KR20010066156A - a method of rapid thermal process - Google Patents
a method of rapid thermal process Download PDFInfo
- Publication number
- KR20010066156A KR20010066156A KR1019990067741A KR19990067741A KR20010066156A KR 20010066156 A KR20010066156 A KR 20010066156A KR 1019990067741 A KR1019990067741 A KR 1019990067741A KR 19990067741 A KR19990067741 A KR 19990067741A KR 20010066156 A KR20010066156 A KR 20010066156A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer
- temperature
- chamber
- idle
- idle step
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 15
- 230000035939 shock Effects 0.000 abstract description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract 8
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 반도체 소자의 제조 공정 중에서 급속 열처리 공정(rapid thermal process : RTP)에 관한 것이다.The present invention relates to a rapid thermal process (RTP) in the manufacturing process of semiconductor devices.
급속 열처리 공정은 텅스텐-할로겐(tungsten-halogen) 램프(ramp)의 광 복사를 이용하여 웨이퍼를 직접 가열함으로써 빠른 속도로 웨이퍼의 온도를 올리는 열처리 방법이다. 이러한 급속 열처리 공정은 반도체 제조 공정에서 결함 어닐링(annealing)을 비롯하여 에피택시(epitaxy) 성장, 이온 도핑(doping) 프로파일 형성, 금속 실리사이드 형성 등 매우 다양한 용도로 사용되고 있다.The rapid heat treatment process is a heat treatment method that raises the temperature of the wafer at a high speed by directly heating the wafer using optical radiation of a tungsten-halogen lamp. Such rapid heat treatment processes are used in a variety of applications such as defect annealing, epitaxy growth, ion doping profile formation, and metal silicide formation in semiconductor manufacturing processes.
그러면 도면을 참고로 하여 종래의 급속 열처리 공정에 대하여 설명한다.Next, a conventional rapid heat treatment process will be described with reference to the drawings.
도 1은 종래의 기술에 따른 열처리 방법의 흐름도이다.1 is a flow chart of a heat treatment method according to the prior art.
먼저, 로드 락(load lock) 챔버(chamber)에서 웨이퍼를 외부로부터 받아들여 적재하고 대기한다.First, the wafer is taken from the outside in a load lock chamber, loaded and waited.
다음, 웨이퍼를 프로세스(process) 챔버로 옮기고 가열하여 웨이퍼의 온도를 상온으로부터 공정 온도까지 신속하게 램프 업(ramp up)시킨다.The wafer is then transferred to a process chamber and heated to quickly ramp up the temperature of the wafer from room temperature to process temperature.
다음, 500~1,200℃ 사이의 적합한 공정 온도를 수 초 내지 수십 초 동안 유지시킴으로써 열처리를 진행한다.The heat treatment is then carried out by maintaining a suitable process temperature between 500 and 1,200 ° C. for several seconds to several tens of seconds.
이어서, 텅스텐-할로겐 램프의 공급 전력을 조절하여 웨이퍼의 온도를 일정한 속도로 램프 다운(ramp down)시킨다. 램프 다운에 의하여 웨이퍼의 온도는 공정 온도에 비하여 100~300℃ 정도 낮은 온도까지 내려간다.The supply power of the tungsten-halogen lamp is then adjusted to ramp down the temperature of the wafer at a constant rate. By ramping down, the temperature of the wafer is lowered to about 100 ~ 300 ℃ lower than the process temperature.
다음, 웨이퍼를 쿨 다운(cool down) 챔버로 옮겨 상온보다 낮은 온도로 유지되어 있는 냉각 대에 웨이퍼를 접촉시킴으로써 급속 냉각한다.Next, the wafer is moved to a cool down chamber and rapidly cooled by contacting the wafer with a cooling stand maintained at a temperature lower than room temperature.
냉각된 웨이퍼는 다시 로드 락 챔버로 옮겨져 카세트에 실려서 다음 공정 진행을 위하여 이동된다.The cooled wafer is transferred back to the load lock chamber and loaded into the cassette for further processing.
도 2는 종래의 기술에 따른 열처리에서 웨이퍼의 온도 변화 그래프이다.Figure 2 is a graph of the temperature change of the wafer in the heat treatment according to the prior art.
1번 구간이 램프 업 단계이고, 2번 구간이 공정 온도를 유지하는 구간이며, 3번 구간이 램프 다운 단계이다. 마지막 4번 구간이 급속 냉각 단계이다.Section 1 is a ramp-up phase, section 2 is a section for maintaining the process temperature, and section 3 is a ramp-down phase. The last four sections are the rapid cooling stages.
도 2에 도시한 바와 같이, 프로세스 챔버에서 램프 다운되어 나오는 웨이퍼의 온도는 400~1,100℃이다. 이러한 뜨거운 웨이퍼를 상온보다 낮은 온도를 가지는 냉각 대에 접촉시킴으로써 급속 냉각시키는 과정에서 웨이퍼가 열적쇼크(shock)를 받아 파손되는 경우가 종종 발생한다. 웨이퍼가 파손되는 경우에는 웨이퍼 자체의 손실뿐만 아니라 장비의 가동률이 저하되어 생산성 감소가 뒤따르게 된다. 또한 이러한 급속 냉각 과정에서 받는 열적 스트레스(stress)로 인해 소자의 특성이 저하되고 수율도 감소한다.As shown in FIG. 2, the temperature of the wafer ramped down from the process chamber is 400 to 1,100 ° C. When the hot wafer is brought into contact with a cooling zone having a temperature lower than room temperature, the wafer is often damaged by thermal shock during rapid cooling. If the wafer is broken, not only the loss of the wafer itself, but also the utilization of the equipment is lowered, which leads to a decrease in productivity. In addition, the thermal stress received during this rapid cooling process reduces the device characteristics and yields.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 급속 열처리 과정에서 웨이퍼가 파손되는 것을 방지하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to prevent the wafer from being broken during the rapid heat treatment process.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 급속 열처리 과정에서 웨이퍼가 받는 열적 스트레스를 감소시켜 소자 특성 저하를 방지하고 수율을 향상시키는 것이다.Another technical problem to be achieved by the present invention is to reduce the thermal stress applied to the wafer during the rapid heat treatment process, to prevent deterioration of device characteristics and to improve the yield.
도 1은 종래의 기술에 따른 열처리 방법의 흐름도이고,1 is a flow chart of a heat treatment method according to the prior art,
도 2는 종래의 기술에 따른 열처리에서 웨이퍼의 온도 변화 그래프이고,Figure 2 is a graph of the temperature change of the wafer in the heat treatment according to the prior art,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 열처리 방법의 흐름도이고,3 is a flowchart of a heat treatment method according to an embodiment of the present invention,
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 열처리에서 웨이퍼의 온도 변화 그래프이고,Figure 4 is a graph of the temperature change of the wafer in the heat treatment according to an embodiment of the present invention,
이러한 과제를 해결하기 위하여 본 발명에서는 램프 다운 단계와 급속 냉각 단계 사이에 아이들(idle) 시간을 둔다.In order to solve this problem, the present invention provides an idle time between the ramp down step and the rapid cooling step.
구체적으로는, 로드 락 챔버에서 웨이퍼를 적재하고, 프로세스 챔버로 옮겨 온도를 램프 업시킨 후, 램프 업된 웨이퍼의 온도를 유지한다. 다음, 웨이퍼의 온도를 램프 다운하고, 다시 웨이퍼의 온도를 램프 다운 단계보다 빠른 속도로 내리는 아이들 단계를 거친다. 이어서 웨이퍼를 쿨 다운 챔버로 옮겨 아이들 단계보다 빠른 속도로 급속 냉각한다.Specifically, the wafer is loaded in the load lock chamber, moved to the process chamber to ramp up the temperature, and then the temperature of the ramped up wafer is maintained. Next, the temperature of the wafer is ramped down, and then the idle temperature is lowered at a faster speed than the ramp down phase. The wafer is then moved to a cool down chamber for rapid cooling at a faster rate than the idle stage.
이 때, 아이들 단계는 프로세스 챔버에서 프로세스 챔버의 가열 장치에 공급하는 전력을 프로세스 챔버가 휴식 상태일 때 공급하는 양으로 조정함으로써 진행할 수도 있고, 웨이퍼를 프로세스 챔버에서 쿨 다운 챔버로 옮기는 경로인 트랜스퍼 챔버 내에서 진행할 수도 있으며, 쿨 다운 챔버 내로 웨이퍼를 옮긴 후 진행할 수도 있다. 여기서 아이들 단계는 10초 내지 30초 동안 진행하는 것이 바람직하고, 아이들 단계를 거친 후의 웨이퍼의 온도는 300℃에서 500℃ 사이로 되는 것이 좋다.At this time, the idle step may proceed by adjusting the power supplied from the process chamber to the heating device of the process chamber to the amount supplied when the process chamber is at rest, the transfer chamber is a path for moving the wafer from the process chamber to the cool down chamber It may proceed within, or after moving the wafer into the cool down chamber. Here, the idle step is preferably performed for 10 to 30 seconds, the temperature of the wafer after the idle step is preferably between 300 ℃ to 500 ℃.
그러면 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 급속 열처리 공정에 대하여 설명한다.Next, a rapid heat treatment process according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 열처리 방법의 흐름도이다.3 is a flowchart of a heat treatment method according to an embodiment of the present invention.
먼저, 로드 락(load lock) 챔버(chamber)에서 로봇 팔이 웨이퍼를 외부에 위치한 카세트(cassette)로부터 받아들여 적재하고 대기한다.First, in a load lock chamber, the robot arm accepts a wafer from an externally located cassette and loads and waits.
다음, 웨이퍼를 프로세스(process) 챔버로 옮기고 가열하여 웨이퍼의 온도를 상온으로부터 공정 온도까지 신속하게 램프 업(ramp up)시킨다. 이 단계에서는 수 내지 수십 초 이내에 온도를 상온으로부터 500~1,200℃까지 끌어올린다.The wafer is then transferred to a process chamber and heated to quickly ramp up the temperature of the wafer from room temperature to process temperature. In this step, the temperature is raised from room temperature to 500 to 1,200 ° C within a few to several tens of seconds.
다음, 500~1,200℃ 사이의 적합한 공정 온도를 수 초 내지 수십 초 동안 유지시킴으로써 열처리를 진행한다.The heat treatment is then carried out by maintaining a suitable process temperature between 500 and 1,200 ° C. for several seconds to several tens of seconds.
이어서, 텅스텐-할로겐 램프의 공급 전력을 조절하여 웨이퍼의 온도를 일정한 속도로 램프 다운(ramp down)시킨다. 램프 다운에 의하여 웨이퍼의 온도는 공정 온도에 비하여 100~300℃ 정도 낮은 온도까지 내려간다.The supply power of the tungsten-halogen lamp is then adjusted to ramp down the temperature of the wafer at a constant rate. By ramping down, the temperature of the wafer is lowered to about 100 ~ 300 ℃ lower than the process temperature.
다음, 텅스텐-할로겐 램프의 공급 전력을 프로세스 챔버를 쉬는 동안에 공급하는 양으로 조정한 상태에서 웨이퍼를 수 내지 수십 초 동안 유지시킴으로써 아이들(idle)시킨다. 아이들 단계에서는 램프 다운 단계에서보다 좀 더 빠른 속도로 웨이퍼의 온도가 하강한다. 아이들 단계를 지속하는 시간은 열처리 공정 온도에 따라 다르지만 실험 결과 10~30초 정도이면 웨이퍼 온도를 원하는 만큼 낮출 수 있고, 아이들 단계의 추가로 인해 급속 열처리 공정 전체의 공정 시간이 지나치게 증가하는 것도 방지할 수 있다. 아이들 단계를 거친 웨이퍼의 온도는 300~500℃ 정도가 된다.The wafer is then idled by holding the wafer for several to tens of seconds with the supply power of the tungsten-halogen lamp adjusted to the amount to supply during the process chamber break. In the idle phase, the wafer temperature drops at a faster rate than in the ramp down phase. The duration of the idling step depends on the temperature of the heat treatment process, but if the experiment results are about 10 to 30 seconds, the wafer temperature can be lowered as much as desired. Can be. The temperature of the wafer after the idle step is about 300 to 500 ° C.
다음, 웨이퍼를 쿨 다운(cool down) 챔버로 옮겨 상온보다 낮은 온도로 유지되어 있는 냉각 대에 웨이퍼를 접촉시킴으로써 급속 냉각한다.Next, the wafer is moved to a cool down chamber and rapidly cooled by contacting the wafer with a cooling stand maintained at a temperature lower than room temperature.
아이들 단계는 프로세스 챔버에서만 진행할 수 있는 것은 아니다. 웨이퍼를 프로세스 챔버로부터 쿨 다운 챔버로 옮기는 동안 거치는 트랜스퍼(transfer) 챔버에서 일정 시간 지체시킴으로써 아이들 단계를 진행할 수도 있고, 웨이퍼를 쿨 다운 챔버로 옮겨 온 후 냉각 대에 웨이퍼를 접촉시키기 이전에 일정 시간 동안 지체시킴으로써 아이들 단계를 진행할 수도 있다.The idle step can not only proceed in the process chamber. The idle step can be progressed by delaying the transfer chamber in a transfer chamber during the transfer of the wafer from the process chamber to the cool down chamber, or after moving the wafer to the cool down chamber for a period of time before contacting the wafer to the cooling stage. The idle step can also be progressed by delay.
냉각된 웨이퍼는 다시 로드 락 챔버로 옮겨져 카세트에 실려서 다음 공정 진행을 위하여 이동된다.The cooled wafer is transferred back to the load lock chamber and loaded into the cassette for further processing.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 열처리에서 웨이퍼의 온도 변화 그래프이다.Figure 4 is a graph of the temperature change of the wafer in the heat treatment according to an embodiment of the present invention.
1번 구간이 램프 업 단계이고, 2번 구간이 공정 온도를 유지하는 구간이며, 3번 구간이 램프 다운 단계이다. 3'번 구간이 아이들 단계로서 램프 다운 단계보다는 급하고 4번 구간의 급속 냉각 단계보다는 훨씬 완만한 기울기로 웨이퍼의 온도가 하강한다.Section 1 is a ramp-up phase, section 2 is a section for maintaining the process temperature, and section 3 is a ramp-down phase. The 3 'section is the idle stage, which is faster than the ramp down stage and the temperature of the wafer drops with a gentler slope than the rapid cooling stage of the 4 section.
이렇게 웨이퍼를 급속 냉각하기 이전에 아이들시키면 급속 냉각시의 온도 변화 폭이 감소하고, 램프 다운과 급속 냉각의 중간 빠르기의 온도 변화를 거치게 되므로 웨이퍼가 받는 쇼크와 스트레스를 감소시킬 수 있다.When the wafer is idle before rapid cooling, the temperature change during rapid cooling decreases, and the temperature change between the ramp down and the rapid cooling is reduced, thereby reducing the shock and stress received by the wafer.
본 발명에 따르면 웨이퍼를 급속 냉각하기 이전에 좀더 느린 속도로 온도를 내리는 단계를 둠으로써 웨이퍼가 받는 열적 쇼크와 스트레스를 감소시켜 웨이퍼 파손과 소자의 특성 저하를 방지할 수 있다.According to the present invention, a step of lowering the temperature at a slower speed before rapidly cooling the wafer can reduce thermal shock and stress applied to the wafer, thereby preventing wafer breakage and deterioration of device characteristics.
Claims (6)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990067741A KR100637978B1 (en) | 1999-12-31 | 1999-12-31 | a method of rapid thermal process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990067741A KR100637978B1 (en) | 1999-12-31 | 1999-12-31 | a method of rapid thermal process |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010066156A true KR20010066156A (en) | 2001-07-11 |
| KR100637978B1 KR100637978B1 (en) | 2006-10-23 |
Family
ID=19634840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019990067741A KR100637978B1 (en) | 1999-12-31 | 1999-12-31 | a method of rapid thermal process |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100637978B1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104465370A (en) * | 2014-10-31 | 2015-03-25 | 苏州瑞晟纳米科技有限公司 | Temperature rise and fall control method in rapid temperature rise treatment process |
| KR20190017153A (en) * | 2017-08-10 | 2019-02-20 | 에스케이실트론 주식회사 | Method for controlling an contamination of a surface of an epitaxial wafer |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2558643B2 (en) * | 1986-08-12 | 1996-11-27 | 松下電子工業株式会社 | Method for manufacturing semiconductor device |
| JPH0778831A (en) * | 1993-06-25 | 1995-03-20 | Sony Corp | Heat treatment |
| KR100361536B1 (en) * | 1995-12-15 | 2003-02-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | Method for forming interlayer dielectric in semiconductor device |
| KR100253664B1 (en) * | 1997-08-22 | 2000-04-15 | 이해광 | Operating system of polyimide dryer |
| KR100253079B1 (en) * | 1997-12-01 | 2000-04-15 | 윤종용 | Semiconductor element trench isolation method |
-
1999
- 1999-12-31 KR KR1019990067741A patent/KR100637978B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104465370A (en) * | 2014-10-31 | 2015-03-25 | 苏州瑞晟纳米科技有限公司 | Temperature rise and fall control method in rapid temperature rise treatment process |
| KR20190017153A (en) * | 2017-08-10 | 2019-02-20 | 에스케이실트론 주식회사 | Method for controlling an contamination of a surface of an epitaxial wafer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100637978B1 (en) | 2006-10-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI413166B (en) | Technique for low-temperature ion implantation | |
| JP3578402B2 (en) | Wafer processing system and wafer processing method | |
| US7410355B2 (en) | Method for the heat treatment of substrates | |
| KR101005953B1 (en) | Insulating film forming method | |
| TWI552227B (en) | Apparatus and method for enhancing the cool down of radiatively heated substrates | |
| TW202004904A (en) | Method of processing substrate and substrate processing apparatus | |
| US6736927B2 (en) | Apparatus for increased workpiece throughput | |
| JPH10107018A (en) | Semiconductor wafer heat treatment apparatus | |
| US6214707B1 (en) | Method of forming a doped region in a semiconductor substrate | |
| US20040058560A1 (en) | Fast gas exchange for thermal conductivity modulation | |
| US6769908B2 (en) | Wafer heat-treatment system and wafer heat-treatment method | |
| KR100637978B1 (en) | a method of rapid thermal process | |
| JP2003124134A (en) | System and method for heat treatment | |
| US7575986B2 (en) | Gate interface relaxation anneal method for wafer processing with post-implant dynamic surface annealing | |
| JP3517131B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus | |
| KR20010066153A (en) | a method of rapid thermal process | |
| KR100484901B1 (en) | Cooldown chamber of a rapid thermal processing apparatus | |
| JP4064911B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| US20030124760A1 (en) | Method for forming thin films of semiconductor devices | |
| KR950003893B1 (en) | Manufacturing method of semiconductor apparatus | |
| JP2002198320A (en) | Heat treatment apparatus and its method, and method for manufacturing semiconductor device | |
| JPH11345771A (en) | Sheet type vacuum treating method and device | |
| KR20040012234A (en) | Semiconductor high temperature processing equipment and process method | |
| Kireev et al. | Rapid thermal processing: a new step forward in microelectronics technologies | |
| KR20020014070A (en) | Semiconductor manufacturing device having wafer cooling apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20090925 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |