KR200141225Y1 - 배향막 제조장치 - Google Patents
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Abstract
본 고안은 배향막 제조장치에 관한 것으로, 종래의 배향막 제조장치가 수은등을 사용하여 자외선을 발생시킴으로써 빛의 강도가 세지 않아 조사시간이 매우 길어지며, 대면적에 사용하는 경우 배향막이 균일하지 못하게 되는 문제점을 해결하기 위해 수은등 대신 짧은 시간애에 강한 빛을 조사하며 이동이 용이한 자외선 레이저를 사용함으로써 배향막의 제조시간을 감소시킬 수 있으며, 배향막의 막질을 균일하게 형성할 수 있는 효과가 있다.
Description
제1도는 종래의 기술에 의한 배향막 제조장치의 구성도.
제2도는 본 고안에 의한 배향막 제조장치의 구성도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 투명기판 12 : 광경화성 고분자막
13 : 자외선 레이저 14 : 이동경로
15 : 레이저 이송장치
본 고안은 배향막 제조장치에 관한 것으로, 특히 레이저 빔을 이용하여 간단하고 균일하게 대면적의 감광성 배향막을 제조하기 위한 배향막 제조장치에 관한 것이다.
일반적으로 PVCN-F(PolyVinyl Fluorocinnamate)등과 같은 광경화성 고분자막은 편광된 자외선을 조사하면 고분자막에 크로스 링킹(cross linking)이 일정한 방향으로 일어나게 되어 액정분자를 한방향으로 정렬시키는데, 종래의 경우 제1도에 도시한 바와 같이 고압의 수은등(1)에서 10mW/cm2정도의 세기로 나오는 200mn∼400nm영역의 자외선을 이용하여, 소정 시간 상기 자외선에 고분자막을 노출시키는 방법이 사용되었다.
또한 이를 적용하여 대면적의 배향막을 형성하고자하는 경우에는 석영으로된 렌즈(3)를 사용하여 직선광으로 바꾸어 확대시키는데, 즉 상기 수은등(1)에서 나오는 자외선을 상기 렌즈(3)를 거쳐 직선광으로 바꾼후 이를 자외선용 펜광프리즘(4)을 통과시켜 편광시키면 편광된 자외선은 미리 유리기판(5)에 코팅(coating)된 광경화성 고분자막(6)에 조사디어 크로스 링킹 반응을 일으키게 되는 것이다.
그리고 미설명 도문부호 2는 램프 하우징(lamp housing)및 냉각장치이다.
그러나 상기와 같이 구성된 배량막 제조장치 및 방법은, 수은등에 의해 자외선을 발생시킴으로써 빛의 강도가 세지않아 조사시 간이 매우 길어지며, 대면적에 사용하는 경우 배향막이 균일하지 못하게 되는 문제점이 있다.
따라서 본 고안의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 수은등 대신 짧은 시간내에 강한 빛을 조사하며 이동이 유리한 자외선 레이저를 사용함으로써 배향막을 균일하게 형성할 수 있는 배향막 제조장치를 제공하는 것이다.
이하 첨부도면을 참조하여 본 고안을 좀더 상세하게 설명하고자 한다.
본 고안의 배향막 제조장치는 제2도에 도시한 바와 같이, 투명기판(11) 상부에 형성된 광경화성 고분자막(12)에 자외선을 조사하도록 자외선 레이저(13)와 상기 자외선 레이저(13)를 레이저빔의 이동경로(14)를 따라 이동시키기 위한 레이저 이송장치(15)로 구성된다.
상기와 같이 구성된 배향막 제조장치는 상기 레이저 빔의 크기는 액정패턴의 화소크기 정도를 비출수 있게하며, 상기 레이저이송장치(15)를 사용하여 레이저가 액정패널 위에서 높이가 고정된 상태에서 상하, 좌우로 스캔할 수 있도록 하는데 이때 상기 레이저 빔은 한개의 열(列)을 스캔한 후 다음열로 이동하여 이전의 조사방향과 반대방향으로 조사되며, 두열 사이에 겹치는 부분은 액정패널의 비화소영역이 되도록 한다.
한편 상기 광경화성 고분자막인 PVCN-F는 300nm를 전후로한 200nm∼400nm에서 최대 자외선 흡수값을 가지며, 이에따라 상기 자외선 레이저는 중심파장이 각각 308nm, 325nm, 337nm인 염화크세논(XeCl), 질화 크드뮴(CdN2) 계통의 것을 사용한다.
이상에서와 같이 감광성 배향막의 제조시 빛의 강도가 일정하게 높은 레이저를 사용함으로써 조사시간을 단축하고 모든영역이 균일한 대면적의 배향막을 제조 할 수 있는 효과가 있다.
Claims (3)
- 기판위에 형성된 고분자막과, 상기 고분자막 위에 강도가 높은 자외선을 조사하기 위해 형성된 자외선 레이저와, 상기 자외선 레이저를 상하, 좌우의 이동경로를 따라 이동시키기 위한 레이저 이송장치를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 배향막 제조장치.
- 제1항에 있어서, 상기 자외선 레이저는 중심파장이 약 300nm 정도인 염화크세논(Xecl) 및 질화 카드뮴(CdN2) 중 어느하나임을 특징으로 하는 배향막 제조장치.
- 제1항에 있어서, 상기 고분자막은 광경화성 고분자막임을 특징으로 하는 배향막 제조장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019930029340U KR200141225Y1 (ko) | 1993-12-23 | 1993-12-23 | 배향막 제조장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019930029340U KR200141225Y1 (ko) | 1993-12-23 | 1993-12-23 | 배향막 제조장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950021411U KR950021411U (ko) | 1995-07-28 |
| KR200141225Y1 true KR200141225Y1 (ko) | 1999-04-15 |
Family
ID=19372388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019930029340U KR200141225Y1 (ko) | 1993-12-23 | 1993-12-23 | 배향막 제조장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR200141225Y1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100866665B1 (ko) * | 2006-11-02 | 2008-11-04 | 하리손 도시바 라이팅구 가부시키가이샤 | 액정 패널 제조 장치 및 액정 패널의 제조 방법 |
-
1993
- 1993-12-23 KR KR2019930029340U patent/KR200141225Y1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100866665B1 (ko) * | 2006-11-02 | 2008-11-04 | 하리손 도시바 라이팅구 가부시키가이샤 | 액정 패널 제조 장치 및 액정 패널의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950021411U (ko) | 1995-07-28 |
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