KR20010092147A - Apparatus for CVD and inner cleaning method thereof - Google Patents

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KR20010092147A
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Abstract

PURPOSE: A CVD(Chemical Vapor Deposition) system and a method for cleaning the inside thereof are provided which solves existing problems of difficult cleaning of the lower part of a susceptor and severe physical damage inside a vacuum chamber by having remote plasma well covered even in the shadow area such as the lower space of the susceptor, where it is difficult to form plasma. CONSTITUTION: In a CVD system equipped with a vacuum chamber(111) which provides a reaction space isolated from the outside and is electrically grounded; a susceptor(121) which is installed in the vacuum chamber(111) so that it is spaced apart from the bottom surface of the vacuum chamber(111) in a certain distance and is electrically grounded; a plasma electrode(131) for generating and maintaining plasma inside the vacuum chamber(111); and an RF power generator(141) supplying RF power to the plasma electrode(131), the CVD system further comprises a remote plasma generator(161) installed outside the vacuum chamber(111) for generating a separate remote plasma which is different from plasma generated inside the vacuum chamber(111); and a remote plasma inlet pipe(171) one side end of which is connected to the remote plasma generator(161) and other side end of which is inserted into the bottom surface of the vacuum chamber(111) so as to flow plasma generated from the remote plasma generator(161) into the vacuum chamber(111).

Description

ＣＶＤ 장치 및 그 내부 세정방법 {Apparatus for CVD and inner cleaning method thereof}Cdd apparatus and internal cleaning method {Apparatus for CVD and inner cleaning method

본 발명은 CVD 장치 및 그 내부 세정방법에 관한 것으로서, 특히 플라즈마를 이용하는 CVD 공정 등을 끝마친 후에 리모트 플라즈마(remote plasma)를 이용하여 진공챔버의 내부를 건식 세정할 수 있는 CVD 장치 및 그 내부 세정방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a CVD apparatus and an internal cleaning method thereof. In particular, after finishing a CVD process using plasma and the like, a CVD apparatus and a method for cleaning the interior of the vacuum chamber using a remote plasma may be dry-cleaned. It is about.

반도체 소자를 제조함에 있어서 플라즈마를 이용하는 CVD 공정이 많이 개발되고 있다. 이는, 플라즈마에 의해 반응기체들이 활성화되어 저압화학기상증착(Low pressure chemical vapor deposition) 공정의 경우보다 그 증착온도가 낮고 증착속도도 빠르다는 장점이 있기 때문이다. 뿐만 아니라, 단지 플라즈마 전극이나 서셉터에 적절하게 상대적인 바이어스를 인가함으로써 용이하게 CVD 및 식각 공정을 진행할 수 있기 때문이다.In manufacturing semiconductor devices, many CVD processes using plasma have been developed. This is because the reactants are activated by the plasma, and thus, the deposition temperature is lower and the deposition rate is faster than in the case of low pressure chemical vapor deposition. In addition, the CVD and etching processes can be easily performed by simply applying an appropriate relative bias to the plasma electrode or the susceptor.

이러한 CVD 장치는 일반적으로 플라즈마 전극이 한 곳에 고정되어 있기 때문에, 공정을 끝마친 후에 플라즈마를 이용하여 진공챔버 내부를 세정함에 있어서 그 구석구석이 제대로 세정되지 아니하는 문제점을 가지고 있다.In general, such a CVD apparatus has a problem that the plasma electrode is fixed in one place, and thus every corner of the CVD apparatus is not properly cleaned in cleaning the inside of the vacuum chamber using the plasma after finishing the process.

도 1a 및 도 1b는 종래의 CVD 장치를 설명하기 위한 개략도들로서, 도 1a는 샤워헤드형 CVD(showerhead type CVD) 장치를, 그리고 도 1b는 벨자형 CVD(belljar type CVD) 장치를 각각 나타낸 것이다.1A and 1B are schematic diagrams for explaining a conventional CVD apparatus, FIG. 1A shows a showerhead type CVD (showerhead type CVD) apparatus, and FIG. 1B shows a bell jar type CVD (CVD) apparatus, respectively.

도 1a를 참조하면, 진공챔버(10) 내부에는 웨이퍼(50)가 안착되어지는 서셉터(20)와 플라즈마 형성용 기체가 주입되는 샤워헤드(30)가 설치된다. 여기서, 진공챔버(10)와 서셉터(20)는 접지되며, 샤워헤드(30)는 RF 발전기(40)로부터 RF 전력을 공급받는다. 따라서, 샤워헤드(30)는 플라즈마 전극의 역할도 함께 한다.Referring to FIG. 1A, a susceptor 20 on which a wafer 50 is seated and a shower head 30 into which a gas for forming plasma is injected are installed in the vacuum chamber 10. Here, the vacuum chamber 10 and the susceptor 20 are grounded, and the shower head 30 receives RF power from the RF generator 40. Thus, the showerhead 30 also serves as a plasma electrode.

샤워헤드(30)와 서셉터(20)는 서로 대향하도록 설치되고, 플라즈마(A)는 샤워헤드(30)와 서셉터(20) 사이의 공간에 형성된다. 서셉터(20)는 진공챔버(10)의 저면과 소정 간격 이격되어 설치되는 데, 서셉터(20)의 하부에는 플라즈마(A)가 형성되지 아니하는 이유는 서셉터(20) 자체가 플라즈마의 발생을 방해하는 스크린 역할을 하기 때문이다.The showerhead 30 and the susceptor 20 are installed to face each other, and the plasma A is formed in the space between the showerhead 30 and the susceptor 20. The susceptor 20 is installed to be spaced apart from the bottom of the vacuum chamber 10 by a predetermined interval. The reason why the plasma A is not formed below the susceptor 20 is because the susceptor 20 itself is formed of plasma. This is because it acts as a screen to prevent the occurrence.

도 1b를 참조하면, 진공챔버(11)는 상부 및 하부가 플랜지 결합되어 이루어지며, 플랜지 부위에는 효과적인 실링(sealing)을 위해 오링(11a)이 개재된다. 진공챔버(11) 내부에는 웨이퍼(51)가 안착되어지는 서셉터(21)가 진공챔버(11)의 저면과 소정 간격 이격되어 설치된다.Referring to FIG. 1B, the vacuum chamber 11 is formed by flange coupling between an upper portion and a lower portion, and an O-ring 11a is interposed in the flange portion for effective sealing. In the vacuum chamber 11, the susceptor 21 on which the wafer 51 is seated is provided to be spaced apart from the bottom of the vacuum chamber 11 by a predetermined interval.

도시하지는 않았지만, 진공챔버(11)에는 플라즈마 형성용 기체의 주입구 및 배출구가 각각 설치된다. 진공챔버(11)의 상부는 돔(dome)형상을 가지며 석영으로 이루어진다. 이렇게 돔 형상으로 하는 것은 진공챔버(11) 내에 주입되는 기체가 서셉터(21) 상에 균일하게 분산되어 분포되도록 하기 위함이다. RF 발전기(41)로부터 RF 전력을 인가받는 플라즈마 전극(31)은 진공챔버(11)의 상부 외측을 둘러싸도록 설치된다. 진공챔버(11)와 서셉터(21)는 전기적으로 접지된다. 도 1a에서 상술한 바와 마찬가지로, 플라즈마(A')는 서셉터(21) 상부 공간에만 형성된다.Although not shown, the vacuum chamber 11 is provided with an inlet and an outlet of the gas for plasma formation, respectively. The upper portion of the vacuum chamber 11 has a dome shape and is made of quartz. The dome shape is to allow the gas injected into the vacuum chamber 11 to be uniformly dispersed and distributed on the susceptor 21. The plasma electrode 31 to which RF power is applied from the RF generator 41 is installed to surround the upper outer side of the vacuum chamber 11. The vacuum chamber 11 and the susceptor 21 are electrically grounded. As described above in FIG. 1A, the plasma A 'is formed only in the upper space of the susceptor 21.

상술한 종래의 CVD 장치의 플라즈마를 이용한 진공챔버(11, 21) 내부 세정방법은, CVD 공정 등이 끝난 후에 SF6기체를 100 내지 200 sccm 의 유속으로 진공챔버(11, 21)내로 공급하고 샤워헤드(30) 및 플라즈마 전극(31)에 300 내지 800 W의 RF 전력을 인가함으로써 이루어진다. 즉, SF6플라즈마를 이용하여 진공챔버(11, 21)의 내부를 건식 세정한다.In the above-described method of cleaning the vacuum chambers 11 and 21 using plasma of the conventional CVD apparatus, the SF 6 gas is supplied into the vacuum chambers 11 and 21 at a flow rate of 100 to 200 sccm after the CVD process or the like is finished. This is achieved by applying 300-800 W of RF power to the head 30 and the plasma electrode 31. That is, the inside of the vacuum chambers 11 and 21 is dry-cleaned using SF 6 plasma.

그러나, 서셉터(20, 21)의 하부에는 플라즈마(A, A')가 형성되지 아니하기 때문에, 이러한 종래의 건식 세정 방법으로는 진공챔버(10, 11)의 구석구석 특히, 서셉터(20, 21)의 하부 공간을 세정하기가 어렵다. 또한, 직접적인 RF 전력의 인가에 의하여 플라즈마가 형성되기 때문에, 강한 플라즈마에 의한 진공챔버(10, 11) 내부의 물리적 손상이 심하다.However, since plasmas A and A 'are not formed below the susceptors 20 and 21, the conventional dry cleaning method is used in every corner of the vacuum chambers 10 and 11, in particular, the susceptor 20. , 21) is difficult to clean the lower space. In addition, since the plasma is formed by the direct application of RF power, physical damage inside the vacuum chambers 10 and 11 by the strong plasma is severe.

이러한 문제점들을 해결하기 위하여 리모트 플라즈마를 이용한 건식 세정 방법이 제안되고 있다.In order to solve these problems, a dry cleaning method using a remote plasma has been proposed.

도 2는 리모트 플라즈마 발생기를 구비한 종래의 CVD 장치를 설명하기 위한 개략도이다. 도면에서, 도 1a와 동일한 참조번호는 동일 기능을 수행하는 구성요소를 나타내며 반복적인 설명은 생략한다.2 is a schematic diagram for explaining a conventional CVD apparatus having a remote plasma generator. In the drawings, the same reference numerals as in FIG. 1A denote components that perform the same function, and repeated descriptions thereof will be omitted.

도 2를 참조하면, 리모트 플라즈마(B)를 발생시키기 위한 리모트 플라즈마 발생기(60)가 진공챔버(10)의 외부에 설치된다. 리모트 플라즈마(B)는 리모트 플라즈마 유입관(70)을 통하여 진공챔버(10)로 유입된다.Referring to FIG. 2, a remote plasma generator 60 for generating a remote plasma B is installed outside the vacuum chamber 10. The remote plasma B is introduced into the vacuum chamber 10 through the remote plasma inlet pipe 70.

리모트 플라즈마 발생기를 구비한 종래의 CVD 장치는 리모트 플라즈마를 이용하여 건식 세정의 효율을 높인다는 개념적인 측면에서는 바람직하지만,진공챔버(10) 내의 기하학적인 구조 때문에 서셉터(20)의 하부 공간 등과 같은 진공챔버(10)의 구석구석에는 여전히 플라즈마가 제대로 미치지 못한다는 문제점을 가지고 있다.Conventional CVD apparatuses equipped with a remote plasma generator are preferable in terms of the concept of increasing the efficiency of dry cleaning by using a remote plasma, but due to the geometrical structure in the vacuum chamber 10, such as the lower space of the susceptor 20, etc. Every corner of the vacuum chamber 10 still has a problem that the plasma does not properly reach.

따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 서셉터의 하부 공간과 같이 플라즈마 형성이 어려운 새도우 영역(shadow area)에도 리모트 플라즈마가 잘 미치도록 함으로써 상술한 종래의 문제점을 해결할 수 있는 CVD 장치를 제공하는 데 있다.Accordingly, the technical problem to be achieved by the present invention is to provide a CVD apparatus that can solve the above-mentioned problems by allowing the remote plasma to reach the shadow area where plasma formation is difficult, such as the lower space of the susceptor. have.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 기술적 과제의 달성에 의해 제공되는 CVD 장치의 내부 세정방법을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide an internal cleaning method of a CVD apparatus provided by achieving the above technical problem.

도 1a 및 도 1b는 종래의 CVD 장치를 설명하기 위한 개략도들;1A and 1B are schematic diagrams for explaining a conventional CVD apparatus;

도 2는 리모트 플라즈마 발생기를 구비한 종래의 CVD 장치를 설명하기 위한 개략도; 및2 is a schematic diagram illustrating a conventional CVD apparatus having a remote plasma generator; And

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 CVD 장치를 설명하기 위한 개략도이다.3 is a schematic view for explaining a CVD apparatus according to an embodiment of the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 참조번호의 설명 ><Description of Reference Numbers for Main Parts of Drawings>

10, 11, 111: 진공챔버 20, 21, 121: 서셉터10, 11, 111: vacuum chamber 20, 21, 121: susceptor

30: 샤워헤드 31, 131: 플라즈마 전극30: showerhead 31, 131: plasma electrode

40, 41, 141: RF 발전기 50, 51, 151: 웨이퍼40, 41, 141: RF generator 50, 51, 151: wafer

60, 161: 리모트 플라즈마 발생기60, 161: remote plasma generator

70, 171: 리모트 플라즈마 유입관70, 171: remote plasma inlet pipe

181: 리모트 플라즈마 형성용 기체 주입관181: gas injection tube for forming a remote plasma

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 예에 따른 CVD 장치는, 외부와 차단된 반응공간을 제공하며 전기적으로 접지되는 진공챔버와, 상기 진공챔버 내에 상기 진공챔버의 저면과 소정간격 이격되도록 설치되며 전기적으로 접지되는 서셉터와, 상기 진공챔버 내에 플라즈마를 발생 및 유지시키기 위한 플라즈마 전극과, 상기 플라즈마 전극에 RF 전력을 공급하는 RF 전력 발전기를 구비하면서, 상기 진공챔버 내에서 발생되는 플라즈마와는 다른 별도의 리모트 플라즈마를 발생시키기 위하여 상기 진공챔버 외부에 설치되는 리모트 플라즈마 발생기와, 상기 리모트플라즈마 발생기에서 발생된 플라즈마를 상기 진공챔버로 유입시키기 위하여 한 쪽 끝은 상기 리모트 플라즈마 발생기와 연결되고 다른 한 쪽 끝은 상기 진공챔버의 저면에 내삽되는 리모트 플라즈마 유입관을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.The CVD apparatus according to an embodiment of the present invention for achieving the above technical problem, a vacuum chamber that is electrically grounded to provide a reaction space blocked from the outside, and is installed to be spaced apart from the bottom of the vacuum chamber in the vacuum chamber by a predetermined distance And a susceptor that is electrically grounded, a plasma electrode for generating and maintaining a plasma in the vacuum chamber, and an RF power generator for supplying RF power to the plasma electrode, the plasma being generated in the vacuum chamber. A remote plasma generator installed outside the vacuum chamber to generate another remote plasma, and one end of the remote plasma generator is connected to the remote plasma generator to introduce a plasma generated from the remote plasma generator into the vacuum chamber, The end is interpolated to the bottom of the vacuum chamber It further comprises a remote plasma inlet pipe.

여기서, 상기 리모트 플라즈마 유입관의 내삽부위는 상기 진공챔버 내에서 상하운동이 가능하도록 설치되며, 상기 진공챔버의 외측에는 상기 진공챔버를 가열하기 위한 가열수단이 구비된다.Here, the interpolation portion of the remote plasma inlet pipe is installed to enable the vertical movement in the vacuum chamber, the heating means for heating the vacuum chamber is provided on the outside of the vacuum chamber.

상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 예에 따른 CVD 장치의 내부 세정방법은 상기 플라즈마 전극에 의해 상기 진공챔버 내에서 발생된 플라즈마와 상기 리모트 플라즈마 발생기에서 발생되어 상기 진공챔버 내로 유입된 리모트 플라즈마를 함께 이용하여 상기 진공챔버 내부를 건식 세정하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of cleaning an internal CVD apparatus according to an embodiment of the present invention, wherein a plasma generated in the vacuum chamber by the plasma electrode and a remote plasma generator are introduced into the vacuum chamber. Dry cleaning the inside of the vacuum chamber by using a plasma together.

이 때, 상기 건식 세정 중에 , 상기 서셉터의 하부공간이 30 내지 60℃의 온도가 되도록 상기 가열수단으로 상기 진공챔버를 가열하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 리모트 플라즈마 유입관의 내삽부 끝단이 상기 서셉터보다 낮은 곳에 위치하는 상태에서 상기 리모트 플라즈마가 상기 진공챔버 내로 유입되도록 하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 리모트 플라즈마는 NF3와 Ar의 혼합기체에 의해 형성되는 것이 바람직하다.At this time, during the dry cleaning, it is preferable to heat the vacuum chamber by the heating means so that the lower space of the susceptor is a temperature of 30 to 60 ℃. In addition, the remote plasma is preferably introduced into the vacuum chamber in a state where the end of the insertion end of the remote plasma inlet pipe is located lower than the susceptor. The remote plasma is preferably formed by a mixed gas of NF 3 and Ar.

이하에서, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, preferred embodiments of the present invention will be described in detail.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 CVD 장치를 설명하기 위한 개략도이다.3 is a schematic view for explaining a CVD apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 진공챔버(111)는 상부 및 하부가 플랜지 결합되어 이루어지며, 플랜지 부위에는 효과적인 실링(sealing)을 위해 오링(111a)이 개재된다. 진공챔버(111) 내부에는 웨이퍼(151)가 안착되어지는 서셉터(121)가 진공챔버(111)의 저면과 소정 간격 이격되어 설치된다. 진공챔버(111)와 서셉터(121)는 전기적으로 접지된다.Referring to FIG. 3, the vacuum chamber 111 is formed by flange coupling between an upper portion and a lower portion, and an O-ring 111a is interposed in the flange portion for effective sealing. In the vacuum chamber 111, the susceptor 121, on which the wafer 151 is seated, is spaced apart from the bottom of the vacuum chamber 111 by a predetermined distance. The vacuum chamber 111 and the susceptor 121 are electrically grounded.

도시하지는 않았지만, 진공챔버(111)에는 플라즈마 형성용 기체의 주입구 및 배출구가 각각 설치된다. 진공챔버(111)의 상부는 돔(dome)형상을 가지며 석영으로 이루어진다. RF 발전기(141)로부터 RF 전력을 인가받는 플라즈마 전극(131)은 진공챔버(111)의 상부 외측을 둘러싸도록 설치된다. 플라즈마 전극(131)에 의한 플라즈마(A")는 서셉터(121)의 상부 공간에만 형성되고 그 하부 공간에는 형성되지 아니하는데, 이는 서셉터(121) 자체가 플라즈마의 발생을 방해하는 스크린 역할을 하기 때문이다.Although not shown, the inlet and outlet of the plasma forming gas are respectively provided in the vacuum chamber 111. The upper portion of the vacuum chamber 111 has a dome shape and is made of quartz. The plasma electrode 131 to which RF power is applied from the RF generator 141 is installed to surround the upper outer side of the vacuum chamber 111. Plasma A "by the plasma electrode 131 is formed only in the upper space of the susceptor 121 and is not formed in the lower space of the susceptor 121. The susceptor 121 itself serves as a screen that prevents the generation of plasma. Because.

리모트 플라즈마 형성용 기체 주입관(181)이 연결된 리모트 플라즈마 발생기(161)는 진공챔버(111)의 외부에 설치되며, 리모트 플라즈마 유입관(171)에 의해 진공챔버(111)와 연결된다. 리모트 플라즈마 발생기(161)에서는 플라즈마 전극(131)에 의한 플라즈마(A")와는 다른 별도의 리모트 플라즈마(B")가 발생된다.The remote plasma generator 161 to which the gas injection pipe 181 for forming the remote plasma is connected is installed outside the vacuum chamber 111 and is connected to the vacuum chamber 111 by the remote plasma inlet pipe 171. The remote plasma generator 161 generates a separate remote plasma B ″ different from the plasma A ″ by the plasma electrode 131.

리모트 플라즈마 유입관(171)의 한 쪽 끝은 리모트 플라즈마 발생기(161)와 연결되고 다른 한 쪽 끝은 진공챔버(111)의 저면에 내삽되며, 내삽된 부위는 상하운동이 가능하도록 설치된다.One end of the remote plasma inlet pipe 171 is connected to the remote plasma generator 161 and the other end is interpolated on the bottom of the vacuum chamber 111, and the interpolated portion is installed to enable vertical movement.

리모트 플라즈마 유입관(171)이 진공챔버(111)의 저면으로 내삽되기 때문에 서셉터(121)의 하부 공간에도 리모트 플라즈마(B")가 분포할 수 있게 된다. 나아가 내삽 부위가 상하운동 가능하기 때문에 플라즈마 형성이 어려운 기타 새도우 영역(shadow area)에도 용이하게 플라즈마가 제대로 분포하도록 조절할 수 있다.Since the remote plasma inlet pipe 171 is interpolated to the bottom surface of the vacuum chamber 111, the remote plasma B ″ can be distributed in the lower space of the susceptor 121. Furthermore, since the interpolation site can be moved up and down Other shadow areas where plasma formation is difficult can be easily adjusted to ensure proper plasma distribution.

플라즈마에 의한 진공챔버(111)의 내부 건식 세정이 더 효율적으로 이루어지도록 플라즈마 세정 도중에 진공챔버(111)를 가열하기 위한 가열수단(191)이 진공챔버(111)의 외측에 설치된다.Heating means 191 for heating the vacuum chamber 111 during the plasma cleaning is installed outside the vacuum chamber 111 so that the internal dry cleaning of the vacuum chamber 111 by the plasma is more efficiently performed.

이하에서 도 3의 CVD 장치의 내부를 플라즈마를 이용하여 건식 세정하는 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of dry cleaning the inside of the CVD apparatus of FIG. 3 using plasma will be described.

먼저, 리모트 플라즈마 형성용 기체 주입관(181)을 통하여 리모트 플라즈마 발생기(161)에 NF3와 Ar의 혼합기체를 주입하여 NF3/Ar 리모트 플라즈마를 발생시킨다. 플루오르(F)에 의한 진공챔버(111) 내부의 오염을 감소시키고 세정 효율을 증가시키기 위해서, 종래의 SF6기체 대신에 NF3기체를 사용하는 것이다First, NF 3 / Ar remote plasma is generated by injecting a mixed gas of NF 3 and Ar into the remote plasma generator 161 through the gas injection pipe 181 for remote plasma formation. In order to reduce the contamination inside the vacuum chamber 111 by fluorine (F) and increase the cleaning efficiency, NF 3 gas is used instead of the conventional SF 6 gas.

다음에, 플라즈마 전극(131)에 RF 전력을 인가하여 서셉터(121) 상부 공간에 플라즈마를 발생시킨다. 이어서, 리모트 플라즈마를 진공챔버(111)로 공급해 준다. 이는, 플라즈마 전극(131)에 의한 플라즈마만으로는 새도우 영역이 세정되지 아니하기 때문이다.Next, RF power is applied to the plasma electrode 131 to generate plasma in the upper space of the susceptor 121. Subsequently, the remote plasma is supplied to the vacuum chamber 111. This is because the shadow area is not cleaned only by the plasma by the plasma electrode 131.

이 때, 서셉터(121)의 하부 공간에 리모트 플라즈마가 많이 분포할 수 있도록 하기 위해서는 리모트 플라즈마 유입관(171)의 내삽부 끝단이 서셉터(121)보다낮은 곳에 위치하는 상태에서 리모트 플라즈마를 공급해 주는 것이 바람직하다. 경우에 따라 서셉터(121) 하부 공간 외의 새도우 영역, 예컨대 진공챔버(111)에 설치된 플라즈마 형성용 기체의 주입구 및 배출구 부분 등을 잘 세정하기 위해 리모트 플라즈마 유입관(171)을 상하운동시켜 그 내삽부 끝단이 적절한 위치에 놓이도록 할 수도 있다.At this time, in order to distribute a large amount of the remote plasma in the lower space of the susceptor 121, by supplying the remote plasma in the state where the end of the insertion end of the remote plasma inlet tube 171 is lower than the susceptor 121, It is desirable to give. In some cases, the remote plasma inlet pipe 171 is moved up and down to clean the inlet and outlet portions of the plasma forming gas provided in the shadow area other than the lower space of the susceptor 121, for example, the vacuum chamber 111. You can also make sure that the secondary ends are in the proper position.

또한, 플라즈마에 의해 진공챔버(111)의 내부가 효율적으로 세정되도록 가열수단(191)을 이용하여 진공챔버(111), 특히 서셉터(121)의 하부공간이 30 내지 60℃ 의 온도가 되도록 가열하는 것이 바람직하다.In addition, the lower space of the vacuum chamber 111, in particular the susceptor 121, is heated to a temperature of 30 to 60 ° C. using the heating means 191 to efficiently clean the inside of the vacuum chamber 111 by plasma. It is desirable to.

상술한 본 발명에 따른 리모트 플라즈마를 이용하는 건식 세정은 리모트 플라즈마와 플라즈마 전극에 의해 발생된 플라즈마를 동시에 사용하거나, 서로 교번하여 사용함으로써 이루어진다.The dry cleaning using the remote plasma according to the present invention described above is performed by using the plasma generated by the remote plasma and the plasma electrode at the same time or alternately using each other.

상술한 바와 같은 본 발명에 따른 CVD 장치 및 그 내부 세정방법에 의하면, 리모트 플라즈마 유입관(171)이 진공챔버(111)의 저면으로 내삽되기 때문에 서셉터(121)의 하부공간에도 리모트 플라즈마가 분포하게 되고, 단지 리모트 플라즈마 유입관(171)의 상하운동을 통하여 플라즈마 형성이 어려운 기타 새도우 영역(shadow area)에도 플라즈마가 분포하도록 할 수 있다. 따라서, 플라즈마를 이용하여 효과적으로 진공챔버(111)의 내부를 구석구석 세정할 수 있다. 이러한 효과는 플라즈마 세정 중에 진공챔버(111)를 가열시킴으로써 더욱 극대화시킬 수 있다.According to the CVD apparatus and the internal cleaning method according to the present invention as described above, since the remote plasma inlet pipe 171 is interpolated to the bottom of the vacuum chamber 111, the remote plasma is distributed in the lower space of the susceptor 121. In addition, the plasma may be distributed in other shadow areas that are difficult to form plasma through only the vertical movement of the remote plasma inlet pipe 171. Therefore, the inside of the vacuum chamber 111 can be cleaned in every corner using plasma. This effect can be further maximized by heating the vacuum chamber 111 during plasma cleaning.

본 발명은 상기 실시예에만 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함은 명백하다.The present invention is not limited to the above embodiments, and it is apparent that many modifications are possible by those skilled in the art within the technical spirit of the present invention.

Claims (8)

외부와 차단된 반응공간을 제공하며 전기적으로 접지되는 진공챔버와, 상기 진공챔버 내에 상기 진공챔버의 저면과 소정간격 이격되도록 설치되며 전기적으로 접지되는 서셉터와, 상기 진공챔버 내에 플라즈마를 발생 및 유지시키기 위한 플라즈마 전극과, 상기 플라즈마 전극에 RF 전력을 공급하는 RF 전력 발전기를 구비하는 CVD 장치에 있어서,A vacuum chamber that is electrically grounded to provide a reaction space that is blocked from the outside, a susceptor that is electrically spaced from the bottom of the vacuum chamber by a predetermined distance in the vacuum chamber, and generates and maintains a plasma in the vacuum chamber A CVD apparatus comprising a plasma electrode for supplying an RF power generator for supplying RF power to the plasma electrode, 상기 진공챔버 내에서 발생되는 플라즈마와는 다른 별도의 리모트 플라즈마를 발생시키기 위하여 상기 진공챔버 외부에 설치되는 리모트 플라즈마 발생기와, 상기 리모트 플라즈마 발생기에서 발생된 플라즈마를 상기 진공챔버로 유입시키기 위하여 한 쪽 끝은 상기 리모트 플라즈마 발생기와 연결되고 다른 한 쪽 끝은 상기 진공챔버의 저면에 내삽되는 리모트 플라즈마 유입관을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 CVD 장치.A remote plasma generator installed outside the vacuum chamber for generating a remote plasma different from the plasma generated in the vacuum chamber, and one end for introducing the plasma generated from the remote plasma generator into the vacuum chamber; Is connected to the remote plasma generator, and the other end further comprises a remote plasma inlet tube inserted into the bottom of the vacuum chamber. 제1 항에 있어서, 상기 리모트 플라즈마 유입관의 내삽부위가 상기 진공챔버 내에서 상하운동이 가능하도록 설치되는 것을 특징으로 하는 CVD 장치.The CVD apparatus according to claim 1, wherein an interpolation portion of the remote plasma inlet pipe is installed to enable vertical movement in the vacuum chamber. 제1 항에 있어서, 상기 진공챔버의 외측에 상기 진공챔버를 가열하기 위한 가열수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 CVD 장치.The CVD apparatus according to claim 1, further comprising heating means for heating the vacuum chamber outside the vacuum chamber. 제2 항의 CVD 장치의 내부 세정방법에 있어서,In the internal cleaning method of the CVD apparatus of claim 2, 상기 플라즈마 전극에 의해 상기 진공챔버 내에서 발생된 플라즈마와 상기 리모트 플라즈마 발생기에서 발생되어 상기 진공챔버 내로 유입된 리모트 플라즈마를 함께 이용하여 상기 진공챔버 내부를 건식 세정하는 것을 특징으로 하는 CVD 장치 내부 세정방법.The internal cleaning method of the CVD apparatus according to claim 1, wherein the inside of the vacuum chamber is dry-cleaned by using a plasma generated in the vacuum chamber by the plasma electrode and a remote plasma generated in the remote plasma generator and introduced into the vacuum chamber. . 제4 항에 있어서, 상기 건식 세정 중에 상기 가열수단으로 상기 진공챔버를 가열하는 것을 특징으로 하는 CVD 장치 내부 세정방법.5. The method according to claim 4, wherein said vacuum chamber is heated by said heating means during said dry cleaning. 제5 항에 있어서, 상기 서셉터의 하부공간이 30 내지 60℃의 온도가 되도록 상기 가열수단으로 상기 진공챔버를 가열하는 것을 특징으로 하는 CVD장치 내부 세정방법.6. The method according to claim 5, wherein the vacuum chamber is heated by the heating means so that the lower space of the susceptor reaches a temperature of 30 to 60 캜. 제4 항에 있어서, 상기 리모트 플라즈마 유입관의 내삽부 끝단이 상기 서셉터보다 낮은 곳에 위치하는 상태에서 상기 리모트 플라즈마가 상기 진공챔버 내로 유입되는 것을 특징으로 하는 CVD 장치 내부 세정방법.5. The method of claim 4, wherein the remote plasma is introduced into the vacuum chamber while the end portion of the remote plasma inlet pipe is positioned lower than the susceptor. 6. 제4 항에 있어서, 상기 리모트 플라즈마는 NF3와 Ar의 혼합기체에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 CVD 장치 내부 세정방법.5. The method of claim 4, wherein the remote plasma is formed by a mixed gas of NF 3 and Ar.
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