KR200177329Y1 - 반도체 이온주입장비의 이온 주입량 조절장치(ion injection control apparatus for ion implanter) - Google Patents

반도체 이온주입장비의 이온 주입량 조절장치(ion injection control apparatus for ion implanter) Download PDF

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Abstract

본 고안은 반도체 이온주입장비의 이온 주입량 조절장치에 관한 것으로, 종래에는 이온주입 콘트롤러에서 회전판에 설치되어 있는 웨이퍼들의 전체 이온 주입량을 검출하여 조절하기 때문에 개개의 웨이퍼에 이온 주입이 정확히 이루어지지 못하는 문제점이 있었다. 본 고안 반도체 이온주입장비의 이온 주입량 조절장치는 웨이퍼(12)를 각각 회전시키기 위한 다수개의 회전수단(13)을 설치하고, 그 회전수단(13)에 설치되는 웨이퍼(12)들에 주입되는 이온(14)의 양을 이온주입 콘트롤러(16)에서 개별적으로 검출되도록 함으로서, 종래와 같이 13장의 웨이퍼에 주입되는 이온의 양을 검출하여 콘트롤하는 경우보다 정확하고 균일하게 이온을 주입하는 효과가 있다.

Description

반도체 이온주입장비의 이온 주입량 조절장치(ION INJECTION CONTROL APPARATUS FOR ION IMPLANTER)
본 고안은 반도체 이온주입장비의 이온 주입량 조절장치에 관한 것으로, 특히 개개의 웨이퍼를 회전시키며 이온을 주입하고, 이온 주입량을 단위 웨이퍼별로 검출할 수 있도록 함으로서, 정확하고 균일하게 이온을 주입할 수 있도록 하는데 적합한 반도체 이온주입장비의 이온 주입량 조절장치에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 제조공정 중 이온주입공정은 원자이온을 웨이퍼의 표면을 뚫고 들어갈만큼 큰 에너지를 갖게하여 웨이퍼의 속으로 넣어주는 것을 말하며, 가장 일반적인 이온주입은 소자 제작시 실리콘에 붕소, 인, 비소 같은 불순물을 실리콘의 표면밑으로 100Å∼10,000Å의 깊이까지 넣어 주게 되는데, 이와 같은 이온주입을 진행하기 위한 이온주입장비의 디스크 판이 제1도에 도시되어 있는 바, 이를 간단히 설명하면 다음과 같다.
제1도는 종래 이온주입장비의 디스크 판을 보인 사시도로서, 도시된 바와 같이 종래 이온주입장비의 디스크 판은 수직방향으로 설치된 원형의 회전판(1)이 회전가능토록 설치되어 있고, 그 회전판(1)의 전면에 1개의 웨이퍼(2)를 고정시키기 위한 3개의 클램프(3)가 설치되도록 가장자리에 13개의 웨이퍼(2)를 고정하기 위한 다수개의 클램프(3)가 설치되어 있다.
그리고, 상기 회전판(1)에는 이온주입 콘트롤러(4)가 연결되어 있어서, 이온(5)의 주입 양을 콘트롤 할 수 있도록 되어있다.
상기와 같이 구성되어 있는 종래 이온주입장비의 디스크 판(7)은 클램프(3)를 이용하여 13개의 웨이퍼(2)를 각각 클램핑하고, 회전판(1)이 회전과 동시에 상,하운동을 하는 상태에서 웨이퍼(2)에 이온(5)을 주입하게 된다. 이와 같이 주입되는 이온(5)은 회전판(1)의 회전과 상, 하운동에 의하여 회전판(1)의 가장자리를 따라 이온 주입면적(6)이 형성되게 되며, 회전판(1)에 연결되어 있는 이온주입 콘트롤러(4)에 의하여 주입되는 이온의 양을 콘트롤하게 된다.
그러나, 상기와 같이 구성되어 있는 종래 반도체 이온주입장비는 이온주입 콘트롤러(4)에서 회전판(1)에 설치되어 있는 웨이퍼(2)들의 전체 이온(5) 주입량을 검출하여 조절하기 때문에 개개의 웨이퍼(2)에 이온(5) 주입이 정확히 이루어지지 못하는 문제점이 있었다.
상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 고안의 목적은 웨이퍼에 필요한 이온의 양을 정확하고 균일하게 주입할 수 있도록 하는데 적합한 반도체 이온주입장비의 이온 주입량 조절장치를 제공함에 있다.
제1도는 종래 이온주입장비의 디스크 판을 보인 사시도.
제2도는 본 고안 이온주입장비의 디스크 판을 보인 사시도.
제3도는 본 고안 디스크 판에 회전수단이 설치된 상태를 부분적으로 보인 부분단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
11 : 회전판 12 : 웨이퍼
13 : 회전수단 13a : 안착홈
13b : 관통공 16 : 이온주입 콘트롤러
21 : 패드 22 : 클램프
23 : 회전축 24a : 모터축
24 : 모터 25 : 브라켓
상기와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여 회전판의 가장자리에 다수개의 웨이퍼를 회전시키기 위한 다수개의 회전수단을 설치하고, 상기 웨이퍼에 주입되는 이온 주입양을 개별적으로 콘트롤 할 수 있도록 이온주입 콘트롤러가 연결설치되어서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 이온주입장비의 이온 주입량 조절장치가 제공된다.
이하, 상기와 같이 구성되는 본 고안 반도체 이온주입장비의 이온 주입량 조절장치를 첨부된 도면의 실시예를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
제2도는 본 고안 이온주입장비의 디스크 판을 보인 사시도이고, 제3도는 본 고안 디스크 판에 회전수단이 설치된 상태를 부분적으로 보인 부분단면도로서, 도시된 바와 같이, 회전과 상, 하운동이 가능토록 수직방향으로 설치된 원형 회전판(11)의 가장자리에 웨이퍼(12)를 회전시키기 위한 다수개의 회전수단(13)을 설치하고, 상기 웨이퍼(12)에 주입되는 이온(14)의 양을 개별적으로 콘트롤 할 수 있도록 웨이퍼(12)를 포함에 일정 면적의 이온주입부(15)에 이온주입 콘트롤러(16)가 연결설치되어 있다.
상기 회전수단(13)은 회전판(11)의 전면 가장자리에 일정간격으로 형성된 다수개의 원형 안착홈(13a)에 각각 삽입되는 원형 패드(21)와, 그 패드(21)의 전면에 설치되어 웨이퍼(12)를 고정시키기 위한 수개의 클램프(22)와, 상기 패드(21)의 후면 중앙에 연결설치되며 상기 안착홈(13a)의 중앙 후방으로 형성된 관통공(13b)에 회전가능토록 삽입되는 회전축(23)과, 그 회전축(23)의 후단부에 모터측(24a)이 연결되는 모터(24)와, 그 모터(24)를 회전판(11)에 고정시키기 위한 브라켓(25)으로 구성 된다.
상기와 같이 구성되어 있는 본 고안 이온 주입량 조절장치가 설치된 반도체 이온주입장비의 동작을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 회전판(11)에 설치되어 있는 회전수단(13)의 패드(21)에 각각 클램프(22)를 이용하여 이온(14)을 주입하고자 하는 웨이퍼(12)들을 설치한다. 그런 다음 모터(24)를 동작시켜서 패드(21)에 설치되는 웨이퍼(12)를 회전시킴과 동시에 디스크 판(17)을 상, 하운동시키는 상태에서 이온 소오스(미도시)에서 이온(14)을 1장의 웨이퍼(12)에 주입한다. 이와 같이 주입되는 이온(14)에 의하여 웨이퍼(12)를 포함한 회전판(11)의 일정면적은 이온주입부(15)가 형성되며, 그 이온주입부(15)에 연결된 이온주입 콘트롤러(16)에 의하여 필요한 만큼의 이온(14)이 주입되었음이 감지되면 이온(14) 주입을 멈추고, 회전판(11)을 일정 각도 회전시켜서 다음 웨이퍼(12)가 이온(14) 빔의 광축 상에 위치되도록 한 다음, 다시 이온주입을 실시하는 방법을 반복하며 회전판(11)에 설치되는 여러장의 웨이퍼(12)에 이온(14)을 주입하게 된다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 고안 반도체 이온주입장비의 이온 주입량 조절장치는 웨이퍼를 각각 회전시키기 위한 다수개의 회전수단을 설치하고, 그 회전수단에 설치되는 웨이퍼들에 주입되는 이온의 양을 이온주입 콘트롤러에서 개별적으로 검출되도록 함으로서, 종래와 같이 13장의 웨이퍼에 주입되는 이온의 양을 검출하여 콘트롤하는 경우보다 정확하고 균일하게 이온을 주입하는 효과가 있다.

Claims (2)

  1. 회전판의 가장자리에 웨이퍼를 개별적으로 회전시키기 위한 다수개의 회전수단을 설치하고, 상기 웨이퍼에 주입되는 이온 주입양을 개별적으로 콘트롤 할 수 있도록 이온주입 콘트롤러가 연결설치되어서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 이온주입장비의 이온 주입량 조절장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 회전수단은 회전판의 전면 가장자리에 일정간격으로 형성된 다수개의 원형 안착홈에 각각 삽입되는 원형 패드와, 그 패드의 전면에 설치되어 웨이퍼를 고정시키기 위한 수개의 클램프와, 상기 패드의 후면 중앙에 연결설치되며 상기 안착홈의 중앙 후방으로 형성된 관통공에 회전가능토록 삽입되는 회전축과, 그 회전축의 후단부에 모터축이 연결되는 모터와, 그 모터를 회전판의 후면에 고정시키기 위한 브라켓으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 이온주입장비의 이온 주입량 조절장치.
KR2019970033931U 1997-11-26 1997-11-26 반도체 이온주입장비의 이온 주입량 조절장치(ion injection control apparatus for ion implanter) KR200177329Y1 (ko)

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