 하단 외측방으로 은(Ag)도금물질이 흘러내려 배기파이프(8b)의 외주면에 안테나캡(8c)이 삽입되지 못하므로서, 마그네트론의 동작중에 배기파이프(8b)로부터 안테나캡(8c)이 이탈될 뿐만 아니라, 마그네트론의 출력 및 주파수가 일정하게 유지되지 못하는 등의 문제점이 있었다.

본 고안은 상기와 같은 문제점을 감안하여 창출한 것으로서, 상기 배기파이프의 하단을 내측으로 절곡시켜 배기파이프의 하단으로 흘러내린 은(Ag)도금물질이 그 내부에 집적되게 하므로서 마그네트론의 동작중에 배기파이프로부터 안테나캡이 이탈되는 것을 방지함은 물론이고, 마그네트론의 출력 및 주파수를 일정하게 유지시킨 마그네트론의 배기파이프와 안테나캡 결합구조를 제공함에 그 목적이 있다.

도 1은 일반적인 마그네트론의 단면도.

도 2는 종래 배기파이프와 안테나캡의 결합구조를 보인 요부 측단면도.

도 3은 본 고안에 따른 배기파이프와 안테나캡의 결합구조를 보인 요부 측단면도.

＜도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명＞

8:안테나 8a:세라믹관

8b:배기파이프 8c:안테나캡

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 고안은 마그네트론의 세라믹관 상단에 배기파이프를 결합시킨 다음, 배기파이프의 외주연에 안테나캡을 결합시킴에 있어서, 상기 배기파이프의 하단을 내측으로 절곡시켜 배기파이프의 하단으로 흘러내린 은(Ag)도금물질이 그 내부에 집적되게 한 다음, 상기 배기파이프의 외주연에 안테나캡을 결합시킨 것을 특징으로 한다.

본 고안의 바람직한 일 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 3은 본 고안에 따른 배기파이프와 안테나캡의 결합구조를 보인 요부 측단면도이다. 도 1과 동일 구성요소는 동일 부호를 사용하여 본 고안을 설명한다.

먼저, 세라믹관(8a)의 상단에 안테나(8)의 상단이 고정되는 배기파이프(8b)를 설치하되, 상기 배기파이프(8b)의 하단을 내측으로 절곡시킨다.

그런 다음, 상기 세라믹관(8a)의 상단에 배기파이프(8b)를 얹은 다음, 상기 배기파이프(8b)에 전원을 인가시켜 그 표면의 은도금물질을 녹인다. 이렇게 녹은 은도금물질은 배기파이프(8b)를 타고 흘러내리다가 세라믹관(8a)과 배기파이프(8b)의 사이에 형성되어진 홈부에 집적된다.

이때, 상기 배기파이프(8b)의 외주연에서 세라믹관(8a)의 상단까지 안테나캡(8c)을 끼움결합시킨다.

이상의 설명은 본 고안의 일 실시예에 불과하며, 본 고안의 구성은 그 요지범위 내에서 얼마든지 그 변경이 가능하다.

상기와 같이 구성된 본 고안의 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.

상기 안테나(8)의 설치구조를 상세히 설명하면, 세라믹관(8a)의 상단에 안테나(8)가 결합된 배기파이프(8b)를 설치한 다음, 상기 배기파이프(8b)에 전원을 인가시켜 그 표면의 은도금물질을 녹여 용접한다.

이때, 열에 의해 녹은 은도금물질이 배기파이프(8b)를 타고 흘러내리다가 세라믹관(8a)과 배기파이프(8b)의 사이에 형성되어진 홈부에 집적된다.

그런 다음, 상기 배기파이프(8b)의 외주연에 안테나캡(8c)을 끼움결합시키게 되면, 세라믹관(8a)의 상단까지 안테나캡(8c)이 접촉되므로서 마그네트론의 동작중에 배기파이프(8b)로부터 안테나캡(8c)이 이탈되는 것을 방지할 수 있게 되며, 또한 배기파이프(8b)와 안테나캡(8c)이 상호 밀착되므로서 마그네트론의 출력 및 주파수를 일정하게 유지시킬 수 있게 된다.

따라서, 본 고안은 상기 배기파이프(8b)의 하단을 내측으로 절곡시켜 배기파이프(8b)의 하단으로 흘러내린 은(Ag)도금물질이 그 내부에 집적되게 하므로서 마그네트론의 동작중에 배기파이프(8b)로부터 안테나캡(8c)이 이탈되는 것을 방지함은 물론이고, 마그네트론의 출력 및 주파수를 일정하게 유지시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (1)

1. 마그네트론의 세라믹관 상단에 배기파이프를 결합시킨 다음, 배기파이프의 외주연에 안테나캡을 결합시킴에 있어서,

   상기 배기파이프(8b)의 하단을 내측으로 절곡시켜 배기파이프(8b)의 하단으로 흘러내린 은(Ag)도금물질이 그 내부에 집적되게 한 다음, 상기 배기파이프(8b)의 외주연에 안테나캡(8c)을 결합시킨 것을 특징으로 하는 마그네트론의 배기파이프와 안테나캡 결합구조.