KR20010076680A - 전해가공을 이용한 탐침 제조방법 - Google Patents

Abstract

니켈 코팅된 다수의 텅스텐 와이어를 지그(40) 상에 장착하고 소정의 전해액이 저장된 공조(10) 상에 적절한 전압을 인가한 상태로 침지하여 바늘형의 탐침(Probe)을 성형하는 방법에 있어서, 상기 텅스텐 와이어를 약 50∼70농도의 질산(HNO₃) 용액 상에 침지하여 도금을 제거하는 단계(S10); 약 10농도의 수산화나트륨(NaOH) 용액 상에서 상기 텅스텐 와이어의 침지 속도를 조절하여 선단을 특정한 모양의 테이퍼 형상으로 성형하는 단계(S20); 및 상기 텅스텐 와이어를 약 20농도의 인산나트륨(Na₃PO_4·12H₂O) 용액 상에 침지하여 선단의 광택이 제거되도록 표면거칠기를 증가시키는 단계(S30)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 함에 따라, 선단을 원하는 형상으로 성형하는 동시에 표면의 광택을 제거하여 센서의 오동작 및 작업자의 피로에 의한 생산성 저하를 방지하는 효과가 있다.

Description

전해가공을 이용한 탐침 제조방법{Method for manufacturing a probe using electrolytic processing}

본 발명은 전해가공을 이용한 탐침 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 선단을 원하는 형상으로 성형하는 동시에 표면의 광택을 제거하여 센서의 오동작 및 작업자의 피로에 의한 생산성 저하를 방지하는 전해가공을 이용한 탐침 제조방법에 관한 것이다.

현재 국산 반도체 기술은 세계 정상을 달리고 있으며, 세계적인 조사기관인 IDC가 최근 발표한 '98년도 세계 D램 반도체 시장점유율 조사' 에 따르면 삼성전자, 현대전자, LG 반도체 등 한국의 D램 메이커들의 시장 점유율이 40.9 로 일본의 36.3 를 큰 폭으로 앞질렀다.

이와 더불어 반도체 제조 및 검사 장비가 현재 국내에서 큰 시장을 형성하고 있고, 반도체 성능 및 특성 평가에 사용되는 프로브 카드(Probe Card)도 예외가 아니다. 그런데 프로브 카드의 부품으로 쓰이는 미세 탐침(Probe)은 전량을 외국으로부터 수입하여 사용하고 있어 제품 경쟁력 저하의 원인이 되고 있다.

오래 전부터 Pt-Ir, Pt-Rh, Mo, W 등의 미세 탐침(미세 바늘) 제조를 위해 기계적인 방법인 연삭, 전단 등이 이용되어 왔다. 이들 방법은 단순하고 편리하게 만들 수 있다는 장점이 있는 반면 재현성이 떨어지고 대칭 되는 모양을 얻기 어려우며 무딘 바늘 끝을 형성하거나 다중 바늘 끝을 형성하는 단점이 있다.

근래에는 전기 화학적 에칭법이라고 하는 전해 가공법이 사용되는 바, 전기화학적 용해작용을 금속 재료 표면 또는 소요 부분에 집중, 제한함으로써 원하는 치수나 형상을 얻는 가공법으로 뛰어난 재현성과 가공 정밀도 등의 탐침 대량 생산에 적합한 특성을 지니고 있다.

특히 기하학적으로 요구되는 대칭성, 예각도, 원뿔각 등을 얻기 위해 적용되어진 방법으로 전기 화학적 에칭법의 일종인 Muller법이 제안된다. 이 방법은 산 또는 염기의 적절한 전해액에 W, Au, Ta, Fe, Pt, Ir, Pt-Ir 등의 재료를 침지 시킨 후에 직접적으로 AC 또는 DC 전원을 연결하여 미세 탐침(미세 바늘)을 제조하는 방법으로서, 원하는 미세 탐침 모양을 만들기 위해 다른 적절한 방법들과 병행하여 사용되고 있다.

그러나 이와 같은 방법에 의한 제조에 있어서도 탐침의 표면에서 지나친 광택을 지니게 되어 작업자의 피로를 증가시키거나 비젼센서(Vision Sensor)의 오작동으로 불량을 유발할 우려가 높아 생산성 저하의 원인이 된다.

이를 해결하기 위해서는 전기 화학적 에칭법을 이용한 반도체 프로브 카드용 탐침의 대량 생산에서 중요한 인자들의 영향을 파악하고 양산에서 다수의 탐침을 동시 가공시 각 가공인자들의 값을 적절히 조절해야 한다.

보다 구체적으로는 전해 가공 시스템 및 가공물 이송 제어부를 구성한 다음 전해액 농도, 전압 등 가공조건에 따른 전해가공 특성을 파악하고 형상정밀도 향상을 위한 가공조건 최적화를 실현하여 가공공정의 데이터 베이스를 구축하는 것이 필요하다.

이에 따라 본 발명은 선단을 원하는 형상으로 성형하는 동시에 표면의 광택을 제거하여 센서의 오동작 및 작업자의 피로에 의한 생산성 저하를 방지하는 전해가공을 이용한 탐침 제조방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.

도 1은 본 발명을 실현하기 위한 장치의 일예를 나타내는 구성도,

도 2는 전해액의 농도변화에 따른 탐침 선단의 가공상태를 나타내는 사진,

도 3은 전해액의 농도변화에 따른 탐침 선단의 테이퍼 길이의 분포를 나타내는 그래프,

도 4는 전압변화에 따른 탐침 선단의 가공상태를 나타내는 사진,

도 5는 전압변화에 따른 탐침 선단의 테이퍼 길이의 분포상태를 나타내는 그래프,

도 6은 전극의 침지 길이에 따른 탐침의 테이퍼 길이의 분포상태를 나타내는 그래프,

도 7은 표면처리 전후에 탐침 선단의 상태를 비교하여 나타내는 사진.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *

10 : 가공조 20 : 칸막이

30 : 전극 40 : 지그

50 : 전원 60 : 컨트롤러

P : 탐침

이러한 목적을 달성하기 위해 본 발명은 니켈 코팅된 다수의 텅스텐 와이어를 지그(40) 상에 장착하고 소정의 전해액이 저장된 공조(10) 상에 적절한 전압을 인가한 상태로 침지하여 바늘형의 탐침(Probe)을 성형하는 방법에 있어서, 상기 텅스텐 와이어를 약 50∼70농도의 질산(HNO₃) 용액 상에 침지하여 도금을 제거하는 단계(S10); 상기 텅스텐 와이어를 약 10농도의 수산화나트륨(NaOH) 용액 상에 침지하여 선단을 특정한 모양의 테이퍼 형상으로 성형하는 단계(S20); 및 상기 텅스텐 와이어를 약 20농도의 인산나트륨(Na₃PO_4·12H₂O) 용액 상에 침지하여 선단의 광택이 제거되도록 표면거칠기를 증가시키는 단계(S30)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

이때 상기 텅스텐 와이어의 선단을 성형하는 단계(S20)에서 가공조(10) 양측으로 전극(30)을 전해액에 적절히 침강시킨 상태에서 전극(30)과 지그(40) 사이의 인가전압을 DC 5∼10V로 하는 것이 바람직하다.

또한 상기 텅스텐 와이어의 선단을 성형하는 단계(S20)에서 특정한 모양의 선단 성형을 위해 선단 모양에 따라 지그(40)의 하강 속도를 조절하고 침지 동작을 2회 이상 반복한다.

한편 상기 광택을 제거하는 단계(S30)에서는 DC 3V 이하의 전원을 인가한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명한다.

도 1은 본 발명을 실현하기 위한 장치의 일예를 나타내는 구성도가 도시된다.

본 발명은 니켈 코팅된 다수의 텅스텐 와이어를 지그(40) 상에 장착하고 소정의 전해액이 저장된 공조(10) 상에 적절한 전압을 인가한 상태로 침지하여 바늘형의 탐침(Probe)을 성형하는 방법에 관련되는 바, 질산(HNO₃) 용액 상에 침지하여 도금을 제거하는 단계(S10)와, 수산화나트륨(NaOH) 용액 상에 침지하여 선단을 종모양의 테이퍼 형상으로 성형하는 단계(S20) 및 인산나트륨(Na₃PO_4·12H₂O) 용액 상에 침지하여 선단의 광택이 제거되도록 표면거칠기를 증가시키는 단계(S30)를 포함하여 이루어진다.

가공을 위한 용기인 가공조(10)의 형상은 텅스텐 미세 바늘인 탐침(P)의 대량 생산시 매우 중요한 요소로 작용할 수 있다. 특히 가공조(10)에는 전해액을 담을 뿐만 아니라 (-)극에 연결하기 위한 전극(30)이 고정되어야 하므로 내구성, 절연성, 내화학성 등이 요구된다. 가공조(10)는 전술한 3종류의 전해액인 질산용, 수산화나트륨용, 인산나트륨용이 각각 별도로 필요하다.

전극(30)은 (-)전원의 공급원으로서 백금을 사용하고 가공조(10)의 양측단에 적절한 형태로 설치한 다음 전원(50)에 연결한다. 본 발명 공정에서 질산에 의한니켈 도금 제거 단계(S10) 및 인산나트륨에 의한 무광 처리 단계(S30)는 전극(30)의 설치 형태가 그리 중요하지 않으나, 수산화나트륨에 의한 텅스텐 미세 바늘 제작 단계(S20)는 전극(30)의 형태와 연결 방법에 따라 전체 바늘의 가공되는 양상이 달라진다.

전원(50)은 직류와 교류가 모두 사용 가능하지만 교류의 경우는 변화 인자(주파수, 파형, 위상차 등)가 직류에 비해 많으므로 초미세 바늘(바늘끝이 수 nm)까지 가공이 가능하나 가공 중에 텅스텐 와이어에서도 버블이 발생하므로 형상 제어가 어려워 직류를 사용한다. 전원(50)은 최대 30V까지 공급할 수 있는 직류 가변 전압 전원을 이용한다.

1회에 가공 가능한 탐침(P)의 개수는 본 발명의 실시예에서 약 80개로 하나 가공조(10)의 크기 등 시스템을 약간 변경시키면 100개 이상의 탐침(P)의 동시 가공이 가능하다. 이와 같이 대량으로 텅스텐 와이어로 된 탐침(P)을 가공하기 위해서는 동시가공용 지그(40)가 필요하다. 지그(40)는 두랄루민 등 고강도, 경량의 소재를 사용하고 통전을 위해 도선을 배치한다.

컨트롤러(60)는 Z축 이송 제어를 위한 PMAC Controller를 사용하고 Z축 모터와 지그(40)를 절연시킨 상태로 장착한다.

미설명부호 20은 칸막이로서 가공 시에 (-)극(백금 전극부위)에서 발생하는 기포가 액면을 따라서 이동하는 것을 방지한다. 기포들이 텅스텐 와이어에 닿게 되면 가공에 방해가 되어 선단의 미세 바늘표면에 올록볼록한 면이 발생하여 가공형상이 나빠진다.

본 발명의 실시예에서 지름 150㎛의 텅스텐 와이어 80개를 동시 가공하여 바늘끝이 종모양이면서 테이퍼 길이가 1750±200㎛인 특정 형상을 지닌 탐침(P)을 제작하는 것을 목표로 한다. 탐침의 선단이 종모양으로 되면 직선화된 삼각형일 경우에 비하여 손상에 따른 내구성 저하를 방지하는 측면에서 유리하다.

본 발명의 첫 번째 단계(S10)로서 통상 텅스텐 와이어 표면에 5~8㎛ 두께로 코팅이 되어 있는 니켈을 제거하기 위한 공정을 거친다. 전극(30)에 (-)를 연결하고 가공하고자 하는 텅스텐 와이어(두랄루민 지그에 고정)는 (+)를 연결한 후 전원(50)을 DC 10V로 맞춘다. 50의 질산 용액을 전해액으로 사용하는 경우 실제적으로는 약 1분 정도만 담그더라도 니켈 도금이 벗겨지나 약 3분 동안 침지하는 것이 바람직하다. 단, 니켈 코팅이 되어 있지 않은 순수 텅스텐 와이어를 가공하는 경우에는 니켈 제거 단계(S10)는 생략할 수 있다.

본 발명의 다음 단계(S20)는 전체적인 실험에 있어 가장 중요한 부분으로 텅스텐 와이어의 선단에 테이퍼 형상을 만드는 과정이다. 가공은 실온 약 20℃의 실내에서 실시한다. 전원의 연결은 질산 수용액으로 가공시와 동일하게 백금 전극은 (-)에, 텅스텐 와이어는 (+)극에 연결하며 직류 10V의 전원에 연결한다. 전해액의 경우 10의 수산화나트륨 수용액을 사용한다.

테이퍼 형상을 만들기 위해서는 텅스텐을 전해액에 적절한 속도로 천천히 담궈야만 한다. 이때 담그는 깊이(침지 깊이)와 담그는 속도(침지 속도) 그리고 담그는 횟수(침지 횟수)를 변화시키면 테이퍼 길이 및 기타 형상 규격이 변하게 된다. 이는 후술하는 도면의 설명을 참고하는 바, 침지 횟수를 변화시키는 이유는단일 침지 시에 발생할지도 모르는 가공 지연 등의 영향을 줄이고 가공의 유연성을 주기 위함이다.

본 실시예의 가공 조건은 표 1과 같고 종모양의 테이퍼를 형성하기 위한 구간별 테이퍼 변화 속도는 표 2에서 보는 바와 같다.

실험에 사용된 인자들의 설정값

인자	설정값
형상 제어에 영향을주는 인자	수산화나트륨 수용액 농도	10
	전압	10 V
	침지 속도	변동 가능
	침지 길이	2.3 mm
	침지 횟수	3 회
백금 전극의 길이	50 mm
기타 인자	온도	20℃
	가공 시간	총 270 sec
	백금 전극과 텅스텐와이어 간의 거리	양측으로110 mm
	텅스텐 와이어들 간의 간격	2.5 mm

종모양의 가공을 위한 구간별 침지 속도의 변화

침지 길이	2.3 mm
구간별 침지 속도의 변화	구간 (mm)	0.5	0.2	0.3	0.5	0.8
	침지 속도 (mm/sec)	0.01	0.02	0.03	0.05	0.8
총 가공 시간	270 sec (90 sec ×3 회)

상기 단계(S20)에서 수산화나트륨으로 전해 에칭 가공된 미세 바늘의 표면은 거울면과 같이 매우 빛이 나고 조도가 매우 좋다. 그러나 프로브 카드(Probe card)에 장착 후 반도체 검사를 실시할 때 빛의 반사에 의해 각 탐침의 위치 제어가 어려우므로, 미세 바늘의 표면은 빛의 반사가 없도록 표면을 거칠게 하는 무광처리가 필요하다.

본 발명의 마지막 단계(S30)에서는 앞에서 형상 가공된 탐침의 표면 거칠기 변화 및 탈색을 위한 공정을 거친다. 이 과정은 앞의 과정과는 약간 다른 조건을 갖는다. 가공조건으로는 인산나트륨의 농도는 20이고, 전원은 직류(DC) 1V에 연결한다. 이 상태로 텅스텐 와이어를 약 250~300초 정도 침지시킨 후 관찰해 보면 도 7의 (b)에서 보는 것처럼 도 7의 (a)에 비하여 표면이 거칠어짐과 동시에 검게 변한 것을 알 수 있다. 인산 나트륨에 표면을 가공한 후에도 테이퍼의 형상은 거의 변화 없으며 무광 처리된다. 표면 거칠기 및 탈색 정도는 특히 전원과 침지 시간에 상당히 의존한다. 인가전압이 3V 이상인 경우에는 전해가공에 따른 형상변화가 심해진다.

전해액(특히 수산화나트륨 용액)의 농도는 가공 시 형상의 제어 및 표면 거칠기 등에 영향을 주는 요소로서 매우 중요하다. 전해액의 농도는 전원 조건과 매우 밀접한 관계가 있으므로 이에 주의해서 그 값을 정해야만 한다. 상기한 각각의 전해액은 일반적인 농도단위(=용질의 질량/용액의 질량 Wt)를 사용한다.

전해액은 가공물과 화학반응하여 가공물을 제거하기 때문에 가공이 진행됨에 따라 전해액의 농도는 점차적으로 떨어지게 된다. 가공특성은 전해액의 농도와 관련이 있으므로 전해액 농도의 변화는 가공 특성변화를 가져올 수 있다. 따라서 가급적 전해액의 농도가 가공 중에 변화하지 않도록 충분한 크기의 전해액 탱크를 보충적으로 사용하여야 한다.

이하 도 2 내지 도 6을 참조하여 표 1에 따른 본 발명의 인자를 실험적으로확인한다.

(1) 전해액 농도의 변화

전해액의 농도는 탐침의 형상 제어에 있어 매우 중요하며, 특히 탐침 끝의 날카로움과 표면 거칠기 등에 영향을 준다.

도 2는 전압 10 V를 고정시킨 상태에서 5 에서 30 까지 용액의 농도를 변화시켜 얻은 탐침의 모양이다. (a)처럼 5 전해액의 경우, 가공이 거의 안 되었고 (c)처럼 20 의 경우는 표면 조도는 그리 나쁘지 않으나 연속적인 침지 과정임에도 불구하고 단이 지는 불연속적인 면을 형성하였다. 반면 (d)처럼 30 의 경우는 표면의 조도가 매우 나쁘고 불연속적인 면을 형성하는 것을 알 수 있고, (b)처럼 10 전해액으로 가공한 경우 형상의 연속성과 표면 조도가 가장 좋은 탐침이 가공되는 것을 알 수 있다.

도 3은 각각의 농도에서 가공하여 얻은 20 개 탐침의 길이 분포를 보여준다. 20 의 전해액을 사용하였을 때 표준 편차가 41 ㎛로 가장 작은 분포를 얻었으나, 도 2의 (c)에서 보는 바와 같이 표면이 불연속적이며 높은 가공률로 인한 형상 제어 등의 문제가 있다. 10 의 전해액의 경우 표준 편차가 49 ㎛로 고른 분포일 뿐만 아니라 형상도 좋게 가공되었다.

(2) 전압의 변화

전압은 전해액의 농도와 마찬가지로 탐침의 형상 제어 및 표면 거칠기 등에 중요한 영향을 미친다.

도 4에서 보는 바와 같이 전해액 농도가 10 에서 각각 (a) 및 (b)처럼 5 V및 10 V의 공급 전압을 주었을 때, 각각의 탐침 형상과 표면 거칠기는 큰 차이가 나지 않는다. 반면 (c)처럼 15 V로 가공한 경우는 표면 거칠기 상태는 육안으로 나쁘지 않으나, 과도한 가공으로 인하여 가공부와 비가공부 경계에서 단이 지고 제어가 불가능하다. (d)처럼 20 V 는 표면 거칠기가 좋지 않고 15 V의 경우와 마찬가지로 가공이 매우 급격하게 일어나 시편의 침지된 부분이 대부분 용출되어 제거되었다.

도 5는 각각의 전압에 대해 가공된 탐침의 길이 분포를 나타낸다. 전압이 증가할수록 가공률이 증가함을 볼 수 있다. 분포에 있어서는 5 V와 10 V 경우가 거의 비슷하다. 여기서 주목할 사항은 5 V의 경우 2.2 mm 를 침지시켜 최고 2.1 mm 의 날카로운 바늘 끝을 얻었다는 것이다. 이것은 곧 에칭 가공의 과정이 수직 방향의 가공률보다 반경 방향의 가공율이 더 크다는 것을 의미한다. 즉 사용되는 재료가 얇고 긴 경우 시편의 전체 와이어가 전해 용출에 의해 짧아지기 전에 모서리 부근 반경 방향의 용출이 시편의 중앙부에 이르게 되어 미세 바늘의 가공이 가능하게 됨을 의미한다.

(3) 전극의 길이 변화

백금 전극은 (-)극에 해당되며 그 형상이나 위치 모양 등에 의해 탐침의 형상, 특히 대량 가공시 탐침 형상의 분포에 영향을 미치게 된다. 이러한 이유로 백금 전극을 텅스텐 시편과 나란히 설치하고 전극 길이를 바꾸어 가면서 가공된 탐침의 테이퍼 길이 분포를 살펴보았다.

도 6은 가공조 중앙에서 백금 전극의 길이 변화에 따른 가공된 탐침의 테이퍼 길이 분포를 보여준다. 백금 전극을 점의 형태로 담근 것과 1 cm 길이로 담근 경우, 지그의 중앙부에 있는 탐침이 외곽부의 탐침보다 많이 가공되었다. 이것의 원인은 백금 전극으로부터의 거리가 각각 다르기 때문에 생긴 결과로, 중앙부의 텅스텐 와이어들이 백금 전극에 더 가깝기 때문에 전해액을 저항이라고 생각했을 경우 저항이 작고, 전류의 흐름이 상대적으로 크기 때문에 외곽부보다 많이 가공된 것이다. 반면 백금 전극을 10 cm의 라인 형태로 담근 경우는 오히려 그 반대의 형상이 나왔다. 이것은 백금 전극이 전해액의 계면에 닿는 위치 즉 백금 전극의 길이가 중요하다는 것을 보여준다. 전류의 공급은 백금 전극의 라인 전체에서 일어나지만 특히 용액 계면에 닿는 곳에서 최대 공급을 하므로 상대적으로 바늘 지그 양쪽 외곽부의 텅스텐 와이어들이 가깝기 때문에 오히려 더 많이 가공된 것이다. 이러한 이유로 백금 전극의 길이가 5 cm인 경우에서 탐침의 테이퍼 길이 분포가 가장 작게 가공되었다. 추후, 백금 전극의 길이를 조절하면 탐침의 분포도를 향상시킬 수 있다.

(4) 침지 횟수 및 침지 길이의 변화

침지 방법에 따라서 미세 바늘의 모양 및 대량 생산에서의 정밀도와 재현성 등이 달라질 수 있다. 실험에 의하면 피드가 일정하더라도 침지 깊이가 큰 경우는 분포의 편차가 커짐을 볼 수 있다. 따라서 테이퍼 길이보다 과도한 깊이로 침지하는 것은 가공 시간도 증가하고 편차도 커짐을 알 수 있다. 여러 번 나누어 침지하지 않고 한번 침지한 경우 가공이 더 많이 되었으나 산포도가 크게 나왔다. 이는 한번 침지하는 경우 가공 중 지연 요소(예를 들어, 표면에 이물질 또는 텅스텐 와이어의 불균일 등)가 발생할 경우 유연한 가공이 이루어지기 어렵기 때문이다.

이상의 구성 및 작용을 지니는 본 발명의 전해가공을 이용한 탐침 제조방법은 선단을 원하는 형상으로 성형하는 동시에 표면의 광택을 제거하여 센서의 오동작 및 작업자의 피로에 의한 생산성 저하를 방지하는 효과가 있다.

Claims (4)

1. 니켈 코팅된 다수의 텅스텐 와이어를 지그(40) 상에 장착하고 소정의 전해액이 저장된 공조(10) 상에 적절한 전압을 인가한 상태로 침지하여 바늘형의 탐침(Probe)을 성형하는 방법에 있어서,

   상기 텅스텐 와이어를 약 50∼70농도의 질산(HNO₃) 용액 상에 침지하고 약 10V의 직류전원을 가하여 도금을 제거하는 단계(S10);

   상기 텅스텐 와이어를 약 10농도의 수산화나트륨(NaOH) 용액 상에 침지하여 특정 형상의 선단을 성형하는 단계(S20); 및

   상기 텅스텐 와이어를 약 20농도의 인산나트륨(Na₃PO_4·12H₂O) 용액 상에 침지하여 선단의 광택이 제거되도록 표면거칠기를 증가시키는 단계(S30)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전해가공을 이용한 탐침 제조방법.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 텅스텐 와이어의 선단을 성형하는 단계(S20)에서 가공조(10) 양측으로 전극(30)을 전해액에 적절히 침강시킨 상태에서 전극(30)과 지그(40) 사이의 인가전압을 DC 5∼10V로 하는 것을 특징으로 하는 전해가공을 이용한 탐침 제조방법.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 텅스텐 와이어의 선단을 성형하는 단계(S20)에서 특정 형상의 선단 성형을 위해 선단 형상에 따라 지그(40)의 하강 속도를 조절하는 것을 특징으로 하는 전해가공을 이용한 탐침 제조방법.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 광택을 제거하는 단계(S30)에서는 DC 3V 이하의 전원을 인가하는 것을 특징으로 하는 전해가공을 이용한 탐침 제조방법.