KR100269145B1 - Surface emitting laser diode and method for manufacturing it - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A surface emitting laser diode and a manufacturing method thereof are provided to improve current inflow efficiency by forming the top electrode at the top center of an active layer between the first and the second reflection layers. CONSTITUTION: An active layer(123) formed on a plate(100) generates a laser beam. Bottom and top reflection base layers(122,127) resonate the laser beam by reflecting it. The top reflection base layer(127) comprises a first reflection base layer(127a) and a second reflection base layer(127b). A top electrode(130) is deposited on the top of the first reflection base layer(127a) excluding the top center region(123a) of an active layer(123). The second reflection base layer(127b) of the top reflection base layer(127) is formed on the part of the first reflection base layer(127a) and the top electrode(130).

Description

표면광 레이저 다이오드 및 그 제조방법{Surface emitting laser diode and method for manufacturing it}Surface light laser diode and method for manufacturing the same

본 발명은 광출력장치에 관한 것으로, 상세하게는 반도체 물질층의 적층방향으로 광을 출사하는 표면광 레이저 다이오드(surface emitting laser diode) 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical output device, and more particularly, to a surface emitting laser diode emitting a light in a stacking direction of a semiconductor material layer and a method of manufacturing the same.

일반적으로 표면광 레이저 다이오드는 소자의 적층면과 평행방향의 공진 구조를 가지고 적층면과 평행한 방향으로 레이저 빔을 발진시키는 종래의 모서리 발광 레이저 다이오드와는 달리, 소자의 적층면에 수직인 공진 구조를 가지고 적층면의 수직 방향 즉, 반도체 물질층의 적층방향으로 레이저 빔을 발진시킨다.In general, the surface light laser diode has a resonant structure parallel to the stacked surface of the device, and unlike a conventional edge-emitting laser diode that oscillates a laser beam in a direction parallel to the stacked surface, the surface light laser diode is a resonant structure perpendicular to the stacked surface of the device. The laser beam is oscillated in the vertical direction of the stacking surface, that is, the stacking direction of the semiconductor material layer.

이와 같이 표면광 레이저 다이오드는 반도체 물질층의 적층 방향으로 광을 출사하므로, 단일 기판 상에 복수개의 표면광 레이저 다이오드를 집적할 수 있다. 또한, 표면광 레이저 다이오드의 빔 모양이 원형에 가깝고, 광도가 가우시안 분포(gaussian distribution)를 나타내므로 출사광의 형상 보정을 위한 별도의 광학계가 불필요하다. 따라서, 상기한 바와 같은 표면광 레이저 다이오드는 전자계산기, 음향 영상기기, 레이저 프린터, 레이저 스캐너, 의료장비 및 통신 분야 등 광응용 분야에서 광출력장치로 널리 이용되고 있다.As described above, since the surface light laser diode emits light in the stacking direction of the semiconductor material layer, a plurality of surface light laser diodes may be integrated on a single substrate. In addition, since the beam shape of the surface light laser diode is close to a circular shape and the luminous intensity exhibits a Gaussian distribution, a separate optical system for shape correction of the emitted light is unnecessary. Therefore, the surface light laser diode as described above is widely used as an optical output device in the field of optical applications, such as electronic calculators, acoustic imaging devices, laser printers, laser scanners, medical equipment and communication fields.

도 1은 종래의 표면광 레이저 다이오드의 수직 단면도이다.1 is a vertical sectional view of a conventional surface light laser diode.

도면을 참조하면, 종래의 표면광 레이저 다이오드는 기판(1)과, 이 기판(1) 상부에 형성되어 광을 발생시키는 활성층(23)과, 상기 활성층(23)의 하,상면 각각에 반도체 화합물을 교대로 적층함으로써 형성되며 상기 활성층(23)에서 발생한 광을 공진시키는 하부 및 상부 반사기층(22)(27)과, 상기 활성층(23)의 중앙부(23a)를 제외한 영역에 이온 또는 양성자를 주입하여 형성된 고저항부(25)와, 광이 출사되도록 상기 모니터용 광검출기(50)의 상부에 형성된 윈도우(29)와, 상기 기판(1)의 하부와 상기 상부 반사기층(27) 상면의 일부에 각각 형성된 하부 및 상부 전극(10)(30)으로 구성된다.Referring to the drawings, a conventional surface light laser diode includes a substrate 1, an active layer 23 formed on the substrate 1 to generate light, and a semiconductor compound on the upper and lower surfaces of the active layer 23, respectively. Are formed by alternately laminating and injecting ions or protons into regions other than the lower and upper reflector layers 22 and 27 that resonate the light generated in the active layer 23 and the central portion 23a of the active layer 23. And a high resistance portion 25 formed above, a window 29 formed above the monitor photodetector 50 so that light is emitted, a portion of the lower surface of the substrate 1 and an upper surface of the upper reflector layer 27. It consists of the lower and upper electrodes 10, 30 formed respectively.

이때, 상기 활성층(23)의 하면에 위치한 하부 반사기층(22)이 활성층(23)의 상면에 위치한 상부 반사기층(27)보다 고반사율을 갖는다.In this case, the lower reflector layer 22 disposed on the lower surface of the active layer 23 has a higher reflectance than the upper reflector layer 27 positioned on the upper surface of the active layer 23.

상기 하부 및 상부 전극(10)(30)에 순방향 바이어스를 걸어주면 전류는 상기 고저항부(25)에 의해 활성층(23)의 중앙부(23a)쪽으로 가이드되어 흐르고, 상기 활성층(23)에서 전자와 정공의 결합에 의하여 광이 발생하게 된다. 상기 발생된 광중에서 하부 반사기층(22)과 상부 반사기층(27)의 공진 조건에 맞는 파장의 광만이 남아, 이 광이 상기 활성층(23)에서 파장과 위상이 같은 광을 유도 방출시킴으로써 광은 증폭된다. 이와 같이 유도 방출된 레이저광은 상부 반사기층(27)를 투과하여 상기 윈도우(29)로 출사된다.When forward bias is applied to the lower and upper electrodes 10 and 30, current is guided and flows toward the central portion 23a of the active layer 23 by the high resistance portion 25. Light is generated by the combination of holes. Of the generated light, only light having a wavelength corresponding to the resonance condition of the lower reflector layer 22 and the upper reflector layer 27 remains, and the light is induced by emitting light having the same wavelength and phase in the active layer 23 so that the light Is amplified. The laser light thus induced is transmitted through the upper reflector layer 27 and is emitted to the window 29.

상기한 바와 같은 종래의 표면광 레이저 다이오드에서 상기 상부 전극(30)은 활성층(23)의 상부에 상부 반사기층(27)을 증착시킨 후 그 일부를 건식 식각하고, 이 건식식각에 의해 드러난 층 상에 메탈을 증착하여 형성된다.In the conventional surface light laser diode as described above, the upper electrode 30 is formed by depositing the upper reflector layer 27 on the active layer 23, and then dry etching a part of the upper electrode 30, and the layer image exposed by the dry etching. It is formed by depositing a metal on it.

그러나, 이와 같이 형성된 상부 전극(30)이 광이 발생되는 영역 즉, 활성층(23)의 중앙부(23a)로부터 멀리 떨어져 있기 때문에 저항이 크고, 이에 따라 전류 주입 효율이 떨어지는 문제가 있다.However, since the upper electrode 30 formed as described above is far from the region where light is generated, that is, the center portion 23a of the active layer 23, the resistance is large, and thus there is a problem in that current injection efficiency is lowered.

본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 전류 주입 효율이 향상되도록 구조를 개선한 표면광 레이저 다이오드 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to provide a surface light laser diode and a method of manufacturing the structure having an improved structure to improve current injection efficiency.

도 1은 종래의 표면광 레이저 다이오드의 수직 단면도,1 is a vertical cross-sectional view of a conventional surface light laser diode,

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 표면광 레이저 다이오드의 수직 단면도,2 is a vertical sectional view of a surface light laser diode according to an embodiment of the present invention;

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명＞<Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100...기판 110,130...하부 및 상부 전극100 ... substrate 110,130 ... bottom and top electrode

122...하부 반사기층 123...활성층122 The lower reflector layer 123 The active layer

123a...중앙부 127...상부 반사기층123a ... center 127 ... top reflector layer

127a,127b...제1 및 제2반사기층 128...콘택트층127a, 127b ... first and second reflector layers 128 ... contact layer

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 표면광 레이저 다이오드는, 기판과; 상기 기판의 상부에 형성되어 광을 생성하는 활성층과; 상기 활성층의 하면과 상부에 각각 형성되어 상기 생성된 광을 반사시킴으로써 공진시키는 하부 및 상부 반사기층;을 구비하는 표면광 레이저 다이오드에 있어서, 상기 상부 반사기층은 상기 활성층 상면에 형성된 제1반사기층과, 상기 제1반사기층의 상부에 형성된 제2반사기층으로 이루어지며, 상기 제1 및 제2반사기층 사이의 상기 제1반사기층 상면에 상기 활성층의 중앙부 상부를 제외한 영역에 증착된 상부 전극과; 상기 기판 저면에 형성된 하부 전극;을 포함하는 것을 특징으로 한다.A surface light laser diode according to the present invention for achieving the above object comprises a substrate; An active layer formed on the substrate and generating light; A lower and an upper reflector layer formed on a lower surface and an upper surface of the active layer and resonating by reflecting the generated light, wherein the upper reflector layer comprises: a first reflector layer formed on an upper surface of the active layer; An upper electrode formed on an upper surface of the first reflector layer between the first and second reflector layers, except an upper portion of the center of the active layer; And a lower electrode formed on the bottom surface of the substrate.

또한 상기와 같은 구조의 표면광 레이저 다이오드의 제조방법은, 기판 상면에 하부 반사기층, 활성층을 순차적으로 적층하는 단계와; 상기 활성층 상에 상부 반사기층의 일부를 적층하는 단계와; 일부 적층된 상기 상부 반사기층 상에 상부 전극을 증착하는 단계와; 상기 상부 전극의 상기 활성층의 중앙부 상부에 해당하는 영역을 식각하는 단계와; 상기 상부 반사기층 일부와 상부 전극 상에 나머지 상부 반사기층을 적층하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the method for manufacturing a surface light laser diode having the above structure includes the steps of sequentially stacking a lower reflector layer and an active layer on an upper surface of a substrate; Depositing a portion of an upper reflector layer on the active layer; Depositing an upper electrode on the partially stacked upper reflector layer; Etching an area corresponding to an upper portion of a central portion of the active layer of the upper electrode; Stacking the remaining upper reflector layer on a portion of the upper reflector layer and the upper electrode.

이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 표면광 레이저 다이오드의 수직 단면도이다.2 is a vertical cross-sectional view of a surface light laser diode according to an embodiment of the present invention.

도면을 참조하면, 표면광 레이저 다이오드는 기판(100)과, 상기 기판(100)의 상부에 형성되어 광을 생성하는 활성층(123)과, 상기 활성층(123)의 하면과 상부에 각각 형성되어 상기 생성된 광을 반사시킴으로써 공진시키는 하부 및 상부 반사기층(122)(127)과, 하부 및 상부 전극(110)(130)을 포함하여 구성된다.Referring to the drawings, the surface light laser diode is formed on the substrate 100, the active layer 123 formed on the substrate 100 to generate light, and formed on the bottom and top of the active layer 123, respectively. And the lower and upper reflector layers 122 and 127 which resonate by reflecting the generated light, and the lower and upper electrodes 110 and 130.

상기 기판(100)은 갈륨-비소(GaAs) 등의 반도체 물질에 n형 또는 p형 불순물을 도핑하여 제조되거나 불순물을 함유하지 않는 진성반도체 물질로 제조되는 것이 바람직하다.The substrate 100 is preferably made of a semiconductor material such as gallium arsenide (GaAs) by doping n-type or p-type impurities or made of an intrinsic semiconductor material containing no impurities.

상기 활성층(123)은 진성반도체물질을 단일 및 다중 양자-우물 구조 또는 슈퍼래티스 구조로 적층함으로써 형성된다. 상기 활성층(123)에서는 상기 하부 및 상부 전극(110)(130)에 인가되는 순방향 바이어스에 의해 상기 두 반사기층(122)(127)에서 제공된 전자와 정공이 결합함으로서 광이 방출된다.The active layer 123 is formed by stacking intrinsic semiconductor materials into single and multiple quantum-well structures or superlattice structures. The light is emitted from the active layer 123 by combining electrons and holes provided from the two reflector layers 122 and 127 by forward bias applied to the lower and upper electrodes 110 and 130.

인가된 전류가 상기 활성층(123)의 중앙부(123a)로 안내될 수 있도록, 상기 활성층(123)의 중앙부(123a)를 제외한 영역에 가이드부(125)가 더 구비되는 것이 바람직하다. 이때, 상기 가이드부(125)는 이온 또는 양성자를 주입하여 형성된 고저항부일 수 있다.The guide part 125 may be further provided in an area excluding the center part 123a of the active layer 123 so that the applied current may be guided to the center part 123a of the active layer 123. In this case, the guide part 125 may be a high resistance part formed by implanting ions or protons.

상기 하부 반사기층(122)은 일 형 예컨대, n형 불순물 반도체 물질층으로, 예를 들어, 굴절율이 다른 두 반도체화합물 Al_x Ga_1-x As` 와 GaAs`, 또는 Al_x Ga_1-x As`와 Al_y Ga_1-y As` `(x != y)` 등을 교대로 적층함으로써 형성된다.The lower reflector layer 122 is a type, for example, an n-type impurity semiconductor material layer, for example, two semiconductor compounds Al_x Ga_1-x As` and GaAs` having different refractive indices, or Al_x Ga_1-x As` and Al_y Ga_1. -y As` is formed by alternately stacking `(x! = y)` and the like.

상기 상부 반사기층(127)은 상기 활성층 상면에 형성된 일부 반사기층 즉, 제1반사기층(127a)과, 상기 제1반사기층(127a) 상부에 형성된 나머지 반사기층 즉, 제2반사기층(127b)으로 이루어진다.The upper reflector layer 127 is a partial reflector layer formed on the upper surface of the active layer, that is, the first reflector layer 127a and the remaining reflector layer formed on the first reflector layer 127a, that is, the second reflector layer 127b. Is done.

상기 제1반사기층(127a)은 다른형 예컨대, p형 불순물 반도체 물질층으로, 예를 들어, 상기 하부 반사기층(122)과 마찬가지로 굴절율이 다른 두 반도체화합물 Al_x Ga_1-x As` 와 GaAs`, 또는 Al_x Ga_1-x As`와 Al_y Ga_1-y As` `(x != y)` 등을 교대로 적층함으로써 형성된다.The first reflector layer 127a is a different type, for example, a p-type impurity semiconductor material layer. For example, like the lower reflector layer 122, two semiconductor compounds Al_x Ga_1-x As` and GaAs` having different refractive indices, Or Al_x Ga_1-x As` and Al_y Ga_1-y As`` (x! = Y) `and the like are alternately stacked.

상기 제2반사기층(127b)는 상기 제1반사기층(127a)와 마찬가지로 형성되거나, 그 일부 또는 전체가 유전체 미러층으로 적층될 수 있다. 이때, 유전체 미러층은 예를 들어, 굴절율이 서로 다른 SiO_2` 와 TiO_2`, 또는 Si` 와 SiO_2`를 교대로 적층함으로써 형성된다.The second reflector layer 127b may be formed in the same manner as the first reflector layer 127a, or a part or the whole thereof may be stacked as a dielectric mirror layer. At this time, the dielectric mirror layer is formed by alternately stacking SiO_2` and TiO_2` or Si` and SiO_2` having different refractive indices, for example.

상기한 바와 같은 하부 반사기층(122)과 상부 반사기층(127) 특히, 제1반사기층(127a)은 상기 하부 및 상부 전극(110)(130)에서 인가되는 순방향 바이어스에 의해 활성층(123)에 전자와 정공을 제공하며, 상기 활성층(123)에서 발생된 광을 반사시킴으로써 공진시킨다. 이때, 상기 하부 및 상부 반사기층(122)(127)은 입사광의 대부분을 반사시키고, 소정 파장의 광을 출사시키도록 고반사율을 가진다. 여기서, 상기 하부 및 상부 반사기층(122)(127)의 반사율은 적층된 반도체 화합물의 페어수에 의해 결정된다. 상기 하부 반사기층(122)은 상부 반사기층(127)보다 큰 반사율을 갖도록 형성되는 것이 바람직하며, 이에 따라 대부분의 레이저광이 상기 상부 반사기층(127)을 통하여 출사된다.The lower reflector layer 122 and the upper reflector layer 127 as described above, in particular, the first reflector layer 127a is applied to the active layer 123 by a forward bias applied from the lower and upper electrodes 110 and 130. It provides electrons and holes, and resonates by reflecting light generated from the active layer 123. In this case, the lower and upper reflector layers 122 and 127 have a high reflectivity to reflect most of the incident light and to emit light having a predetermined wavelength. Here, reflectances of the lower and upper reflector layers 122 and 127 are determined by the number of pairs of stacked semiconductor compounds. The lower reflector layer 122 is preferably formed to have a reflectance larger than that of the upper reflector layer 127. Accordingly, most of the laser light is emitted through the upper reflector layer 127.

본 실시예에 있어서, 상기 상부 전극(130)은 상기 제1 및 제2반사기층(127a)(127b) 사이의 상기 제1반사기층(127a) 상면에 상기 활성층(123)의 중앙부(123a) 상부에 해당하는 영역에 증착된다. 이 상부 전극(130)은 메탈 예를 들어, AuZn`, Ti`, Pt` 또는 Au` 등과 같은 메탈을 증착함으로써 형성된다. 이와 같이 상부 전극(130)이 형성되면, 전류가 제2반사기층(127b)을 거치지 않고 제1반사기층(127a)만을 통과하여 인가되므로, 활성층의 중앙부(123a)와 상부 전극(130)과의 거리가 가까워져 저항이 감소하고, 전류 주입효율이 향상된다. 한편, 상기 상부 전극(130)은 상부 반사기층(127)을 통하여 출사되는 레이저광의 출사빔 폭을 제한한다.In the present exemplary embodiment, the upper electrode 130 is formed above the central portion 123a of the active layer 123 on the upper surface of the first reflector layer 127a between the first and second reflector layers 127a and 127b. Deposition in the area corresponding to. The upper electrode 130 is formed by depositing a metal such as AuZn`, Ti`, Pt` or Au`. As such, when the upper electrode 130 is formed, a current is applied through only the first reflector layer 127a without passing through the second reflector layer 127b, so that the center portion 123a of the active layer and the upper electrode 130 are applied. As the distance gets closer, the resistance is reduced and the current injection efficiency is improved. Meanwhile, the upper electrode 130 limits the emission beam width of the laser light emitted through the upper reflector layer 127.

이 상부 전극(130)과 상기 기판(100)의 저면에 형성된 하부 전극(110)을 통해 상기한 바와 같은 표면광 레이저 다이오드에 순방향 바이어스를 인가하여 레이저광을 발생시킨다.Through the upper electrode 130 and the lower electrode 110 formed on the bottom surface of the substrate 100, a forward bias is applied to the surface light laser diode as described above to generate laser light.

한편, 상기 제2반사기층(127b) 및 상부 전극(130)과 제1반사기층(127a) 사이에는 콘택트층(128)을 더 구비하는 것이 바람직하다. 이 콘택트층(128)은 하이 도핑된 반도체 화합물층 예컨대, GaAs`층으로 이루어질 수 있다. 이때, 상기 상부 전극(130)과 상기 콘택트층(128)은 오믹 접촉된다.Meanwhile, the contact layer 128 may be further provided between the second reflector layer 127b and the upper electrode 130 and the first reflector layer 127a. The contact layer 128 may be formed of a high doped semiconductor compound layer, for example, a GaAs` layer. In this case, the upper electrode 130 and the contact layer 128 are in ohmic contact.

상기한 바와 같은 본 발명의 실시예에 따른 표면광 레이저 다이오드는 다음과 같이 제조된다.The surface light laser diode according to the embodiment of the present invention as described above is manufactured as follows.

먼저, 기판(100) 상면에 하부 반사기층(122), 활성층(123)을 순차적으로 적층한다음, 상기 활성층(123) 상에 상부 반사기층(127)의 일부 즉, 제1반사기층(127a)을 적층한다. 상기 제1반사기층(127a) 상에 상부 전극(130)을 증착한 다음, 이 상부 전극(130)의 상기 활성층(123)의 중앙부(123a) 상부에 해당하는 영역을 식각한다. 그리고, 식각되어 노출된 상기 제1반사기층(127a)과 상부 전극(130) 일부에 나머지 상부 반사기층(127) 즉, 제2반사기층(127b)을 적층한다. 이때, 상기 상부 전극(130)의 식각은 건식 식각법에 의해 이루어진다.First, the lower reflector layer 122 and the active layer 123 are sequentially stacked on the upper surface of the substrate 100, and then a part of the upper reflector layer 127, that is, the first reflector layer 127a, is formed on the active layer 123. Laminated. After depositing an upper electrode 130 on the first reflector layer 127a, an area corresponding to an upper portion of the central portion 123a of the active layer 123 of the upper electrode 130 is etched. Then, the remaining upper reflector layer 127, that is, the second reflector layer 127b, is stacked on the etched and exposed portion of the first reflector layer 127a and the upper electrode 130. In this case, etching of the upper electrode 130 is performed by a dry etching method.

한편, 상기 상부 반사기층(127) 일부 즉, 제1반사기층(127a)과 상부 전극(130) 및 제2반사기층(127b) 사이에 콘택트층(128)을 더 구비하는 경우에는, 제1반사기층(127a)을 적층한 다음 콘택트층(128)을 적층하고 나서 상기 상부 전극(130)을 적층한다.On the other hand, when the contact layer 128 is further provided between a part of the upper reflector layer 127, that is, between the first reflector layer 127a and the upper electrode 130 and the second reflector layer 127b, the first reflector The base layer 127a is stacked, and then the contact layer 128 is stacked, and then the upper electrode 130 is stacked.

한편, 상기 하부 전극(110)은 상기한 바와 같은 표면광 레이저 다이오드의 제조 공정 전,후에 기판(100)의 저면에 증착된다.On the other hand, the lower electrode 110 is deposited on the bottom surface of the substrate 100 before and after the manufacturing process of the surface light laser diode as described above.

상기한 바와 같은 본 발명에 따른 표면광 레이저 다이오드는 상부 전극이 상부 반사기층의 제1 및 제2반사기층 사이에 활성층의 중앙부 상부에 해당하는 영역을 제외한 영역에 형성되므로, 활성층의 중앙부와 상부 전극과의 거리가 가까워 저항이 감소되며, 이에 따라 전류 주입 효율이 향상된다.In the surface light laser diode according to the present invention as described above, since the upper electrode is formed in a region other than the region corresponding to the upper portion of the center of the active layer between the first and second reflector layers of the upper reflector layer, the center electrode and the upper electrode of the active layer The close distance to the resistor reduces the resistance, thereby improving the current injection efficiency.

Claims (6)

기판과;A substrate; 상기 기판의 상부에 형성되어 광을 생성하는 활성층과;An active layer formed on the substrate and generating light; 상기 활성층의 하면과 상부에 각각 형성되어 상기 생성된 광을 반사시킴으로써 공진시키는 하부 및 상부 반사기층;을 구비하는 표면광 레이저 다이오드에 있어서,A surface light laser diode comprising: a lower and an upper reflector layer formed on each of a lower surface and an upper surface of the active layer and resonating by reflecting the generated light. 상기 상부 반사기층은 상기 활성층 상면에 형성된 제1반사기층과, 상기 제1반사기층의 상부에 형성된 제2반사기층으로 이루어지고,The upper reflector layer includes a first reflector layer formed on the upper surface of the active layer, and a second reflector layer formed on the first reflector layer. 상기 제1 및 제2반사기층 사이의 상기 제1반사기층 상면에 상기 활성층의 중앙부 상부를 제외한 영역에 증착된 상부 전극과;An upper electrode deposited on an upper surface of the first reflector layer between the first and second reflector layers except for an upper portion of the center of the active layer; 상기 기판 저면에 형성된 하부 전극;을 구비하여, 상기 상부 반사기층의 제2반사기층이 상기 상부 전극 내측의 제1반사기층 부분 및 상부 전극의 일부 영역상에 형성된 것을 특징으로 하는 표면광 레이저 다이오드.And a lower electrode formed on the bottom surface of the substrate, wherein the second reflector layer of the upper reflector layer is formed on a portion of the first reflector layer inside the upper electrode and a part of the upper electrode. 제1항에 있어서, 상기 제2반사기층 및 상부 전극과 제1반사기층 사이에는 콘택트층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 표면광 레이저 다이오드.The surface light laser diode of claim 1, further comprising a contact layer between the second reflector layer, the upper electrode, and the first reflector layer. 제1항에 있어서, 상기 제2반사기층은 유전체 미러층인 것을 특징으로 하는 표면광 레이저 다이오드.The surface light laser diode of claim 1, wherein the second reflector layer is a dielectric mirror layer. 기판 상면에 하부 반사기층, 활성층을 순차적으로 적층하는 단계와;Sequentially depositing a lower reflector layer and an active layer on an upper surface of the substrate; 상기 활성층 상에 상부 반사기층의 일부인 제1반사기층을 적층하는 단계와;Stacking a first reflector layer that is part of an upper reflector layer on the active layer; 상기 제1반사기층 상에 상부 전극을 증착하는 단계와;Depositing an upper electrode on the first reflector layer; 상기 상부 전극의 상기 활성층의 중앙부 상부에 해당하는 영역을 식각하는 단계와;Etching an area corresponding to an upper portion of a central portion of the active layer of the upper electrode; 상기 상부 전극 내측의 제1반사기층 부분 및 상부 전극의 일부 영역상에 나머지 상부 반사기층인 제2반사기층을 적층하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면광 레이저 다이오드 제조방법.Stacking a second reflector layer, which is the remaining upper reflector layer, on a portion of the first reflector layer inside the upper electrode and on a portion of the upper electrode. 제4항에 있어서, 상기 상부 반사기층 일부인 제1반사기층을 적층하는 단계와 상부 전극을 증착하는 단계 사이에 콘택트층을 적층하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표면광 레이저 다이오드 제조방법.5. The method of claim 4, further comprising laminating a contact layer between the step of depositing a first reflector layer that is part of the upper reflector layer and the step of depositing an upper electrode. 제4항에 있어서, 상기 식각 단계는 건식 식각법으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 표면광 레이저 다이오드 제조방법.The method of claim 4, wherein the etching is performed by a dry etching method.
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