JP2001006569A - 電子管内蔵用抵抗器 - Google Patents
電子管内蔵用抵抗器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 端子部での異常放電の発生及び被覆層の脱落
を抑制し、かつ良好な画像品位の得られる抵抗器を提供
することを目的とする。 【解決手段】 抵抗器の端子を非磁性合金層及びこの非
磁性合金層表面を酸化して得られた酸化層により形成す
ることを特徴とする。
を抑制し、かつ良好な画像品位の得られる抵抗器を提供
することを目的とする。 【解決手段】 抵抗器の端子を非磁性合金層及びこの非
磁性合金層表面を酸化して得られた酸化層により形成す
ることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はカラー受像管等の陰
極線管に用いられる電子管内蔵用抵抗器に関する。
極線管に用いられる電子管内蔵用抵抗器に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子管例えばカラーテレビジョン受像機
に用いられるカラーブラウン管に用いられるコンバージ
ェンス電極やフォーカス電極への給電は、陽極電圧を分
圧用抵抗器で分圧することによって行われている。
に用いられるカラーブラウン管に用いられるコンバージ
ェンス電極やフォーカス電極への給電は、陽極電圧を分
圧用抵抗器で分圧することによって行われている。
【０００３】図５乃至図７は従来の分圧用抵抗器を示
し、図５は抵抗器の平面図、図６は図５の線Ｙ−Ｙに沿
った断面図、図７は図５の要部拡大図を示す。即ち、酸
化アルミニウムを主成分とした絶縁基板２１の一主面２
１ａには、酸化ルテニウムを含む金属酸化物とほう硅酸
鉛系のガラスよりなる電極材料を印刷、乾燥、焼成した
５個の端子用電極層２２Ａ〜２２Ｅが配列形成され、こ
れら端子用電極層の間を結ぶように抵抗体層２３が形成
されている。この抵抗体層２３は、酸化ルテニウムを含
む金属酸化物とほう硅酸鉛系のガラスよりなる抵抗材料
を所定の抵抗値が得られるような形状で印刷、乾燥、焼
成することによって形成される。そして抵抗体層２３は
絶縁被覆層２４によって覆われている。
し、図５は抵抗器の平面図、図６は図５の線Ｙ−Ｙに沿
った断面図、図７は図５の要部拡大図を示す。即ち、酸
化アルミニウムを主成分とした絶縁基板２１の一主面２
１ａには、酸化ルテニウムを含む金属酸化物とほう硅酸
鉛系のガラスよりなる電極材料を印刷、乾燥、焼成した
５個の端子用電極層２２Ａ〜２２Ｅが配列形成され、こ
れら端子用電極層の間を結ぶように抵抗体層２３が形成
されている。この抵抗体層２３は、酸化ルテニウムを含
む金属酸化物とほう硅酸鉛系のガラスよりなる抵抗材料
を所定の抵抗値が得られるような形状で印刷、乾燥、焼
成することによって形成される。そして抵抗体層２３は
絶縁被覆層２４によって覆われている。
【０００４】絶縁基板２１の電極層形成部分には、基板
をその一主面２１ａから他主面２１ｂに向けて貫通する
スルーホール２５が形成されている。そして各電極層２
２Ａ〜２２Ｅには、端子２６Ａ〜２６Ｅが接続され、ま
たこれら端子２６Ａ〜２６Ｅは、絶縁基板のスルーホー
ル２５に対してかしめ固定されている。即ち図１１に示
すように、各端子２６Ａ〜２６Ｅは、筒状部２６ａと鍔
部２６ｂを有しており、筒状部２６ａはスルーホール２
５に挿入され、基板裏面側でかしめられることによって
固定される。
をその一主面２１ａから他主面２１ｂに向けて貫通する
スルーホール２５が形成されている。そして各電極層２
２Ａ〜２２Ｅには、端子２６Ａ〜２６Ｅが接続され、ま
たこれら端子２６Ａ〜２６Ｅは、絶縁基板のスルーホー
ル２５に対してかしめ固定されている。即ち図１１に示
すように、各端子２６Ａ〜２６Ｅは、筒状部２６ａと鍔
部２６ｂを有しており、筒状部２６ａはスルーホール２
５に挿入され、基板裏面側でかしめられることによって
固定される。
【０００５】ところでこれら端子２６Ａ〜２６Ｅは、図
示しない偏向ヨークの発生する磁界に影響を与えないよ
うに、通常は非磁性ステンレス鋼（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ合
金）などの非磁性合金により形成される。尚当該技術分
野において非磁性とは、その比透磁率が１．０１以下、
好ましくは１．００５以下のものをさす。また端子のか
しめ部２６ｃは、図示しない陰極線管ネック部の内壁と
の電位差に起因する異常放電を抑制するために、絶縁被
覆層２４によって覆われている。
示しない偏向ヨークの発生する磁界に影響を与えないよ
うに、通常は非磁性ステンレス鋼（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ合
金）などの非磁性合金により形成される。尚当該技術分
野において非磁性とは、その比透磁率が１．０１以下、
好ましくは１．００５以下のものをさす。また端子のか
しめ部２６ｃは、図示しない陰極線管ネック部の内壁と
の電位差に起因する異常放電を抑制するために、絶縁被
覆層２４によって覆われている。
【０００６】この絶縁被覆層２４には、ブラウン管製造
工程中の加熱工程に耐えられる耐熱性、管内真空度に影
響を与えないガス放出特性、絶縁基板との熱膨張率差が
小さいこと等が要求され、これらの特性を考慮してほう
硅酸鉛系のガラスより形成される。
工程中の加熱工程に耐えられる耐熱性、管内真空度に影
響を与えないガス放出特性、絶縁基板との熱膨張率差が
小さいこと等が要求され、これらの特性を考慮してほう
硅酸鉛系のガラスより形成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、非磁性合金
により形成される端子２６Ａ〜２６Ｅの熱膨張係数は絶
縁基板や絶縁被覆層に対し３倍程度大きいため、製造工
程中に加熱されることにより端子２６Ａ〜２６Ｅのかし
め部２６ｃ近傍で絶縁被覆層２４にクラックが発生し、
かしめ部から絶縁被覆層片が剥離し脱落してしまうとい
う問題が生じた。これによりかしめ部が露出されると異
常放電が発生しやすくなり、また剥離した被覆層片が電
子銃やネック内壁に付着すると耐電圧特性を劣化させて
しまう。さらに被覆層片がシャドウマスク孔に付着し目
詰まりをおこしてしまい、製造歩留を低下させる要因と
なっていた。
により形成される端子２６Ａ〜２６Ｅの熱膨張係数は絶
縁基板や絶縁被覆層に対し３倍程度大きいため、製造工
程中に加熱されることにより端子２６Ａ〜２６Ｅのかし
め部２６ｃ近傍で絶縁被覆層２４にクラックが発生し、
かしめ部から絶縁被覆層片が剥離し脱落してしまうとい
う問題が生じた。これによりかしめ部が露出されると異
常放電が発生しやすくなり、また剥離した被覆層片が電
子銃やネック内壁に付着すると耐電圧特性を劣化させて
しまう。さらに被覆層片がシャドウマスク孔に付着し目
詰まりをおこしてしまい、製造歩留を低下させる要因と
なっていた。
【０００８】これに対し、端子をコバール（Ｆｅ−Ｎｉ
−Ｃｏ合金）や４２アロイ（４２％Ｆｅ−Ｎｉ合金）な
どの合金で形成すると、これらの合金層は熱膨張係数が
絶縁被覆層の膨張係数と合致するように形成できるた
め、被覆層の剥離等は抑制できる。しかしながらこれら
の合金材料は透磁率の高い磁性合金であるため、偏向ヨ
ークで発生させた磁界が歪められてしまい、画像不良が
生じるという問題があった。
−Ｃｏ合金）や４２アロイ（４２％Ｆｅ−Ｎｉ合金）な
どの合金で形成すると、これらの合金層は熱膨張係数が
絶縁被覆層の膨張係数と合致するように形成できるた
め、被覆層の剥離等は抑制できる。しかしながらこれら
の合金材料は透磁率の高い磁性合金であるため、偏向ヨ
ークで発生させた磁界が歪められてしまい、画像不良が
生じるという問題があった。
【０００９】本発明は、上記の技術的背景に鑑み、端子
部での異常放電の発生及び被覆層の脱落を抑制し、かつ
良好な画像品位の得られる抵抗器を提供することを目的
とする。
部での異常放電の発生及び被覆層の脱落を抑制し、かつ
良好な画像品位の得られる抵抗器を提供することを目的
とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、抵抗器の端子
を非磁性合金層及びこの非磁性合金層表面を酸化して得
られた酸化層により形成することを特徴とする。この非
磁性合金層は好ましくはＮｉ−Ｃｒ合金層により構成さ
れ、また酸化層は好ましくはこのＮｉ−Ｃｒ合金層を酸
化して得られたＣｒ２Ｏ３及びＮｉＣｒ２Ｏ４を主成分
とする膜により構成される。
を非磁性合金層及びこの非磁性合金層表面を酸化して得
られた酸化層により形成することを特徴とする。この非
磁性合金層は好ましくはＮｉ−Ｃｒ合金層により構成さ
れ、また酸化層は好ましくはこのＮｉ−Ｃｒ合金層を酸
化して得られたＣｒ２Ｏ３及びＮｉＣｒ２Ｏ４を主成分
とする膜により構成される。
【００１１】この酸化層は、上層に設けられた絶縁被覆
層との付着強度が高く、従って端子と絶縁被覆層の熱膨
張係数の違いにより絶縁被覆層にクラックが発生して
も、被覆層の脱落を抑制することができる。従って端子
が絶縁被覆層から露出せず、異常放電を抑制することが
出来、また絶縁被覆層の脱落に起因する製造歩留の低下
を抑制できる。また端子の比透磁率を偏向ヨークにより
発生された磁界に歪みが生じない値とすることができ、
良好な画像品位が得られる。
層との付着強度が高く、従って端子と絶縁被覆層の熱膨
張係数の違いにより絶縁被覆層にクラックが発生して
も、被覆層の脱落を抑制することができる。従って端子
が絶縁被覆層から露出せず、異常放電を抑制することが
出来、また絶縁被覆層の脱落に起因する製造歩留の低下
を抑制できる。また端子の比透磁率を偏向ヨークにより
発生された磁界に歪みが生じない値とすることができ、
良好な画像品位が得られる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。図１は、本発明の抵抗器の断面図を示
す。尚図５乃至図７に示す従来の抵抗器と共通の部分に
は同一の符号を付す。即ち、酸化アルミニウムを主成分
とした絶縁基板２１の一主面２１ａには、酸化ルテニウ
ムを含む金属酸化物とほう硅酸鉛系のガラスよりなる電
極材料を印刷、乾燥、焼成した端子用電極層２２Ａ〜２
２Ｅが配列形成され、従来の抵抗器と同様にこれら端子
用電極層の間を結ぶように抵抗体層２３が形成されてい
る。この抵抗体層２３は、酸化ルテニウムを含む金属酸
化物とほう硅酸鉛系のガラスよりなる抵抗材料を所定の
抵抗値が得られるような形状で印刷、乾燥、焼成するこ
とによって形成される。そして抵抗体層２３はほう硅酸
鉛系のガラスからなる絶縁被覆層２４によって覆われて
いる。
施例を説明する。図１は、本発明の抵抗器の断面図を示
す。尚図５乃至図７に示す従来の抵抗器と共通の部分に
は同一の符号を付す。即ち、酸化アルミニウムを主成分
とした絶縁基板２１の一主面２１ａには、酸化ルテニウ
ムを含む金属酸化物とほう硅酸鉛系のガラスよりなる電
極材料を印刷、乾燥、焼成した端子用電極層２２Ａ〜２
２Ｅが配列形成され、従来の抵抗器と同様にこれら端子
用電極層の間を結ぶように抵抗体層２３が形成されてい
る。この抵抗体層２３は、酸化ルテニウムを含む金属酸
化物とほう硅酸鉛系のガラスよりなる抵抗材料を所定の
抵抗値が得られるような形状で印刷、乾燥、焼成するこ
とによって形成される。そして抵抗体層２３はほう硅酸
鉛系のガラスからなる絶縁被覆層２４によって覆われて
いる。
【００１３】絶縁基板２１の電極層形成部分には、基板
をその一主面２１ａから他主面２１ｂに向けて貫通する
スルーホール２５が形成されている。そして各電極層２
２Ａ〜２２Ｅには、端子３１Ａ〜３１Ｅが接続され、ま
たこれら端子３１Ａ〜３１Ｅは、絶縁基板のスルーホー
ル２５に対してかしめ固定されている。即ち図１１に示
すように、各端子３１Ａ〜３１Ｅは、筒状部３１ａと鍔
部３１ｂを有しており、筒状部３１ａはスルーホール２
５に挿入され、基板裏面側でかしめられることによって
固定される。
をその一主面２１ａから他主面２１ｂに向けて貫通する
スルーホール２５が形成されている。そして各電極層２
２Ａ〜２２Ｅには、端子３１Ａ〜３１Ｅが接続され、ま
たこれら端子３１Ａ〜３１Ｅは、絶縁基板のスルーホー
ル２５に対してかしめ固定されている。即ち図１１に示
すように、各端子３１Ａ〜３１Ｅは、筒状部３１ａと鍔
部３１ｂを有しており、筒状部３１ａはスルーホール２
５に挿入され、基板裏面側でかしめられることによって
固定される。
【００１４】この端子は、次のようにして製造される。
即ち、焼鈍済の２０％Ｃｒ−Ｎｉ合金薄板をプレス加工
により所定の形状に成形し、脱脂洗浄後水素還元雰囲気
で雰囲気温度１０３０℃で８分間熱処理をした後、露点
２０℃の水素を導入した雰囲気中に配置し、雰囲気温度
１０００℃で２０分間熱処理することにより酸化処理を
施す。
即ち、焼鈍済の２０％Ｃｒ−Ｎｉ合金薄板をプレス加工
により所定の形状に成形し、脱脂洗浄後水素還元雰囲気
で雰囲気温度１０３０℃で８分間熱処理をした後、露点
２０℃の水素を導入した雰囲気中に配置し、雰囲気温度
１０００℃で２０分間熱処理することにより酸化処理を
施す。
【００１５】こうして作製された端子材をＸ線回折法を
用いて分析したところ、端子材の表裏面ともに約１μｍ
の深さまでが、Ｃｒ２Ｏ３及びＮｉＣｒ２Ｏ４を主成分
とする酸化層に変性されていることがわかった。尚この
ときＣｒ２Ｏ３及びＮｉＣｒ２Ｏ４は重量組成比で約９
０％であった。
用いて分析したところ、端子材の表裏面ともに約１μｍ
の深さまでが、Ｃｒ２Ｏ３及びＮｉＣｒ２Ｏ４を主成分
とする酸化層に変性されていることがわかった。尚この
ときＣｒ２Ｏ３及びＮｉＣｒ２Ｏ４は重量組成比で約９
０％であった。
【００１６】またこの酸化処理を行った端子材の比透磁
率をＪＩＳ Ｎｏ．Ｃ２５６３に基づいて測定したとこ
ろ、１．０００７であった。尚、このとき合金層単層で
の比透磁率は１．０００７、酸化層単層での比透磁率は
１であり、酸化層を形成したことによって端子の比透磁
率はほとんど変化していない。これは、母材となる合金
層自体がＦｅなどの強磁性体を含んでおらず、従ってこ
の母材を酸化処理してできた酸化膜にも強磁性体が析出
しないためである。尚比較のため従来用いられていた非
磁性ステンレス鋼を酸化処理した端子材を作製したとこ
ろ、その比透磁率は１．０１を上回り、しかも酸化処理
前よりも酸化処理後の比透磁率が高い値となった。これ
は酸化処理によって端子材表面に強磁性のＦｅが析出し
たためと考えられる。
率をＪＩＳ Ｎｏ．Ｃ２５６３に基づいて測定したとこ
ろ、１．０００７であった。尚、このとき合金層単層で
の比透磁率は１．０００７、酸化層単層での比透磁率は
１であり、酸化層を形成したことによって端子の比透磁
率はほとんど変化していない。これは、母材となる合金
層自体がＦｅなどの強磁性体を含んでおらず、従ってこ
の母材を酸化処理してできた酸化膜にも強磁性体が析出
しないためである。尚比較のため従来用いられていた非
磁性ステンレス鋼を酸化処理した端子材を作製したとこ
ろ、その比透磁率は１．０１を上回り、しかも酸化処理
前よりも酸化処理後の比透磁率が高い値となった。これ
は酸化処理によって端子材表面に強磁性のＦｅが析出し
たためと考えられる。
【００１７】本実施例の方法によって作製された端子
を、図１に示すように抵抗器に取り付け、超音波振動に
よる強制加振試験を行ったところ、絶縁被覆層２４の脱
落は生じなかった。
を、図１に示すように抵抗器に取り付け、超音波振動に
よる強制加振試験を行ったところ、絶縁被覆層２４の脱
落は生じなかった。
【００１８】図２、図３は図１の抵抗器を組み込んだ電
子銃１０８を示す。この電子銃１０８には３個の陰極構
体Ｋに対し、共通に第１グリッド電極Ｇ１、第２グリッ
ド電極Ｇ２、第３グリッド電極Ｇ３、第４グリッド電極
Ｇ４、第５グリッド電極Ｇ５、第６グリッド電極Ｇ６、
第７グリッド電極Ｇ７、第８グリッド電極Ｇ８が順次同
軸上に配置されている。グリッドＧ８の後段には、コン
バージェンス電極１が配置されている。各グリッド電極
Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５、Ｇ６、Ｇ７およびＧ８
は、相互に所定の位置関係を維持して、ビードガラス２
によって機械的に保持されている。また第３グリッド電
極Ｇ３と第５グリッド電極Ｇ５とは、導線３によって電
気的に接続されており、さらにコンバージェンス電極１
は、第８グリッド電極Ｇ８と溶接により電気的に接続さ
れている。
子銃１０８を示す。この電子銃１０８には３個の陰極構
体Ｋに対し、共通に第１グリッド電極Ｇ１、第２グリッ
ド電極Ｇ２、第３グリッド電極Ｇ３、第４グリッド電極
Ｇ４、第５グリッド電極Ｇ５、第６グリッド電極Ｇ６、
第７グリッド電極Ｇ７、第８グリッド電極Ｇ８が順次同
軸上に配置されている。グリッドＧ８の後段には、コン
バージェンス電極１が配置されている。各グリッド電極
Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５、Ｇ６、Ｇ７およびＧ８
は、相互に所定の位置関係を維持して、ビードガラス２
によって機械的に保持されている。また第３グリッド電
極Ｇ３と第５グリッド電極Ｇ５とは、導線３によって電
気的に接続されており、さらにコンバージェンス電極１
は、第８グリッド電極Ｇ８と溶接により電気的に接続さ
れている。
【００１９】また電子銃１０８の上面には、図１に示す
抵抗器が取り付けられおり、端子３１Ｂ、３１Ｃ、３１
Ｄはそれぞれ第７グリッド電極Ｇ７、第６グリッド電極
Ｇ６、第５グリッド電極Ｇ５に接続されている。また端
子３１Ａはコンバージェンス電極１と接続され、端子３
１Ｅはアース電極ピン８に接続されている。
抵抗器が取り付けられおり、端子３１Ｂ、３１Ｃ、３１
Ｄはそれぞれ第７グリッド電極Ｇ７、第６グリッド電極
Ｇ６、第５グリッド電極Ｇ５に接続されている。また端
子３１Ａはコンバージェンス電極１と接続され、端子３
１Ｅはアース電極ピン８に接続されている。
【００２０】ファンネル１０３の内壁にはグラファイト
導電膜９が被着され、この導電膜９は後述する陰極線管
ネック部の内壁まで伸びて電気的接続をとっている。そ
してコンバージェンス電極１には、導電ばね１０が設け
られており、導電ばね１０がグラファイト導電膜９と接
触することにより、コンバージェンス電極１、第８グリ
ッド電極Ｇ８及び抵抗器の端子３１Ａに陽極電圧が供給
され、高圧の端子５Ｂ〜５Ｄに発生する分圧電圧が、第
７グリッド電極Ｇ７、第６グリッド電極Ｇ６、第５グリ
ッド電極Ｇ５にそれぞれ供給される。
導電膜９が被着され、この導電膜９は後述する陰極線管
ネック部の内壁まで伸びて電気的接続をとっている。そ
してコンバージェンス電極１には、導電ばね１０が設け
られており、導電ばね１０がグラファイト導電膜９と接
触することにより、コンバージェンス電極１、第８グリ
ッド電極Ｇ８及び抵抗器の端子３１Ａに陽極電圧が供給
され、高圧の端子５Ｂ〜５Ｄに発生する分圧電圧が、第
７グリッド電極Ｇ７、第６グリッド電極Ｇ６、第５グリ
ッド電極Ｇ５にそれぞれ供給される。
【００２１】図４は上述の電子銃を組み込んだカラーブ
ラウン管を示す。即ち外囲器１０１はガラスで形成さ
れ、パネル１０２、ファンネル１０３により構成され、
ファンネル１０３はネック部１０４を有している。外囲
器１０１のパネル１０２の内面には、青、緑、赤に発光
する３色蛍光体層からなる蛍光体スクリーン１０５が形
成され、この蛍光体スクリーン１０５に対向して、その
内側に多数の電子ビーム透過孔の形成されたシャドウマ
スク１０６が配置されている。また外囲器１０１のファ
ンネル１０３のネック部１０４の内部に図２及び図３に
示す電子銃１０８が配置されている。そしてこの電子銃
１０８から放出される３電子ビームＲ、Ｇ、Ｂをファン
ネル１０３の外側に装着された偏向ヨーク１０７の発生
する磁界により偏向して、蛍光体スクリーン１０５を水
平走査、垂直走査することによりカラー画像を表示する
構造をなしている。
ラウン管を示す。即ち外囲器１０１はガラスで形成さ
れ、パネル１０２、ファンネル１０３により構成され、
ファンネル１０３はネック部１０４を有している。外囲
器１０１のパネル１０２の内面には、青、緑、赤に発光
する３色蛍光体層からなる蛍光体スクリーン１０５が形
成され、この蛍光体スクリーン１０５に対向して、その
内側に多数の電子ビーム透過孔の形成されたシャドウマ
スク１０６が配置されている。また外囲器１０１のファ
ンネル１０３のネック部１０４の内部に図２及び図３に
示す電子銃１０８が配置されている。そしてこの電子銃
１０８から放出される３電子ビームＲ、Ｇ、Ｂをファン
ネル１０３の外側に装着された偏向ヨーク１０７の発生
する磁界により偏向して、蛍光体スクリーン１０５を水
平走査、垂直走査することによりカラー画像を表示する
構造をなしている。
【００２２】ところで本実施例においては、上述のとお
り抵抗器に用いられる端子材は１．０００７と低い比透
磁率を有している。端子の比透磁率が１．００５以下で
あれば磁界の歪みは許容レベルとなることがわかってお
り、実際に本実施例の抵抗器をカラーブラウン管に組み
込んだところ、磁界の歪みによる画像歪みは見られなか
った。
り抵抗器に用いられる端子材は１．０００７と低い比透
磁率を有している。端子の比透磁率が１．００５以下で
あれば磁界の歪みは許容レベルとなることがわかってお
り、実際に本実施例の抵抗器をカラーブラウン管に組み
込んだところ、磁界の歪みによる画像歪みは見られなか
った。
【００２３】また抵抗器、電子銃をブラウン管に組み込
んだ後、絶縁被覆層の剥離片によるシャドウマスクの目
詰まり等の不良は発生せず、さらに端子部からの異常放
電も観察されなかった。これはＣｒ−Ｎｉ合金層表面に
形成された薄いＣｒ２Ｏ３及びＮｉＣｒ２Ｏ４を主成分
とする層が、下層のＣｒ−Ｎｉ合金層と上層に形成され
る絶縁被覆層の双方に対して高い付着強度を有している
ためである。また端子の電極部と接する面にも同様に薄
いＣｒ２Ｏ３及びＮｉＣｒ２Ｏ４を主成分とする層が形
成されているため、端子と電極部との付着強度も向上し
ている。このような酸化膜は合金表面を酸化雰囲気中で
酸化処理することによって得られるもので、一方例えば
蒸着等の方法で作製された酸化膜は、酸化膜自体の強度
が弱くなるため上層の絶縁被覆層の剥離を生じるおそれ
がありむしろ好ましくない。また合金層酸化処理によっ
て端子材全体としての比透磁率が１．００５を上回って
しまうと、画像品位に影響を与えてしまうが、本実施例
の如くＣｒ−Ｎｉ合金層表面を酸化処理することにより
酸化層を形成すると、端子材全体としての比透磁率は
１．０００７と低い値となるため、良好な画像品位を得
ることができた。
んだ後、絶縁被覆層の剥離片によるシャドウマスクの目
詰まり等の不良は発生せず、さらに端子部からの異常放
電も観察されなかった。これはＣｒ−Ｎｉ合金層表面に
形成された薄いＣｒ２Ｏ３及びＮｉＣｒ２Ｏ４を主成分
とする層が、下層のＣｒ−Ｎｉ合金層と上層に形成され
る絶縁被覆層の双方に対して高い付着強度を有している
ためである。また端子の電極部と接する面にも同様に薄
いＣｒ２Ｏ３及びＮｉＣｒ２Ｏ４を主成分とする層が形
成されているため、端子と電極部との付着強度も向上し
ている。このような酸化膜は合金表面を酸化雰囲気中で
酸化処理することによって得られるもので、一方例えば
蒸着等の方法で作製された酸化膜は、酸化膜自体の強度
が弱くなるため上層の絶縁被覆層の剥離を生じるおそれ
がありむしろ好ましくない。また合金層酸化処理によっ
て端子材全体としての比透磁率が１．００５を上回って
しまうと、画像品位に影響を与えてしまうが、本実施例
の如くＣｒ−Ｎｉ合金層表面を酸化処理することにより
酸化層を形成すると、端子材全体としての比透磁率は
１．０００７と低い値となるため、良好な画像品位を得
ることができた。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、抵抗器端子部での異常
放電の発生及び被覆層の脱落が抑制され、陰極線管の製
造歩留を向上させることができ、またブラウン管内部で
の磁界歪みを抑制して良好な画像品位を実現することが
できた。
放電の発生及び被覆層の脱落が抑制され、陰極線管の製
造歩留を向上させることができ、またブラウン管内部で
の磁界歪みを抑制して良好な画像品位を実現することが
できた。
【図１】本発明の一実施例における抵抗器の要部断面図
を示す。
を示す。
【図２】本発明の一実施例における電子銃の構造を示
す。
す。
【図３】本発明の一実施例における電子銃の構造を示
す。
す。
【図４】本発明の一実施例におけるカラーブラウン管の
構造を示す。
構造を示す。
【図５】従来の抵抗器の平面図を示す。
【図６】図５の抵抗器の断面図を示す。
【図７】図５の抵抗器の要部断面図を示す。
２１・・・ 絶縁基板 ２３・・・ 抵抗体層 ２２Ａ〜２２Ｅ・・・ 電極層 ３１Ａ〜３１Ｅ・・・ 端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩田 季次郎 兵庫県姫路市余部区上余部50番地 株式会 社東芝姫路工場内 Ｆターム(参考） 5C041 AB14 AC14
Claims (7)
- 【請求項１】 絶縁基板と、前記絶縁基板の一主面上に
形成された抵抗体層と、前記抵抗体層に接続された複数
の電極部と、前記電極部の各々に接続され非磁性合金層
及び該非磁性合金層表面を酸化処理して得られた酸化層
からなり、その比透磁率が１．００５以下である複数の
端子と、前記酸化層上の所定位置に形成された絶縁被覆
層とを具備することを特徴とする電子管内蔵用抵抗器。 - 【請求項２】 前記酸化層は非磁性酸化層であることを
特徴とする請求項１記載の電子管内蔵用抵抗器。 - 【請求項３】 前記酸化層の比透磁率は、前記非磁性合
金層の比透磁率よりも低いことを特徴とする請求項２記
載の電子管内蔵用抵抗器。 - 【請求項４】 前記端子は前記絶縁基板に設けられたス
ルーホール部に嵌合固定されたかしめ部を有し、前記絶
縁被覆層は前記かしめ部を覆って前記絶縁基板の他主面
側に形成されていることを特徴とする請求項１記載の電
子管内蔵用抵抗器。 - 【請求項５】 前記非磁性合金層はＮｉ−Ｃｒ合金層で
あることを特徴とする請求項１記載の電子管内蔵用抵抗
器。 - 【請求項６】 前記酸化膜はＣｒ２Ｏ３及びＮｉＣｒ２
Ｏ４を主成分とすることを特徴とする請求項５記載の電
子管内蔵用抵抗器。 - 【請求項７】 前記端子は、前記電極部と接する面に前
記非磁性合金層を酸化処理して得られた酸化層を有する
ことを特徴とする請求項１記載の電子管内蔵用抵抗器。
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