KR200182977Y1

KR200182977Y1 - Gain control circuit for low noise amplifier

Info

Publication number: KR200182977Y1
Application number: KR2019990028735U
Authority: KR
Inventors: 정춘남
Original assignee: 엘지정보통신주식회사
Priority date: 1999-12-18
Filing date: 1999-12-18
Publication date: 2000-05-15

Abstract

본 고안은 저잡음 증폭기 이득조정회로에 관한 것으로서, 송수신시, 송신신호와 수신신호를 각기 대역 필터링하는 듀플렉스; 하나의 다이오드와 스위칭 소자를 구비하여 상기 스위칭 소자의 동작에 의해 상기 듀플렉스로부터의 신호를 감쇄 가능케 하는 스위칭부; 및 상기 스위칭부로부터의 입력신호에 근거하여, 입력되는 잡음을 최대한으로 억제하여 출력시키는 저잡음 증폭부를 포함하는 점에 그 특징이 있다.The present invention relates to a low noise amplifier gain adjusting circuit, which includes a duplex for band-pass filtering a transmission signal and a reception signal when transmitting and receiving; A switching unit having a diode and a switching element to attenuate a signal from the duplex by an operation of the switching element; And a low noise amplifier which suppresses and outputs the noise inputted to the maximum, based on the input signal from the switching unit.

또한 상기와 같은 본 고안에 의하면 많은 소자들을 필요로 하는 기존의 LNA 스위칭 회로를 사용하지 않고, 1개의 핀 다이오우드와 1개의 스위칭 회로를 사용함으로써 회로를 간소화시킬수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention as described above, it is possible to simplify the circuit by using one pin diode and one switching circuit, without using a conventional LNA switching circuit requiring many devices.

Description

Gain Control Circuit for Low Noise Amplifiers

본 고안은 저잡음 증폭기 이득 조정 회로에 관한 것으로서, 특히 휴대폰에서 하나의 핀(PIN) 다이오우드를 이용하여 상호 변조 일그러짐(Intermodulation Distort -ion, 이하, IMD라함) 특성을 개선시킬 수 있는 저잡음 증폭기(Low Noise Amplifi -er, 이하, LNA라함) 이득 조정 회로에 관한 것이다.The present invention relates to a low noise amplifier gain adjustment circuit. In particular, a low noise amplifier (Low Noise) can improve intermodulation distortion (IMD) using a single pin diode in a mobile phone. Amplifi-er, hereinafter referred to as LNA).

도 1은 종래의 LNA 이득 조정 회로의 구성을 나타낸 회로도이다.1 is a circuit diagram showing the configuration of a conventional LNA gain adjustment circuit.

도 1을 참조하면, 종래의 LNA 이득 조정 회로는 4개 혹은 2개 이상의 핀 다이오우드를 사용하기 때문에, LNA 온(ON)시에는 2개의 다이오우드가 동작하여 -104 dBm 근처의 수신 레벨을 갖는 최대 수신 레벨을 갖는다.Referring to FIG. 1, since the conventional LNA gain adjustment circuit uses four or two or more pin diodes, when the LNA is turned on, two diodes operate to obtain a maximum reception having a reception level near -104 dBm. Have a level.

그리고, LNA 오프(OFF)시에는 다른 2개의 다이오우드를 동작시켜 -95 dBm 근처의 수신 레벨을 갖는다.When the LNA is off, the other two diodes are operated to have a reception level near -95 dBm.

또한, 주변에 핀 다이오우드를 동작시키기 위한 스위칭 회로로 구성되어 있다.In addition, it is composed of a switching circuit for operating the pin diode around.

종래 기술의 방식은, 도 1과 같이, LNA 온 시에는 2개의 핀 다이오우드를 이용하여 수신신호가 LNA 에서 일정 이득 (+14dB - +20dB) 을 갖게 하고, LNA 오프 시에는 수신신호의 레벨이 LNA 오프 패스를 통하게 됨으로써, LNA를 사용하지 않는 방식이다.In the prior art scheme, as shown in FIG. 1, two pin diodes are used when the LNA is on, so that the received signal has a constant gain (+14 dB-+20 dB) in the LNA, and when the LNA is off, the level of the received signal is LNA. By going off-pass, the LNA is not used.

그러나, 이러한 종래 기술은 4개의 다이오우드와 스위칭 회로를 사용하는 방식이므로, LNA를 온/오프시킬 때, 4개의 핀 다이오우드와 이 핀 다이오우드를 동작시키기 위한 스위칭 회로를 필요로 하게 되므로, 많은 소자들로 구성되어야 하는 문제점이 있었다.However, since this conventional technique uses four diodes and a switching circuit, when the LNA is turned on / off, it requires four pin diodes and a switching circuit for operating the pin diodes. There was a problem that had to be configured.

본 고안은 위와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 휴대폰에서 하나의 핀 다이오우드를 이용하여 상호 변조 일그러짐 특성을 개선시킬 수 있는 LNA 이득 조정 회로를 제공함에 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide an LNA gain adjustment circuit that can improve intermodulation distortion characteristics using a single pin diode in a mobile phone.

도 1은 종래의 저잡음 증폭기 이득조정회로의 구성을 나타낸 회로도.1 is a circuit diagram showing a configuration of a conventional low noise amplifier gain adjustment circuit.

도 2는 본 고안에 따른 저잡음 증폭기 이득조정회로의 구성을 나타내는 회로도.2 is a circuit diagram showing the configuration of a low noise amplifier gain adjustment circuit according to the present invention;

〈 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of the code | symbol about the principal part of drawing>

10, 11 : 듀플렉스 20, 21 : 저잡음 증폭부10, 11: duplex 20, 21: low noise amplifier

30, 31 : 스위칭부30, 31: switching unit

상기 목적을 달성하기 위한 본 고안에 따른 저잡음 증폭기 이득 조정 회로는, 송수신시, 송신신호와 수신신호를 각기 대역 필터링하는 듀플렉스; 하나의 다이오드와 스위칭 소자를 구비하여 상기 스위칭 소자의 동작에 의해 상기 듀플렉스로부터의 신호를 감쇄 가능케 하는 스위칭부; 및 상기 스위칭부로부터의 입력신호에 근거하여, 입력되는 잡음을 최대한으로 억제하여 출력시키는 저잡음 증폭부를 포함하는 점에 그 특징이 있다.A low noise amplifier gain adjustment circuit according to the present invention for achieving the above object, the duplex for transmitting and receiving the transmission signal and the received signal, respectively; A switching unit having a diode and a switching element to attenuate a signal from the duplex by an operation of the switching element; And a low noise amplifier which suppresses and outputs the noise inputted to the maximum, based on the input signal from the switching unit.

바람직하게는, 상기 스위칭부(31)는 2개의 저항, 2개의 인덕터, 다이오우드, 캐패시터, 트랜지스터의 직병렬 조합회로로 구성됨을 특징으로 한다.Preferably, the switching unit 31 is composed of a series-parallel combination circuit of two resistors, two inductors, a diode, a capacitor, and a transistor.

도 2는 본 고안에 따른 저잡음 증폭기 이득조정회로의 구성을 나타내는 회로도이다.2 is a circuit diagram showing the configuration of a low noise amplifier gain adjustment circuit according to the present invention.

도 2를 참조하면, 본 고안에 따른 저잡음 증폭기 이득조정회로는 송수신시, 송신신호와 수신신호를 각기 대역 필터링하는 듀플렉스(11), 상기 듀플렉스(11)로부터 입력되는 신호를 스위칭하여 출력하는 스위칭부(31), 상기 스위칭부(31)로부터의 입력신호에 근거하여, 입력되는 잡음을 최대한으로 억제하여 출력시키는 저잡음 증폭기(21)등으로 구성된다.Referring to FIG. 2, a low noise amplifier gain adjusting circuit according to the present invention includes a duplex 11 for band-pass filtering a transmission signal and a reception signal, and a switching unit for switching and outputting a signal input from the duplex 11 during transmission and reception. (31) and a low noise amplifier (21) for suppressing and outputting the noise to be input to the maximum based on the input signal from the switching unit (31).

여기서, 상기 스위칭부(31)는 제1, 제2 저항(R1, R2), 제1, 제2 코일(L1, L2), 핀 다이오우드(D1), 제4 캐패시터 (C4), 제1 트랜지스터(Q1)의 직병렬 조합회로로 구성된다.The switching unit 31 may include first and second resistors R1 and R2, first and second coils L1 and L2, a fin diode D1, a fourth capacitor C4, and a first transistor. Q1) is composed of a series-parallel combination circuit.

상기와 같이 구성되는 본 고안의 동작을 상세히 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the subject innovation configured as described above in detail.

1개의 핀 다이오우드를 사용하여 제1 트랜지스터(Q1)의 베이스의 전압이 하이 레벨일때, 핀 다이오우드(D1)는 동작하지 않으며, 수신신호 레벨에 영향을 주지 않고 신호의 레벨이 직접 LNA(21)에 전달된다.When the voltage of the base of the first transistor Q1 is high level by using one pin diode, the pin diode D1 does not operate, and the level of the signal is directly applied to the LNA 21 without affecting the received signal level. Delivered.

반면, 제1 트랜지스터(Q1)의 베이스의 전압이 로우 레벨이 되면, 핀 다이오우드(D1)는 동작하여 LNA 입력수신 레벨을 감쇄시키는 제4 캐패시터(C4)가 부정합이 되어 LNA 입력수신 레벨을 일정량만큼 감쇄시킨다.On the other hand, when the voltage at the base of the first transistor Q1 becomes low, the pin diode D1 operates to attenuate the fourth capacitor C4, which attenuates the LNA input reception level, thereby causing the LNA input reception level by a predetermined amount. Attenuate

이상에 대해 설명을 부연해 보기로 한다.The above explanation will be explained further.

제1 트랜지스터(Q1)의 베이스의 전압이 하이 레벨인 경우와 로우 레벨인 경우에 따라 LNA 이득이 조정된다.The LNA gain is adjusted according to the case where the voltage of the base of the first transistor Q1 is high level and low level.

먼저, 제1 트랜지스터(Q1)의 베이스에 고전압(3 V)이 인가될 때에는, 콜렉터가 저전위로 되어 핀 다이오우드(D1)의 음극에 전압이 인가되지 않아 핀 다이오우드(D1)는 동작하지 않고, 듀플렉스에서 나온 수신신호가 직접 LNA(21)에 들어간다.First, when a high voltage (3 V) is applied to the base of the first transistor (Q1), the collector becomes low potential and no voltage is applied to the cathode of the pin diode (D1), so the pin diode (D1) does not operate and is duplexed. The received signal from the signal enters the LNA 21 directly.

이때, LNA(21)는 실제 핀 다이오우드(D1)에 영향을 받지 않고 있기 때문에 최대 수신 레벨을 가질수 있다.At this time, since the LNA 21 is not affected by the actual pin diode D1, the LNA 21 may have a maximum reception level.

한편, 제1 트랜지스터(Q1)의 베이스에 저전압(0 V)이 인가될 때에는, 콜렉터가 고전위로 되어 핀 다이오우드(D1)가 도통되어 제4 캐패시터(C4) 값에 따라 듀플렉스에서 수신신호의 레벨을 감쇄시킨다.On the other hand, when the low voltage (0 V) is applied to the base of the first transistor (Q1), the collector becomes high potential and the pin diode (D1) is conducted to increase the level of the received signal in the duplex according to the value of the fourth capacitor (C4). Attenuate

그리고, 초크 코일인 제2 코일(L2)을 통한 직류 전압은 제1 저항(R1)의 저항값에 따라 핀 다이오우드(D1)의 전류를 조정한다.In addition, the DC voltage through the second coil L2, which is the choke coil, adjusts the current of the pin diode D1 according to the resistance value of the first resistor R1.

이때, 전체 수신 레벨은 -95 dBm 정도를 만족할 수 있으며, 방해파 신호가 강할때 IMD 특성을 개선시킬 수 있다.In this case, the overall reception level may satisfy about -95 dBm, and when the jammer signal is strong, the IMD characteristic may be improved.

이상의 설명에서와 같이, 본 고안은 많은 소자들을 필요로 하는 기존의 LNA 스위칭 회로를 사용하지 않고, 1개의 핀 다이오우드와 1개의 스위칭 회로를 사용함으로써, 회로를 간소화시킬수 있는 효과가 있다.As described above, the present invention does not use the existing LNA switching circuit that requires many devices, and there is an effect that the circuit can be simplified by using one pin diode and one switching circuit.

또한, 본 고안은 휴대폰에서 하나의 핀 다이오우드를 이용하여 상호 변조 일그러짐 특성을 개선시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect of improving the intermodulation distortion characteristics by using a single pin diode in the mobile phone.

Claims

A duplex for band-pass filtering a transmission signal and a reception signal at transmission and reception;

A switching unit having a diode and a switching element to attenuate a signal from the duplex by an operation of the switching element; And

And a low noise amplifier for suppressing and outputting noise as much as possible based on an input signal from the switching unit.