KR20010052608A - Improved method and apparatus for contacting a wafer - Google Patents

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KR20010052608A
KR20010052608A KR1020007013809A KR20007013809A KR20010052608A KR 20010052608 A KR20010052608 A KR 20010052608A KR 1020007013809 A KR1020007013809 A KR 1020007013809A KR 20007013809 A KR20007013809 A KR 20007013809A KR 20010052608 A KR20010052608 A KR 20010052608A
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일야 펄로브
유진 간트바르그
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조셉 제이. 스위니
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

반도체 웨이퍼의 접촉 및 이동에 대한 개선된 기구가 제공되었다. 특히, 다수의 웨이퍼 리프트 핀과 같은 웨이퍼 접촉 표면을 구비하는 기구는 제 1 위치(예를 들면, 웨이퍼 플랫폼 위치)로부터 웨이퍼 접촉 위치(예를 들면, 웨이퍼가 웨이퍼 리프트 핀에 의해 초기에 접촉하는 곳, 또는 웨이퍼 리프트 핀이 웨이퍼를 웨이퍼 플랫폼 또는 웨이퍼 핸들러 등과 접촉하도록 하는 곳)까지 다수의 정지 구역, 다수의 이동 구역, 및 정지 구역과 이동 영역 사이의 다수의 변화 지점을 구비한 제네바 구동 기구에 의해 구동된다. 제네바 구동 기구는 웨이퍼 리프트 핀이 웨이퍼 접촉 위치에 도달하는 경우에 제네바 구동이 정지 구역으로 들어가도록 배열되어 있다. 따라서 웨이퍼는 실제로 제로 속도로 접촉하게 된다.Improved mechanisms for contact and movement of semiconductor wafers have been provided. In particular, an apparatus having a wafer contact surface, such as a plurality of wafer lift pins, may be used in a wafer contact position (eg, where the wafer is initially contacted by the wafer lift pins) from a first position (eg, wafer platform position). Or by a Geneva drive mechanism having a plurality of stop zones, a plurality of travel zones, and a plurality of change points between the stop zone and the travel zone, up to where the wafer lift pins make the wafer contact the wafer platform or wafer handler, etc. Driven. The Geneva drive mechanism is arranged such that the Geneva drive enters the stop zone when the wafer lift pin reaches the wafer contact position. Thus, the wafer actually comes into contact at zero speed.

Description

웨이퍼 접촉에 대한 개선된 방법 및 장치{IMPROVED METHOD AND APPARATUS FOR CONTACTING A WAFER}IMPROVED METHOD AND APPARATUS FOR CONTACTING A WAFER}

반도체 제작 산업은 가공되는 웨이퍼당 비용을 낮추기 위한 방법을 계속하여 모색해왔다. 웨이퍼 제작비용의 감소는 제작 시스템의 처리량을 증가시킴으로서, 그리고 예를 들면, 이동 부분 사이의 접촉에 의해 생성되는 미립자에 의해 오염된 웨이퍼의 갯수를 감소시킴으로써 얻을 수 있다. 불행하게도, 웨이퍼 오염은 매우 희생이 크므로, 웨이퍼 핸드오프 프로세스(wafer handoff process) 동안 낮은 미립자의 레벨을 얻기 위하여 작업 처리량을 희생시켜왔다. 이를테면, 웨이퍼 핸들러의 단부 이펙터(wafer handler's end effector)에서 프로세싱 플랫폼(processing platform)까지의 웨이퍼 전달의 방법을 고려해 보자. 웨이퍼 리프트 핀이 플랫폼으로부터 상승되는 경우, 웨이퍼를 운반하는 웨이퍼 핸들러는 웨이퍼 플랫폼 위의 웨이퍼에 위치한다. 웨이퍼 리프트 핀은 웨이퍼 표면과 접촉하며, 웨이퍼 핸들러의 단부 이펙터로부터 웨이퍼를 들어올린다. 단부 이펙터는 블레이드의 형상이고 웨이퍼가 블레이드의 한쪽 측면 상으로 연장하는 것이 일반적이며, 이로써 웨이퍼 리프트 핀이 웨이퍼의 측면과 접촉하도록하고, 블레이드가 웨이퍼 리프트 핀과의 접촉 없이 수축하도록한다. 그러나, 웨이퍼 리프트 핀과 웨이퍼 그 자체간의 접촉은 피할 수 없다. 상기 기술된 웨이퍼 핸드오프 프로세스 동안 웨이퍼에 작용되는 응력과 핸드오프 동안 생성되는 미립자를 최소화시키기 위해, 웨이퍼 리프트 핀은 극히 낮은 속도에서 웨이퍼와 접촉한다. 마찬가지로, 웨이퍼 리프트 핀은 웨이퍼를 플랫폼에 천천히 전달하기 위하여 극히 낮은 속도에서 웨이퍼 플랫폼의 표면을 지나서 하강된다.The semiconductor fabrication industry has continued to look for ways to lower the cost per wafer processed. The reduction in wafer fabrication cost can be achieved by increasing the throughput of the fabrication system and, for example, by reducing the number of wafers contaminated by particulates produced by contact between moving parts. Unfortunately, wafer contamination is so costly that it has sacrificed throughput to obtain low particulate levels during the wafer handoff process. For example, consider a method of wafer transfer from the wafer handler's end effector to the processing platform. When the wafer lift pins are lifted from the platform, the wafer handler carrying the wafer is located on the wafer above the wafer platform. The wafer lift pins contact the wafer surface and lift the wafer from the end effector of the wafer handler. The end effector is in the shape of a blade and it is common for the wafer to extend on one side of the blade, thereby allowing the wafer lift pins to contact the sides of the wafer and allowing the blades to contract without contact with the wafer lift pins. However, contact between the wafer lift pins and the wafer itself is inevitable. In order to minimize the stress applied to the wafer during the wafer handoff process described above and the particulates generated during the handoff, the wafer lift pins contact the wafer at extremely low speeds. Likewise, the wafer lift pins are lowered past the surface of the wafer platform at extremely low speeds to slowly deliver the wafer to the platform.

일반적인 웨이퍼 리프트 핀은 공압식으로 구동된다. 왜냐하면 공압식 구동이 저렴하며 일정한 속도의 작용에서 높은 반복 가능한 작업 속도를 제공하기 때문이다. 그러나 공압식 구동은 반복적으로 가속이 되지 않는다. 따라서 일반적인 공압식 웨이퍼 리프트 핀은 극히 낮은 일정한 속도에서 승강되므로, 느린 웨이퍼 핸드오프 작업을 초래한다. 비록 웨이퍼 리프트 핀이 핸드오프 위치 사이에서(예를 들면, 웨이퍼 플랫폼과 웨이퍼 핸들러의 블레이드 사이에서) 가속되는 것이 바람직하더라도, 짧은 이동 거리, 신속한 방향 전환의 필요성, 및 반도체의 가공에 필요한 정확성 및 반복성 때문에, 수용 가능한 정도로 가속되는 웨이퍼 리프트 핀을 제공하려는 종전의 시도는 실패하였으며, 요구되는 작동을 달성할 수 없거나 과도한 비용이 소모되었다.Typical wafer lift pins are pneumatically driven. This is because pneumatic actuation is inexpensive and provides high repeatable working speeds at constant speeds. However, pneumatic drive is not accelerated repeatedly. Thus, conventional pneumatic wafer lift pins are elevated at extremely low constant speeds, resulting in slow wafer handoff operation. Although it is desirable for the wafer lift pins to be accelerated between the handoff positions (eg, between the wafer platform and the blades of the wafer handler), short travel distances, the need for rapid turnaround, and the accuracy and repeatability required for the processing of the semiconductor Because of this, previous attempts to provide wafer lift pins that are accelerated to an acceptable level have failed, and the required operation cannot be achieved or excessive costs have been consumed.

따라서, 저렴한 비용으로 정확하고 반복 가능한 가속이 가능한 웨이퍼 접촉/전달을 제공하는 개선된 방법 및 장치를 제공할 필요성이 존재한다.Accordingly, there is a need to provide an improved method and apparatus that provides accurate and repeatable accelerated wafer contact / transfer at low cost.

본 발명은 웨이퍼 접촉(wafer contact)을 제공하는 개선된 방법 및 장치에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 사실상 제로 속도의 웨이퍼 접촉을 제공하기 위하여 저렴한 비용으로 반복적 가속이 가능한 하나 이상의 웨이퍼 리프트 핀(wafer lift pins)과 같은 웨이퍼 접촉/전달 표면을 제공하는 것이다.The present invention relates to an improved method and apparatus for providing wafer contact. In particular, the present invention provides a wafer contact / transfer surface, such as one or more wafer lift pins, that can be repeatedly accelerated at low cost to provide substantially zero speed wafer contact.

도 1a 내지 1c는 본 발명에서 채용된 제네바 구동 기구의 작동을 기술하는 데 유용한 연속적인 개략적인 측면도이다.1A-1C are continuous schematic side views useful for describing the operation of a Geneva drive mechanism employed in the present invention.

도 2a 내지 2b는 도 1a 내지 1c의 연속한 사이클에서 제네바 구동 기구의 속도를 설명하는 데 유용한 속도 대 시간의 그래프이다.2A-2B are graphs of speed versus time useful for explaining the speed of a Geneva drive mechanism in the successive cycles of FIGS. 1A-1C.

도 3은 웨이퍼 리프트 핀 조립체내에 채용된 도 1a 내지 1c의 제네바 구동 기구의 개략적인 측면도이다.3 is a schematic side view of the Geneva drive mechanism of FIGS. 1A-1C employed in a wafer lift pin assembly.

도 4a 내지 4d는 작동을 설명하는 데 유용한 도 3의 웨이퍼 리프트 핀 조립체의 개략적인 측면도이다.4A-4D are schematic side views of the wafer lift pin assembly of FIG. 3 useful for explaining operation.

도 5는 유리하게는 도 3의 웨이퍼 리프트 핀 조립체를 채용한 반도체 제작 시스템의 평면도이다.FIG. 5 is a plan view of a semiconductor fabrication system that advantageously employs the wafer lift pin assembly of FIG. 3.

본 발명은 제네바 구동(Geneva drive)을 가지는 웨이퍼 접촉 및/또는 전달 기구에 의해 일반적인 웨이퍼 접촉 및/또는 전달 장치의 문제점을 해결하였다. 제네바 구동 기구는 아직까지 저렴하며 짧은 거리 동안 정확하고 반복적으로 가속된다. 특히, 제네바 구동 기구는 신속하게 가속 및 감속되며, 그리고 실제로 제로 속도로 웨이퍼 접촉 및/또는 전달을 수행한다.The present invention solves the problem of a typical wafer contact and / or transfer device by means of a wafer contact and / or transfer mechanism having a Geneva drive. Geneva drive mechanisms are still inexpensive and are accelerated accurately and repeatedly over short distances. In particular, the Geneva drive mechanism accelerates and decelerates quickly and actually performs wafer contact and / or transfer at zero speed.

바람직하게는, 본 발명에 의해 구성된 웨이퍼 리프트 핀은 입력 기구 및 출력 기구를 구비한 제네바 구동기를 포함한다. 입력 기구는 요구되는 시간에서 모터 방향을 역전하기 위한 제어기와 더 결합된 정속 모터에 작동 가능하게 결합된다. 출력 기구는 다수의 이동 구역, 다수의 정지 구역, 그리고 정지 구역 및 이동 구역 사이의 다수의 천이 지점을 포함한다. 출력 기구는 제네바 기구 출력의 운동을 선형 운동으로 변환하는 선형 구동 기구와 작동 가능하게 결합한다. 바람직하게는, 선형 구동은 웨이퍼 리프트 핀에 위치한 하나 이상의 자석과 작동 가능하게 결합하는 자석과 작동 가능하게 결합한다. 따라서, 선형 구동 및 웨이퍼 리프트는 챔버, 챔버의 외측에 위치한 제네바 구동 및 선형 구동, 및 챔버의 내부에 위치한 웨이퍼 리프트 핀 내의 미립자 생성을 감소시키기 위하여 챔버 벽과 자석적으로 결합한다.Preferably, the wafer lift pin constructed by the present invention comprises a Geneva driver with an input mechanism and an output mechanism. The input mechanism is operatively coupled to the constant speed motor further coupled with a controller for reversing the motor direction at the required time. The output mechanism includes a plurality of moving zones, a plurality of stopping zones, and a plurality of transition points between the stopping zone and the moving zone. The output mechanism is operatively coupled with a linear drive mechanism that converts the motion of the Geneva instrument output into linear motion. Preferably, the linear drive is operatively coupled with a magnet that is operatively coupled with one or more magnets located on the wafer lift pins. Thus, the linear drive and wafer lift magnetically couple with the chamber wall to reduce the generation of particulates in the chamber, the Geneva drive and linear drive located outside of the chamber, and the wafer lift pins located inside the chamber.

제네바 구동 기구에 의해 구동되는 본 발명의 웨이퍼 리프트 핀 조립체는 종래의 공압식 웨이퍼 리프트 핀의 2.5배의 속도로 성공적으로 작동할 수 있다. 종래의 반도체 제작 시스템은, 예를 들면, 각각의 로드 락(load lock) 및 프로세싱 챔버 내에서 웨이퍼 당 4배의 웨이퍼 접촉/전달 작업을 수행할 수 있기 때문에, 감소된 웨이퍼 핸드오프 시간은 시스템의 처리량을 크게 증가시킨다. 그러므로, 일정한 비용으로 다수의 웨이퍼를 처리할 수 있으며 단위 가공된 웨이퍼 당 비용은 감소한다. 또한, 웨이퍼 접촉은 종래의 속도와 비교하여 저속(예를 들면, 사실상 제로 속도)에서 발생하며, 그리고 따라서 더 적은 미립자가 생성되며, 웨이퍼는 핸드오프 동안에 더 적은 응력을 받는다.The wafer lift pin assembly of the present invention, driven by the Geneva drive mechanism, can successfully operate at 2.5 times the speed of conventional pneumatic wafer lift pins. Since conventional semiconductor fabrication systems can perform four times the wafer contact / transfer operations per wafer within each load lock and processing chamber, for example, the reduced wafer handoff time can be Greatly increase throughput. Therefore, a plurality of wafers can be processed at a constant cost, and the cost per unit processed wafer is reduced. In addition, wafer contact occurs at a low speed (eg, virtually zero speed) compared to conventional speed, and thus less particulates are produced, and the wafer is less stressed during handoff.

본 발명의 다른 목적, 특징, 및 장점은 이하에서 자세히 기술된 바람직한 실시예, 첨부된 청구항 및 도면으로부터 더욱 더 명백해진다.Other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the preferred embodiments, the appended claims and the drawings described in detail below.

도 1a 내지 1c는 본 발명에 채용된 예시적인 제네바 구동 기구의 연속적인 개략 측면도이다. 제네바 구동 기구는 잘 알려져 있으며, 다양한 형태가 있을 수 있다. 그러나, 모든 제네바 구동은 일정한 입력 운동을 계단식 출력 운동(stepped output motion)으로 변환하는 능력을 가진다는 특징이 있다. 도 1a 내지 c에서 도시된 바와 같이, 제네바 구동 기구(11)는 입력 기구(13) 및 출력 기구(15)를 포함한다. 입력 기구(13)는 축(17)과 함께 회전할 수 있도록 중심 축(17)에 의해 모터(도시되지 않았음)와 작동 가능하게 결합한다. 작동핀(19)은 출력 기구(15)와 접속되도록 입력 기구(13) 상에 위치하여, 출력기구(15)의 움직임을 야기한다.1A-1C are continuous schematic side views of an exemplary Geneva drive mechanism employed in the present invention. Geneva drive mechanisms are well known and can take many forms. However, all Geneva drives are characterized by the ability to convert constant input motion into stepped output motion. As shown in FIGS. 1A-C, the Geneva drive mechanism 11 includes an input mechanism 13 and an output mechanism 15. The input mechanism 13 is operatively coupled with a motor (not shown) by the central shaft 17 so that it can rotate with the shaft 17. The actuation pin 19 is located on the input mechanism 13 so as to be connected with the output mechanism 15, causing the movement of the output mechanism 15.

출력 기구(15)는 입력 기구(13)가 회전함에 따라 작동핀(19)을 수용하도록 배치된 다수의 홈(21a-d)과 같은 다수의 이동 영역을 포함하며, 이로 인해 이하에서 더 기술되는 바와 같이 출력 기구(15)의 회전이 야기된다. 출력 기구(15)는 다수의 정지 구역(23a-d)과 홈(21a-d)과 정지 구역(23a-d) 사이에 위치한 다수의 천이 구역(25a-d, 25a'-d')을 더 포함한다. 입력 기구(13)와 유사하게, 출력 기구(15)는 출력 기구에 회전 가능하게 결합된 중심 축(27)을 가진다. 제네바 구동 기구(11)의 작동은 도 2a 및 도 2b를 참고하여 이하에서 자세히 기술된다.The output mechanism 15 comprises a plurality of moving regions, such as a plurality of grooves 21a-d arranged to receive the actuating pins 19 as the input mechanism 13 rotates, which is described further below. As shown, rotation of the output mechanism 15 is caused. The output mechanism 15 further adds a plurality of stop zones 23a-d and a plurality of transition zones 25a-d and 25a'-d 'located between the grooves 21a-d and the stop zone 23a-d. Include. Similar to the input mechanism 13, the output mechanism 15 has a central axis 27 rotatably coupled to the output mechanism. Operation of the Geneva drive mechanism 11 is described in detail below with reference to FIGS. 2A and 2B.

도 2a 및 2b는 도 1a 내지 1c의 연속 사이클에서 제네바 구동 기구(11)의 속도를 설명하는 데 유용한 시간에 대한 속도의 그래프이다. 도 2a의 그래프는 입력 기구(13)가 일정한 각속도로 회전하는 경우에 도 1a 내지 1c의 -y축에 따른 작동핀(19)의 순간속도를 나타내며, 도 2b의 그래프는 작동핀(19)의 속도가 홈(21a-d)에 의해 출력 기구(15)에 전달되는 경우에 도 1a 내지 1c의 +y축에 따른 출력 기구(15)의 순간 속도를 나타낸다.2A and 2B are graphs of speed versus time useful for explaining the speed of the Geneva drive mechanism 11 in the continuous cycle of FIGS. 1A-1C. 2A shows the instantaneous speed of the actuating pin 19 along the -y axis of FIGS. 1A-1C when the input mechanism 13 rotates at a constant angular velocity, and the graph of FIG. 2B shows the actuation pin 19 of the actuating pin 19. When the speed is transmitted to the output mechanism 15 by the grooves 21a-d, the instantaneous speed of the output mechanism 15 along the + y axis of FIGS. 1A to 1C is shown.

작동시, 도 1a 내지 1c 및 2a 내지 2b를 참조하면, 입력 기구(13) 및 출력 기구(15)는 한 쌍의 홈(21), 이를 들면 도 1a에서 제 1 홈(21a) 및 제 4 홈(21d)이 입력 기구(13)의 외측 표면에 접하게 연장하도록 초기 위치가 설정된다. 시간(25a")에서 작동핀(19)은 홈(21a)으로 들어가며 도 1b 및 1c에서 도시된 바와 같이 출력 기구(15)의 회전을 야기하여, 도 2b의 도면 번호(21a")에서 지시된 바와 같이 출력 기구의 가속을 야기한다. 제 1 홈(21a)은 제 4 홈(21d)이 이전에 차지하던 위치까지 이동하고, 제 2 홈(21b) 및 제 1 홈(21a)이 입력 기구(13)의 외측 표면에 접하여 연장하도록 4분의 1회전(도 1c)한다. 그러므로, 출력 기구(15)의 속도 및 가속도는 작동핀(19)이 제 1 홈(21a)에 있는 경우(즉, 작동핀(19)이 천이 지점(25a, 25a')을 통과하는 경우)에 0으로 떨어진다(시간 25b"). 작동핀(19)이 계속 회전하여 제 2 홈(21b)에 들어가서 유지되고(각각 시간 25c" 및 25b"), 제 3 홈(21c), 및 제 4 홈(21d)에 각각에 들어가고 유지되면서 이와 같은 과정은 반복된다.In operation, referring to FIGS. 1A-1C and 2A-2B, the input device 13 and the output device 15 are a pair of grooves 21, such as the first groove 21a and the fourth groove in FIG. 1A. The initial position is set so that 21d extends in contact with the outer surface of the input mechanism 13. At time 25a ", actuation pin 19 enters groove 21a and causes rotation of output mechanism 15 as shown in FIGS. 1b and 1c, as indicated by reference number 21a" in FIG. 2b. As well as causing acceleration of the output mechanism. The first groove 21a moves to a position previously occupied by the fourth groove 21d, and the second groove 21b and the first groove 21a extend in contact with the outer surface of the input device 13. One minute rotation (Fig. 1C). Therefore, the speed and acceleration of the output mechanism 15 are determined when the actuation pin 19 is in the first groove 21a (that is, when the actuation pin 19 passes through the transition points 25a, 25a '). Falls to zero (time 25b "). The actuating pin 19 continues to rotate to enter and remain in the second groove 21b (times 25c" and 25b ", respectively), the third groove 21c, and the fourth groove ( This process is repeated as each enters and maintains 21d).

이하에서 기술되는 바와 같이, 출력 기구(15)의 가속 및 제로 속도간의 엇갈림이 정확하고도 반복 가능한 형태는, 유리하게는 신속하게 웨이퍼 리프트 핀을 상승시키면서도(도 2b의 21a" 및 21b" 참조) 사실상 제로 속도로 웨이퍼를 접촉시키는(도 2b의 시간 25a"-d" 참조) 웨이퍼 리프트 핀 조립체에 의해 달성된다.As described below, the form in which the offset between the acceleration and zero speed of the output mechanism 15 is accurate and repeatable is advantageous while rapidly raising the wafer lift pin (see 21a "and 21b" in FIG. 2b). Virtually achieved by a wafer lift pin assembly that contacts the wafer at zero speed (see time 25a "-d" in FIG. 2B).

도 3은 웨이퍼 리프트 핀 조립체(29)내에 채용된 도 1a 내지 1c의 제네바 구동 기구의 개략적인 측면도이다. 웨이퍼 리프트 핀 조립체(29)는 제네바 구동 기구(11) 및 다수의 웨이퍼 리프트 핀(31a-c)을 포함하며, 선형 구동 기구(33)에 의하여 제네바 구동 기구(11)와 작동 가능하게 결합되어 있다. 도 3의 출력 기구(15)에는 분명히 4개의 홈(21a-21d)이 도시되어 있으며, 현재는 더 큰 상업적 이용성으로 인해 5개의 홈이 바람직하다. 출력 기구(15)의 작동은 홈의 수에 상관 없이 동일하다. 선형 구동 기구(33)는 기어(35) 및 랙(rack;37)을 포함한다. 기어(35)는 출력 기구의 중심 축(27)에 장착되는 것이 바람직하지만, 명확성을 위해 도 2의 기어(35)는 출력 기구(15)에 인접하게 도시되어 있다. 기어(35)는 중심 축에 고정되어 장착되며, 랙(37)은 이동 가능하게 기어(35)와 결합한다. 기어(35) 및 랙(37)의 표면은 상호 결합하도록 위치한 이(teeth)를 가진다.3 is a schematic side view of the Geneva drive mechanism of FIGS. 1A-1C employed in a wafer lift pin assembly 29. The wafer lift pin assembly 29 includes a Geneva drive mechanism 11 and a plurality of wafer lift pins 31a-c, and is operatively coupled to the Geneva drive mechanism 11 by a linear drive mechanism 33. . Clearly four grooves 21a-21d are shown in the output device 15 of FIG. 3, with five grooves being preferred for now due to greater commercial availability. The operation of the output mechanism 15 is the same regardless of the number of grooves. The linear drive mechanism 33 includes a gear 35 and a rack 37. The gear 35 is preferably mounted on the central axis 27 of the output mechanism, but for clarity the gear 35 of FIG. 2 is shown adjacent the output mechanism 15. The gear 35 is fixedly mounted to the central axis, and the rack 37 engages with the gear 35 to be movable. The surfaces of the gear 35 and the rack 37 have teeth positioned to engage with each other.

웨이퍼 리프트 핀(31a-c)은 바람직하게는 진공 챔버(39')의 벽(39)까지 자석식으로 랙(37)과 결합한다. 따라서 도 3의 선형 구동 기구(33)는 자성판(41)과 작동 가능하게 결합한다. 자성판(41)은 완전히 자석일 수 있으며, 또는 인접한 다수의 관통 구멍(43a-c)에 인접하여 내부에 장착된 자석(도시되지 않았음)을 포함할 수 있다. 구멍(43a-c)은 벽(39)에 형성되어 하향 연장하는 웨이퍼 리프트 핀 리세싱 챔버(wafer lift pin recessing chamber;39a-c)를 미끄럼 가능하게 수용하도록 위치하여 있다. 각각의 웨이퍼 리프트 핀(31a-c)은 작동 가능하게 결합된 자석(도시되지 않았음)을 가지고 있다. 따라서, 자성판(41)이 선형 구동 기구(33)에 의해 상하로 이동하는 경우에(이하에서 더 기술되는 바와 같이), 웨이퍼 리프트 핀(31a-c)은 자성판과 함께 상하로 이동한다. 리프트 핀 리세싱 챔버(39a-c)는 웨이퍼 리프트 핀을 완전히 그 내부에 리세스 하도록 충분히 깊다. 웨이퍼 리프트 핀 조립체(29)의 작동은 도 4a 내지 4d를 참조하여 이하에서 더 자세히 기술된다.The wafer lift pins 31a-c preferably engage the rack 37 magnetically up to the wall 39 of the vacuum chamber 39 ′. Accordingly, the linear drive mechanism 33 of FIG. 3 is operatively coupled with the magnetic plate 41. The magnetic plate 41 may be a completely magnet or may include a magnet (not shown) mounted therein adjacent to a plurality of adjacent through holes 43a-c. The holes 43a-c are positioned to slidably receive a wafer lift pin recessing chamber 39a-c formed in the wall 39 and extending downward. Each wafer lift pin 31a-c has a magnet (not shown) that is operatively coupled. Thus, when the magnetic plate 41 is moved up and down by the linear drive mechanism 33 (as described further below), the wafer lift pins 31a-c move up and down with the magnetic plate. The lift pin recessing chambers 39a-c are deep enough to fully recess the wafer lift pins therein. Operation of the wafer lift pin assembly 29 is described in more detail below with reference to FIGS. 4A-4D.

도 4 내지 4d는 도 3의 웨이퍼 리프트 핀 조립체(29)의 연속적인 측면도이며 이는 웨이퍼(W ; 도 4c 및 4d)가 웨이퍼 핸들러 블레이드(45 ; 도 4c 및 d)로부터 웨이퍼 플랫폼(47)까지 전달되는 경우에, 웨이퍼 리프트 핀 조립체(29)의 작동을 설명하는 데 유용하다. 도 4a 내지 4d에서, 모터(49)와 작동 가능하게 결합되고, 이에 따라, 제어기(51)에 작동 가능하게 연결된 입력 기구(13)의 중심 축(17)이 도시되어 있다.4-4D are continuous side views of the wafer lift pin assembly 29 of FIG. 3, which allows the wafer W (FIGS. 4C and 4D) to transfer from the wafer handler blade 45 (FIGS. 4C and d) to the wafer platform 47. If so, it is useful to describe the operation of the wafer lift pin assembly 29. 4A-4D, the central axis 17 of the input device 13 is operably coupled with the motor 49 and operably connected to the controller 51.

웨이퍼 전달 및 핸드오프 동안, 제네바 구동 기구(11)는 출력 기구(15)의 4개의 홈(21)을 통과하는 사이클을 이룬다. 작동핀(19)이 각각의 4개의 홈(21)을 빠져나갈때, 웨이퍼 리프트 핀 조립체(29)내의 다양한 부품의 위치는 도 4a 내지 d에서 연속적으로 도시되어 있다. 웨이퍼 리프트 핀 조립체(29)의 이와 같은 4개의 위치는 리세스된 위치(도 4a), 플랫폼 레벨 위치(도 4b), 웨이퍼 핸들러 블레이드 레벨 위치(도 4c), 및 상기 블레이드 레벨이상의 위치(도 4d)로 가장 잘 기술된다.During wafer transfer and handoff, the Geneva drive mechanism 11 cycles through the four grooves 21 of the output mechanism 15. As the actuating pin 19 exits each of the four grooves 21, the positions of the various components within the wafer lift pin assembly 29 are shown continuously in FIGS. 4A-D. These four positions of the wafer lift pin assembly 29 are recessed positions (FIG. 4A), platform level positions (FIG. 4B), wafer handler blade level positions (FIG. 4C), and positions above the blade level (FIG. 4D). Is best described).

초기에는, 모터(49)가 입력 기구(13)의 중심축(17)에 결합되어 있으며 시계방향으로 회전하기 시작한다. 웨이퍼 리프트 핀 조립체(29)가 초기에 리세스된 위치(도 4a)에 있는 경우, 작동핀(19)은 현재 위치에서 제 4 홈(21d)의 출구 위치의 임계점에 있다. 입력 기구(13) 및 입력기구에 장착된 작동핀(19)은 중심축과 함께 시계 방향으로 회전하며, 출력 기구(15)는 작동핀(19)이 제 1 홈(21a)에 도달할때 까지 정지 상태를 유지한다. 작동핀(19)이 제 1 홈(21a)에 도달하면, 제네바 구동의 출력 기구(15)는 도 1a 내지 1c 및 도 2a 내지 2b를 참조하여 상기 기술된 바와 같이 반시계 방향으로 회전한다. 제네바 구동의 출력 기구(15)의 회전은 출력 기구의 중심축(27) 및 출력 기구에 장착된 기어(35)가 반시계 방향으로 회전하도록 한다.Initially, the motor 49 is coupled to the central axis 17 of the input mechanism 13 and starts to rotate clockwise. When the wafer lift pin assembly 29 is in the initially recessed position (FIG. 4A), the actuation pin 19 is at the critical point of the exit position of the fourth groove 21d at the current position. The input mechanism 13 and the actuating pin 19 mounted to the input mechanism rotate clockwise with the central axis, and the output mechanism 15 is operated until the actuating pin 19 reaches the first groove 21a. Keep stopped. When the actuating pin 19 reaches the first groove 21a, the Geneva drive output mechanism 15 rotates counterclockwise as described above with reference to FIGS. 1A-1C and 2A-2B. The rotation of the output mechanism 15 of the Geneva drive causes the central axis 27 of the output mechanism and the gear 35 mounted to the output mechanism to rotate counterclockwise.

작동핀(19)이 제 2 홈(21b)에 있는 동안, 출력 기구(15)는 4분의 1 회전하며, 이는 기어(35)가 반시계 방향으로 4분의 1 회전하도록 하며, 랙(37)이 기어(35)의 원주의 4분의 1에 비례하는 거리(즉 거리 X)로 상향으로 연장하도록 한다. 자성판(41) 및 이에 자석식으로 결합된 웨이퍼 리프트 핀(31a-c)은 웨이퍼 리프트 핀(31a-c)이 웨이퍼 플랫폼(47)과 같은 높이인 플랫폼 위치(도 4b)까지 거리 X로 상향 연장한다. 웨이퍼 리프트 핀(31a-c)이 플랫폼 레벨 쪽으로 가속되더라도(도 2b의 21a"부분 참조), 웨이퍼 리프트 핀은 플랫폼 레벨에 실제로 제로 속도(도 2b의 시간 25b"참조)로 도달하며, 따라서 웨이퍼 플랫폼(47)에 위치하는 어떠한 웨이퍼라도 웨이퍼 압박 및 미립자 생성 가능성이 줄어든체 부드러운 접촉을 하게된다.While the actuating pins 19 are in the second groove 21b, the output mechanism 15 makes a quarter turn, which causes the gear 35 to make a quarter turn counterclockwise, and the rack 37 ) Extends upwards at a distance (ie distance X) proportional to one quarter of the circumference of the gear 35. The magnetic plate 41 and the magnetically coupled wafer lift pins 31a-c extend upwards at a distance X to the platform position (FIG. 4B) where the wafer lift pins 31a-c are flush with the wafer platform 47. do. Although the wafer lift pins 31a-c are accelerated toward the platform level (see 21a "in FIG. 2b), the wafer lift pins actually reach the platform level at zero speed (see time 25b" in FIG. 2b), thus the wafer platform Any wafer located at 47 will have a smooth contact, reducing the chance of wafer compression and particulate formation.

제 1 홈(21a)을 빠져나온 후에, 작동핀(19)은 반시계 방향으로 계속 회전한다. 작동핀(19)은 제 2 홈(21b)으로 들어가며, 다시 출력 기구(15)가 4분의 1 회전하도록 하며, 그리고 기어(35)의 비례적인 반시계 방향 회전을 야기하며, 랙(37), 자성판(41) 및 웨이퍼 리프트 핀(31a-c)의 비례적인 상향 이동을 야기한다. 이로써, 웨이퍼 리프트 핀(31a-c)은 웨이퍼 핸들러 블레이드 레벨 위치(도 4c)에 도달하게 된다. 웨이퍼 리프트 핀(31a-c)이 웨이퍼 핸들러 블레이드(45)쪽으로 가속되더라도, 웨이퍼 리프트 핀(31a-c)은 사실상 제로 속도로 웨이퍼 핸들러 블레이드 위치에 도달하여, 웨이퍼(W)와 접촉한다(도 2b의 시간 25d" 참조). 따라서, 웨이퍼 핸들러 블레이드(45)에 위치한 어떠한 웨이퍼(예컨데, 웨이퍼(W))라도 웨이퍼 압박 또는 미립자 생성 가능성이 줄어든채 부드러운 접촉을 하게된다.After exiting the first groove 21a, the operation pin 19 continues to rotate counterclockwise. The actuating pin 19 enters the second groove 21b, again causes the output mechanism 15 to turn one quarter, and causes a proportional counterclockwise rotation of the gear 35 and the rack 37 , Causing the proportional upward movement of the magnetic plate 41 and the wafer lift pins 31a-c. Thus, the wafer lift pins 31a-c reach the wafer handler blade level position (FIG. 4C). Although the wafer lift pins 31a-c are accelerated toward the wafer handler blade 45, the wafer lift pins 31a-c reach the wafer handler blade position at virtually zero speed and contact the wafer W (FIG. 2B). Time 25d "). Thus, any wafer (e.g., wafer W) located on the wafer handler blade 45 will have a smooth contact with less chance of wafer compression or particulate generation.

제 2 홈(21b)을 빠져나온 후에, 작동핀(19)은 계속 시계 방향(도 2a 참조)으로 회전하게 된다. 작동핀(19)은 제 3 홈(21c)으로 들어가며, 이는 출력 기구(15)가 4분의 1 회전하도록 하며, 그리고 기어(35)의 비례적인 반시계 방향 회전을 야기하며, 랙(37), 자성판(41) 및 웨이퍼 리프트 핀(31a-c)의 비례적인 상향 이동을 야기한다. 따라서, 웨이퍼 리프트 핀(31a-c)은 웨이퍼(W)를 웨이퍼 핸들러 블레이드(45)로부터 상승시키며 이를 상기 블레이드 레벨 위치까지 이동한다(도 4d).After exiting the second groove 21b, the actuating pin 19 continues to rotate clockwise (see FIG. 2A). The actuation pin 19 enters the third groove 21c, which causes the output mechanism 15 to make a quarter turn, and causes the proportional counterclockwise rotation of the gear 35 and the rack 37 , Causing the proportional upward movement of the magnetic plate 41 and the wafer lift pins 31a-c. Thus, the wafer lift pins 31a-c lift the wafer W out of the wafer handler blade 45 and move it to the blade level position (FIG. 4D).

상기 블레이드 레벨 위치에서, 제어기(51)는 모터(49)의 방향을 변화시키며, 이는 입력 기구(13)의 중심축(17)이 반시계 방향으로 회전하도록 한다. 그 다음에, 도 4a 내지 4d를 참조하여 기술된 과정은 역의 순서로 반복된다. 따라서, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 플랫폼(47)까지 신속하게 낮추어지고, 그러나, 웨이퍼(W)는 거의 제로 속도로 웨이퍼 플랫폼(47) 상에 배치된다. 그 후에, 웨이퍼 리프트 핀(31a-c)은 리세스된 위치(도 4a)로 내려가며, 제어기(51)는 웨이퍼(W)가 처리되는 동안 모터(49)를 정지시킨다. 가공이 완료된 후에, 모터(49)는 다시 입력 기구(13)의 중심축(17)을 회전시키며 웨이퍼 리프트 핀(31a-c)은 도 4a-d에서 도시된 4개의 위치까지 상승한다.In the blade level position, the controller 51 changes the direction of the motor 49, which causes the central axis 17 of the input mechanism 13 to rotate counterclockwise. Then, the process described with reference to Figs. 4A to 4D is repeated in the reverse order. Thus, the wafer W is lowered quickly to the wafer platform 47, but the wafer W is disposed on the wafer platform 47 at almost zero speed. Thereafter, the wafer lift pins 31a-c are lowered to the recessed position (FIG. 4A), and the controller 51 stops the motor 49 while the wafer W is being processed. After the machining is completed, the motor 49 again rotates the central axis 17 of the input mechanism 13 and the wafer lift pins 31a-c rise to the four positions shown in Figs. 4A-D.

도 5는 유리하게는 도 3 및 4a 내지 4d의 웨이퍼 리프트 핀 조립체(29)를 채용한 반도체 제작 시스템의 평면도(49)이다. 반도체 제작 시스템(49)은 한 쌍의 로드 락(53a-b)을 구비한 전달 챔버(51) 및 시스템에 작동 가능하게 결합된 다수의 프로세싱 챔버(55a-d)를 포함한다. 웨이퍼 핸들러(57)는 로드 락(53a-b)과 프로세싱 챔버(55a-d) 사이에 웨이퍼를 전달하기 위해 전달 챔버(51)내에 위치한다. 로드 락(53a-b)중의 하나 이상(예를 들면, 로드 락 53a) 및 프로세싱 챔버(55a-d)중의 하나 이상(예를 들면, 프로세싱 챔버 55a)은 도 3의 독창적인 웨이퍼 리프트 핀 조립체(29)를 구비하고 있다. 따라서, 본 발명의 웨이퍼 리프트 핀(31a-c)은 일반적인 웨이퍼 리프트 핀 보다 훨씬 고속으로 승강되므로, 반도체 제작 시스템(49)의 작업 처리량은 시스템 내에 구비된 각각의 부가적인 웨이퍼 리프트 핀 조립체(29)에 의해 급격히 증가한다.FIG. 5 is a plan view 49 of a semiconductor fabrication system that advantageously employs the wafer lift pin assembly 29 of FIGS. 3 and 4A-4D. The semiconductor fabrication system 49 includes a transfer chamber 51 having a pair of load locks 53a-b and a plurality of processing chambers 55a-d operably coupled to the system. Wafer handler 57 is located in transfer chamber 51 to transfer wafers between load locks 53a-b and processing chambers 55a-d. One or more of the load locks 53a-b (eg, load lock 53a) and one or more of the processing chambers 55a-d (eg, processing chamber 55a) may comprise the inventive wafer lift pin assembly (FIG. 3). 29). Thus, since the wafer lift pins 31a-c of the present invention are elevated at a much higher speed than conventional wafer lift pins, the throughput of the semiconductor fabrication system 49 is such that each additional wafer lift pin assembly 29 provided in the system is provided. Increases sharply by

전술한 설명은 단지 본 발명의 바람직한 실시예를 개시한 것이며, 본 발명의 영역 내에 있는 상기 개시된 장치 및 방법의 변형은 당업자에게 있어서는 용이할 것이다. 예를 들면, 제네바 구동의 출력의 다수의 이동 영역은 변화할 수 있으며, 리프트 핀은 선형 구동 등과 기계적으로 결합할 수 있다. 또한, 본 발명은 도면에서 도시된 바와 같은 하나 이상의 웨이퍼 리프트 핀을 채용하였으나, 웨이퍼 리프트 핀이라는 용어는 도면에 의해 한정되지 않으며 다른 리프팅 기구(받침대(pedestals) 등)를 포함한다. 마찬가지로, 웨이퍼라는 용어는 광범위하게 해석되며 다른 연약한 물체를 포함할 수 있다. 마지막으로, 웨이퍼와 같은 부서지기 쉬운 물체를 향해 구동되며 이와 접촉하는 임의의 기구(예를 들면, 로봇 그립퍼(robot gripper) 등)는 본 발명에 의해 유리하게 구성될 수 있으므로, 본 발명은 여기에서 공지된 바람직한 실시예에 의해 제한을 받지 않는다.The foregoing description merely discloses a preferred embodiment of the present invention, and variations of the disclosed apparatus and method within the scope of the present invention will be readily apparent to those skilled in the art. For example, the number of moving regions of the output of the Geneva drive can vary, and the lift pins can be mechanically coupled to the linear drive or the like. In addition, although the present invention employs one or more wafer lift pins as shown in the figures, the term wafer lift pins is not limited by the figures and includes other lifting mechanisms (pedestals, etc.). Likewise, the term wafer is broadly interpreted and may include other fragile objects. Finally, any mechanism (e.g., robot gripper, etc.) driven toward and in contact with a brittle object such as a wafer may be advantageously configured by the present invention, so the present invention is It is not limited by the known preferred embodiments.

따라서, 본 발명은 바람직한 실시예에 관하여 공지되었지만, 다른 실시예도 이하의 청구항에 의해 한정되는 본 발명의 사상 및 영역 내에 포함되는 것은 이해된다.Thus, while the invention has been known in terms of preferred embodiments, it is understood that other embodiments are included within the spirit and scope of the invention as defined by the following claims.

Claims (20)

웨이퍼 리프트 핀 조립체로서,A wafer lift pin assembly, 웨이퍼를 제 1 위치 및 제 2 위치 사이에서 전달하기 위한 웨이퍼 리프트 핀, 및A wafer lift pin for transferring the wafer between the first and second positions, and 상기 웨이퍼 리프트 핀을 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치 사이에서 구동하기 위한, 웨이퍼 리프트 핀에 작동 가능하게 연결된 제네바 구동 기구를 포함하는 웨이퍼 리프트 핀 조립체.And a Geneva drive mechanism operably connected to the wafer lift pins for driving the wafer lift pins between the first and second positions. 제 1 항에 있어서, 상기 제네바 구동 기구가 다수의 정지 구역 및 다수의 이동 구역을 구비하는 출력 기구를 포함하며, 상기 웨이퍼 리프트 핀 조립체가 제 1 위치에 있을 때 상기 제네바 구동 출력 기구가 정지 구역 내에 있도록, 그리고 상기 웨이퍼 리프트 핀 조립체가 제 2 위치에 있을 때 상기 제네바 구동 출력 기구가 정지 구역에 있도록 배치된 웨이퍼 리프트 핀 조립체.2. The apparatus of claim 1, wherein the Geneva drive mechanism includes an output mechanism having a plurality of stop zones and a plurality of movement zones, wherein the Geneva drive output mechanism is within the stop zone when the wafer lift pin assembly is in a first position. And the Geneva drive output mechanism in a stop zone when the wafer lift pin assembly is in the second position. 제 2 항에 있어서, 상기 제네바 구동 출력 기구에 작동 가능하게 결합되며 상기 제네바 구동 출력 기구의 운동을 상기 웨이퍼 리프트 핀의 선형 운동으로 변환하게끔 상기 웨이퍼 리프트 핀에 작동 가능하게 결합된 선형 구동 기구를 더 포함하는 웨이퍼 리프트 핀 조립체.3. The linear drive mechanism of claim 2, further comprising a linear drive mechanism operatively coupled to the Geneva drive output mechanism and operatively coupled to the wafer lift pin to convert the motion of the Geneva drive output mechanism into a linear motion of the wafer lift pin. A wafer lift pin assembly comprising. 제 3 항에 있어서, 상기 선형 구동 기구가4. The linear drive mechanism of claim 3 wherein the linear drive mechanism 자석을 포함하며, 그리고A magnet, and 상기 선형 구동 기구의 운동이 상기 웨이퍼 리프트 핀의 상응하는 운동을 야기하게끔 상기 웨이퍼 리프트 핀이 상기 선형 구동 기구의 상기 자석에 작동 가능하게 결합된 자석을 포함하는 웨이퍼 리프트 핀 조립체.And a magnet with the wafer lift pin operatively coupled to the magnet of the linear drive mechanism such that movement of the linear drive mechanism causes a corresponding movement of the wafer lift pin. 반도체 프로세싱 시스템으로서,A semiconductor processing system, 제 3 항의 상기 웨이퍼 리프트 핀을 구비하는 챔버를 포함하며, 상기 선형 구동 기구가 상기 챔버의 외부에 있는 반도체 프로세싱 시스템.4. The semiconductor processing system of claim 3 including a chamber having said wafer lift pins, wherein said linear drive mechanism is external to said chamber. 제 1 항에 있어서, 상기 제네바 구동 출력 기구가 4 개의 정지 구역 및 3 개의 이동 구역을 포함하는 웨이퍼 리프트 핀 조립체.The wafer lift pin assembly of claim 1, wherein the Geneva drive output mechanism comprises four stop zones and three travel zones. 제 2 항에 있어서, 상기 제네바 구동 기구가The method of claim 2, wherein the Geneva drive mechanism 상기 제네바 구동 출력 기구에 작동 가능하게 결합된 입력 기구, 및An input mechanism operatively coupled to the Geneva drive output mechanism, and 상기 제네바 구동 입력 기구가 회전하도록 상기 제네바 입력 기구에 작동 가능하게 결합된 모터를 더 포함하는 웨이퍼 리프트 핀 조립체.And a motor operatively coupled to the Geneva input mechanism such that the Geneva drive input mechanism rotates. 제 7 항에 있어서, 상기 모터에 작동 가능하게 결합되며, 상기 제네바 구동 입력 기구의 회전의 방향을 선택적으로 제어하는 제어기를 더 포함하는 웨이퍼 리프트 핀 조립체.8. The wafer lift pin assembly of claim 7, further comprising a controller operatively coupled to the motor, the controller selectively controlling a direction of rotation of the Geneva drive input mechanism. 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 위치가 웨이퍼 플랫폼이고 상기 제 2 위치가 웨이퍼 전달 위치인 웨이퍼 리프트 핀 조립체.3. The wafer lift pin assembly of claim 2 wherein the first position is a wafer platform and the second position is a wafer transfer position. 제 9 항에 있어서, 상기 제네바 구동 기구가 상기 웨이퍼 플랫폼 아래의 제 3 위치와 상기 웨이퍼 전달 위치 위의 제 4 위치 사이에서 상기 웨이퍼 리프트 핀을 더 구동하는 웨이퍼 리프트 핀 조립체.10. The wafer lift pin assembly of claim 9, wherein the Geneva drive mechanism further drives the wafer lift pin between a third position below the wafer platform and a fourth position above the wafer transfer position. 제 10 항에 있어서, 상기 웨이퍼 리프트 핀이 상기 제 3 위치에 있을 때 상기 제네바 구동의 출력 기구가 정지 구역 내에 있도록, 그리고 상기 웨이퍼 리프트 핀이 상기 제 4 위치에 있을 때 상기 제네바 구동의 출력 기구가 정지 구역에 있도록, 상기 다수의 정지 구역 및 상기 다수의 이동 구역이 배치되는 웨이퍼 리프트 핀 조립체.The output mechanism of claim 10, wherein the output mechanism of the Geneva drive is in the stop zone when the wafer lift pin is in the third position, and the output mechanism of the Geneva drive is positioned when the wafer lift pin is in the fourth position. And the plurality of stop zones and the plurality of moving zones are disposed so as to be at the stop zone. 제 10 항에 있어서, 상기 제네바 구동 기구가11. The method of claim 10, wherein the Geneva drive mechanism 상기 제네바 구동 출력 기구에 작동 가능하게 결합된 입력 기구,An input mechanism operatively coupled to the Geneva drive output mechanism, 상기 제네바 구동 입력 기구를 회전시키도록 상기 제네바 입력 기구에 작동 가능하게 결합된 모터, 및A motor operably coupled to the Geneva input mechanism for rotating the Geneva drive input mechanism, and 상기 모터에 작동 가능하게 결합되며, 상기 웨이퍼 리프트 핀이 상기 제 3 및 제 4 위치에 있을 때에 상기 제네바 구동 입력 기구의 회전의 방향을 선택적으로 변화시키는 제어기를 더 포함하는 웨이퍼 리프트 핀 조립체.And a controller operatively coupled to the motor, the controller selectively changing the direction of rotation of the Geneva drive input mechanism when the wafer lift pins are in the third and fourth positions. 웨이퍼 접촉의 방법으로서,As a method of wafer contact, 제 1 웨이퍼 접촉 표면을 제공하는 단계,Providing a first wafer contact surface, 상기 제 1 웨이퍼 접촉 표면을, 정지 구역, 이동 구역, 및 상기 정지 구역 및 이동 구역 사이의 천이 지점을 구비한 제네바 구동 기구에 의해 구동하는 단계,Driving the first wafer contact surface by a Geneva drive mechanism having a stop zone, a transfer zone, and a transition point between the stop zone and the transfer zone, 상기 제네바 구동 기구가 천이 지점에 있는 때에 상기 웨이퍼를 상기 제 1 웨이퍼 접촉 표면과 초기에 접촉시키는 단계를 포함하는 방법.Initially contacting the wafer with the first wafer contact surface when the Geneva drive mechanism is at the transition point. 제 13 항에 있어서, 제 2 웨이퍼 접촉 표면을 제공하는 단계, 및The method of claim 13, further comprising providing a second wafer contact surface, and 상기 제네바 구동 기구가 천이 지점에 있는 때에 상기 웨이퍼를 상기 제 1 웨이퍼 접촉 표면으로부터 상기 제 2 웨이퍼 접촉 표면까지 전달하는 단계를 더 포함하는 방법.Transferring the wafer from the first wafer contact surface to the second wafer contact surface when the Geneva drive mechanism is at the transition point. 웨이퍼 전달 방법으로서,As a wafer delivery method, 웨이퍼 리프트 핀을 제공하는 단계,Providing a wafer lift pin, 정지 구역, 이동 구역, 및 상기 정지 구역과 이동 구역 사이의 천이 지점을 구비한 제네바 구동 기구에 의해 상기 웨이퍼 리프트 핀을 구동하는 단계,Driving the wafer lift pin by a Geneva drive mechanism having a stop zone, a travel zone, and a transition point between the stop zone and the travel zone, 웨이퍼를 웨이퍼 전달 위치에 위치시키는 단계,Positioning the wafer at a wafer transfer location, 상기 웨이퍼 리프트 핀을 상기 웨이퍼 전달 위치 쪽으로 구동하는 단계,Driving the wafer lift pins toward the wafer transfer position, 상기 제네바 구동 기구가 천이 지점에 도달함에 따라 상기 전달 위치에 도달하는 단계,Reaching the delivery position as the Geneva drive mechanism reaches a transition point, 상기 제네바 구동 기구가 천이 지점에 도달함에 따라 상기 웨이퍼와 접촉하는 단계, 및Contacting the wafer as the Geneva drive mechanism reaches a transition point, and 상기 웨이퍼를 상기 웨이퍼 리프트 핀에 전달하도록, 상기 웨이퍼 리프트 핀을 상기 전달 위치 위로 구동하는 단계를 포함하는 웨이퍼 전달 방법.Driving the wafer lift pin over the transfer position to deliver the wafer to the wafer lift pin. 웨이퍼 전달 방법으로서,As a wafer delivery method, 다수의 정지 구역, 다수의 이동 구역, 및 상기 정지 구역과 이동 구역 사이의 다수의 천이 지점을 구비한 제네바 구동 기구에 의해 구동되는 웨이퍼 리프트 핀을 구비하는 플랫폼을 제공하는 단계,Providing a platform having a plurality of stop zones, a plurality of moving zones, and a wafer lift pin driven by a Geneva drive mechanism having a plurality of transition points between the stop zone and the moving zone, 상기 웨이퍼 리프트 핀 위에 웨이퍼를 지지하는 단계,Supporting a wafer on the wafer lift pins; 상기 웨이퍼 리프트 핀을 상기 플랫폼 쪽으로 하강시키는 단계,Lowering the wafer lift pin toward the platform; 상기 웨이퍼 리프트 핀으로부터 상기 플랫폼까지 상기 웨이퍼를 전달하기 위해, 상기 제네바 구동 기구가 천이 지점에 도달함에 따라 상기 플랫폼에 도달하는 단계를 포함하는 웨이퍼 전달 방법.Reaching the platform as the Geneva drive mechanism reaches a transition point to transfer the wafer from the wafer lift pin to the platform. 제 16 항에 있어서, 상기 웨이퍼 리프트 핀 및 상기 웨이퍼를 제 1 역전 위치 쪽으로 상승시키는 단계,17. The method of claim 16, further comprising raising the wafer lift pins and the wafer toward a first inversion position, 상기 제네바 구동 기구의 방향을 역전시키는 단계,Reversing the direction of the Geneva drive mechanism, 웨이퍼 핸들러를 상기 제 1 역전 위치 아래에 위치시키는 단계,Positioning a wafer handler below the first reverse position, 상기 웨이퍼 리프트 핀 및 웨이퍼를 상기 웨이퍼 핸들러 쪽으로 하강시키는 단계,Lowering the wafer lift pin and the wafer toward the wafer handler, 상기 제네바 구동 기구가 천이 지점에 도달함에 따라 상기 웨이퍼 핸들러를 상기 웨이퍼와 접촉시키는 단계, 및Contacting the wafer handler with the wafer as the Geneva drive mechanism reaches a transition point, and 상기 웨이퍼를 상기 웨이퍼 리프트 핀에서 상기 웨이퍼 핸들러까지 전달하기 위해 상기 웨이퍼 리프트 핀을 상기 웨이퍼 핸들러 아래로 낮추는 단계를 더 포함하는 방법.Lowering the wafer lift pin below the wafer handler to transfer the wafer from the wafer lift pin to the wafer handler. 제 17 항에 있어서, 천이 지점에서 상기 플랫폼에 도달한 후에, 상기 웨이퍼 리프트 핀을 상기 플랫폼 아래의 제 2 역전 위치로 낮추는 단계를 더 포함하는 방법.18. The method of claim 17, further comprising lowering the wafer lift pin to a second reverse position below the platform after reaching the platform at a transition point. 반도체 장비 제작 시스템으로서,As a semiconductor equipment manufacturing system, 전달 챔버,Transfer chamber, 상기 전달 챔버에 작동 가능하게 결합된 로드 락,A load lock operatively coupled to the transfer chamber, 상기 전달 챔버 내에 구비된 웨이퍼 핸들러,A wafer handler provided in the transfer chamber, 상기 전달 챔버에 작동 가능하게 결합된 다수의 프로세싱 챔버, 및A plurality of processing chambers operatively coupled to the transfer chamber, and 제 1 항의 웨이퍼 리프트 핀 조립체를 상기 다수의 프로세싱 챔버중의 하나 이상에 포함하는 반도체 장비 제작 시스템.10. The system of claim 1 including the wafer lift pin assembly of claim 1 in at least one of the plurality of processing chambers. 웨이퍼 접촉 기구로서,As a wafer contact mechanism, 웨이퍼 접촉 표면, 및Wafer contact surface, and 다수의 이동 구역 및 다수의 정지 구역을 구비하며, 상기 웨이퍼 접촉 표면을 웨이퍼 쪽으로 가속시키고 상기 제네바 구동 기구가 정지 구역에 도달함에 따라 상기 웨이퍼를 접촉시키기 위해, 상기 웨이퍼 접촉 표면과 작동 가능하게 결합된 제네바 구동 기구를 포함하는 웨이퍼 접촉 기구.And a plurality of moving zones and a plurality of stop zones, operatively coupled with the wafer contact surface to accelerate the wafer contact surface towards the wafer and to contact the wafer as the Geneva drive mechanism reaches the stop zone. A wafer contact mechanism comprising a Geneva drive mechanism.
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