KR930006440Y1 - 전자렌지용 마그네트론의 양극부구조 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

전자렌지용 마그네트론의 양극부구조

제1도는 종래의 마그네트론 측 단면도.

제2도는 종래의 양극부 구조 단면도.

제3도는 본 고안의 마그네트론 측 단면도.

제4도는 본 고안의 양극부 일부 사시도.

제5도는 본 고안에 의한 베인 구조 사시도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

7 : 양극본체 8 : 베인

23A, 23B : 요홈

본 고안은 전자렌지용 마그네트론에 관련된 것으로서 이것은 특히 마그네트론의 양극부를 조립하는 데 있어서 양극부의 일부인 베인과 양극 본체가 접촉되는 부위에 요홈을 형성하여 브레이징이 효과적으로 이루어지도록 하는데 적당하도록 한 마그네트론의 양극부 구조에 관한 것이다.

일반적으로 마그네트론의 구성은 도면 제1도에서와 같이 금속으로된 원통 형상의 양극본체(7) 내벽에 판형상의 베인(8)을 방사상으로 배열하여 베인과 양극본체가 접촉되는 상단면에 링형상의 실버링(21)을 올려 놓고 고온분위기 속에서 상기 실버링(21)을 녹여 그 액체가 베인 (8)과 양극 본체(7)의 접촉면을 따라 흘러들게 하여 브레이징하는 방법으로 조립한다.

이때 환 형상의 스트랩인너(9) 및 스트랩아웃더(10)를 은도금한 상태로 조립하여 상기 실버링(21)의 브레이징시 동시에 녹아서 베인(8)에 붙도록 한다.

이와 같은 방법으로 조립된 양극부의 중심축 선상에 음극부인 필라멘트 (12)를 센타리드(Center lead)(14)와 사이드리드(Side lead)(15)로 지지받는 상엔드쉴드(End shield)(11) 및 하엔드쉴드(13)로 고착하고 상기 양극본체의 상, 하측면에 금속으로 된 접시모양의 영구자석(6)(16)을 대칭으로 조립하며 그 상단면 및 하단면에는 금속원통형상의 에이쉴(A-Seal)(5)과 에프쉴(P-Seal)(17)을 고착한다.

또한 상기 베인(8)의 일단에 안테나 리드(4)를 고정하여 에이쉴(5)을 통과하고 에이세라믹(3) 중심축선을 따라 배기관(1)에 연결토록 하여 최종적으로 배기 서포터(2)의 외주에 금속원통형상의 캡 안테나를 조립고착토록 되어 있다.

이렇게 구성되는 종래 마그네트론에서는 양극본체(7)에 방사상으로 배열된 베인과베인사이에는 고주파 전계가 형성되고 특히 필라멘트(12)에 가까운 쪽의 베인의 종단에는 인접된 베인간의 간격이 좁아 강한 고주파전계가 형성되며 한편 전기적으로 사이드 리드(15) 및 센터리드(14)와 도통하고 있는 터미널(19) (20)을 통하여 일정의 전류를 인가하여 필라멘트(12)를 가열하면 필라멘트(12)로부터 열전자가 방출되어 이 열전자는 필라멘트(12)와 베인(8) 사이에 인가된 직류 고전압 및 에이쉴(5)과 에프쉴(17)의 상단면 및 하단면에 조립되는 영구자석 (6)(16)에 의해 작용공간(22)에 형성되는 일정의 자속분포의 영향을 받아 작용공간 내에서 전자가 가속 회전하게 되고 베인(8)과 베인 사이의 고주파 전계의 위상속도와 전자의 회전 속도가 동기 되었을 때 전자가 갖고 있는 에너지가 고주파 전계 내로 이동하여 마이크로 에너지로 변환된 후 안테나리드(4)를 통하여 외부로 방출하게 된다.

그러나 이와 같은 종래 마그네트론은 도면 제2도의 양극부 구조에서와 같이 베인(8)의 상단면에 양극본체(7)의 내벽에 이어지는 링 현상의 실버링(21)을 위치시켜 브레이징할 경우 실버링(21)이 녹아 균등하게 각 베인(8)과 양극본체 (7)사이로 녹아들어가지 않고 인접된 베인에 집중적으로 녹아 들어가 브레이징 되지 않는 부분이 생기기도 하며 과브레이징되어 불필요하게 베인(8)의 하단부 이하로 흘러내리는 경우가 발생하고 또 브레이징시 조립지그에 녹아 붙는 현상이 발생하기도 하여 이를 방지하기 위해 양극 본체(7)의 하단부에 일정크기의 요홈 (23)을 형성시켜 녹아내리는 실버액을 모아주기도 하였으나 이것으로는 브레이징 되지 않는 부분이 생기는 문제점을 해결할 수가 없없다.

본 고안은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것으로 이는 특히 양극본체와 베인 사이에 실버링을 위치시켜 브레이징할 때 브레이징되는 실버링의 평형 및 과브레이징시 실버량을 모아주기 위한 요홈을 양극본체 내벽과 그에 접촉되는 베인의 측면 단부에 형성시킴을 특징으로 하는 것이다.

즉 도면 제3도 및 제5도에서와 같은 형태로 양극부를 구성하는 양극본체( 7)에 고주파 전계로 형성시키기 위해 방사상으로 배열되는 각 베인(8)에는 양극본체(7)와 접촉되는 그 측면단부에 과브레이징시 실버액을 모아 주기 위한 요홈(23A)을 형성하며, 이 요홈(23A)에 대응하는 위치의 양극본체(7) 내벽에는 용융되어 흘러내리는 실버액의 좌,우 평형을 유지해 주기 위한 요홈(23B)를 형성하여 구성한다.

이와 같이 구성되는 본 고안은 그 작용과 효과가 다음과 같다.

베인(8)의 상단면에 링 형상의 실버링(21)을 올려놓고 고온분위기 속에서 일정시간 경과시키면 실버링이 용융되어 베인(8)과양극본체(7)가 접촉되어 있는 면을 따라 상부에서 하부로 녹아들어가게 되고, 이에 따라 녹아들어가는 실버량은 접촉면을 메우기 되며 이때 남은 실버는 베인(8)의 요홈(23A)에 모아지게 되고 양극본체(7)의 요홈(23B)을 따라 좌우로 퍼지게 된다.

이에 인접된 베인(8)에 집중적으로 녹아들어 가더라도 녹은 실버량은 양극본체(7)의 요홈(23B)을 통하여 좌,우 평형을 이루게 되므로 브레이징 되지 않는 부분이 생기질 않게 되며, 또 과브레이징시 베인(8)의 하단부까지 흘러내리기 이전에 베인(8)의 측면 단부의 요홈(23A)을 다라 실버량이 모아져서 좌우로 퍼지게 되므로 베인(8)의 하단부까지 실버가 흘러내리는 것을 방지하게 된다.

따라서 본 고안은 베인이 양극본체와 접촉되는 부위에 요홈을 주어 양극본체에 요홈을 형성시키는 것과 같은 효과를 도모함으로써 실버 브레이징시 불평형으로 인해 브레이징되지 않는 부분이 생기는 문제점을 해결할 수 있으며, 또한 한곳의 베인에 과브레이징되어 실버가 베인의 하단부까지 녹아내리는 문제점을 개선할 수 있는 것이다.

Claims (1)

1. 전자렌지용 마그네트론의 양극본체(7)에 고주파 전계를 형성시키기 위해 방사상으로 배열되는 베인(8)이 구비된 양극부 구조에 있어서, 상기 각 베인(8)의 양극본체(70와 접촉되는 측면단부에 과브레이징시 실버액을 모아주기 위한 요홈(23A)을 형성하며, 이 요홈(23A)에 대응하는 위치의 양극본체(7) 내벽에는 용융되어 흘러내리는 실버액의 좌,우 평형을 유지하기 위한 요홈(23B)을 형성하여 구성하는 것을 특징으로 하는 전자렌지용 마그네트론의 양극부 구조.