KR20010105940A - Electro static chuck system of semiconductor manufacturing apparatus - Google Patents

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Abstract

Compounds of formula (I), wherein Y is O or S, Ar is an aryl group or a heteroaryl group, R is H, an alkyl group, a cycloalkyl group, a heterocycloalkyl group, an aryl group, a heteroaryl group, or -C(O)R 1, wherein R 1 is hydrogen, an alkyl group, a cycloalkyl group, a heterocycloalkyl group, an aryl group, a heteroaryl group, or NR 2 R 3 wherein R 2 and R 3 independently are hydrogen, an alkyl group, a cycloalkyl group, a heterocycloalkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group, and X is - NH-OH or -OH. Pharmaceutically acceptable prodrugs, salts and solvates of these compounds. Methods of inhibiting the activity of metalloproteinases by administering a compound of the formula (I) or a prodrug, salt of solvate thereof. Pharmaceutical compositions comprising an effective amount of these compounds, prodrugs, salts, and solvates.

Description

반도체 제조장치의 정전척 시스템{ELECTRO STATIC CHUCK SYSTEM OF SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS}ELECTROL STATIC CHUCK SYSTEM OF SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS

본 발명은 반도체 제조장치의 정전척 시스템에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 반도체 제조장치 중에서 에칭 장치에 사용되는 정전척 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to an electrostatic chuck system of a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly to an electrostatic chuck system used in an etching apparatus of a semiconductor manufacturing apparatus.

도 1을 참조하면, 종래 에칭 장치의 정전척 시스템은 정전척(160)에 헬륨 가스를 공급하기 위한 구성과 상기 정전척(160)의 진공 상태를 조절하기 위한 구성이 설치된다. 상기 정전척(160)에 헬륨 가스를 공급하기 위한 구성에는 헬륨 가스 라인(120)과 이 헬륨 가스 라인(120)에 설치되는 헬륨 가스 조절밸브(122), 압력 조절기(124) 그리고 메인 밸브(150) 등이 있다. 상기 정전척(160)의 진공 상태를 조절하기 위한 구성에는 펌프 라인(130)과 이 펌프 라인(130)에 연결되고 설치되는 진공 펌프(132) 및 펌프 라인 밸브(134) 등이 있다. 이와 같은 구성의 정전척 시스템은 에칭 장치에서 습식 세정공정이 수행될 때 상기 헬륨 가스 조절밸브(122), 펌프 라인 밸브(134) 그리고 메인 밸브(150)는 닫힌 상태를 유지하게 된다.Referring to FIG. 1, the electrostatic chuck system of the conventional etching apparatus is provided with a configuration for supplying helium gas to the electrostatic chuck 160 and a configuration for adjusting the vacuum state of the electrostatic chuck 160. The structure for supplying helium gas to the electrostatic chuck 160 includes a helium gas line 120 and a helium gas control valve 122, a pressure regulator 124, and a main valve 150 installed in the helium gas line 120. ). The configuration for adjusting the vacuum state of the electrostatic chuck 160 includes a pump line 130, a vacuum pump 132 and a pump line valve 134 connected to and installed in the pump line 130. In the electrostatic chuck system having such a configuration, the helium gas control valve 122, the pump line valve 134, and the main valve 150 remain closed when the wet cleaning process is performed in the etching apparatus.

이와 같은 종래 에칭 장치에서 챔버의 습식 세정(wet clean)시 정전척에 형성된 웨이퍼 뒷면 냉각용(back side cooling) 홀로 초순수, 알콜 그리고 폴리머 등의 이물질이 들어갈 수 있다. 이 때문에 챔버의 습식 세정 후 백업(back up)시 헬륨(He)의 누출이 발생하는 경우가 있으며, 웨이퍼 뒷면 냉각용 홀이 막혀서 에칭공정을 수행할 때 웨이퍼의 뒷면 냉각이 되지 않아서 공정상 문제가 발생되는 경우가 있다. 또한, 이와 같은 문제점은 정전척에서 아크(arc)를 유발하는 경우도 있다.In such a conventional etching apparatus, foreign matter, such as ultrapure water, alcohol, and polymer, may enter into a back side cooling hole formed in an electrostatic chuck when the chamber is wet clean. As a result, helium (He) may leak during back-up after the wet cleaning of the chamber, and the hole for cooling the back side of the wafer may be clogged. It may occur. In addition, such a problem may cause an arc in the electrostatic chuck.

본 발명은 이와 같은 종래 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 반도체 제조 장치에서 세정 공정을 진행할 때 정전척에 미치는 영향을 최대한 줄일 수 있는 새로운 형태의 정전척 시스템을 제공하는데 있다.The present invention is to solve such a conventional problem, an object of the present invention is to provide a new type of electrostatic chuck system that can minimize the effect on the electrostatic chuck when the cleaning process in the semiconductor manufacturing apparatus.

도 1은 종래 에칭 장치의 정전척 시스템의 구성을 개략적으로 보여주는 도면;1 schematically shows the configuration of an electrostatic chuck system of a conventional etching apparatus;

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 에칭 장치의 정전척 시스템의 구성을 개략적으로 보여주는 도면이다.2 is a view schematically showing the configuration of an electrostatic chuck system of an etching apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

20 : 헬륨 가스 라인 22 : 헬륨 가스 조절밸브20 helium gas line 22 helium gas control valve

24 : 압력 조절기 26 : 첵크 밸브24: pressure regulator 26: check valve

30 : 펌프 라인 32 : 진공 펌프30: pump line 32: vacuum pump

34 : 펌프 라인 밸브 40 : 질소 가스 라인34: pump line valve 40: nitrogen gas line

42 : 질소 가스 조절밸브 50 : 메인 밸브42: nitrogen gas control valve 50: main valve

60 : 정전척60: electrostatic chuck

상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따르면, 본 발명은 반도체 제조 장치에서 공정이 진행되는 웨이퍼를 로딩하기 위한 정전척을 갖는 정전척 시스템을 제공한다. 이 정전척 시스템은 헬륨 가스 라인, 헬륨 가스 조절밸브, 압력 조절기, 메인 밸브, 질소 가스 라인, 질소 가스 조절밸브, 펌프 라인, 펌프 라인 밸브 그리고 진공 펌프를 포함한다. 헬륨 가스 라인은 정전척에 로딩된 웨이퍼의 뒷면으로 헬륨을 공급한다. 헬륨 가스 조절밸브는 헬륨 가스 라인에 설치되어 헬륨 가스의 흐름을 조절한다. 압력 조절기는 정전척과 헬륨 가스 조절밸브 사이에서 헬륨 가스 라인상에 설치된다. 메인 밸브는 정전척과 압력 조절기 사이에서 헬륨 가스 라인상에 설치된다. 질소 가스 라인은 메인 밸브와 압력 조절기 사이에서 헬륨 가스 라인상에 접속되어 설치된다. 질소 가스 조절밸브는 질소 가스 라인에 설치되어 질소 가스의 흐름을 조절한다. 펌프 라인은 메인 밸브와 질소 가스 라인의 접속부 사이에서 헬륨 가스 라인과 접속된다. 펌프 라인 밸브과 진공 펌프는 펌프 라인상에 설치된다. 이와 같은 정전척 시스템은 반도체 제조 장치의 세정 공정시 헬륨 가스 조절밸브와 펌프 라인 밸브를 닫고 질소 가스 조절밸브와 메인 밸브를 열어 질소 가스가 정전척으로 공급되도록 한다.According to the present invention for achieving the object as described above, the present invention provides an electrostatic chuck system having an electrostatic chuck for loading a wafer to be processed in a semiconductor manufacturing apparatus. The electrostatic chuck system includes a helium gas line, a helium gas control valve, a pressure regulator, a main valve, a nitrogen gas line, a nitrogen gas control valve, a pump line, a pump line valve and a vacuum pump. The helium gas line supplies helium to the backside of the wafer loaded into the electrostatic chuck. A helium gas control valve is installed in the helium gas line to regulate the flow of helium gas. The pressure regulator is installed on the helium gas line between the electrostatic chuck and the helium gas control valve. The main valve is installed on the helium gas line between the electrostatic chuck and the pressure regulator. The nitrogen gas line is installed on the helium gas line between the main valve and the pressure regulator. A nitrogen gas control valve is installed in the nitrogen gas line to regulate the flow of nitrogen gas. The pump line is connected with the helium gas line between the connection of the main valve and the nitrogen gas line. Pump line valves and vacuum pumps are installed on the pump line. The electrostatic chuck system closes the helium gas control valve and the pump line valve and opens the nitrogen gas control valve and the main valve during the cleaning process of the semiconductor manufacturing apparatus to supply nitrogen gas to the electrostatic chuck.

이와 같은 본 발명은 상기 압력 조절기와 상기 질소 가스 라인의 접속부 사이에서 상기 헬륨 가스 라인상에 설치되는 첵크 밸브를 더 포함할 수 있다.The present invention may further include a check valve installed on the helium gas line between the pressure regulator and the connection of the nitrogen gas line.

이하, 도 2를 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 풀 로드 어셈블리를 상세히 설명한다.Hereinafter, a full rod assembly according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG.

도 2를 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 에칭 장치의 정전척 시스템은 정전척(60)에 헬륨 가스를 공급하기 위한 구성과 상기 정전척(60)의 진공 상태를 조절하기 위한 구성을 갖는다. 상기 정전척(60)에 헬륨 가스를 공급하기 위한 구성에는 헬륨 가스 라인(20)과 이 헬륨 가스 라인(20)에 설치되는 헬륨 가스 조절밸브(22), 압력 조절기(24), 그리고 메인 밸브(50) 등이 있다. 상기 정전척(60)의 진공 상태를 조절하기 위한 구성에는 펌프 라인(30)과 이 펌프 라인(30)에 연결되고 설치되는 진공 펌프(32) 및 펌프 라인 밸브(34) 등이 있다. 이와 같은 구성의 정전척 시스템은 에칭 장치에서 습식 세정공정이 수행될 때 상기 헬륨 가스 조절밸브(22), 펌프 라인 밸브(34) 그리고 메인 밸브(50)는 닫힌 상태를 유지하게 된다.2, the electrostatic chuck system of the etching apparatus according to the preferred embodiment of the present invention has a configuration for supplying helium gas to the electrostatic chuck 60 and the configuration for adjusting the vacuum state of the electrostatic chuck 60 Have The structure for supplying helium gas to the electrostatic chuck 60 includes a helium gas line 20, a helium gas control valve 22 installed in the helium gas line 20, a pressure regulator 24, and a main valve ( 50). The configuration for adjusting the vacuum state of the electrostatic chuck 60 includes a pump line 30, a vacuum pump 32 connected to the pump line 30, a pump line valve 34, and the like. In the electrostatic chuck system having such a configuration, the helium gas control valve 22, the pump line valve 34, and the main valve 50 are kept closed when the wet cleaning process is performed in the etching apparatus.

한편, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 정전척 시스템에는 질소 가스를 상기 정전척(60)에 공급시키기 위한 구성이 구비된다. 이 구성은 상기 헬륨 가스 공급 라인(20)에 연결되는 질소 가스 라인(40)과 이 질소 가스 라인(40)상에는 질소 가스 조절밸브(42)가 설치된다. 또한, 상기 질소 가스 라인(40)이 상기 헬륨 가스 공급 라인(20)에 접속되는 부분과 압력 조절기(24) 사이에는 첵크 밸브(26)가 설치된다. 이와 같은 구성에 의해서 에칭 장치에서 습식 세정공정이 진행될 때 상기 정전척(60)의 웨이퍼 뒷면 냉각용 홀이 막히는 것을 방지한다. 즉, 에칭 장치에서 습식 세정 공정이 진행될 때, 상기 헬륨 가스 조절밸브(22)와 펌프 라인 밸브(34)는 닫히고, 상기 질소 가스 조절밸브(42)와 메인 밸브(50)가 열리고 상기 질소 가스 라인(40)으로부터 질소 가스가 공급되어 상기 정전척(60)의 웨이퍼 뒷면 냉각용홀로 분사되도록 하므로써, 상기 웨이퍼 뒷면 냉각용 홀이 막히는 것을 방지한다.On the other hand, the electrostatic chuck system according to a preferred embodiment of the present invention is provided with a configuration for supplying nitrogen gas to the electrostatic chuck (60). In this configuration, the nitrogen gas line 40 connected to the helium gas supply line 20 and the nitrogen gas control valve 42 are installed on the nitrogen gas line 40. In addition, a check valve 26 is provided between the portion where the nitrogen gas line 40 is connected to the helium gas supply line 20 and the pressure regulator 24. Such a configuration prevents the hole for cooling the back surface of the wafer of the electrostatic chuck 60 from being clogged when the wet cleaning process is performed in the etching apparatus. That is, when the wet cleaning process is performed in the etching apparatus, the helium gas control valve 22 and the pump line valve 34 are closed, the nitrogen gas control valve 42 and the main valve 50 are opened, and the nitrogen gas line is opened. Nitrogen gas is supplied from the 40 so as to be injected into the cooling hole on the back side of the wafer of the electrostatic chuck 60, thereby preventing the hole for cooling the back side of the wafer from clogging.

이와 같은 본 발명에 의하면, 반도체 제조 장치에서 세정공정이 진행될 때 정전척에 형성된 웨이퍼 뒷면 냉각용 홀로 이물질이 유입되는 것을 차단할 수 있다. 따라서, 정전척의 냉각홀로 이물질이 유입되어 후속 공정에서 발생되는 문제점을 방지할 수 있다.According to the present invention as described above, when the cleaning process is performed in the semiconductor manufacturing apparatus, it is possible to block foreign matter from flowing into the hole for cooling the back of the wafer formed in the electrostatic chuck. Therefore, the foreign matter is introduced into the cooling hole of the electrostatic chuck can prevent the problem caused in the subsequent process.

Claims (2)

반도체 제조 장치에서 공정이 진행되는 웨이퍼를 로딩하기 위한 정전척을 갖는 정전척 시스템에 있어서,In the electrostatic chuck system having an electrostatic chuck for loading a wafer in the semiconductor manufacturing apparatus, 상기 정전척에 로딩된 웨이퍼의 뒷면으로 헬륨을 공급하기 위한 헬륨 가스 라인과;A helium gas line for supplying helium to the back side of the wafer loaded on the electrostatic chuck; 상기 헬륨 가스 라인에 설치되어 헬륨 가스의 흐름을 조절하기 위한 헬륨 가스 조절밸브와;A helium gas control valve installed in the helium gas line to regulate the flow of helium gas; 상기 정전척과 상기 헬륨 가스 조절밸브 사이에서 상기 헬륨 가스 라인상에 설치되는 압력 조절기와;A pressure regulator disposed on the helium gas line between the electrostatic chuck and the helium gas control valve; 상기 정전척과 상기 압력 조절기 사이에서 상기 헬륨 가스 라인상에 설치되는 메인 조절밸브와;A main control valve installed on the helium gas line between the electrostatic chuck and the pressure regulator; 상기 메인 조절밸브와 상기 압력 조절기 사이에서 상기 헬륨 가스 라인상에 접속되어 설치되는 질소 가스 라인과;A nitrogen gas line connected to the helium gas line between the main control valve and the pressure regulator; 상기 질소 가스 라인에 설치되어 질소 가스의 흐름을 조절하기 위한 질소 가스 조절밸브와;A nitrogen gas control valve installed in the nitrogen gas line to control the flow of nitrogen gas; 상기 메인 밸브와 상기 질소 가스 라인의 접속부 사이에서 상기 헬륨 가스 라인과 접속되는 펌프 라인과;A pump line connected with said helium gas line between a connection of said main valve and said nitrogen gas line; 상기 펌프 라인상에 설치되는 펌프 라인 밸브 및;A pump line valve installed on the pump line; 상기 펌프 라인에 연결되는 진공 펌프를 포함하여, 상기 반도체 제조 장치의세정 공정시 상기 헬륨 가스 조절밸브와 상기 펌프 라인 밸브를 닫고 상기 질소 가스 조절밸브와 상기 메인 밸브를 열어 질소 가스가 상기 정전척으로 공급되도록 하는 것을 특징으로 하는 정전척 시스템.And a vacuum pump connected to the pump line to close the helium gas control valve and the pump line valve during the cleaning process of the semiconductor manufacturing apparatus, and open the nitrogen gas control valve and the main valve to allow nitrogen gas to flow into the electrostatic chuck. Electrostatic chuck system characterized in that the supply. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 압력 조절기와 상기 질소 가스 라인의 접속부 사이에서 상기 헬륨 가스 라인상에 설치되는 첵크 밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척 시스템.And a check valve installed on said helium gas line between said pressure regulator and said nitrogen gas line connection.
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