KR20010084208A - Vertical cavity surface emitting laser - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 표면광 레이저(Vertical Cavity Surface Emitting Laser)에 관한 것으로, 상세하게는 강도(Intensity) 분포 특성이 양호한 레이저빔을 출사할 수 있도록 전류 가이드 구조를 개선한 표면광 레이저에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface cavity surface emitting laser, and more particularly, to a surface light laser having an improved current guide structure to emit a laser beam having good intensity distribution characteristics.
일반적으로, 표면광 레이저는 반도체 물질층의 적층 방향으로 광을 출사하기 때문에, 다른 광학소자와의 결합이 용이하고 설치가 쉬울 뿐만 아니라, 이차원 배열을 갖도록 제조가 가능하여, 광픽업, 단파장 광통신, 옵티페이스(optiface:광신호를 이용한 인터페이스 기술)등에서 광원으로 널리 응용될 수 있다.In general, since the surface light laser emits light in the stacking direction of the semiconductor material layer, it is easy to be combined with other optical elements, is easy to install, and can be manufactured to have a two-dimensional array, so that optical pickup, short wavelength optical communication, It can be widely applied as a light source in an optical interface (optiface).
도 1을 참조하면, 종래의 표면광 레이저는 기판(10)과, 상기 기판(10) 상에 순차로 적층형성된 하부반사기층(11), 활성층(12), 고저항부(13) 및 상부반사기층(14)과, 상기 상부반사기층(14)상의 광이 출사되는 윈도우(21)를 제외한 영역에 형성된 상부전극(16)과, 상기 기판(10)의 하면에 형성된 하부전극(17)으로 이루어져 있다.Referring to FIG. 1, a conventional surface light laser includes a substrate 10, a lower reflector layer 11, an active layer 12, a high resistance portion 13, and an upper reflection layer that are sequentially stacked on the substrate 10. The base layer 14, the upper electrode 16 formed in an area except for the window 21 from which light on the upper reflector layer 14 is emitted, and the lower electrode 17 formed on the bottom surface of the substrate 10 are formed. have.
상기 하부반사기층(11) 및 상부반사기층(14)은 굴절율이 서로 다른 화합물 반도체를 교대로 적층하여 형성된 브래그반사기(DBR:Distributed Bragg Reflector)로, 서로 다른 형으로 도핑되어 있다. 즉, 상기 기판(10)은 n형 도핑되어 있으며, 상기 하부반사기층(11)은 상기 기판(10)과 같은 형인 n형, 상기 상부반사기층(14)은 p형으로 도핑되어 있다.The lower reflector layer 11 and the upper reflector layer 14 are distributed Bragg reflectors (DBRs) formed by alternately stacking compound semiconductors having different refractive indices, and are doped in different types. That is, the substrate 10 is n-type doped, the lower reflector layer 11 is n-type, and the upper reflector layer 14 is doped p-type the same type as the substrate 10.
상기 고저항부(13)는 상,하부전극(16)(17)을 통해 인가된 전류가 상기 활성층(12)의 중앙부(12a)쪽으로 흐르도록 전류의 흐름을 가이드한다.The high resistance portion 13 guides the flow of current so that the current applied through the upper and lower electrodes 16 and 17 flows toward the center portion 12a of the active layer 12.
따라서, 윈도우(21) 주위에 형성된 상부전극(16)을 통해 인가된 전류 즉, 캐리어는 상기 고저항부(13)에 의해 가이드되어 모아지면서 활성층(12)쪽으로 주입된다. 그리고, 상기 활성층(12)에서는 전자와 정공의 결합에 의해 광이 발생되며, 상기 상,하부반사기층(14)(11)에 의해 공진된 레이저빔이 상기 윈도우(21)를 통해 출사된다.Accordingly, the current applied through the upper electrode 16 formed around the window 21, that is, the carrier, is guided and collected by the high resistance part 13 and injected into the active layer 12. In the active layer 12, light is generated by a combination of electrons and holes, and a laser beam resonated by the upper and lower reflector layers 14 and 11 is emitted through the window 21.
출사되는 빔의 강도 분포는 상부전극(16)을 통해 주입된 전류 밀도 분포에 영향을 받는데, 상기와 같은 종래의 표면광 레이저는, 윈도우(21)의 외곽부를 통해 주입된 전류가 활성층(12)에 근접한 고저항부(13)에 의해 가이드되는 구조이므로, 윈도우(21) 외곽부에서의 전류 밀도가 그 윈도우(21)의 중앙부에서의 전류 밀도보다 높다.The intensity distribution of the emitted beam is affected by the current density distribution injected through the upper electrode 16. In the conventional surface light laser as described above, the current injected through the outer portion of the window 21 is applied to the active layer 12. Since the structure is guided by the high resistance portion 13 adjacent to the current density, the current density at the outer portion of the window 21 is higher than the current density at the center portion of the window 21.
그러므로, 상기와 같은 종래의 표면광 레이저에서는, 단일 모드가 발진하더라도 모드가 이동되거나 윈도우(21) 외곽부로 치우쳐 발진되어 단일 모드 특성이 불안정하다.Therefore, in the conventional surface light laser as described above, even if the single mode oscillates, the mode is shifted or is oscillated to the outside of the window 21 so that the single mode characteristics are unstable.
또한, 레이저 발진이 다중 모드로 일어나는 경우에도, 주로 상기 윈도우(21)의 외곽부에서 발생된 다중 모드가 큰 강도로 발진된다.In addition, even when the laser oscillation takes place in multiple modes, the multiple modes generated mainly at the periphery of the window 21 are oscillated with high intensity.
따라서, 광섬유와 같은 광학소자와의 광커플링 효율이 낮고, 출사되는 레이저빔의 근접장 패턴(near field pattern) 및 원거리장 패턴(far field pattern) 특성도 좋지 않다.Therefore, the optical coupling efficiency with an optical element such as an optical fiber is low, and the characteristics of the near field pattern and the far field pattern of the emitted laser beam are also poor.
본 발명은 상기한 바와 같은 점을 감안하여 안출된 것으로, 윈도우의 중심부에서 레이저 발진이 주로 일어날 수 있도록 전류 가이드 구조를 개선한 표면광 레이저를 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above, and an object thereof is to provide a surface light laser having an improved current guide structure so that laser oscillation can mainly occur at the center of a window.
도 1은 종래의 표면광 레이저를 개략적으로 보인 단면도,1 is a cross-sectional view schematically showing a conventional surface light laser,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표면광 레이저를 개략적으로 보인 단면도,2 is a cross-sectional view schematically showing a surface light laser according to an embodiment of the present invention;
도 3은 틸트 이온 주입법을 사용하여 이온을 주입할 때 사용되는 마스크 및 이온 주입 경로를 개략적으로 보인 도면,3 is a schematic view showing a mask and an ion implantation path used when implanting ions using a tilt ion implantation method;
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표면광 레이저를 개략적으로 보인 단면도.4 is a cross-sectional view schematically showing a surface light laser according to another embodiment of the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
100...기판 110...하부반사기층100 ... substrate 110 ... bottom reflector
120...활성층 130,150...제1 및 제2가이드부120 active layer 130,150 first and second guide portion
130a,150a...전류 통과 영역 130b,150b...고저항 영역130a, 150a ... Current through area 130b, 150b ... High resistance area
140..상부반사기층 160,170...상,하부전극140..Upper reflector layer 160,170 ... Upper, lower electrode
210...윈도우210 ... Windows
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 기판과; 상기 기판 상에 일 형의 불순물을 함유하는 굴절율이 서로 다른 화합물 반도체물질을 교대로 적층하여 형성된 하부반사기층과; 상기 하부반사기층 상에 형성되어 전자와 정공의 재결합으로 광을 생성하는 활성층과; 상기 활성층 상에 상기 하부반사기층과 반대형의 불순물을 함유하는 굴절율이 서로 다른 화합물 반도체물질을 교대로 적층하여 형성된 상부반사기층과; 상기 기판의 하면에 형성된 하부전극과; 상기 상부반사기층 상의 레이저빔이 출사되는 윈도우를 제외한 영역에 형성된 상부전극;을 포함하는 표면광 레이저에 있어서, 상기 활성층과 상부반사기층 사이 또는 상기 상부반사기층의 상기 활성층에 상대적으로 가까운 쪽에 큰 전류 통과 영역을 한정하도록 형성되어 전류 흐름을 가이드하는 제1가이드부와; 상기 상부반사기층의 상기 윈도우에 상대적으로 가까운 쪽에 상기 제1가이드부보다 상대적으로 작은 전류 통과 영역을 한정하도록 형성되어 전류 흐름을 가이드하는 제2가이드부;를 구비하여, 상기 상부 및/또는 하부전극을 통해 인가된 전류가 상기 제2가이드부 및 제1가이드부에 의해 상기 활성층의 중앙부쪽으로 가이드되도록 된 것을 특징으로 한다.The present invention and the substrate to achieve the above object; A lower reflector layer formed by alternately stacking compound semiconductor materials having different refractive indices containing one type of impurity on the substrate; An active layer formed on the lower reflector layer to generate light by recombination of electrons and holes; An upper reflector layer formed by alternately stacking compound semiconductor materials having different refractive indices containing impurities of opposite types to the lower reflector layer on the active layer; A lower electrode formed on the lower surface of the substrate; An upper electrode formed in an area excluding a window from which a laser beam is emitted on the upper reflector layer; a surface current laser comprising: a large current between the active layer and the upper reflector layer or relatively closer to the active layer of the upper reflector layer A first guide part configured to define a passage area to guide current flow; And a second guide part formed to define a current passing area relatively smaller than the first guide part on a side relatively close to the window of the upper reflector layer, to guide the current flow. The current applied through the second guide portion and the first guide portion is characterized in that the guide toward the central portion of the active layer.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 표면광 레이저는 기판(100)과, 상기 기판(100)의 하면에 형성된 하부전극(170)과, 상기 기판(100) 상에 순차로 적층 형성된 하부반사기층(110), 활성층(120) 및 상부반사기층(140)과, 상기 상부반사기층(140) 상의 레이저광이 출사되는 윈도우(210)를 제외한 영역에 형성된 상부전극(160)과, 상기 상부반사기층(140)의 상기 활성층(120) 및 윈도우(210)에 가까운 쪽에 각각 형성된 제1 및 제2가이드부(130)(150)를 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 2, the surface light laser according to the present invention includes a substrate 100, a lower electrode 170 formed on the bottom surface of the substrate 100, and a lower reflector layer sequentially stacked on the substrate 100. 110, the active layer 120 and the upper reflector layer 140, the upper electrode 160 formed in an area excluding the window 210 where the laser light is emitted on the upper reflector layer 140, and the upper reflector layer The first and second guide parts 130 and 150 are formed on the active layer 120 and the window 210 close to each other.
상기 기판(100)은 일형 예컨대, n형으로 도핑된등의 반도체물질로 되어 있다.The substrate 100 is doped with one type, for example n type. And a semiconductor material.
상기 하부반사기층(110)은 상기 기판(100) 상에 굴절율이 서로 다른 두 화합물 반도체물질을 교대로 적층하여 형성된 브래그반사기(DBR)로서, 상기 기판(100)과 같은 형으로 도핑되어 있다. 이 하부반사기층(110)은 예를 들면, n형의 Al 조성이 서로 다른와등을두께로 교대로 적층하여 형성된다.The lower reflector layer 110 is a Bragg reflector (DBR) formed by alternately stacking two compound semiconductor materials having different refractive indices on the substrate 100 and is doped in the same manner as the substrate 100. The lower reflector layer 110 may have different n-type Al compositions, for example. Wow My back It is formed by laminating alternately in thickness.
상기 상부반사기층(140)은 상기 하부반사기층(110)과 마찬가지로 브래그반사기이며 하부반사기층(110)과 반대형으로 도핑되어 있다. 예를 들면, 상기 상부반사기층(140)은 상기 활성층(120) 상에 p형의와등을두께로 교대로 적층하여 형성된다. 상기 상부반사기층(140)과 하부반사기층(110)은 상기 상,하부전극(160)(170)을 통해 인가된 전류에 의하여 전자와 정공의 흐름을 유도한다. 여기서,는 본 발명에 따른 표면광 레이저에서 출사되는 레이저광의 파장을 나타낸다.The upper reflector layer 140 is a Bragg reflector, like the lower reflector layer 110, and is doped in a manner opposite to the lower reflector layer 110. For example, the upper reflector layer 140 has a p-type on the active layer 120. Wow My back It is formed by laminating alternately in thickness. The upper reflector layer 140 and the lower reflector layer 110 induce the flow of electrons and holes by the current applied through the upper and lower electrodes 160 and 170. here, Denotes the wavelength of the laser light emitted from the surface light laser according to the present invention.
상기 활성층(120)은 상기 상,하부반사기층(140)(110)에서 제공된 정공과 전자의 재결합으로 인한 에너지 천이에 의하여 광을 생성하는 영역으로 단일 또는 다중 양자-우물 구조, 초격자(super lattice) 구조 등을 가진다. 여기서, 상기 활성층(120)은 표면광 레이저의 출사 파장에 따라 예컨대, GaAs, AlGaAs, InGaAs, InGaP 또는 AlGaAsP 등으로 이루어진다.The active layer 120 is an area for generating light by energy transition due to the recombination of holes and electrons provided in the upper and lower reflector layers 140 and 110, and a single or multiple quantum-well structure and a super lattice. ) Has a structure and the like. Here, the active layer 120 is made of, for example, GaAs, AlGaAs, InGaAs, InGaP or AlGaAsP according to the emission wavelength of the surface light laser.
상기 상부전극(160)은 상기 상부반사기층(140) 상에 레이저빔이 출사되는 윈도우(210)를 제외한 영역에 형성된다. 상기 하부전극(170)은 상기 기판(100)의 하면에 형성된다.The upper electrode 160 is formed on the upper reflector layer 140 except for the window 210 where the laser beam is emitted. The lower electrode 170 is formed on the bottom surface of the substrate 100.
상기 제1 및 제2가이드부(130)(150)는, 상기 상,하부전극(160)(170)을 통해 인가된 전류가 상기 활성층(120)의 중앙부로 안내될 수 있도록 전류의 흐름을 가이드한다.The first and second guide parts 130 and 150 guide the flow of current so that current applied through the upper and lower electrodes 160 and 170 can be guided to the center of the active layer 120. do.
상기 제1가이드부(130)는, 종래의 표면광 레이저에서의 고저항부(도 1의 13)에 해당하는 것으로, 상기 상부반사기층(140)내의 상기 활성층(120)에 가까운 쪽에 형성되며, 상대적으로 큰 크기의 전류 통과 영역(130a)과, 이 전류 통과 영역(130a)을 한정하도록 양성자 등과 같은 이온을 주입하여 형성된 고저항 영역(130b)으로 이루어진다. 여기서, 상기 제1가이드부(130)는, 상기 활성층(120)과 상부반사기층(140) 사이 또는 상기 상부반사기층(140) 내의 활성층(120)에 가까운 쪽에 선택적 산화법에 의해 형성할 수도 있다.The first guide portion 130 corresponds to the high resistance portion (13 in FIG. 1) of the conventional surface light laser, and is formed on the side closer to the active layer 120 in the upper reflector layer 140. A current passage region 130a having a relatively large size and a high resistance region 130b formed by implanting ions such as protons to define the current passage region 130a. The first guide part 130 may be formed between the active layer 120 and the upper reflector layer 140 or by a selective oxidation method near the active layer 120 in the upper reflector layer 140.
상기 제2가이드부(150)는 상기 상부반사기층(140)내의 상기 윈도우(210)에 가까운 쪽에 형성되며, 상기 제1가이드부(130)의 경우보다 상대적으로 작은 크기의 전류 통과 영역(150a)과, 이 전류 통과 영역을 한정하는 고저항 영역(150b)으로 이루어진다.The second guide part 150 is formed on the side closer to the window 210 in the upper reflector layer 140, and has a current passing area 150a having a smaller size than that of the first guide part 130. And the high resistance region 150b which defines this current passage region.
이때, 상기 제2가이드부(150)는 상기 상부 전극(160)을 통해 인가된 전류가 윈도우(210) 중앙부로 모아져 활성층(120)쪽으로 주입되도록, 상기 상부반사기층(140) 상면 즉, 윈도우(210)에 근접 형성된 것이 바람직하다. 즉, 상기 제2가이드부(150)는 상기 상부반사기층(140) 상면으로부터 이 상부반사기층(140)을 이루는 화합물 반도체층의 몇몇층 예컨대, 1~ 2층 정도 아래에 형성된 것이 바람직하다.In this case, the second guide part 150 is the upper surface of the upper reflector layer 140, that is, the window (so that the current applied through the upper electrode 160 is collected toward the center of the window 210 and injected into the active layer 120). It is preferably formed in close proximity to 210. That is, the second guide part 150 may be formed below some layers of the compound semiconductor layer constituting the upper reflector layer 140 from the upper surface of the upper reflector layer 140, for example, 1 to 2 layers.
본 실시예에 있어서, 상기 제2가이드부(150)의 고저항 영역(150b)은 양성자와 같은 이온을 주입시키는 이온 주입법에 형성된다. 보다 바람직하게는, 상기 고저항 영역(150b)은 도 3에 보여진 바와 같은 틸트 이온 주입법(tilted ion implantation)을 이용하여 형성된다.In the present embodiment, the high resistance region 150b of the second guide portion 150 is formed by an ion implantation method in which ions such as protons are implanted. More preferably, the high resistance region 150b is formed using a tilted ion implantation method as shown in FIG. 3.
상기 틸트 이온 주입법을 이용하여 제2가이드부(150)의 고저항 영역(150b)을 형성하는 경우에는, 그 고저항면이 전류 통과 영역(150a)과의 경계부분에서 약각 돌출되게 형성되므로, 제2가이드부(150)의 고저항 영역(150b)를 수직 이온 주입법이나 후술하는 선택적 산화법에 의해 형성하는 경우보다 약간 더 아래쪽에 형성하는 것이 바람직하다.When the high resistance region 150b of the second guide portion 150 is formed by using the tilt ion implantation method, since the high resistance surface is formed to protrude slightly from the boundary with the current passage region 150a, It is preferable to form the high resistance region 150b of the two-guide portion 150 slightly lower than the case where the high resistance region 150b is formed by the vertical ion implantation method or the selective oxidation method described later.
도 3을 참조하여, 보다 상세히 설명하면, 틸트 이온 주입법은 반도체물질층 즉, 상부반사기층(140) 상면에 형성하고자 하는 전류 통과 영역(150a)보다 큰 마스크(200)를 배치하고, 이온을 경사진 방향으로 주입시키는 방법이다. 이와 같이 틸트 이온 주입법을 이용하면 마스크(200)의 패턴 크기보다 작은 크기의 전류 통과영역(150a)을 한정하는 고저항 영역(150b)이 형성되므로, 이온을 수직으로 주입시키는 통상의 이온 주입법을 사용하는 경우보다 큰 패턴을 갖는 마스크를 채용할 수 있어서, 마스크의 제조가 쉽고 정렬이 용이한 이점이 있다.Referring to FIG. 3, in more detail, the tilt ion implantation method includes disposing a mask 200 larger than the current passing-through region 150a to be formed on the upper surface of the semiconductor material layer, that is, the upper reflector layer 140, and changing the ions. It is a method to inject in the photo direction. Using the tilt ion implantation method as described above, since the high resistance region 150b defining the current passing-through region 150a having a size smaller than the pattern size of the mask 200 is formed, a conventional ion implantation method of implanting ions vertically is used. Since a mask having a larger pattern than that can be employed, there is an advantage that the mask is easily manufactured and easily aligned.
이때, 전류 통과 영역(150a)과 고저항 영역(150b)의 경계에서는 경사지게 이온을 주입함으로 인해, 도시된 바와 같이 고저항 영역(150b)이 약간 돌출되게 형성되지만, 이러한 돌출 부분이 상기 상부반사기층(140) 상면과 연결되지 않을 정도의 깊이에 고저항 영역(150b)을 형성하면, 전류 흐름에는 거의 영향을 미치지 않는다.At this time, the high resistance region 150b is slightly protruded as shown in the figure by injecting ions obliquely at the boundary between the current passing region 150a and the high resistance region 150b, but the protruding portion is the upper reflector layer. If the high resistance region 150b is formed at a depth such that it is not connected to the top surface, it hardly affects the current flow.
다른 실시예로, 상기 제2가이드부(150)는 도 4에 도시된 바와 같이, 선택적 산화법을 이용하여 형성될 수도 있다. 즉, 상부반사기층(140)을 적층하는 도중에 적층 예정인 상부반사기층(140)의 최상층보다 몇몇층 아래 위치에 예컨대, Al 농도가 높은 예비 산화층(150a,150b)을 적층한 다음 그 위에 나머지 상부반사기층(140)을 적층한다. 이후에, 증기 상태의에 의해 소정 시간동안 산화분위기를 형성하면, 상기 예비 산화층이 산화분위기와 접촉되는 외측부에서 소정 깊이만큼 산화된다. 이때, 산화된 절연 산화막(150b)은 고저항 영역을 이루며, 이 고저항 영역에 둘러싸여 산화되지 않은 예비 산화층 영역(150a)은 전류 통과 영역이 된다.In another embodiment, the second guide part 150 may be formed using a selective oxidation method, as shown in FIG. 4. That is, during the stacking of the upper reflector layer 140, for example, the preliminary oxide layers 150a and 150b having a high Al concentration are stacked below some of the top layers of the upper reflector layer 140 to be stacked, and then the remaining upper reflectors thereon. The base layer 140 is stacked. Afterwards, steamy When the oxidation atmosphere is formed for a predetermined time, the preliminary oxidation layer is oxidized by a predetermined depth at the outer side contacting the oxidation atmosphere. At this time, the oxidized insulating oxide film 150b forms a high resistance region, and the preliminary oxide layer region 150a which is not oxidized by being surrounded by the high resistance region becomes a current passing region.
이상에서와 같은 본 발명에 따른 표면광 레이저는, 윈도우(210)에 가까운 상부반사기층(140)에 형성된 제2가이드부(150)를 구비하여, 상대적으로 작은 전류 통로를 통해 전류가 흐르도록 되어 있으므로, 상부전극(160)을 통해 인가된 전류는 상기 윈도우(210)의 중앙부 하방으로 모아지면서 활성층(120)의 중앙부쪽으로 주입된다.As described above, the surface light laser according to the present invention includes a second guide part 150 formed in the upper reflector layer 140 close to the window 210 so that current flows through a relatively small current path. Therefore, the current applied through the upper electrode 160 is collected below the center of the window 210 and injected into the center of the active layer 120.
따라서, 윈도우(210) 중앙부에서의 전류밀도가 상기 윈도우(210)의 외곽부에서의 전류밀도보다 높게 되어, 레이저 발진이 윈도우(210) 중앙부에서 주로 일어난다.Accordingly, the current density at the center of the window 210 is higher than the current density at the outer portion of the window 210, so that laser oscillation mainly occurs at the center of the window 210.
그러므로, 단일 모드 발진시에는 안정된 단일 모드 레이저 발진을 얻을 수 있으며, 다중 모드 발진시에는 윈도우(210)의 중앙부에서 발진되는 모드의 레이저광 강도가 그 윈도우(210)의 외곽부에서 발진되는 모드의 레이저광 강도보다 훨씬 세다.Therefore, a stable single mode laser oscillation can be obtained in the single mode oscillation, and in the mode of the multimode oscillation, the laser light intensity of the mode oscillated in the center portion of the window 210 is oscillated in the outer portion of the window 210. Much stronger than strength
상기한 바와 같은 본 발명에 따른 표면광 레이저는 윈도우의 중앙부에서의 전류 밀도가 그 외곽부에서 보다 크게 되어, 주로 윈도우 중심에서 레이저 발진이 일어나므로, 단일 모드 발진시, 모드가 이동하거나 레이저광이 윈도우의 외곽부에 치우쳐 발생하는 등의 불안정함이 발생하지 않는다. 또한, 다중 모드 발진시에도, 윈도우의 중심부에서 발생하는 모드의 레이저빔 강도가 그 외곽부에서 발생하는 모드의 레이저빔 강도보다 훨씬 크다.In the surface light laser according to the present invention as described above, since the current density at the center of the window is greater than that at the outer part thereof, and laser oscillation occurs mainly at the center of the window, when the single mode oscillation occurs, the mode moves or the laser light There is no instability such as a bias in the outer part of the window. In addition, even in multi-mode oscillation, the laser beam intensity of the mode occurring at the center of the window is much higher than the laser beam intensity of the mode occurring at its outer portion.
따라서, 본 발명에 따른 표면광 레이저에서 출사된 광을 광섬유와 같은 광학소자로 광커플링시킬 때, 광커플링 효율이 매우 좋으며, 상기 출사된 광의 근접장 및 원거리장 패턴 특성이 매우 우수하다.Therefore, when optically coupling the light emitted from the surface light laser according to the present invention to an optical element such as an optical fiber, the optical coupling efficiency is very good, and the near-field and far-field pattern characteristics of the emitted light are excellent.
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