KR20010047591A - Tft lcd - Google Patents

Tft lcd Download PDF

Info

Publication number
KR20010047591A
KR20010047591A KR1019990051888A KR19990051888A KR20010047591A KR 20010047591 A KR20010047591 A KR 20010047591A KR 1019990051888 A KR1019990051888 A KR 1019990051888A KR 19990051888 A KR19990051888 A KR 19990051888A KR 20010047591 A KR20010047591 A KR 20010047591A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid crystal
reflective
projections
protrusion
reflective film
Prior art date
Application number
KR1019990051888A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR100684867B1 (en
Inventor
송장근
Original Assignee
윤종용
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윤종용, 삼성전자 주식회사 filed Critical 윤종용
Priority to KR1019990051888A priority Critical patent/KR100684867B1/en
Publication of KR20010047591A publication Critical patent/KR20010047591A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100684867B1 publication Critical patent/KR100684867B1/en

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553—Reflecting elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

PURPOSE: A thin film transistor(TFT) liquid crystal display(LCD) device is to enhance a reflection efficiency and a transmission efficiency actually, thereby improving the luminance of image. CONSTITUTION: A reflective-transmissive type TFT LCD comprises a pixel electrode with a reflective plate layer and a transparent electrode layer. An insulating layer(23) is formed, wherein a protrusion(30) is formed on the insulating layer. A reflective layer(25) is disposed only on a portion of the protrusion, and a transparent electrode(21) is formed on the other portion of the protrusion. The protrusion is formed in a hemispherical shape, and the reflective plate is formed on only on edges of the protrusion. The reflective plate is formed on an upper portion of the protrusion with respect to a vertical position of a liquid crystal panel.

Description

박막트랜지스터 액정표시장치 {TFT LCD}Thin Film Transistor Liquid Crystal Display {TFT LCD}

본 발명은 박막트랜지스터 액정표시장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반사 투과 복합형 박막트랜지스터 액정표시장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film transistor liquid crystal display device, and more particularly, to a reflective transmissive composite thin film transistor liquid crystal display device.

바텀(bottom) 게이트 방식 아몰퍼스 실리콘 타입 TFT LCD의 예를 통해 일반적인 LCD의 화소부 TFT형성과정을 간단히 살펴보면, 우선, 글래스 기판에 알미늄이나 크롬의 단일막 혹은 다중막을 적층하고 포토리소그래피와 에칭 공정으로 이루어진 패터닝 작업을 이용하여 게이트 라인 및 패드를 포함하는 게이트 패턴을 형성한다(1st mask). 다음으로는 게이트 패턴 위로 게이트 절연막, 채널과 소오스/드레인 같은 액티브 영역을 형성할 아몰퍼스 실리콘막 그리고 대개는 오믹 콘택(Ohmic contact)을 위한 불순물이 도핑된 아몰퍼스 실리콘층을 차례로 적층하고, 이들 3층막에 대해 액티브 영역에 대응하는 포토마스크를 이용한 패터닝 작업을 한다(2nd mask).A simple example of a bottom gate amorphous silicon type TFT LCD is a brief description of the TFT-forming process of a typical LCD. First, a single or multiple layers of aluminum or chromium are laminated on a glass substrate, and photolithography and etching are performed. The gate pattern including the gate line and the pad is formed using a patterning operation (1st mask). Next, a gate insulating film, an amorphous silicon film to form an active region such as a channel and a source / drain, and an amorphous silicon layer doped with impurities for ohmic contact, are sequentially stacked over the gate pattern. Are patterned using a photomask corresponding to the active region (2nd mask).

그리고, 이 상태에서 소오스 드레인 전극 형성을 위한 금속층을 적층하고 마스크 기법을 통해 소오스/드레인 전극 및 데이터 라인을 형성한다(3rd mask). 경우에 따라서는 3층막에 대한 적층이 이루어지고 액티브 영역 패턴 형성 전에 금속층을 적층한 다음 소오스 및 드레인 전극을 패터닝하면서 오믹 콘택층과 아몰퍼스 실리콘층 상부를 제거하여 채널의 형성을 하는 것으로서 2nd mask와 3rd mask 공정을 대체할 수도 있다(4매 mask 공정).In this state, a metal layer for forming a source drain electrode is stacked and a source / drain electrode and a data line are formed through a mask technique (3rd mask). In some cases, lamination is performed on a three-layer film, and a metal layer is stacked before forming an active region pattern, and then a channel is formed by removing an upper portion of an ohmic contact layer and an amorphous silicon layer while patterning source and drain electrodes. It is also possible to replace the mask process (4 mask process).

이상의 과정을 거쳐 형성된 소오스, 게이트, 드레인의 MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor) 기본 전극 구조 위로 절연재질의 보호막을 적층하고 패터닝 작업을 통해 외부 신호 입력 패드나 화소전극과의 접속을 위한 콘택홀을 형성하게 된다(4th mask). 보호막은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물로 이루어지는 것이 일반적이나 유기막으로 두껍게 이루어질 수도 있다.The contact hole for the connection with the external signal input pad or the pixel electrode is formed by stacking an insulating protective film over the basic electrode structure of the MOSFET (Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor) of the source, gate, and drain formed through the above process. 4th mask. The protective film is generally made of silicon oxide or silicon nitride, but may be made thick of an organic film.

보호막 위로는 화소전극을 역시 패터닝 작업을 통해 형성하게 된다. 화소전극은 반사형 LCD의 경우 주로 알미늄을 스퍼터링으로 적층하여 포토리소그래피와 식각 공정을 통해 화소 상당 부분에 형성하게 되는데 전기적으로 트랜지스터의 소오스 전극과 콘택을 통해 연결되어 있으며 반사판의 역할을 하게 된다. 그리고, 백라이트형 혹은 투과형 LCD의 화소전극은 화소전극을 통해 빛이 통과하여 사용자의 눈에 들어오게 되므로 투명한 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 등으로 형성된다 (5th mask).The pixel electrode is also formed on the passivation layer through patterning. In the case of the reflective LCD, aluminum is mainly deposited by sputtering to form a substantial portion of the pixel through photolithography and etching. The pixel electrode is electrically connected to the source electrode of the transistor through a contact and serves as a reflector. In addition, the pixel electrode of the backlight or transmissive LCD is formed of transparent indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like (5th mask) because light passes through the pixel electrode and enters the eyes of the user.

반사형 LCD와 투과형 LCD의 구분을 잠시 살펴보면, 반사형 액정표시장치는 판넬 내면에 반사막을 두어 입사된 외광이 반사되면서 그 경로상에서 편광판과 액정층을 통과할 때 화소별로 대향전극에 전압을 인가하거나 인가하지 않는 방법으로 화상을 표시하는 방식이다. 투과형 액정표시장치는 판넬 전후면에 편광판을 설치하고 후면에 독립적인 광원인 백라이트를 설치하여, 이 광원의 빛이 판넬을 통과하거나 통과하지 않도록 대향전극에 인가되는 전압으로 액정의 배열을 조절하여 화상을 구현하는 방식이 된다.Looking at the distinction between the reflective LCD and the transmissive LCD, the reflective liquid crystal display has a reflective film on the inner surface of the panel to reflect incident external light and apply voltage to the counter electrode for each pixel when passing through the polarizing plate and the liquid crystal layer on the path. It is a method of displaying an image by a method not to apply. In the transmissive liquid crystal display device, a polarizing plate is installed on the front and rear sides of the panel and a backlight, which is an independent light source, is used to adjust the arrangement of the liquid crystals to a voltage applied to the counter electrode so that the light of the light source does not pass or pass through the panel. This is how you implement it.

초기의 액정표시장치로서 시계나 계산기 같이 전력소모를 극소화해야 하는 용도의 기기에서는 반사형을 많이 사용하였으며 외광이 없을 때 화면을 볼 수 없는 점을 보완하여 전면이나 측전면에 보조광원을 설치하는 경우가 많았다. 근래의 대화면 고품위의 화상표시를 요하는 노트북 컴퓨터용의 특히 TFT LCD 등에서는 투과형을 사용하는 경우가 일반적이다.In the early liquid crystal display device, a device that is used for minimizing power consumption such as a clock or a calculator has used a lot of reflection type, and supplemented with the fact that the screen cannot be seen when there is no external light. There were a lot. In recent years, a transmissive type is generally used in notebook computers, especially TFT LCDs, which require high quality image display.

현재의 한 추세를 보면, 특히, 실외에서 사용될 수 있는 화면표시장치에서 외광을 이용하여 최대한 고품위의 화상을 구현할 수 있는 반사형도 모색이 되고 있으며, 밝은 자연광 아래서는 투과형 액정표시장치의 화면이 잘 인식되지 않고 어두운 공간에서는 반사형 액정표시장치의 화면을 인식할 수 없다는 반사형과 투과형의 단점을 보완하여 어느 경우라도 주변 광도의 변화에도 불구하고 사용 환경에 맞게 적절한 시인성을 확보할 수 있는 반사 투과 복합형 LCD가 제안되고 있다.According to the current trend, especially in the display device that can be used outdoors, the reflection type that can realize the highest quality image using external light is being sought, and the screen of the transmissive liquid crystal display device is well recognized under bright natural light. It is possible to compensate for the disadvantages of the reflection type and the transmission type, which cannot recognize the screen of the reflection type liquid crystal display device in a dark space. Type LCD is proposed.

이미 LCD 제작회사인 샤프사를 통해 소개된 바 있는 반사 투과 복합형 박막트랜지스터 LCD는 기존의 TFT측 기판의 전극형성과정에서 MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor) 구조상의 절연막 위에 화소전극을 형성할 때 일단 화소전극 패턴을 투명전극층으로 스퍼터링 등을 통해 형성하고, 그 위에 알미늄이나 크롬 등의 금속막 즉 반사막층을 다시 스퍼터링 등의 방법으로 형성한 다음 원하는 반사막 패턴을 형성하는 패터닝 방법 즉, 노광과 식각 공정을 이용하여 형성하는 방법을 사용하고 있다. 이런 방법을 통해 유기 절연막(23) 위에는 반사막(25)이나 투명전극(21)으로 된 화소전극이 전혀 남아있지 않은 화소전극 외부영역, 투명전극(21)만 남아있는 투과영역, 투명전극 위에 반사막(25)이 남아있는 반사영역이 구분 형성된다. 투과영역(27)은 대개 창의 개념으로 형성되며 투광창이라 할 수 있다. 도1은 종래의 반사 투과 복합형 TFT LCD의 한 예에서의 TFT측 기판의 각 화소에서의 측단면도이다. 단, 여기서는 유기 절연막(23) 형성 전에 드레인 전극(19) 위로 투명전극(21)이 먼저 형성된 상태이다.Reflective transmission composite thin film transistor LCD, which has been introduced through LCD company Sharp, is used to form pixel electrode on insulating film of MOSFET (Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor) structure during electrode formation process of conventional TFT-side substrate. A patterning method, that is, exposure and etching, in which a pixel electrode pattern is formed as a transparent electrode layer through sputtering or the like, and then a metal film such as aluminum or chromium, or a reflective film layer, is formed again by sputtering or the like, and then a desired reflective film pattern is formed. The method of forming using a process is used. In this manner, the pixel electrode external region in which the pixel electrode of the reflective film 25 or the transparent electrode 21 remains on the organic insulating film 23, the transmission region in which only the transparent electrode 21 remains, and the reflective film on the transparent electrode 25) the remaining reflecting areas are formed. The transmission area 27 is generally formed in the concept of a window and may be referred to as a transmission window. 1 is a side cross-sectional view of respective pixels of a TFT-side substrate in one example of a conventional reflection-transmission composite TFT LCD. However, in this case, the transparent electrode 21 is first formed on the drain electrode 19 before the organic insulating film 23 is formed.

그러나, 이런 형태의 반사 투과 복합형 박막트랜지스터 액정표시장치의 경우에는, 외부 공간에서와 같이 반사형을 주로 사용할 때에는 화소영역의 상당부분이 투과영역을 이루고 있으므로 개구율이 일반 반사형 액정표시장치에 비해 낮고, 투과형을 주로 사용할 때에는 화소영역의 상당부분이 반사영역으로 되어 개구율이 일반 투과형 액정표시장치에 비해 떨어지므로 화면의 휘도에 큰 문제점이 있었다.However, in this type of reflective transmissive composite thin film transistor liquid crystal display device, when the reflective type is mainly used, such as in an external space, a large portion of the pixel area forms a transmissive area, so that the aperture ratio is higher than that of the general reflective liquid crystal display device. When the transmissive type is mainly used, a large part of the pixel area becomes a reflecting area, and the aperture ratio is lower than that of a general transmissive liquid crystal display, which causes a large problem in the luminance of the screen.

따라서 반사 투과 복합형 박막트랜지스터 액정표시장치의 경우에는 실질적인 개구율을 높이기 위한 방안이 특히 요청되고 있다.Accordingly, in the case of the reflective transmissive thin film transistor liquid crystal display, a method for increasing the actual aperture ratio is particularly required.

본 발명에서는 이상에서 언급한 반사 투과 복합형 박막트랜지스터의 개구율이 낮고 휘도가 떨어지는 문제를 해결할 수 있도록 새로운 형태의 반사 투과 복합형 박막트랜지스터 액정표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a novel reflective composite thin film transistor liquid crystal display device in order to solve the problem of low aperture ratio and low luminance of the reflective transparent thin film transistor.

도1은 종래의 반사 투과 복합형 TFT LCD의 한 예에서의 TFT측 기판의 각 화소에서의 측단면도이다.1 is a side cross-sectional view of respective pixels of a TFT-side substrate in one example of a conventional reflection-transmission composite TFT LCD.

도2는 본 발명의 일 실시예로, 돌기가 전면으로 반구형으로 볼록하게 형성되고 그 측부에 반사막이 형성된 상태의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a state in which a protrusion is formed convexly convex toward the front and a reflective film is formed at a side thereof.

도3은 본 발명의 일 실시예로, 돌기가 반구형으로 전면으로 볼록하게 형성되면서 반사막은 상반부 이상에 형성된 경우의 측단면도이다.Figure 3 is an embodiment of the present invention, a side cross-sectional view in the case where the projection is formed in the hemispherical convex front surface while the reflective film is formed in the upper half or more.

도4는 본 발명의 일 실시예로, 돌기가 반구형으로 전면에서 오목하게 형성되면서 반사막은 하반부 이하에 형성된 상태의 측단면도이다.Figure 4 is an embodiment of the present invention, the projection is formed in a hemispherical concave from the front surface is a side cross-sectional view of the state formed in the lower half or less.

도5는 본 발명의 일 실시예로, 돌기의 형태가 단면이 톱니형으로 볼록하게 형성되는 경우에서 반사막은 상부에 형성된 상태의 측단면도이다.Figure 5 is an embodiment of the present invention, in the case where the shape of the projection is serrated convex cross section is a side cross-sectional view of the state in which the reflective film is formed on the top.

도6과 도7은 본 발명의 실시예에 대한 이해를 돕기 위한 보조도면으로 각각 도3과 도4의 실시예에 대한 다수 화소전극을 평면적으로 나타내는 것이다.6 and 7 are auxiliary views for better understanding of the exemplary embodiments of the present invention, and planarly illustrate a plurality of pixel electrodes of the exemplary embodiment of FIGS. 3 and 4, respectively.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

10: 기판 11: 게이트 패턴10: substrate 11: gate pattern

15,17: 반도체층 19: 드레인 전극15, 17: semiconductor layer 19: drain electrode

21: 투명전극 23: 유기 절연막21: transparent electrode 23: organic insulating film

25: 반사막 27: 투과영역25: reflective film 27: transmission region

30: 돌기 31: 백라이트30: projection 31: backlight

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 반사막층과 투명전극층을 가지는 화소전극이 구비된 반사 투과 복합형 박막트랜지스터 액정표시장치에 있어서, 상기 화소전극의 반사막층 형성 전에 형성되는 절연막의 상면에 돌기가 형성되어 있고, 상기 돌기의 일 부분에만 반사막이 설치되며, 상기 화소전극의 여타 부분은 투명전극을 포함하여 광투과성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a reflective transmissive composite thin film transistor liquid crystal display device including a pixel electrode having a reflective layer and a transparent electrode layer, wherein projections are formed on an upper surface of an insulating layer formed before forming the reflective layer of the pixel electrode. The reflective film is formed on only one part of the protrusion, and the other part of the pixel electrode is made of a light transmissive material including a transparent electrode.

이하 도면을 참조하면서 실시예를 통해 본 발명을 좀 더 자세히 살펴보기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도2는 본 발명의 일 실시예로, 돌기가 전면으로 반구형으로 볼록하게 형성되고 그 측부에 반사막이 형성된 상태의 단면도를 나타내고 있다. 동시에 이 경우에서 화살표로 빛의 경로를 함께 나타내고 있다. 본 발명에서 반사막이 형성되는 돌기의 부분은 여러 가지 패턴이 될 수 있는데, 우선 돌기(30)의 측벽부에 반사막(25)이 설치될 수 있다. 이때, 돌기는 여러 형태로 형성될 수 있다. 즉, 각이 진 요철의 형태가 될 수도 있으며, 반구형으로 볼록한 요철이 될 수도 있다.2 is a cross-sectional view of a state in which a protrusion is formed convexly convex toward the front and a reflective film is formed at a side thereof. At the same time, in this case, arrows indicate the path of light. In the present invention, the portion of the protrusion on which the reflective film is formed may have various patterns. First, the reflective film 25 may be provided on the sidewall of the protrusion 30. In this case, the protrusions may be formed in various forms. That is, it may be in the form of angled irregularities, or may be hemispherical convex irregularities.

요철의 형성 빈도는 화질의 균일성을 위해서 적어도 하나의 화소전극 영역에서 하나의 돌기가 형성되어야 하며, 많은 수가 형성될 경우에는 패터닝의 정확성이 떨어질 수 있으나 반사막(25)의 면적이 일반적으로 증대되므로 전용 반사형 액정표시장치에 가까운 반사효율로 접근할 것이다. 그러나 여전히 돌기(30)의 상부나 돌기 사이의 부분은 개방되어 있으므로 투과되는 빛의 양도 큰 방해를 받지 않는다. 이상적으로 외부 광은 모든 각도에서 액정표시장치의 액정화면에 입사하며, 백라이트의 빛은 면광원에 의해 액정화면에 수직으로 입사하여 투과되고, 돌기(30)는 측벽이 화면에 수직으로 높게 형성되어 있다면 반사되는 광량도 손실분을 생각하지 않는다면 일반 반사형 액정표시장치의 반사광량에 가깝게 되고, 투과광량도 일반 투과형 액정표시장치의 투과광량에 가깝게 되는 것이다.As for the formation frequency of the unevenness, at least one projection should be formed in at least one pixel electrode region for uniformity of image quality, and when a large number is formed, the patterning accuracy may be reduced, but the area of the reflective film 25 is generally increased. It will approach the reflection efficiency close to the dedicated reflective liquid crystal display. However, since the upper portion of the projections 30 or the portion between the projections is open, the amount of transmitted light is not significantly disturbed. Ideally, the external light is incident on the liquid crystal display of the liquid crystal display at all angles, and the light of the backlight is incident and transmitted vertically onto the liquid crystal display by the surface light source, and the projections 30 have the sidewalls formed vertically high on the screen. If the amount of reflected light is not considered to be a loss, the amount of reflected light is close to the amount of reflected light of the general reflective liquid crystal display, and the amount of transmitted light is also close to the amount of transmitted light of the general transmissive liquid crystal display.

도3은 도2와 같이 돌기(30)가 반구형으로 전면으로 볼록하게 형성되면서 반사막(25)은 상반부 이상에 형성된 경우의 측단면도이며, 도4는 돌기(30)가 반구형으로 전면에서 오목하게 형성되면서 반사막(25)은 하반부 이하에 형성된 경우의 측단면도이다.Figure 3 is a side cross-sectional view when the projection 30 is formed in the hemispherical convex front, as shown in Figure 2, the reflective film 25 is formed in the upper half or more, Figure 4 is a projection 30 is formed in a hemispherical concave from the front The reflective film 25 is a side cross-sectional view in the case where it is formed below the lower half.

본 발명에서 돌기에 반사막이 형성되는 부분은 도3이나 도4와 같이 돌기의 형태에 따라 하반부 이하 혹은 상반부 이상 영역이 될 수도 있다. 가령, 노트북 컴튜터의 모니터로 사용되는 경우 일반적으로 모니터 화면은 수평에서 일정 각도로 세워져 사용자를 향하게 된다. 자연광은 대개 상부에서 화면으로 입사하게 되므로 반사광의 효율을 높이기 위해서는 돌기(30)가 반구형으로 전면으로 돌출되어 있다면 튀어나온 돌기(30)의 반구 상반부에 반사막(25)이 형성되도록 할 때 많은 반사광을 얻을 수 있을 것이다.In the present invention, the portion where the reflective film is formed on the protrusion may be a region below the lower half or above the upper half depending on the shape of the protrusion as shown in FIGS. 3 and 4. For example, when used as a monitor of a laptop computer, the monitor screen is generally oriented at an angle from the horizontal to face the user. Since natural light is generally incident on the screen from the top, in order to improve the efficiency of the reflected light, when the projection 30 protrudes to the front in a hemispherical shape, a large amount of reflected light is generated when the reflective film 25 is formed in the upper half of the hemisphere of the protruding protrusion 30. You will get

반대로 돌기(30)가 화면에서 반구형으로 오목하게 들어가는 형태로 형성된다면, 반구의 아래쪽 부분에 반사막(25)을 형성하면 전면으로 반사광을 많이 쏘아보낼 것이다. 돌기(30)의 상반부와 돌기(30) 사이의 부분을 통해 백라이트(31)의 빛이 액정판넬 전면으로 나오게 된다.On the contrary, if the projections 30 are formed to be concave in a hemispherical shape on the screen, if the reflective film 25 is formed in the lower portion of the hemisphere will emit a lot of reflected light to the front. Through the portion between the upper half of the projection 30 and the projection 30, the light of the backlight 31 is emitted to the front of the liquid crystal panel.

도5는 도3과 유사한 형태로 돌기(30)의 형태가 측단면이 톱니형으로 볼록하게 동시에 화면의 액정판넬의 좌우방향으로 길게 형성되는 경우이다. 측단면도에서 각을 형성하는 상변에는 반사막(25)이 형성되어 외광을 주로 반사하게 되며 아래쪽 변에서는 백라이트(31)의 빛이 투과하게 된다. 만약 백라이트(31)의 광을 도5에서의 각을 이루는 상변과 평행한 빛을 사용한다면 백라이트(31)의 광은 경로상의 손실을 제외하고 대부분 판넬면을 투과하게 될 것이다.FIG. 5 is a case similar to that of FIG. 3 in the form of the projection 30 having a side cross-section convex and convex at the same time formed in the left and right direction of the liquid crystal panel of the screen. Reflecting film 25 is formed on the upper side forming the angle in the side cross-sectional view mainly reflects external light, and the light of the backlight 31 is transmitted at the lower side. If the light of the backlight 31 is used in parallel with the upper side of the angle in Figure 5, the light of the backlight 31 will be transmitted through most of the panel surface except for the loss in the path.

도3 내지 도5는 노트북 컴퓨터의 화면 사용형태를 고려하여 일정각도 기울어진 것을 상상하면 빛의 표시 방향을 한정한 이유를 이해하기 쉬울 것이다.3 to 5 are easy to understand the reason for limiting the display direction of the light when imagined to be inclined at a certain angle in consideration of the screen usage form of the notebook computer.

도6과 도7은 본 발명의 실시예에 대한 이해를 돕기 위한 보조도면으로 각각 도3과 도4의 경우의 실시예에 대한 액정판넬에서 화소마다 돌기(30)에 반사막(25)이 형성된 화소전극을 평면적으로 나타내는 것이다. 이때 돌기가 규칙적으로 배열되는 경우 오히려 특성이 저하될 수 있으므로 돌기는 크기와 위치면에서 무작위적으로 이루어지는 것이 바람직하다.6 and 7 are auxiliary drawings for better understanding of the exemplary embodiment of the present invention. In the liquid crystal panel according to the exemplary embodiment of FIGS. 3 and 4, the pixel having the reflective film 25 formed on the projection 30 for each pixel is shown. The electrode is shown in a plane. At this time, if the projections are arranged regularly, the characteristics may be rather deteriorated, so the projections are preferably made randomly in terms of size and position.

본 발명에 따르면, 반사 투과 복합형 박막트랜지스터 액정표시장치에서 실질적인 반사효율과 투과효율을 동시에 높여서 화면의 휘도를 향상시킬 수 있다.According to the present invention, it is possible to improve the brightness of the screen by simultaneously increasing the substantial reflection efficiency and the transmission efficiency in the reflective transmission type thin film transistor liquid crystal display device.

Claims (6)

반사막층과 투명전극층을 가지는 화소전극이 구비된 반사 투과 복합형 박막트랜지스터 액정표시장치에 있어서,In the reflective transmission thin film transistor liquid crystal display device having a pixel electrode having a reflective film layer and a transparent electrode layer, 상기 화소전극의 반사막층 형성 전에 형성되는 절연막의 상면에 돌기가 형성되어 있고, 상기 돌기의 일 부분에만 반사막이 설치되며, 상기 화소전극의 여타 부분은 투명전극을 포함하여 광투과성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시장치.The projection is formed on the upper surface of the insulating film formed before forming the reflective film layer of the pixel electrode, the reflective film is provided on only one portion of the projection, the other portion of the pixel electrode is made of a light transmissive material including a transparent electrode. A thin film transistor liquid crystal display device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 돌기는 전면으로 반구형으로 볼록하게 형성되고 상기 돌기의 측부에만 상기 반사막이 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시장치.The projections are formed in a convex convex shape on the front surface of the thin film transistor, characterized in that the reflective film is formed only on the side of the projection. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 돌기가 반구형으로 전면으로 볼록하게 형성되며 상기 반사막은 액정판넬이 수직으로 세워진 위치를 기준으로 상기 돌기의 상반부 이상에 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시장치.And the projections are formed in a hemispherical shape and convex to the front surface, and the reflective film is formed on the upper half or more of the projections based on the position where the liquid crystal panel is vertically placed. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 돌기가 반구형으로 전면에서 오목하게 형성되며 상기 반사막은 액정판넬이 세워진 위치를 기준으로 상기 돌기의 하반부 이하에 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시장치.And the projections are concave from the front surface in a hemispherical shape, and the reflective film is formed below the lower half of the projections based on the position at which the liquid crystal panel is placed. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 돌기는 하나의 화소에 하나씩 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시장치.And one or more projections are formed in one pixel. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 돌기는 세워진 액정판넬 전면을 정면으로 할때 측단면에 톱니형으로 복록하게 그리고 상기 액정판넬 전면의 좌우방향으로 길게 형성되고 상기 반사막은 상기 톱니의 위쪽날 부분에만 설치되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시장치.The projections are formed in the form of a serpentine in the side cross-section when the front of the front of the liquid crystal panel face up and in the left and right directions of the front of the liquid crystal panel and the reflecting film is installed only on the upper blade portion of the tooth. LCD display device.
KR1019990051888A 1999-11-22 1999-11-22 Tft lcd KR100684867B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990051888A KR100684867B1 (en) 1999-11-22 1999-11-22 Tft lcd

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990051888A KR100684867B1 (en) 1999-11-22 1999-11-22 Tft lcd

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010047591A true KR20010047591A (en) 2001-06-15
KR100684867B1 KR100684867B1 (en) 2007-02-20

Family

ID=19621156

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019990051888A KR100684867B1 (en) 1999-11-22 1999-11-22 Tft lcd

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100684867B1 (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100490176B1 (en) * 2001-08-22 2005-05-17 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. Liquid crystal display
KR100520603B1 (en) * 2001-07-27 2005-10-10 세이코 엡슨 가부시키가이샤 Substrate for electrooptical device and manufacturing method of the same, electrooptical device and manufacturing method of the same, and electronic equipment
KR100528626B1 (en) * 2001-12-14 2005-11-15 세이코 엡슨 가부시키가이샤 Semitransmission reflection electrooptic device, manufacturing method of the same and electronic device
KR100867610B1 (en) * 2002-08-07 2008-11-10 엘지디스플레이 주식회사 An substrate for LCD and method for fabricating the same
KR100887642B1 (en) * 2002-09-07 2009-03-11 삼성전자주식회사 Transflective liquid crystal display panel with embossing pattern having an effective reflective region and method for fabricating the same

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100394023B1 (en) * 1998-08-06 2003-10-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Transflective Liquid Crystal Display

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100520603B1 (en) * 2001-07-27 2005-10-10 세이코 엡슨 가부시키가이샤 Substrate for electrooptical device and manufacturing method of the same, electrooptical device and manufacturing method of the same, and electronic equipment
KR100490176B1 (en) * 2001-08-22 2005-05-17 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. Liquid crystal display
KR100528626B1 (en) * 2001-12-14 2005-11-15 세이코 엡슨 가부시키가이샤 Semitransmission reflection electrooptic device, manufacturing method of the same and electronic device
KR100867610B1 (en) * 2002-08-07 2008-11-10 엘지디스플레이 주식회사 An substrate for LCD and method for fabricating the same
KR100887642B1 (en) * 2002-09-07 2009-03-11 삼성전자주식회사 Transflective liquid crystal display panel with embossing pattern having an effective reflective region and method for fabricating the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR100684867B1 (en) 2007-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100641628B1 (en) Reflective and Transflective Liquid Crystal Display Device of using a Black Resin
JP4167335B2 (en) Liquid crystal display
US7576818B2 (en) Liquid crystal display device and electronic apparatus
US8031304B2 (en) Liquid crystal display device
US7554632B2 (en) Liquid crystal device and electronic apparatus provided with the same
KR100656695B1 (en) transflective liquid crystal display device
KR20080060097A (en) Trans-reflective liquid crystal display device and method of fabricating the same
KR101287702B1 (en) transflective LCD and the fabrication method
US20070247562A1 (en) Prism sheets for liquid crystal displays
JP4017499B2 (en) Liquid crystal display
KR100669341B1 (en) A reflective-transmissive complex type tft lcd
KR100684867B1 (en) Tft lcd
JP4107047B2 (en) Transflective liquid crystal display device
JP2003066447A (en) Liquid crystal display and electronic instrument
KR100613437B1 (en) transflective liquid crystal display device
JP2007004162A (en) Display panel assembly and display apparatus having the same
KR100776940B1 (en) reflective liquid crystal display devices and manufacturing method of the same
KR100682745B1 (en) Transflective Liquid Crystal Display
US20040012737A1 (en) Liquid crystal display device having contrast improved by preventing disturbance of liquid crystal orientation due to disturbance of electric field in applying voltage
KR101278107B1 (en) Liquid crystal display device and method of fabricating the same
KR100909415B1 (en) Semi-transmissive liquid crystal display and manufacturing method thereof
KR101085135B1 (en) Liquid Crystal Display Device
KR100899661B1 (en) Transflective thin film transistor liquid crystal display device
KR101714413B1 (en) In-plane switching mode transflective type liquid crystal display device
JP2006119673A (en) Liquid crystal display

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120116

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee