KR20010088790A - 음극선관 내장용 저항기 - Google Patents

음극선관 내장용 저항기 Download PDF

Info

Publication number
KR20010088790A
KR20010088790A KR1020017002003A KR20017002003A KR20010088790A KR 20010088790 A KR20010088790 A KR 20010088790A KR 1020017002003 A KR1020017002003 A KR 1020017002003A KR 20017002003 A KR20017002003 A KR 20017002003A KR 20010088790 A KR20010088790 A KR 20010088790A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
terminal
surface layer
resistor
insulating substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1020017002003A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100391384B1 (ko
Inventor
이리쿠라마사오
다케모토아이코
이와타스에지로
Original Assignee
니시무로 타이죠
가부시끼가이샤 도시바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 니시무로 타이죠, 가부시끼가이샤 도시바 filed Critical 니시무로 타이죠
Publication of KR20010088790A publication Critical patent/KR20010088790A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100391384B1 publication Critical patent/KR100391384B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
    • H01J29/48—Electron guns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/96—One or more circuit elements structurally associated with the tube
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/92—Means forming part of the tube for the purpose of providing electrical connection to it
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2229/00—Details of cathode ray tubes or electron beam tubes
    • H01J2229/92—Means providing or assisting electrical connection with or within the tube
    • H01J2229/922—Means providing or assisting electrical connection with or within the tube within the tube
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2229/00—Details of cathode ray tubes or electron beam tubes
    • H01J2229/96—Circuit elements other than coils, reactors or the like, associated with the tube
    • H01J2229/966—Circuit elements other than coils, reactors or the like, associated with the tube associated with the gun structure

Landscapes

  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)

Abstract

본 발명은 음극선관 내장용 저항기에 관한 것으로서, 절연기판(21)과 상기 절연기판(21)의 한 주요면상에 형성된 저항체층(23)과 상기 저항체층(23)에 부착된 복수의 단자 전극(22A∼22E) 및 상기 단자전극(22A∼22E)의 각각에 접속된 복수의 단자(31A∼31E)를 구비하며, 복수의 단자(31A∼31E)의 각각은 비자성 합금으로 이루어진 기체와 상기 기체의 표면에 형성된 상기 비자성 합금의 산화물로 이루어진 표면층을 포함하고, 또 1.005 이하의 비투자율을 갖고, 복수의 단자(31A∼31E)의 각각의 상기 표면층의 일부에는 절연 피복층이 형성되어 있으며, 비자성 합금은 Ni-Cr기 합금이고, 표면층은 단자의 표면을 NiO의 형성이 억제되는 조건으로 산화 처리하는 것에 의해 형성되는 것을 특징으로 한다.

Description

음극선관 내장용 저항기{INTERNAL RESISTOR OF CATHODE-RAY TUBE}
전자관, 예를 들면 칼라텔레비젼 수상기에 이용되는 칼라음극선관에 이용되는 컨버전스 전극이나 포커스전극으로의 급전(給電)은 양극(陽極) 전압을 분압용 저항기에서 각각 분압하는 것에 의해 실행되고 있다.
도 1∼도 3은 종래의 분압용 저항기를 도시하며, 도 1은 저항기의 평면도, 도 2는 도 1의 선 Ⅱ-Ⅱ를 따르는 단면도, 도 3은 도 1의 주요부 확대도를 나타낸다.
도 1∼도 3에 있어서, 산화알루미늄을 주성분으로 하는 절연기판(21)의 한 주요면(21a)에는 산화루테늄을 함유하는 금속 산화물과 붕규산납계 유리로 이루어진 전극재료를 인쇄하고, 건조하고, 소성하여 얻은 5개의 단자용 전극층(22A∼22E)이 배열 형성되고, 이들 단자용 전극층 사이를 연결하도록 저항체층(23)이 소정 패턴으로 형성되어 있다.
저항체층(23)은 산화루테늄을 함유하는 금속산화물과 붕규산납계 유리로 이루어진 저항재료를 소정 저항값을 얻을 수 있는 형상으로 인쇄하고, 건조하고, 소성하는 것에 의해 형성된다. 그리고, 저항체층(23)은 절연피복층(24a)에 의해 피복되어 있다.
절연기판(21)의 전극층(22A∼22E)이 형성되어 있는 부분에는 기판을 그 한 주요면(21a)으로부터 다른쪽 주요면(21b)을 향해 관통하는 스루홀(25)이 형성되어 있다. 그리고, 각 전극층(22A∼22E)에는 단자(26A∼26E)가 전기적으로 접속되고, 또 이들 단자(26A∼26E)의 한쪽 단부는 절연기판의 스루홀(25)에 대해 코킹(calking) 고정되어 있다.
즉, 도 3에 도시한 바와 같이, 각 단자(26A∼26E)의 한쪽 단부는 통형상부(26a)와 칼날부(26b)를 갖고 있으며, 통형상부(26a)는 스루홀(25)에 삽입되고, 기판의 다른쪽 주요면(21b)측에 코킹되는 것에 의해 고정된다.
그런데, 이들 단자(26A∼26E)는 도시하지 않은 편향요크가 발생하는 자계에 영향을 미치지 않도록, 통상은 비자성 스텐레스강(Fc-Ni-Cr기 합금) 등의 비자성 합금에 의해 구성되어 있다. 또, 당해 기술분야에서 비자성이라는 것은 그 비투자율이 1.01이하, 바람직하게는 1.005이하의 것을 가리킨다.
단자의 코킹부(26c)는 통상 도시하지 않은 음극선관의 넥부의 내벽과의 전위차에 기인하는 이상 방전을 억제하기 위해 절연피복층(24b)에 의해 덮여져 있다.
이 절연 피복층(24b)에는 음극선관 제조공정중의 가열공정에 견디는 내열성, 관내 진공도에 영향을 미치지 않는 가스 방출 특성, 절연기판과의 열팽창률차가 작은 것 등이 요구되고, 이들 특성을 고려하여 붕규산납계 유리에 의해 구성되어 있다.
그러나, 비자성 합금에 의해 구성되는 단자(26A∼26E)의 열팽창계수는 절연기판이나 절연 피복층에 대해 3배 정도 크기 때문에 제조공정중에 가열되는 것에 의해 단자(26A∼26E)의 코킹부(26c) 근방에서 절연 피복층(24b)에 클랙이 발생하고, 코킹부에서 절연피복층부가 박리하여 탈락해버리는 문제가 발생해버린다.
그 결과, 코킹부가 노출되면 이상 방전이 발생하기 쉬워지고, 또 박리한 피복층편(片)이 전자총이나 넥 내벽에 부착하면 내전압 특성을 열화시켜 버린다. 또, 피복층편이 섀도우마스크 구멍에 부착하고, 막힘을 일으켜 음극선관의 제조 수율을 저하시키는 요인이 되고 있다.
이에 대해, 단자를 코벌(Fe-Ni-Co 합금)이나 42아로이(42% Fe-Ni합금) 등의 합금으로 형성하면 이들 합금층은 열팽창계수가 절연 피복층의 팽창계수와 합치하도록 형성할 수 있기 때문에 피복층의 박리 등을 억제할 수 있다. 그러나, 이들 합금 재료는 투자율이 높은 자성 합금이기 때문에 편향요크에서 발생한 자계가 변형되어 버려 화상 불량이 생기는 문제가 있었다.
본 발명은 상기 기술적 문제점을 감안하여 이루어진 것으로서, 단자부에서의 이상 방전의 발생 및 피복층의 탈락을 억제하고, 이에 의해 음극선관이 양호한 화상 품위의 화상을 표시하는 것을 가능하게 하는 음극선관용 저항기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은 단자부에서의 이상 방전의 발생 및 피복층의 탈락을 억제하는 저항기를 내장하는, 양호한 화상 품위의 화상을 표시하는 것이 가능한 음극선관을 제공하는데 있다.
본 발명은 칼라음극선관 등의 음극선관에 이용되는 음극선관 내장용 저항기 및 이 저항기를 내장하는 음극선관에 관한 것이다.
도 1은 종래의 음극선관용 저항기를 도시한 평면도,
도 2는 도 1에 도시한 음극선관용 저항기를 도시한 단면도,
도 3은 도 1에 도시한 음극선관용 저항기의 주요부를 도시한 단면도,
도 4는 본 발명의 한 실시예의 음극선관용 저항기의 주요부를 도시한 단면도,
도 5는 본 발명의 한 실시예의 음극선관용 전자총의 구조를 도시한 도면,
도 6은 본 발명의 한 실시예의 음극선관용 전자총의 구조를 도시한 도면 및
도 7은 본 발명의 한 실시예의 칼라음극선관의 구조를 도시한 도면이다.
본 발명에 의하면 절연기판과, 상기 절연기판의 한 주요면상에 형성된 저항체층과, 상기 저항체층에 부착된 복수의 단자 전극과, 이들 단자 전극의 각각에 접속된 복수의 단자를 구비하며, 상기 복수의 단자의 각각은 비자성 합금으로 이루어진 기체와, 상기 기체의 표면에 형성된 상기 비자성 합금의 산화물로 이루어진 표면층을 포함하고, 또한 1.005 이하의 비투자율을 갖고, 상기 복수의 단자의 각각의 상기 표면층의 일부에는 절연 피복층이 형성되어 있는 음극선관 내장용 저항기가 제공된다.
또, 본 발명에 의하면 내면에 형광체스크린이 형성되어 있는 패널부와, 넥부를 갖는 퍼넬부를 구비한 외관용기 및 상기 넥부내에 배치된 전자총을 구비하며, 상기 전자총은 음극 구체, 복수의 그리드전극 및 이들 복수의 그리드 전극에 분압 전압을 공급하는 저항기를 갖고, 상기 저항기는 절연기판과 상기 절연기판의 한 주요면상에 형성된 저항체층, 상기 저항체층에 부착된 복수의 전극 및 상기 전극의 각각에 접속된 복수의 단자를 구비하며, 상기 복수의 단자의 각각은 비자성 합금으로 이루어진 기체(基體)와 상기 기체의 표면에 형성된 상기 비자성 합금의 산화물로 이루어진 표면층을 포함하고, 또 1.005 이하의 비투자율을 갖고, 상기 복수의 단자의 각각의 상기 표면층의 일부에는 절연피복층이 형성되어 있는 음극선관이 제공된다.
본 발명은 저항기의 단자를 비자성 합금에 의해 구성하고, 또 그 표면에 비자성 합금의 산화물로 이루어진 표면층을 형성하고, 단자 전체의 비투자율을 1.005이하로 한 것을 특징으로 한다.
단자의 표면층은 비자성 합금으로 이루어진 기체 표면을 산화하여 얻어진 산화물층에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 이에 의해 밀착성이 양호한 표면층을 얻을 수 있다.
단자의 기체를 구성하는 비자성 합금은 바람직하게는 Ni-Cr기 합금인 것이 바람직하다. 표면층은 이와 같은 Ni-Cr기 합금으로 이루어진 기체 표면을 산화하여 얻어진 Cr2O3및 NiCr2O4를 주성분으로 하는 것인 것이 바람직하다.
Cr2O3및 NiCr2O4를 주성분으로 하는 표면층은 Ni-Cr기 합금으로 이루어진 기체 표면을 선택 산화하는 것에 의해, 즉, 니켈 산화물, 즉 NiO의 형성이 억제되는 조건으로 산화처리하는 것에 의해 형성하는 것이 가능하다. 이와 같은 선택 산화의 조건은, 예를 들면 환원 분위기에서 980∼1100℃로 열처리한 후, 산화 분위기에서 950∼1050℃로 열처리하는 것에 의해 실행할 수 있다.
산화분위기에서의 열처리가 950℃ 보다 낮으면 처리가 늦어져 실용에 적합하지 않다. 한편, 1050℃ 보다 높으면 선택 산화를 효과적으로 실행하는 것이 곤란해진다.
환원 분위기는 예를 들면 수소를 함유하는 분위기, 산화 분위기는 수증기를 함유하는 분위기로 할 수 있다.
표면층은 바람직하게는 60중량% 이상, 더 바람직하게는 90중량% 이상의 Cr2O3및 NiCr2O4를 함유하는 것으로 하는 것이 바람직하다. 또, 표면층의 두께는0.5∼2㎛가 바람직하고, 약 1㎛가 가장 바람직하다.
이와 같은 선택 산화에 의해 얻은 표면층은 그 위에 설치한 절연 피복층과의 부착 강도가 높아 단자와 절연피복층의 열팽창계수의 차이에 의해 절연피복층에 크랙이 발생해도 절연 피복층의 탈락을 억제할 수 있다. 따라서, 단자가 절연피복층으로부터 노출되지 않고, 이상 방전을 억제할 수 있고, 또 절연피복층의 탈락에 기인하는 제조 수율의 저하를 억제할 수 있다.
또, 표면에 산화물로 이루어진 표면층을 형성했다고 해도 단자 전체의 비투자율을 편향요크에 의해 발생한 자계에 변형이 생기지 않는 값인 1.005이하로 할 수 있기 때문에, 이와 같은 저항기를 조립하는 음극선관에 의해 양호한 화상 품위를 얻을 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 설명한다.
도 4는 본 발명의 음극선관용 저항기를 도시한 단면도이다.
또, 도 1∼도 3에 도시한 종래의 저항기와 공통 부분에는 동일한 부호를 붙인다.
즉, 산화알루미늄을 주성분으로 한 절연기판(21)의 한 주요면(21a)에는 산화루테늄을 함유하는 금속 산화물과 붕규산납계 유리로 이루어진 전극재료를 인쇄하고, 건조하고, 소성하는 것에 의해 단자용 전극층(22A∼22E)이 배열되어 형성되어 있다. 또, 종래의 저항기와 마찬가지로, 이들 단자용 전극층(22A∼22E)사이를 접속하도록 저항체층(23)이 형성되어 있다. 이 저항체층(23)은 산화루테늄을 함유하는 금속산화물과 붕규산납계 유리로 이루어진 저항재료를 소정의 저항값이 얻어지는 형상으로 인쇄하고, 건조하고, 소성하는 것에 의해 형성된다. 그리고, 이 저항체층(23)은 붕규산납계 유리로 이루어진 절연피복층(24a)에 의해 피복되어 있다.
단자용 전극층(22A∼22E)이 형성되어 있는 절연기판(21) 부분에는 기판을 그 한 주요면(21a)으로부터 다른쪽 주요면(21b)을 향해 관통하는 스루홀(25)이 형성되어 있다. 그리고, 각 단자용 전극층(22A∼22E)에는 단자(31A∼31E)가 접속되고, 또 이들 단자(31A∼31E)는 절연기판의 스루홀(25)에 부착되고, 절연기판(21)에 코킹 고정되어 있다.
즉, 도 4에 도시한 바와 같이 각 단자(31A∼31E)는 통형상부(31a)와 칼날부(31b)를 갖고 있으며, 통형상부(31a)는 스루홀(25)에 삽입되고, 기판 내면측에 코킹되는 것에 의해 고정된다.
이 단자(31A∼31E)는 다음과 같이 제조된다. 즉, 소둔 완료의 20% Cr-Ni기 합금 박판을 프레스 가공에 의해 소정 형상으로 성형하고, 탈지(脫脂)하고, 세정한 후 순수한 수소의 환원 분위기에서 분위기 온도 1030℃에서 8분간 열처리를 하고, 그 후 이슬점 20℃의 수소를 도입한 분위기중에 배치하고, 분위기 온도 1000℃에서 20분간 열처리하는 것에 의해 표면에 산화물층으로 이루어진 표면층이 형성되고, 단자재(端子材)가 얻어진다.
이와 같이 제작된 단자재에 대해 X선 회절법을 이용하여 분석한 바, 단자재의 표리면 모두 약 1㎛의 깊이까지가 Cr2O3및 NiCr2O4를 주성분으로 하는 산화물층으로 변성되어 있는 것을 알 수 있다. 이때, 산화물층중의 Cr2O3과 NiCr2O4의 합계 함유량은 중량 조성비로 약 90%이였다(Cr2O3: 약 60%, NiCr2O4: 약 30%).
산화처리공정에서 NiO가 다량으로 석출되면 산화막의 강도가 저하하고, 막박리 등의 문제점이 발생하는 것을 경험상 알 수 있어 이를 방지하기 위해 본 발명에서는 산화처리시의 분위기 및 온도를 상기 조건으로 하는 것에 의해 산화막의 조성을 Cr2O3(또는 Cr2O3및 NiCr2O4)이 주성분이 되도록 선택적으로 석출시켰다. 즉, Ni보다도 Cr이 선택적으로 산화되는 선택 산화를 실시한 것이다.
산화막중의 NiO양은 10% 이하인 것이 바람직하고, 5% 이하인 것이 더 바람직하다. 본 실시예에 있어서 상기 조건으로는 상기 분석 결과, NiO는 검출되지 않았다.
또, 이와 같이 산화처리가 실시된 단자재의 비투자율을 JIS No.C2563에 기초하여 측정한 바, 1.0007이였다. 또, 합금층 단층에서의 비투자율도 1.0007이고, 산화물층을 형성한 것에 의해 단자의 비투자율은 거의 변화하지 않는 것을 알 수 있다. 이는 산화처리에 의해 석출되는 Cr2O3이 반강자성체(투자율:1)이고, NiCr2O4는 저온에서 페리 자성을 나타내지만, 상온에서는 상자성(常磁性)(투자율:1.00005∼1.001)이고, 산화물층은 이들 산화물을 주성분으로 하기 때문이다.
또, 비교를 위해 종래 이용되던 비자성 스텐레스강을 산화처리한 단자재를 제작한 바, 그 비투자율은 1.01을 상회했다. 이는 산화처리에 의해 단자재 표면에서 강자성 Fe3O4가 석출되었기 때문이다.
본 실시예의 방법에 의해 제작된 단자를 도 4에 도시한 바와 같이 저항기에 부착하고, 초음파 진동에 의한 강제 가진(加振) 시험을 실시한 바, 절연 피복층(24b)의 탈락은 발생하지 않았다.
도 5 및 도 6은 도 4에 도시한 저항기를 조립한 전자총(108)을 나타낸다. 이 전자총(108)에는 3개의 음극구체(K)에 대해 공통으로 제 1 그리드전극(G1), 제 2 그리드전극(G2), 제 3 그리드전극(G3), 제 4 그리드전극(G4), 제 5 그리드전극(G5), 제 6 그리드전극(G6), 제 7 그리드전극(G7), 제 8 그리드전극(G8)이 차례로 동축상에 배치되어 있다. 그리드(G8)의 후단에는 컨버전스전극(1)이 배치되어 있다.
각 그리드전극(G1, G2, G3, G4, G5, G6, G7, G8)은 서로 소정의 위치 관계를 유지하고, 비드 유리(2)에 의해 기계적으로 유지되어 있다. 또, 제 3그리드전극(G3)과 제 5 그리드전극(G5)은 도선(3)에 의해 전기적으로 접속되어 있으며, 또 컨버전스전극(1)은 제 8 그리드전극(G8)과 용접에 의해 전기적으로 접속되어 있다.
전자총(108)의 상면에는 도 4에 도시한 저항기가 부착되어 있고, 단자(31B, 31C, 31D)는 각각 제 7 그리드전극(G7), 제 6 그리드전극(G6), 제 5 그리드전극(G5)에 접속되어 있다. 또, 단자(31A)는 컨버전스전극(1)과 접속되고, 단자(31E)는 어스전극 핀(8)에 접속되어 있다.
도 5에 도시한 바와 같이, 퍼넬(103)의 내벽에는 그래파이트 도전막(9)이 피착되고, 이 도전막(9)은 후술하는 음극선관 넥부의 내벽까지 뻗어 애노드버튼(도시하지 않음)과의 전기적 접속을 취하고 있다. 그리고, 컨버전스 전극(1)에는 도전스프링(10)이 설치되어 있고, 도전스프링(10)이 그래파이트도전막(9)과 접촉하는 것에 의해 컨버전스전극(1), 제 8 그리드전극(G8) 및 저항기의 단자(31A)에 양극전압이 공급되고, 단자(5B∼5D)에 발생하는 분압 전압이 제 7 그리드전극(G7), 제 6 그리드전극(G6), 제 5 그리드전극(G5)에 각각 공급된다.
도 7은 상술한 전자총을 조립한 칼라음극선관을 도시한다.
도 7에 있어서, 유리제의 외관용기(101)는 패널(102) 및 퍼넬(103)에 의해 구성되고, 퍼넬(103)은 넥부(104)를 갖고 있다. 외관용기(101)의 패널(102)의 내면에는 청, 녹, 적으로 발광하는 3색 형광체층으로 이루어진 형광체스크린(105)이 형성되고, 이 형광체스크린(105)에 대향하여 다수의 전자빔 투과구멍을 갖는 섀도우마스크(106)가 배치되어 있다.
또, 외관용기(101)의 퍼넬(103)의 넥부(104)의 내부에는 도 5 및 도 6에 도시한 전자총(108)이 배치되어 있다. 그리고, 이 전자총(108)으로부터 방출되는 3전자빔(R,G,B)을 퍼넬(103)의 외측에 장착된 편향요크(107)가 발생하는 자계에 의해 편향하고, 형광체스크린(105)상을 수평주사 및 수직주사하는 것에 의해 칼라화상이 표시된다.
그런데, 본 실시예에서는 상술한 바와 같이, 저항기에 이용되는 단자재는 1.0007로 낮은 비투자율을 갖고 있다. 단자재의 비투자율이 1.005이하이면 자계의 변형은 허용 레벨이 되는 것을 알 수 있고, 실제로 본 실시예의 저항기를 칼라음극선관에 조립한 바, 자계의 변형에 의한 화상 변형은 보이지 않았다.
또, 저항기 및 전자총을 음극선관에 조립한 후, 절연 피복층의 박리편에 의한 섀도우마스크의 막힘 등의 불량은 발생하지 않고, 단자부로부터의 이상 방전도 관찰되지 않았다. 이는 Cr-Ni기 합금으로 이루어진 기체 표면에 형성된 얇은 Cr2O3및 NiCr2O4를 주성분으로 하는 표면층이 Cr-Ni합금으로 이루어진 기체와 표면층상에 형성되는 절연피복층 양쪽에 대해 높은 부착 강도를 갖고 있기 때문이다. 또, 단자의 전극부와 접하는 면에도 마찬가지로 얇은 Cr2O3및 NiCr2O4를 주성분으로 하는 표면층이 형성되어 있기 때문에 단자와 전극부의 부착 강도도 향상되어 있다.
이와 같은 표면막은 바람직하게는 기체 표면을 산화 분위기중에서 산화처리하는 것에 의해, 더 바람직하게는 기체 표면을 선택 산화 조건으로 열처리하는 것에 의해 얻을 수 있다. 표면층은 예를 들면 증착 등의 방법으로 형성하는 것도 가능하지만 산화처리에 의해 형성된 산화물막에 비하면 산화막 자체의 강도가 약하기 때문에, 경우에 따라서는 상층의 절연피복층의 박리가 생길 우려가 있다.
또, 합금 기체의 산화 처리에 의해 단자재 전체로서의 비투자율이 1.005를 상회해버리면 화상 품위에 영향을 미치지만, 본 실시예와 같이 Cr-Ni기 합금 기체 표면을 산화처리하는 것에 의해 산화물로 이루어진 표면층을 형성하면 단자재 전체로서의 비투자율은 1.0007로 낮은 값이 되기 때문에 양호한 화상 품위를 얻을 수 있었다.
이상, 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면 저항기 단자부에서의 이상 방전의 발생 및 피복층의 탈락을 억제할 수 있고, 이에 따라서 음극선관의 제조 수율을 향상시키는 것이 가능하고, 또 음극선관 내부에서의 자계 변형을 억제하여 양호한 화상 품위를 실현할 수 있기 때문에 음극선관의 기술 분야에 매우 유효하다.

Claims (18)

  1. 절연기판;
    상기 절연기판의 한 주요면상에 형성된 저항체층;
    상기 저항체층에 부착된 복수의 단자 전극; 및
    상기 단자전극의 각각에 접속된 복수의 단자를 구비하며,
    상기 복수의 단자 각각은 비자성 합금으로 이루어진 기체(基體), 및
    상기 기체의 표면에 형성된 상기 비자성 합금의 산화물로 이루어진 표면층을 포함하고, 또 1.005 이하의 비투자율을 가지며,
    상기 복수의 단자 각각의 상기 표면층의 일부에는 절연 피복층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 음극선관 내장용 저항기.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 표면층은 상기 단자의 표면을 산화 처리하는 것에 의해 형성된 것임을 특징으로 하는 음극선관 내장용 저항기.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 단자는 상기 절연기판에 설치된 스루홀에 끼워 맞춰 고정된 코킹부를 갖고, 상기 절연피복층은 상기 코킹부를 덮도록 상기 절연기판의 다른쪽 주요면측에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 음극선관 내장용 저항기.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 비자성 합금은 Ni-Cr기 합금인 것을 특징으로 하는 음극선관 내장용 저항기.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 표면층은 상기 단자의 표면을 NiO의 형성이 억제되는 조건으로 산화 처리하는 것에 의해 형성된 것임을 특징으로 하는 음극선관 내장용 저항기.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 표면층은 Cr2O3및 NiCr2O4를 주성분으로 하는 것을 특징으로 하는 음극선관 내장용 저항기.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 표면층은 60중량% 이상의 Cr2O3및 NiCr2O4를 함유하는 것을 특징으로 하는 음극선관 내장용 저항기.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 표면층은 상기 단자가 상기 단자전극과 접하는 면에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 음극선관 내장용 저항기.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 표면층의 두께는 0.5∼2㎛인 것을 특징으로 하는 음극선관 내장용 저항기.
  10. 내면에 형광체스크린이 형성되어 있는 패널부와 넥부를 갖는 퍼넬부를 구비한 외관용기 및 상기 넥부내에 배치된 전자총을 구비하고, 상기 전자총은 음극구체, 복수의 그리드전극 및 이들 복수의 그리드전극에 분압 전압을 공급하는 저항기를 갖고,
    상기 저항기는 절연기판과 상기 절연기판의 한 주요면상에 형성된 저항체층, 상기 저항체층에 부착된 복수의 전극 및 상기 전극의 각각에 접속된 복수의 단자를 구비하며, 상기 복수의 단자 각각은 비자성 합금으로 이루어진 기체와 상기 기체의 표면에 형성된 상기 비자성 합금의 산화물로 이루어진 표면층을 포함하고, 또 1.005 이하의 비투자율을 가지며, 상기 복수의 단자 각각의 상기 표면층의 일부에는 절연 피복층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 음극선관.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 표면층은 상기 단자의 표면을 산화 처리하는 것에 의해 형성된 것임을 특징으로 하는 음극선관.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 단자는 상기 절연기판에 설치된 스루홀에 끼워 맞춰 고정된 코킹부를 갖고, 상기 절연피복층은 상기 코킹부를 덮도록 상기 절연기판의 다른쪽 주요면측에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 음극선관.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 비자성 합금은 Ni-Cr기 합금인 것을 특징으로 하는 음극선관.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 표면층은 상기 단자의 표면을 NiO의 형성이 억제되는 조건으로 산화처리하는 것에 의해 형성된 것임을 특징으로 하는 음극선관.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 표면층은 Cr2O3및 NiCr2O4를 주성분으로 하는 것을 특징으로 하는 음극선관.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 표면층은 60중량% 이상의 Cr2O3및 NiCr2O4를 함유하는 것을 특징으로하는 음극선관.
  17. 제 10 항에 있어서,
    상기 표면층은 상기 단자가 상기 단자 전극과 접하는 면에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 음극선관.
  18. 제 10 항에 있어서,
    상기 표면층의 두께는 0.5∼2㎛인 것을 특징으로 하는 음극선관.
KR10-2001-7002003A 1999-06-18 2000-06-13 음극선관 내장용 저항기 Expired - Fee Related KR100391384B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11171894A JP2001006569A (ja) 1999-06-18 1999-06-18 電子管内蔵用抵抗器
JP11-171894 1999-06-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010088790A true KR20010088790A (ko) 2001-09-28
KR100391384B1 KR100391384B1 (ko) 2003-07-12

Family

ID=15931792

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-7002003A Expired - Fee Related KR100391384B1 (ko) 1999-06-18 2000-06-13 음극선관 내장용 저항기

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6356021B2 (ko)
JP (1) JP2001006569A (ko)
KR (1) KR100391384B1 (ko)
CN (1) CN1211809C (ko)
TW (1) TW535186B (ko)
WO (1) WO2000079559A1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001210254A (ja) * 2000-01-28 2001-08-03 Hitachi Ltd 陰極線管
CN1572010A (zh) * 2002-08-20 2005-01-26 株式会社东芝 电子枪组件用电阻器以及阴极射线管
JP2004200123A (ja) * 2002-12-20 2004-07-15 Toshiba Corp 電子銃構体用抵抗器、電子銃構体、及び、陰極線管
JP4911640B2 (ja) * 2006-05-24 2012-04-04 独立行政法人科学技術振興機構 マルチフェロイック素子
US10573483B2 (en) * 2017-09-01 2020-02-25 Varex Imaging Corporation Multi-grid electron gun with single grid supply

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4349767A (en) * 1977-01-17 1982-09-14 Sony Corporation Cathode ray tube resistance of ruthenium oxide and glass containing alumina powder
US4672269A (en) * 1984-06-14 1987-06-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Built-in resistor for a cathode ray tube
DE3774943D1 (de) 1986-06-27 1992-01-16 Toshiba Kawasaki Kk Ein widerstand und eine diesen widerstand enthaltende elektronenroehre.
JPH06251901A (ja) * 1993-02-26 1994-09-09 Toshiba Corp 抵抗素子
JPH07134952A (ja) * 1993-11-08 1995-05-23 Toshiba Corp 電子管の内蔵素子及びその製造方法
CN1099125C (zh) * 1995-06-09 2003-01-15 株式会社东芝 浸渍型阴极组件及所用的阴极基体、采用这种组件的电子枪组件和电子管

Also Published As

Publication number Publication date
KR100391384B1 (ko) 2003-07-12
WO2000079559A1 (fr) 2000-12-28
TW535186B (en) 2003-06-01
US20010010450A1 (en) 2001-08-02
JP2001006569A (ja) 2001-01-12
CN1313999A (zh) 2001-09-19
US6356021B2 (en) 2002-03-12
CN1211809C (zh) 2005-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100391384B1 (ko) 음극선관 내장용 저항기
GB2041638A (en) Directly heated cathode for electron tube
GB2071908A (en) Electron tube seal and method of fabricating the same
US6624561B2 (en) Color cathode ray tube having an internal voltage-dividing resistor
US6515424B2 (en) Color cathode ray tube having an internal voltage-dividing resistor
KR100244231B1 (ko) 음극선관용 새도우마스크
JP2000012304A (ja) 抵抗器、その製造方法および電子銃
JP3406617B2 (ja) 陰極線管電子銃用抵抗器
JPH0682540B2 (ja) 厚膜抵抗素子及びそれを内蔵する電子管
US6724139B2 (en) Cathode ray tube having improved indirectly heated cathode
EP1575077A1 (en) Resistor for electron gun structure, electron gun structure and cathode ray tube
JPH0334827Y2 (ko)
US20040195583A1 (en) Election gun assembly resistor and cathode ray tube
JPH11233321A (ja) 抵抗体素子
JPH0740295Y2 (ja) 陰極線管
RU2039393C1 (ru) Цветная электронно-лучевая трубка без внутреннего экрана
JPH06251901A (ja) 抵抗素子
JP3524207B2 (ja) カラー受像管の製造方法
JPH02244543A (ja) 電子管内蔵用分圧抵抗素子および電子管
JPH0696662A (ja) 電子管用カソード
JPH07249373A (ja) 陰極線管の陰極構体の製造方法とそれに用いる装置
JPH0917352A (ja) 陰極線管電子銃用の抵抗器およびその製造方法
JPH117906A (ja) 抵抗器、それを用いた電子銃構体および電子管
JPH06295664A (ja) 陰極線管の製造方法
JP2005228626A (ja) 管内用抵抗器及び陰極線管

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0105 International application

Patent event date: 20010216

Patent event code: PA01051R01D

Comment text: International Patent Application

PA0201 Request for examination
PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20020930

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20030529

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20030702

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20030703

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20060630

Start annual number: 4

End annual number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20070629

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20070629

Start annual number: 5

End annual number: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee