KR200142922Y1

KR200142922Y1 - Apparatus of supplying abrasive liquid for grinder

Info

Publication number: KR200142922Y1
Application number: KR2019940016169U
Authority: KR
Inventors: 김정욱
Original assignee: 윤종용; 삼성전자주식회사
Priority date: 1994-06-30
Filing date: 1994-06-30
Publication date: 1999-06-01
Also published as: KR960000714U

Abstract

본 고안은 연마기의 연마액 공급장치에 관하여 개시한 것이다.The present invention discloses a polishing liquid supply apparatus for a polishing machine.

본 고안에 의한 연마기의 연마액 공급장치는 연마액이 장입되는 연마액 저장용 탱크에 회전날개를 구비한 교반장치를 설치하여, 이를 통해 연마제와 연마용액을 균일하게 혼합시켜 줌으로써 연마효율을 향상시킬 수 있도록 한 것이다.The polishing liquid supply device of the polishing machine according to the present invention provides a stirring device having a rotary blade in the polishing liquid storage tank into which the polishing liquid is charged, thereby improving the polishing efficiency by uniformly mixing the polishing agent and the polishing solution. I would have to.

Description

Polishing liquid supply device of the grinding machine

제1도는 종래의 반도체 제조용 웨이퍼 연마기의 연마액 공급장치의 개략적 구성도,1 is a schematic configuration diagram of a polishing liquid supply apparatus of a conventional wafer polishing machine for semiconductor manufacturing;

제2도는 본 고안에 의한 연마기의 연마액 공급장치의 개략적 구성도.2 is a schematic configuration diagram of a polishing liquid supply device of a polishing machine according to the present invention.

* 도면의 주요부호에 대한 설명* Description of the major symbols in the drawings

10, 20 : 연마기 본체 11, 12 : 로울러10, 20: grinder body 11, 12: roller

13, 21 : 연마액 장입탱크 14, 22 : 연마액13, 21: polishing liquid charging tank 14, 22: polishing liquid

15 : 연마액 공급파이프 16 : 조절밸브15: polishing liquid supply pipe 16: control valve

23 : 회전축 24a, 24b : 회전날개23: rotating shaft 24a, 24b: rotary blade

25 : 공급구 26 : 콕밸브25 supply port 26 cock valve

27 : 회전수 조절장치 M : 모터27: rotation speed control device M: motor

본 고안은 연마기의 연마액 공급장치에 관한 것으로서, 특히 반도체 웨이퍼의 습식 연마가공을 행하는 연마기에 있어서 연마제와 연마용액을 균일하게 혼합시켜주기 위한 교반장치가 구비된 연마기의 연마액 공급장치에 관한 것이다.The present invention relates to a polishing liquid supply device for a polishing machine, and more particularly, to a polishing liquid supply device for a polishing machine having a stirring device for uniformly mixing the polishing agent and the polishing solution in a polishing machine for wet polishing a semiconductor wafer. .

일반적으로, 반도체 제조용 웨이퍼는 실리콘 단결정봉에서 얇게 판상으로 절단되어 연마, 화학적 연마 및 경면가공(polishing) 등의 연마공정을 거쳐서 제조된다.Generally, wafers for semiconductor manufacturing are cut into thin plates in a silicon single crystal rod and manufactured through polishing, such as polishing, chemical polishing, and mirror polishing.

웨이퍼를 연마가공하는 주된 목적은 절단가공에서 발생한 웨이퍼의 표면파괴층을 제거하고, 평면도와 두께의 정도 향상 등을 위하여 행하는 것으로서, 연마제와 연마용액을 혼합한 연마액으로 웨이퍼를 가공하는 습식연마와 연마제만을 사용하는 건식연마가 있다.The main purpose of polishing the wafer is to remove the surface destruction layer of the wafer generated in the cutting process and to improve the flatness and the degree of thickness, and to perform wet polishing to process the wafer with a polishing liquid mixed with an abrasive and a polishing solution. There is dry polishing using only abrasives.

이러한 연마공정에서 웨이퍼는 매우 얇기 때문에 파손 또는 부분적 파손이 유발될 가능성이 많으므로, 연마정반의 표면정도와 웨이퍼가 정착판에 정착되는 상태 및 연마제를 비롯한 가공조건 등이 웨이퍼의 품질에 가장 중요하게 영향을 미치는 공정변수로 작용하게 된다.Since the wafer is very thin in this polishing process, it is likely to cause breakage or partial breakage. Therefore, the surface quality of the polishing plate, the state in which the wafer is fixed to the fixing plate, and the processing conditions including abrasives are most important for the wafer quality. It acts as an affecting process variable.

그리고, 습식연마의 경우에는 통상적으로 반도체 제조용 웨이퍼 연마기에 마련되는 연마액 공급장치를 통해 웨이퍼에 연마액을 공급하면서 연마가공을 하게 되므로 연마제와 연마용액의 혼합상태, 공급량 및 교반상태 등이 웨이퍼의 품질에 중요하게 영향을 미치는 요인으로 작용하게 된다.In the case of wet polishing, the polishing process is performed while supplying the polishing liquid to the wafer through the polishing liquid supply device provided in the wafer polishing machine for semiconductor manufacturing. Therefore, the mixed state of the abrasive and the polishing solution, the supply amount and the stirring state, It will act as a factor that significantly affects quality.

제 1도는 상기한 바와 같은 습식 연마가공에 있어서 종래 연마액 공급장치의 개략적 구성을 나타내 보인 것으로서, 이를 참조하면, 연마제와 연마용액을 혼합한 연마액(14)이 장입되어 있는 드럼형 탱크(13)가 연마기 본체(10)의 일측에 마련되어 있는 로울러(11)(12)에 수평상태로 연결되어 회전구동이 가능한 상태로 설치되어 있다.FIG. 1 shows a schematic configuration of a conventional polishing liquid supplying device in the wet polishing process as described above. Referring to this, a drum-type tank 13 into which a polishing liquid 14 mixed with an abrasive and a polishing solution is loaded is loaded. ) Is horizontally connected to the rollers 11 and 12 provided on one side of the polishing machine main body 10 so as to be rotatable.

그리고, 상기 탱크(13)에는 그 내부에 장입되어 있는 연마액(14)을 연마기 정반(미도시)에서 연마가공되는 웨이퍼로 공급해주기 위한 연마액 공급파이프(15)가 일측부를 관통하여 상기 탱크(13)의 내외에 걸쳐서 고정된 상태로 구비되어 있다.In the tank 13, a polishing liquid supply pipe 15 for supplying the polishing liquid 14 charged therein to the wafer to be polished by a polishing machine plate (not shown) passes through one side portion of the tank ( It is provided in the fixed state over the inside and outside of 13).

한편, 상기 연마액 공급파이프(15)의 양단부 중, 상기 탱크(13) 내부에 위치하는 끝단부는 소정량의 연마액을 담을 수 있는 주걱부(15a)가 형성되어 있고, 상기 탱크(15) 외부에 위치하는 부위에는 연마액의 공급배출량을 조절하는 조절밸브(16)가 마련되어 있는 구조로 되어 있다.On the other hand, of both ends of the polishing liquid supply pipe 15, the end portion located inside the tank 13 is formed with a spatula portion 15a capable of containing a predetermined amount of polishing liquid, the outside of the tank 15 In the portion located at the position, the control valve 16 for adjusting the supply discharge amount of the polishing liquid is provided.

이와 같이 구성된 종래의 웨이퍼 연마액 공급장치는, 연마기 본체(10)의 일측에 마련되어 있는 상기 로울러(11)(12)의 회전구동에 의해 이와 연결되어 있는 상기 탱크(13)가 회전구동하게 된다. 그리고, 상기 탱크(13)의 회전구동으로 상기 탱크(13)의 내외에 걸쳐서 고정설치된 상기 연마액 공급파이프(15)도 상기 탱크(13)와 연동하여 회전하게 된다. 이들의 회전구동으로 인하여 상기 탱크(13) 내부에 위치하는 상기 연마액 공급파이프(15)의 끝단부에 형성된 주걱부(15a)에는 소정량의 연마액이 담기게 되며, 이후 계속된 회전구동에 의해 상기 주걱부(15a)에 담긴 연마액(14)은 공급파이프(15)를 통해 외부로 배출되어 웨이퍼에 공급되며 필요에 따라 상기 조절밸브(16)를 통해 공급량을 조절하게 된다.In the conventional wafer polishing liquid supplying device configured as described above, the tank 13 connected thereto is rotated by the rotation driving of the rollers 11 and 12 provided on one side of the polishing machine main body 10. In addition, the polishing liquid supply pipe 15 fixed to the inside and outside of the tank 13 by the rotation driving of the tank 13 also rotates in conjunction with the tank 13. Due to these rotational driving, the spatula portion 15a formed at the end of the polishing liquid supplying pipe 15 located inside the tank 13 contains a predetermined amount of polishing liquid, and then the rotational driving continues. As a result, the polishing liquid 14 contained in the spatula part 15a is discharged to the outside through the supply pipe 15 and supplied to the wafer, and the supply amount is adjusted through the control valve 16 as necessary.

그러나, 이와 같은 구조를 가지며 작동되는 종래의 웨이퍼 연마액 공급장치는, 연마액 장입 탱크를 회전구동시켜서 연마제와 연마액이 균일하게 분포되도록 혼합하는 과정에서 연마제가 탱크의 하부로 집중하여 몰리는 현상이 발생하며, 더우기 연마제의 입자가 굵은 것일수록 이러한 집중현상이 더 심하여 연마제와 연마용액이 균일하게 혼합되지 못함으로 인하여 연마효율이 떨어지는 문제점이 있었다.However, in the conventional wafer polishing liquid supplying device having such a structure, the phenomenon in which the abrasive concentrates under the tank in the process of mixing the polishing liquid and the polishing liquid to be uniformly distributed by rotating the polishing liquid charging tank is prevented. In addition, the thicker the particles of the abrasive, the more concentrated this phenomenon is, the abrasive and polishing solution was not uniformly mixed, there was a problem that the polishing efficiency is lowered.

따라서, 본 고안은 상기한 바와 같은 문제점을 감안하여 안출된 것으로서, 본 고안의 목적은 웨이퍼의 습식 연마가공을 함에 있어서 연마효율의 향상을 위해 연마제와 연마용액을 균일하게 혼합시켜주는 교반장치를 구비하여 된 연마기의 연마액 공급장치를 제공하는 것이다.Therefore, the present invention was devised in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a stirring device for uniformly mixing an abrasive and a polishing solution in order to improve polishing efficiency in wet polishing of a wafer. The polishing liquid supply apparatus of the grinding | polishing machine is provided.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 고안에 의한 연마기의 연마액 공급장치는, 연마액을 사용하여 면가공을 하는 연마기의 연마액 공급장치에 있어서, 상기 연마액이 저장되는 저장용기의 내부에 설치되고, 적어도 둘 이상의 비대칭형 날개로 구성되며, 외부 구동원과 연결되어 회전되는 교반장치를 구비하여 된 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the polishing liquid supply device for a polishing machine according to the present invention is a polishing liquid supply device for a polishing machine which uses a polishing liquid for surface processing, and is provided inside a storage container in which the polishing liquid is stored. It is composed of at least two asymmetric blades, characterized in that it is provided with a stirring device that is rotated in connection with the external drive source.

상기 본 고안에 의한 연마기의 연마액 공급장치에 있어서, 특히 상기 교반장치는 상기 구동원에 의해 회전속도의 조절이 가능한 것이 바람직하다.In the polishing liquid supply device of the polishing machine according to the present invention, it is particularly preferable that the stirring device is capable of adjusting the rotational speed by the driving source.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 고안의 바람직한 실시예를 설명하기로 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described a preferred embodiment of the present invention.

제2도는 본 고안에 의한 연마기의 연마액 공급장치의 개략적 구성을 나타내 보인 것이다.Figure 2 shows the schematic configuration of the polishing liquid supply apparatus of the polishing machine according to the present invention.

제2도를 참조하면, 본 고안에 의한 반도체 제조용 웨이퍼 연마기의 연마액 공급장치는, 연마제와 연마용액을 혼합한 연마액(22)이 장입되는 드럼형 탱크(21)가 연마기 본체(20)의 일측에 수직상태로 마련되어 있고, 상기 탱크(21)의 일측에는 회전수 조절장치(27)에 연결되어 회전속도의 조절이 가능한 모터(M)가 설치되어 있다. 그리고, 타측에는 상기 탱크(21) 내부의 연마액을 연마기 정반(미도시)에서 연마가공되는 웨이퍼로 적정량을 조절하여 공급해주기 위한 콕밸브(26)가 구비된 연마액 공급구(25)가 설치되어 있다.Referring to FIG. 2, in the polishing liquid supply device of the wafer polishing machine for semiconductor manufacturing according to the present invention, the drum-type tank 21 into which the polishing liquid 22 containing the polishing agent and the polishing solution is charged is placed in the polishing machine main body 20. It is provided in a vertical state on one side, one side of the tank 21 is connected to the rotation speed adjusting device 27 is provided with a motor (M) capable of adjusting the rotation speed. On the other side, a polishing liquid supply port 25 is provided with a cock valve 26 for supplying the polishing liquid inside the tank 21 to a wafer to be polished by a polishing machine plate (not shown). It is.

그리고, 상기 탱크(21)의 내부에는 그 내부에 장입되어 있는 연마액(22)의 연마제와 연마용액을 균일하게 혼합시켜 주기 위한 연마액 교반장치로서 상기 모터(M)와 연결되어 있는 회전축(23)의 끝단부에 면적이 서로 다른 적어도 둘 이상의 비대칭형 팬으로 형성된 회전날개(24a)(24b)가 구비되어 있는 구조로 되어 있다.In addition, a rotating shaft 23 connected to the motor M as a polishing liquid stirrer for uniformly mixing the polishing liquid and the polishing solution of the polishing liquid 22 loaded therein into the tank 21. At the end of the) is a structure that is provided with rotary blades (24a, 24b) formed of at least two asymmetric fans having different areas.

이와같이 구성된 본 고안 연마기 연마액 공급장치는, 상기 모터(M)의 구동에 의해 이와 연결되어 있는 상기 회전축(23)이 회전구동함으로써 끝단부에 마련되어 있는 회전날개(24a)(24b)가 회전하여 상기 탱크(21)의 내부에 장입되어 있는 연마액(22)을 교반시켜주게 된다. 이로써 상기 연마액(22)의 연마제와 연마용액을 균일하게 혼합시켜 주는 역활을 하게 되며, 연마제 입자의 굵기 등에 따라 상기 회전수 조절장치(27)를 통하여 상기 모터(M)의 구동속도를 적절히 제어함으로써 상기 회전날개(24a)(24b)의 회전속도를 조절할 수 있게 된다. 그리고, 상기 콕 밸브(26)의 조절을 통하여 상기 탱크(21) 내부의 연마액을 연마기 정반(미도시)에서 연마가공되는 웨이퍼로 적절하게 공급해 주게 된다.The present invention polishing machine polishing liquid supply device is configured to rotate the rotary blades 24a and 24b provided at the end portions by rotating the rotary shaft 23 connected thereto by the driving of the motor M. The polishing liquid 22 charged in the tank 21 is stirred. As a result, the polishing liquid and the polishing solution of the polishing liquid 22 are uniformly mixed, and the driving speed of the motor M is appropriately controlled through the rotation speed adjusting device 27 according to the thickness of the polishing particles. As a result, the rotational speed of the rotary blades 24a and 24b can be adjusted. Then, by adjusting the cock valve 26, the polishing liquid in the tank 21 is appropriately supplied to the wafer to be polished by a polishing platen (not shown).

이상에서 설명한 바와 같이 본 고안에 의한 반도체 제조용 웨이퍼 연마기의 연마액 공급장치는 웨이퍼의 습식 연마가공을 함에 있어서 연마액 장입탱크에 회전날개를 구비한 교반장치를 구비하여 이를 통해 연마제와 연마용액을 균일하게 혼합시켜줌으로써 연마효율을 향상시킬 수 있도록 한 효과적인 고안이다.As described above, the polishing liquid supplying device of the wafer polishing machine for semiconductor manufacturing according to the present invention includes a stirring device having a rotary blade in the polishing liquid charging tank in wet polishing of the wafer, thereby uniformly polishing the polishing agent and the polishing solution. It is an effective design to improve the polishing efficiency by mixing it.

Claims

In the polishing liquid supply apparatus of the polishing machine for the surface processing using a grinding fluid, the stirring liquid is installed inside the storage container in which the polishing liquid is stored, consisting of at least two asymmetric blades, the stirring is rotated in connection with an external drive source A polishing liquid supply apparatus for a polishing machine, comprising: an apparatus.

The polishing liquid supply apparatus of claim 1, wherein the stirring device is capable of adjusting the rotational speed by the driving source.