KR101714413B1 - In-plane switching mode transflective type liquid crystal display device - Google Patents

In-plane switching mode transflective type liquid crystal display device Download PDF

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KR101714413B1
KR101714413B1 KR20090133061A KR20090133061A KR101714413B1 KR 101714413 B1 KR101714413 B1 KR 101714413B1 KR 20090133061 A KR20090133061 A KR 20090133061A KR 20090133061 A KR20090133061 A KR 20090133061A KR 101714413 B1 KR101714413 B1 KR 101714413B1
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이종회
임재형
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엘지디스플레이 주식회사
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본 발명은, 서로 마주하는 제 1 기판 및 제 2 기판과; The present invention includes a first substrate and a second substrate facing each other; 상기 제 1 기판의 내측면에 게이트 절연막을 개재하여 서로 교차하여 반사영역과 투과영역을 갖는 화소영역을 정의하며 형성된 게이트 배선 및 데이터 배선과; Defining a pixel region by intersecting with each other via a gate insulating film on the inner surface of the first substrate having a reflective region and a transmission region, and the gate wiring is formed and the data line and; 상기 게이트 배선과 나란하게 형성된 공통배선과; A common wiring formed in parallel with the gate line and; 상기 화소영역에 게이트 배선 및 상기 데이터 배선과 연결되며 형성된 박막트랜지스터와; Connected to the gate lines and the data line in the pixel region and a thin film transistor formed with; 상기 데이터 배선 및 상기 박막트랜지스터를 덮으며 형성된 제 1 보호층과; The first protective layer was formed to cover the data lines and the thin film transistors and; 상기 제 1 보호층 위로 상기 반사영역에 형성된 반사판과; Over the first passivation layer formed on the reflection plate and the reflection region; 상기 반사판 위로 형성된 제 2 보호층과; A second protective layer formed over the reflection plate, and; 상기 제 2 보호층 상부로 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하며 상기 투과형역에 대해서는 판 형태로 형성되며, 상기 반사영역에 대해서는 제 1 방향으로 그 장축을 가지며 형성된 다수의 제 1 개구를 포함하는 화소전극과; The second protective layer top to, and in contact with the drain electrode through the drain contact hole that exposes a drain electrode of the thin film transistor is formed of a plate shape for the transmission-type station, the long axis in a first direction about the reflecting region a pixel electrode that has included a plurality of first openings formed and; 상기 화소전극 위로 형성된 제 3 보호층과; The third protective layer formed over the pixel electrode; 상기 제 3 보호층 위로 상기 공통배선과 공통 콘택홀을 통해 연결되며 상기 투과영역에는 상기 게이트 배선과 직교하는 제 2 방향으로 그 장축을 가지며 이격하는 다수의 제 2 개구와, 상기 반사영역에는 상기 제 1 방향으로 그 장축을 가지며 이격하는 다수의 제 3 개구를 포함하여 구성된 공통전극과; And above the third passivation layer is connected through the common wiring and the common contact hole, a plurality of second openings spaced from having its long axis wherein the transmitting region is in a second direction intersecting with the gate wiring, the second is the reflection area a common electrode configured to have its major axis comprises a plurality of third apertures spaced in a first direction and; 상기 제 2 기판의 내측면에 형성된 컬러필터층과; A color filter layer formed on the inner surface of the second substrate; 상기 제 1 및 제 2 기판 사이에 개재된 액정층을 포함하며, 상기 제 1 개구와 상기 제 3 개구는 평면적으로 교대하도록 배치된 것이 특징인 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치를 제공한다. The first and second and a liquid crystal layer interposed between the second substrate provides said first opening and said third opening is in plan of a horizontal electric field mode is characterized by arranged to shift the reflection type liquid crystal display.
반사투과형, 액정표시장치, 반사효율, 횡전계모드 Reflective transflective type liquid crystal display device, the reflection efficiency, a horizontal electric field mode,

Description

횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치{In-plane switching mode transflective type liquid crystal display device} A horizontal electric field mode reflection type liquid crystal display {In-plane switching mode transflective type liquid crystal display device}

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반사영역 영역에서 반사율을 향상시킨 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치에 관한 것이다. The present invention relates to relates to a liquid crystal display device, and more particularly transversely with improved reflectivity in the reflection areas area field mode reflection type liquid crystal display.

일반적으로 액정표시장치는 전압인가에 따라 배열을 달리하는 액정분자의 특성을 이용한 표시장치로서, 음극선관에 비하여 낮은 전력으로 구동이 가능하며, 소형화, 박형화에 더욱 유리한 장점을 지니므로 컴퓨터의 모니터와 텔레비전 등의 평판표시장치로서 각광을 받고 있으며, 나아가 경량 박형의 특성에 의해 휴대성이 용이하므로 노트북 또는 개인 휴대 단말기 등의 표시소자로서 이용되고 있다. In general, a liquid crystal display device is a display device using the property of the liquid crystal molecules, unlike the arrangement in accordance with the voltage applied, and can be driven at low power consumption as compared to a cathode ray tube, since the Gini more advantageous in size reduction, thickness reduction of a computer monitor and It has been spotlighted as a flat panel display such as a television, and even portable, is easy by the properties of the lightweight, thin, so is used as a display device such as a laptop or personal digital assistant.

이러한 액정표시장치는 전극이 각각 형성되어 있는 두 기판을 상기 두 전극이 서로 마주 대하도록 배치하고, 상기 두 기판 사이에 액정을 개재하여 상기 두 전극에 인가되는 전압차에 의해 생성되는 전기장에 의해 액정분자의 움직임을 조절함으로써 이에 따라 달라지는 빛의 투과율을 조절하여 화상을 표현하는 장치이다. Such a liquid crystal display device includes a liquid crystal by an electric field which the electrode is arranged so as to for both the two substrate electrodes which are respectively formed facing each other, produced by the voltage difference applied to the two electrodes via a liquid crystal between the two substrates in a device for controlling the transmittance of the light varies according to express the image by controlling the movement of the molecules.

한편, 액정표시장치는 일반적으로 스스로 빛을 발하지 못하는 수동형 소자이므로 별도의 광원이 필요하다. On the other hand, the liquid crystal display device because it is a passive device are generally not utter the light itself need a separate light source. 따라서 상기 두 기판과 액정층으로 구성된 액정 패널(panel) 이외에 이의 배면에 빛을 공급하는 백라이트(backlight)를 배치하고 상기 백라이트로부터 나오는 빛을 상기 액정 패널에 입사시켜, 액정의 배열에 따라 빛의 양을 조절함으로써 화상을 표시한다. Therefore, the two other than the liquid crystal panel (panel) consisting of a substrate and a liquid crystal layer disposed a backlight (backlight) for supplying light to its back surface and by the incident light emitted from the backlight to the liquid crystal panel, the amount of light in accordance with the arrangement of the liquid crystal by adjusting the image is displayed.

이러한 액정표시장치를 투과형(transmission type) 액정표시장치라고 하는데, 투과형 액정표시장치는 백라이트와 같은 인위적인 광원을 사용하므로 어두운 외부 환경에서도 밝은 화상을 구현할 수 있으나, 백라이트로의 전력 공급이 이루어져야 하므로 휴대용 장치의 표시소자로 이용되는 경우 상대적으로 큰 전력소비(power consumption)가 단점이다. In such a liquid crystal display device is called a transmission type (transmission type) liquid crystal display, a transmission type liquid crystal display device, uses an artificial light source such as a backlight may implement a bright image even in a dark external environment, the electric power supply to the backlight must be made, so the portable device of a relatively large power consumption (power consumption) disadvantages when used as the display element.

따라서 이와 같은 단점을 보완하기 위해 백라이트의 사용없이 외부광원을 이용하는 반사형(reflection type) 액정표시장치가 제안되었다. Thus, this reflection-type (reflection type) liquid crystal display device to complement such disadvantages of using an external light source without the use of a backlight has been proposed.

이 반사형 액정표시장치는 외부의 자연광이나 인조광을 이용하여 동작하므로, 백라이트가 소모하는 전력량을 대폭 감소시키기 때문에 전력소비가 상기 투과형 대비 상대적으로 적어 장시간 휴대상태에서 사용이 가능하여 PDA(Personal Digital Assistant)등의 휴대용 장치의 표시소자로 주로 이용되고 있다. The reflective liquid crystal display device operates by using an external natural light or artificial light, and because it significantly reduces the amount of power that the backlight consumes relatively small power consumption, transmissive contrast can be used for a long period of time at a cell state Personal Digital (PDA Assistant) have been mainly used as display devices for portable devices, such as.

하지만, 이러한 반사형 액정표시장치는 광원을 따로 구비하지 않으므로 소비전력이 낮은 장점이 있으나, 외부광이 약하거나 없는 곳에서는 사용할 수 없는 단점이 있다. However, such a reflective liquid crystal display device, but the advantage of the low power consumption does not have a separate light source, there is a disadvantage that is not available from the outside where the light is weak or not.

따라서 최근에는 반사형 액정표시장치와 투과형 액정표시장치의 장점만을 수 용한 반사투과형(Transflective type) 액정표시장치가 제안되었으며, 이러한 반사투과형 액정표시장치의 경우, 주로 ECB(electrically controlled birefringence)모드 또는 VA(vertical alignment)모드로 주로 구현되고 있는데, 상기 ECB모드의 경우 시야각이 낮은 단점이 있으며, VA모드의 경우도 시야각 향상을 위해서 다수의 시야각 보상필름을 추가 구성해야 하므로 제조 비용증가의 문제가 발생하고 있다. Therefore, in recent years, reflective liquid crystal display device and the transmissive only be yonghan reflective transmissive advantages of a liquid crystal display (Transflective type) liquid crystal display device has been proposed, in the case of the reflective type liquid crystal display, mainly ECB (electrically controlled birefringence) mode or VA There are mainly implemented in the (vertical alignment) mode, there is a low viewing angle disadvantages for the ECB mode, for a VA mode also it will need to add the configuration for a plurality of viewing angle compensation film for improving the viewing angle and a problem of increased manufacturing costs have.

한편, 액정표시장치의 경우, 경량 박형의 구조적 특징으로 인해 최근 휴대용 노트북 등의 개인용 표시소자에서 탈피하여 TV 등의 대중매체로 많이 이용됨으로써 개인만이 시청하지 않고 다수의 사용자가 여러 각도에서 시청하게 되므로 시야각이 중요한 쟁점이 되고 있다. On the other hand, when the liquid crystal display device, whereby due to the structural characteristics of the lightweight, thin recently moved away from a personal display device, such as a portable laptop frequently used as mass media, such as TV, without watching the individual only to the number of users viewing from different angles since it is the viewing angle is an important issue.

따라서 전술한 VA모드와 ECB모드 액정표시장치의 시야각이 낮은 단점을 극복하고자 공통전극과 화소전극이 모두 동일한 기판에 구성되어 횡전계에 의해 구동함으로써 시야각의 범위를 향상시킨 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치가 제안되었다. So that in order to overcome the low viewing angle disadvantages of the above-described VA mode or ECB-mode liquid crystal display device is configured to both the common electrode and the pixel electrode the same substrate improves the range of the viewing angle by driving by a lateral electric field transverse electric field mode reflection-transmission type liquid crystal display the device has been proposed.

도 1은 종래의 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치의 반사영역 및 투과영역에 대한 간략한 단면도이다. Figure 1 is a simplified cross-sectional view of a reflection region and a transmission region in a conventional transverse electric field mode reflection type liquid crystal display. 이때 상기 화소영역은 반사판이 형성되어 하부로부터 빛이 통과하지 않는 반사영역과, 상기 반사판이 형성되지 않은 투과영역이 정의되고 있다. At this time, the pixel region is the reflective region and the transmissive region where the reflective plate is not formed unless the reflector is formed of light passing from the lower portion are defined.

도시한 바와 같이, 어레이 기판(2)에는 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(미도시)이 서로 교차하여 화소영역(P)을 정의하며 형성되어 있고, 상기 게이트 배선(미도시)과 나란하게 연장하며 상기 화소영역(P)을 관통하는 공통배선(미도시)이 형성되어 있으며, 각 화소영역(P)에는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(미도시)가 형성되어 있다. As shown, the array substrate 2, a gate wiring (not shown) and a data line (not shown) and are crossed to form defines the pixel area (P) from each other, in parallel with the gate wiring (not shown) and extending the pixel region and (P) a common line (not shown) is formed to pass through the, and the pixel regions (P) there is formed a thin film transistor (not shown), the switching element.

또한, 상기 반사영역(RA)에는 반사율이 좋은 금속물질로 반사판(50)이 형성되고 있으며, 상기 반사판(50) 위로는 화소영역(P)에 있어서는 화소전극(70)이 형성되어 있다. Further, the reflective area (RA) has been reflecting plate 50 is formed of a metal material is good reflectivity, the reflection plate 50, the top has a pixel electrode 70 is formed in the pixel regions (P).

또한, 상기 화소전극(70) 위로는 절연층(72)을 개재하여 상기 공통배선(미도시)과 연결되며 다수의 바(bar) 형태의 개구(op1, op2)를 갖는 공통전극(80)이 형성되고 있다. Further, the pixel electrode 70 to the top is connected with the insulating layer (not shown) 72, the common line via the common electrode 80 having a plurality of bars (bar) shape of the opening (op1, op2) are It has been formed. 이때 상기 다수의 개구(op1, op2)는 다수의 제 1 개구(op1)와 다수의 제 2 개구(op2)로 나뉘며 각각 투과영역(TA) 및 반사영역(RA)에 구비되고 있으며, 다수의 상기 제 1 및 제 2 개구(op1, op2)는 그 장축의 방향을 달리 하고 있는 것이 특징이다. At this time, the plurality of openings (op1, op2) are provided in the plurality of first openings (op1) and a plurality of second openings each transmission region divided into (op2) (TA) and reflection areas (RA), and a plurality of the first and second openings (op1, op2) is characterized by that, unlike the direction of the long axis.

이러한 구성을 갖는 어레이 기판(2)과 대향하며 화소영역(P)의 경계에 블랙매트릭스(미도시)와 각 화소영역(P)에 대응하여 컬러필터층(86)과 전면에 오버코트층(88)을 구비한 컬러필터 기판(83)이 구비되고 있으며, 이들 어레이 기판(2)과 컬러필터 기판(83) 사이에 액정층(90)이 개재되고 있다. Opposite to the array substrate 2 with such a structure and a black matrix (not shown) and a color filter layer 86 and the front top coat layer (88) on in response to the pixel regions (P) at a boundary of the pixel region (P) and is provided with a color filter substrate (83) comprising, a liquid crystal layer 90 is interposed between the array substrate 2 and the color filter substrate 83.

한편, 전술한 구성을 갖는 종래의 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치(1)는 투과영역(TA)에서의 액정층(90)의 두께(이하 제 1 셀갭(d1)이라 칭함)가 반사영역(RA)에서의 셀갭(d2)의 2배가 되도록 구성되고 있다. On the other hand, the conventional transverse having the aforementioned configuration field-mode reflection-transmission type liquid crystal display device 1 (hereinafter referred to as the first cell gap (d1)) the thickness of the liquid crystal layer 90 in the transmissive area (TA) is the reflection area ( RA) being configured to be two times the cell gap (d2) of the. 이는 액정층(90)에서의 빛이 느끼는 리타데이션(retardation)을 일치시키기 위한 것으로 투과영역(TA)의 경우, 어레이 기판(2) 하부에 위치하는 백라이트 유닛(미도시)으로부터 나온 빛을 사 용자가 보게 되므로 상기 액정층(90)을 1회 통과하는 반면, 반사영역(RA)에서는 외부의 광이 상기 액정표시장치(1)의 표시영역으로 입사되고 반사판(50)에 의해 반사되어 다시 외부로 나오는 빛을 사용자가 보기 때문에 상기 액정층(90)을 2회 통과하게 된다. This user use the light emitted from the liquid crystal layer 90 in the case of that the transmission area (TA) to match the retardation (retardation) to feel the light, the array substrate 2, a lower back light unit (not shown) which is located in the a is seen since the liquid crystal layer 90 while passing once, the reflection area (RA) in is the external light incident on the display area of ​​the liquid crystal display device 1 is reflected by the reflector 50 back to the outside coming out of the light because the user views will pass twice through the liquid crystal layer 90.

따라서 이러한 과정에서 반사영역(RA)으로 나오는 빛과 투과영역(TA)으로 나오는 빛은 리타데이션 값이 틀리게 되므로 이를 일치시키기 위해 반사영역(RA)은 λ/4의 셀을 이루도록 투과영역(TA)은 λ/2의 셀을 이루도록 상기 액정층(90)의 두께를 달리 구성하는 것이다. Therefore, light coming from this process in the reflection area (RA) of light and transmissive areas (TA) out of silver because the retardation value wrong reflection region in order to match it (RA) is the transmission area (TA) to fulfill the cells of the λ / 4 It will achieve a cell of a λ / 2 to the configuration, unlike the thickness of the liquid crystal layer 90.

한편 전술한 구성을 갖는 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치는 하나의 화소영역에 화소영역과 투과영역을 형성함으로써 백라이트 유닛으로부터 나오는 광원 및 외부광원을 동시 또는 선택적으로 이용함으로써 전력 효율 및 외부 시인성을 향상시키고 있다. On the other hand having the aforementioned configuration transverse electric field mode reflection type liquid crystal display improves the power efficiency and the external visibility by using a light source and external light coming from the backlight unit simultaneously or selectively to form a pixel region and a transmission region in one pixel region of the there was.

하지만 전술한 구성을 갖는 종래의 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치는 반사영역에 있어서 반사효율이 상대적으로 떨어지는 문제가 발생하고 있다. However, a conventional transverse electric field mode having the above-described configuration reflection-transmission type liquid crystal display device has a reflection efficiency is relatively less problems in the reflective region.

도 2는 종래의 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치의 어레이 기판에 있어 반사영역에 대한 단면도로서 공통전극과 화소전극 및 반사판과 반사영역에서의 외부광 경로를 간략하게 도시한 도면이다. 2 is a view briefly showing an external view of the optical path of the common electrode and the pixel electrode and the reflection plate and the reflection area as a cross-sectional view of a reflection area in the array substrate of a conventional transverse electric field mode reflection type liquid crystal display.

도시한 바와 같이, 종래의 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치의 반사영역(RA)을 살펴보면, 어레이 기판에 있어서 반사판(50)을 기준으로 그 상부에 절연층(미도시)이 형성되어 있으며, 상기 절연층(미도시) 위에 각 화소영역(미도시)별 로 판형태의 화소전극(70)이 형성되어 있으며, 제 2 절연층(미도시)을 개재하여 다수의 제 2 개구(op2)를 갖는 공통전극(80)이 형성되고 있다. As shown, a look at the reflection area (RA) of a conventional transverse electric field mode reflection type liquid crystal display, and a reflective plate (not shown) 50, an insulating layer thereon, based on the formed in the array substrate, and the an insulating layer (not shown) on which the pixel area is a pixel electrode 70 of a plate shape is formed (not shown) by, via a second insulating layer (not shown) having a plurality of second openings (op2) a common electrode 80 are formed.

이때, 상기 공통전극(80)으로 입사되는 일부 외부광의 어레이 기판(1) 내에서의 경로를 살펴보면, 상기 공통전극(80)을 투과하여 상기 화소전극(70)으로 입사되며, 반사판(50)에 반사된 후 다시 상기 화소전극(70)과 공통전극(80)을 통과하여 최종적으로 사용자의 눈으로 입사된다. At this time, a portion of ambient light array substrate (1) Looking at the path of the inside, passes through the common electrode 80 is incident on the pixel electrode 70, a reflector 50, which is incident on the common electrode 80 the reflected and then again passes through the pixel electrode 70 and the common electrode 80 is finally incident on the user's eye.

절연층을 제외하면, 상기 일부 외부광은 어레이 기판(1) 내부에서는 공통전극(80) 2회, 화소전극(70) 2회를 투과하게 되며, 이러한 과정에서 빛 손실이 발생하여 반사효율이 저감되고 있는 실정이다. Except for the insulating layer, the portion outside the light array substrate 1 and inside the, and the transmission to the two pixel electrodes 70 is twice the common electrode 80, the reflection efficiency reduced by the light loss occurs in this process a situation that is.

따라서 전술한 구성을 갖는 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치는 반사영역에서의 반사효율을 더욱 극대화할 수 있는 구성이 요구되고 있다. Therefore, having the aforementioned configuration transverse electric field mode reflection type liquid crystal display has a configuration capable of further maximizing the reflection efficiency in the reflection area has been required.

본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 반사영역으로 입사된 외부광이 화소전극과 공통전극의 투과 횟수를 최소화하여 반사효율을 향상시킬 수 있는 횡전계 모드 액정표시장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다. The present invention provides a horizontal electric field mode liquid crystal display device in which as been made to solve the conventional problems described above, the external light incident on the reflecting region is possible to improve the reflection efficiency by minimizing the transmission frequency of the pixel electrode and the common electrode and that for that purpose.

본 발명에 따른 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치는, 서로 마주하는 제 1 기판 및 제 2 기판과; A horizontal electric field mode reflection type liquid crystal display according to the present invention comprises a first substrate and a second substrate facing each other; 상기 제 1 기판의 내측면에 게이트 절연막을 개재하여 서로 교차하여 반사영역과 투과영역을 갖는 화소영역을 정의하며 형성된 게이트 배선 및 데이터 배선과; Defining a pixel region by intersecting with each other via a gate insulating film on the inner surface of the first substrate having a reflective region and a transmission region, and the gate wiring is formed and the data line and; 상기 게이트 배선과 나란하게 형성된 공통배선과; A common wiring formed in parallel with the gate line and; 상기 화소영역에 게이트 배선 및 상기 데이터 배선과 연결되며 형성된 박막트랜지스터와; Connected to the gate lines and the data line in the pixel region and a thin film transistor formed with; 상기 데이터 배선 및 상기 박막트랜지스터를 덮으며 형성된 제 1 보호층과; The first protective layer was formed to cover the data lines and the thin film transistors and; 상기 제 1 보호층 위로 상기 반사영역에 형성된 반사판과; Over the first passivation layer formed on the reflection plate and the reflection region; 상기 반사판 위로 형성된 제 2 보호층과; A second protective layer formed over the reflection plate, and; 상기 제 2 보호층 상부로 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하며 상기 투과형역에 대해서는 판 형태로 형성되며, 상기 반사영역에 대해서는 제 1 방향으로 그 장축을 가지며 형성된 다수의 제 1 개구를 포함하는 화소전극과; The second protective layer top to, and in contact with the drain electrode through the drain contact hole that exposes a drain electrode of the thin film transistor is formed of a plate shape for the transmission-type station, the long axis in a first direction about the reflecting region a pixel electrode that has included a plurality of first openings formed and; 상기 화소전극 위로 형성된 제 3 보호층과; The third protective layer formed over the pixel electrode; 상기 제 3 보호층 위로 상기 공통배선과 공통 콘택홀을 통해 연결되며 상기 투과영역에는 상기 게이트 배선과 직교하는 제 2 방향으로 그 장축을 가지며 이격하는 다수의 제 2 개구와, 상기 반사영역에는 상기 제 1 방향으로 그 장축을 가지며 이격하는 다수의 제 3 개구를 포함하여 구성된 공통전극과; And above the third passivation layer is connected through the common wiring and the common contact hole, a plurality of second openings spaced from having its long axis wherein the transmitting region is in a second direction intersecting with the gate wiring, the second is the reflection area a common electrode configured to have its major axis comprises a plurality of third apertures spaced in a first direction and; 상기 제 2 기판의 내측면에 형성된 컬러필터층과; A color filter layer formed on the inner surface of the second substrate; 상기 제 1 및 제 2 기판 사이에 개재된 액정층 을 포함하며, 상기 제 1 개구와 상기 제 3 개구는 평면적으로 교대하도록 배치된 것이 특징이다. The first and includes a liquid crystal layer interposed between the second substrate, the first opening and the third opening is arranged to a characterized in plan shift.

이때, 상기 제 2 개구간 및 제 3 개구간에 위치하는 공통전극 부분을 공통전극 핑거부라 정의하고, 상기 제 1 개구의 폭을 제 1 폭, 상기 공통전극 핑거부의 폭을 제 2 폭, 상기 제 2 개구 또는 제 3 개구의 폭을 제 3 폭이라 정의할 때, 상기 제 1 폭은 2㎛와 같거나 이보다 크고 상기 제 3 폭의 1.2배와 같거나 이보다 작은 크기를 갖는 것이 특징이며, 이때, 상기 제 1 개구는 상기 공통전극 핑거부와 중첩하도록 형성된 것이 특징이다. In this case, the first two sections and the three common a common electrode portion which is located in the interval electrode fingers bridle defined, and the width of the first opening the first width, the width of the common electrode fingers of the second width, wherein second opening or to a third width defined as the width of the third opening, and is characterized by having a small size equal to or less than the 1.2 times of the first width is large and the third width equal to or less than 2㎛, at this time, the first opening is characterized by formed so as to overlap with the common electrode fingers. 또한, 상기 제 1 개구간 사이의 화소전극 부분은 화소전극 핑거부라 정의할 때, 상기 화소전극 핑거부 양 끝단은 상기 공통전극 핑거부의 양 끝단과 상기 공통전극 핑거부 폭의 10%이하로 중첩되도록 형성된 것이 특징이다. Further, such pixel electrode portion to define bridle pixel electrode fingers, the pixel electrode fingers at both ends are overlapped to not more than 10% of the common electrode finger portions at both ends and the common electrode finger width between said first opening section it is characterized by formed.

또한, 상기 투과영역에 형성된 상기 판 형태의 화소전극은 그 내부에 상기 제 2 방향으로 그 장축을 가지며 이격하는 다수의 제 2 개구와 나란하게 교대하는 다수의 제 4 개구가 구비된 것이 특징이다. Further, the pixel electrode wherein the plate shape formed on the transmission region is characterized by a having a plurality of fourth opening side by side alternately with the plurality of second openings spaced from having its major axis in the second direction therein.

또한, 상기 반사영역에서의 액정층의 두께는 상기 투과영역에서의 액정층의 두께의 1/2인 것이 특징이다. The thickness of the liquid crystal layer in the reflection region is characterized by the thickness of the liquid crystal layer in the transmission region of 1/2.

또한, 상기 공통배선에서 상기 반사영역으로 분기하는 제 1 스토리지 전극과, 상기 데이터 배선과 중첩하도록 분기하는 제 2 스토리지 전극이 형성되며, 상기 드레인 전극은 연장하여 상기 제 1 스토리지 전극과 중첩하도록 형성됨으로서 서로 중첩하는 상기 제 1 스토리지 전극과 상기 게이트 절연막과 드레인 전극은 제 1 스토리지 커패시터를 이루며, 서로 중첩하는 상기 제 2 스토리지 전극과 상기 게이트 절연막과 상기 데이터 배선은 제 2 스토리지 커패시터를 이루는 것이 특징이다. Further, the second storage electrode that branches off so as to overlap the first storage electrode, and the data line, which branches to the reflection region is formed in the common interconnection, by being to the drain electrode extension is formed so as to overlap the first storage electrode It said first storage electrode and the gate insulating film and the drain electrode has a first constitutes the storage capacitor and the second storage electrode and the gate insulating film and the data line to overlap with each other to overlap with each other is characterized by forming the second storage capacitor.

상기 제 1 보호층은 유기절연물질로 이루어지며 상기 반사영역에서는 그 표 면이 올록볼록한 요철형태를 이루며, 상기 제 1 보호층 상부에 형성된 상기 반사판 또한 그 표면이 올록볼록한 요철형태를 이루는 것이 특징이다. The first protective layer is characterized that make up the reflector also convex uneven shape that the surface is embossed formed on the first protective layer the top forms an embossed concave and convex forms that surface embossed, in composed of an organic insulating material, the reflection area .

또한, 상기 박막트랜지스터와 상기 제 1 보호층 사이에는 무기절연물질로 이루어진 제 4 보호층이 형성되며, 상기 제 1 보호층과 상기 반사판 사이에 무기절연물질로 이루어진 제 5 보호층이 형성된 것이 특징이며, 이때, 상기 제 2 보호층과 상기 제 3 보호층 사이에는 유기절연물질로 상기 반사영역에 대응하여 제 6 보호층이 형성된 것이 특징이다. In addition, the thin film between the transistor and the first protective layer, a fourth protective layer made of an inorganic insulating material is formed, the second is characterized by a fifth protective layer made of an inorganic insulating material between the first protective layer and the reflective plate formed and it is characterized, at this time, the second passivation layer and the third passivation layer is formed between the sixth protective layer corresponding to the reflective region of the organic insulating material.

또한, 상기 제 2 기판의 내측면과 상기 컬러필터층 사이에 상기 게이트 및 데이터 배선에 대응하여 블랙매트릭스가 형성되며, 상기 컬러필터층을 덮으며 상기 제 2 기판 전면에 오버코트층이 형성된 것이 특징이며, 상기 컬러필터층은 상기 반사영역에 대응하여 그 중앙부에 대해서는 패터닝되어 제거됨으로써 투과홀이 형성된 것이 특징이다. In addition, the first and between the second inner surface and the color filter layer of the substrate the black matrix is ​​formed corresponding to the gate and data wirings, and is characterized covers the said color filter layer formed in the overcoat layer to the second substrate surface, wherein a color filter layer is characterized by being removed are patterned for its central portion corresponding to the reflection region is formed a penetration hole.

또한, 상기 제 1 및 제 2 기판 외측면에 각각 구성되며 그 편광축이 서로 직교하도록 배치된 제 1 및 제 2 편광판과; In addition, the first and second substrates are respectively formed on the outer surface that polarization axes of the first and second polarizing plates disposed so as to be perpendicular to each other; 상기 공통전극을 덮으며 형성된 제 1 배향막과; A first alignment layer formed covers the said common electrode; 상기 컬러필터층을 덮으며 형성된 제 2 배향막을 포함한다. And a second alignment layer formed covers the said color filter layer.

본 발명은 반사영역에 구비되는 화소전극 및 공통전극에 대응하여 평면적으로 교대하는 형태로 각각 다수의 제 1 개구와 다수의 제 3 개구를 갖도록 구성함으로써 외부광이 통과하게 되는 화소전극과 공통전극의 횟수를 줄임으로써 반사영역 에서의 반사효율을 향상시키는 효과가 있다. The present invention in the form of two-dimensionally alternately in correspondence with the pixel electrode and the common electrode which is provided in the reflection region each of the plurality of first openings and a plurality of the by configured to have a third aperture of the pixel electrode and the common electrode to the external light passes through by reducing the number of times there is an effect of improving the reflection efficiency in the reflection region.

나아가 투과영역에 대응해서도 반사영역과 동일하게 화소전극 및 공통전극에 대응하여 평면적으로 교대하는 형태로 각각 다수의 제 2 개구와 다수의 제 4 개구를 갖도록 구성함으로써 백라이트 유닛으로 나온 빛이 통과하게 되는 화소전극과 공통전극의 횟수를 줄임으로써 투과영역에서의 투과효율을 향상시키는 효과가 있다. The addition to a reflective region and the same plan view as the light emitted by the backlight unit passes by each configured to have a plurality of second opening and a plurality of fourth openings in the form of shift corresponding to the pixel electrode and the common electrode corresponding to the transmission region by reducing the number of times of the pixel electrode and a common electrode which is effective for improving the transmission efficiency in the transmission region.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치에 대하여 상세히 설명한다. Will be described in detail in the reflection type liquid crystal display in accordance with the following, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치의 하나의 화소영역에 대한 단면도이다. 3 is a cross-sectional view of one pixel region of the transverse electric field mode reflection type liquid crystal display according to an embodiment of the invention. 설명의 편의를 위해 화소영역(P) 내에 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Tr)가 형성되는 영역을 스위칭 영역(TrA)이라 정의하고, 동시에 화소영역(P) 중 반사판(150)이 형성되는 부분을 반사영역(RA), 그 이외의 영역을 투과영역(TA)이라 정의한다. Defined as a switching region (TrA), the area formed the switching element is a thin film transistor (Tr) in the pixel regions (P) for convenience of description, and at the same time reflecting a portion of the pixel region (P) the reflection plate 150 is formed area (RA), is defined as a transmission region (TA) to the other region.

도시한 바와 같이, 어레이 기판(101)에는 게이트 배선(103)과 데이터 배선(125)이 서로 교차하여 화소영역(P)을 정의하며 형성되어 있고, 상기 게이트 배선(103)과 나란하게 연장하며 상기 화소영역(P)을 관통하는 공통배선(109)이 형성되어 있다. As shown, the array substrate 101. The gate lines 103 and the data line 125 is to intersect with each other is formed and defines a pixel area (P), extending in parallel with the gate wiring 103, the the common wiring 109 that passes through the pixel region (P) is formed.

이때, 상기 반사영역(RA)에는 상기 공통배선(109)에서 분기하여 제 1 스토리 지 전극(110)이 형성되어 있으며, 상기 데이터 배선(125) 상부에는 공통배선(109)에서 분기하며 제 2 스토리지 전극(111)이 형성되어 있다. In this case, the reflection area (RA) has a first storage electrode 110 is formed by branching from the common line 109, the data line 125, an upper portion and a branch in the common wiring 109, the second storage the electrode 111 is formed.

또한, 각 화소영역(P)에는 상기 게이트 배선(103) 및 데이터 배선(125)과 연결되며 게이트 전극(106)과, 게이트 절연막(115)과, 순수 비정질 실리콘의 액티브층(120a)과 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층(120b)으로 이루어진 반도체층(120)과, 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(130, 133)으로 구성된 박막트랜지스터(Tr)가 형성되어 있다. In addition, the pixel regions (P) has the gate wire 103 and data wire 125 and the connection and the gate electrode 106, a gate insulating film 115 and a pure amorphous silicon of the active layer (120a) and an impurity amorphous is an ohmic contact layer (120b), a thin film transistor (Tr), consisting of a semiconductor layer 120 and the source and drain electrodes (130, 133) spaced from each other consisting of silicon is formed.

또한, 상기 드레인 전극(133)은 상기 제 1 스토리지 전극(110)과 상기 게이트 절연막(115)을 사이에 두고 중첩하도록 형성되고 있으며, 서로 중첩된 상기 제 1 스토리지 전극(110)과 상기 드레인 전극(133)은 이들 두 전극(110, 133) 사이에 개재된 게이트 절연막(115)을 포함하여 제 1 스토리지 커패시터(StgC1)를 형성하고 있다. In addition, the drain electrode 133 of the first storage electrode 110 and may be formed to overlap sandwiching the gate insulating film 115, a first storage electrode 110 overlap each other and the drain electrode ( 133), and to form a first storage capacitor (StgC1) a gate insulating film 115 interposed between these two electrodes (110, 133).

또한, 상기 게이트 절연막(115)을 사이에 두고 서로 중첩하는 상기 제 2 스토리지 전극(111)과 상기 데이터 배선(125)은 제 2 스토리지 커패시터(StgC2)를 이루고 있다. Also, the second storage electrode 111 and the data line 125 for sandwiching the gate insulating film 115 overlap each other may constitute a second storage capacitor (StgC2).

그리고 상기 박막트랜지스터(Tr)와 데이터 배선(125)을 덮으며 무기절연물질로서 제 1 보호층(136)이 형성되어 있으며, 상기 제 1 보호층(136) 위로 유기절연물질로서 제 2 보호층(140)이 전면에 형성되어 있다. And it said covers the thin film transistors (Tr) and the data line 125 and the first protective layer 136 is formed as an inorganic insulating material, a second protective layer as an organic insulating material over the first passivation layer 136 ( 140) is formed on the entire surface. 이때, 상기 제 2 보호층(140)은 반사영역(RA)에 있어서는 그 표면에 올록볼록한 요철이 형성되고 있는 것이 특징이다. At this time, the second passivation layer 140 is characterized In that the convex irregularities embossed on the surface of the reflective area (RA) is formed.

상기 제 2 보호층(140) 위로는 무기절연물질로서 제 3 보호층(142)이 형성되어 있으며, 상기 제 3 보호층(142) 위로 상기 반사영역(RA)에는 반사율이 좋은 금속물질로서 반사판(150)이 형성되어 있다. The second protective layer 140 over the third protective layer 142 as an inorganic insulating material is formed, and the third passivation layer 142 over the reflective plate as a metal material the reflectance good has the reflection areas (RA) ( 150) are formed. 이때, 상기 제 3 보호층(142)과 상기 반사판(150)은 그 하부에 구성된 상기 제 2 보호층(140)의 영향으로 그 표면이 올록볼록한 요철 형태를 이루고 있는 것이 특징이다. At this time, the third passivation layer 142 and the reflection plate 150 is characterized that make up the first convex uneven shape that the surface under the influence of the second protective layer 140 is embossed is configured in a lower portion.

본 발명의 실시예에 있어서는 제 1 내지 제 3 보호층(136, 140, 142)이 형성되고 있음을 일례로 보이고 있지만, 상기 제 1 및 제 3 보호층(136, 142)은 생략될 수도 있다. In the embodiment of the present invention, the first to third passivation layers (136, 140, 142), but showing in the example that is being formed, the first and third protective layers (136, 142) may be omitted. 무기절연물질로 이루어진 상기 제 1 보호층(136)은 상기 액티브층(120a)과 접촉하게 되므로 유기절연물질이 상기 액티브층(120a)과 접촉함으로서 발생할 수 있는 채널 오염 및 박막트랜지스터(Tr)의 특성 저하를 방지하기 위해 형성한 것이며, 상기 제 3 보호층(142)은 유기절연물질과 금속물질간의 접착력 약화의 문제를 해결하기 위해 금속물질로 이루어진 반사판(150)과 유기절연물질로 이루어진 상기 제 3 보호층(142) 사이에 형성된 것이다. The made of an inorganic insulating material, the first protective layer 136 is characteristic of channel contamination, and the thin film transistor (Tr) that may arise by so brought into contact with the active layer (120a), an organic insulating material is in contact with the active layer (120a) shall formed to prevent the lowering, the third passivation layer 142 and the third consisting of a reflecting plate 150 and the organic insulating material made of a metallic material to solve the problem of adhesion of weakening between the organic insulating material and the metal material It is formed between the protective layer 142.

다음, 상기 반사판(150) 위로는 유기절연물질로서 상기 반사영역(RA)에 대응해서 제 4 보호층(152)이 형성되어 있다. Next, the reflection plate 150, the top has a fourth protective layer 152 is formed corresponding to the reflective area (RA) is used as the organic insulating material. 이러한 제 4 보호층(152)은 상기 투과영역(TA)과 단차를 이루도록 하여 반사영역(RA)과 투과영역(TA)에서 이중 셀갭(d3, d4)을 형성하도록 하기 위함이다. The fourth protection layer 152 is to so as to form a dual cell gap (d3, d4) from the transmission region (TA) as to achieve a step in the reflection area (RA) and a transmission region (TA).

또한, 상기 제 4 보호층(152)과 상기 제 3 보호층(142) 위로는 전면에 무기절연물질로서 제 5 보호층(155)이 형성되어 있다. Further, the fourth protective layer 152 and the third passivation layer 142 is over the fifth protective layer 155 is formed as an inorganic insulating material on the entire surface. 이때, 상기 화소영역(P) 내에서 상기 제 4 보호층(152) 끝단 외측으로 상기 제 5 보호층(155)과 그 하부의 상기 제 3 보호층(142), 제 2 및 제 1 보호층(140, 136)은 패터닝됨으로써 상기 드레인 전극(133)을 노출시키는 드레인 콘택홀(158)이 구비되고 있다. At this time, the pixel region (P) and the fourth protective layer 152 and the fifth protective layer 155 and a lower portion of the third protective layer 142 of the end outside the second and the first protective layer in the ( 140, 136) it is patterned by being being provided with a drain contact hole 158 exposing the drain electrode 133.

다음, 상기 제 5 보호층(155) 위로는 투명 도전성 물질로 각 화소영역(P)별로 판 형태의 화소전극(160)이 형성되어 있다. Next, the fifth protective layer 155 is over the pixel electrode 160 of the plate shape is formed for each pixel region (P) of a transparent conductive material. 이때, 본 발명에 있어서 가장 특징적인 구성으로서 상기 판 형태의 화소전극(160) 내부에는 반사영역(RA)에 대응하는 부분에 바(bar) 형태로 이격하며 다수의 제 1 개구(op1)가 형성되고 있는 것이 특징이다. At this time, in the present invention separated by a bar (bar) shape in the portion corresponding to the plate shape of the pixel electrode 160 inside the reflection area (RA) as the most characteristic configuration to form the plurality of first openings (op1) it is characterized by being. 즉, 반사영역(RA)에 있어서는 제 1 방향으로 그 장축이 배열된 다수의 제 1 개구(op1)가 일정간격 이격하며 형성되고 있는 것이 특징이다. That is, it is characterized in the reflection area (RA) In a first direction that the long axis of the plurality of first openings (op1) are arranged on which are formed and spaced at intervals.

한편, 본 발명의 실시예의 경우 투과영역(TA)에 있어서는 상기 화소전극(160)은 그 내부에 상기 제 1 개구(op1)가 형성되지 않고 판 형태를 유지하도록 형성되고 있다. On the other hand, when the embodiment of the present invention, the pixel electrode 160 in the transmissive area (TA) is formed so as to maintain a plate shape without being formed with the first opening (op1) therein.

전술한 형태를 갖는 상기 화소전극(160)은 상기 드레인 콘택홀(158)을 통해 상기 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(133)과 접촉하고 있다. The pixel electrode 160 having the above-described type is in contact with the drain electrode 133 of the thin film transistor (Tr) through the drain contact hole 158.

한편, 무기절연물질로 이루어진 상기 제 5 보호층(155) 또한 유기절연물질로 이루어진 상기 제 4 보호층(152)과 투명도전성 물질로 이루어진 상기 화소전극(160)간의 접착력 향상을 위해 형성된 것이며 생략될 수 있다. On the other hand, the fifth made of an inorganic insulating material, the protective layer 155 will also formed for adhesion improvement between the fourth protective layer 152 and the pixel electrode 160 made of a transparent conductive material made of an organic insulating material is not can.

또한, 상기 다수의 제 1 개구(op1)를 갖는 화소전극(160) 위로는 무기절연물질로서 제 6 보호층(163)이 형성되어 있으며, 상기 제 6 보호층(163) 위로는 투명 도전성 물질로서 각 화소영역(P)별로 또는 상기 어레이 기판(102)의 표시영역 전면에 공통전극(170)이 형성되어 있다. In addition, the top pixel electrode 160 having a plurality of first openings (op1) are a sixth protective layer 163 is formed as an inorganic insulating material, it said sixth protective layer 163 to the top is a transparent conductive material, there is a common electrode 170 is formed on the entire surface of the display area for each pixel area (P) or the array substrate 102. 도면에 있어서는 상기 공통전극(170)은 표시영 역 전면에 형성된 것을 도시하고 있다. In the drawings the common electrode 170 are shown being formed in the display area as the front. 이때, 도면에 나타나지 않았으나, 상기 공통전극(170)은 상기 공통배선(109)과 공통 콘택홀(미도시)을 통해 접촉하고 있다. At this time, did not appear in the drawings, the common electrode 170 is in contact with the common wiring 109 and the common contact hole (not shown).

한편, 상기 공통전극(170)은 상기 투과영역에 대응해서는 그 내부에 그 장축이 상기 제 1 방향과 다른 제 2 방향을 가지며 배치된 다수의 제 2 개구(op2)가 일정간격 이격하며 형성되고 있으며, 반사영역(RA)에 대응해서는 그 장축이 상기 제 1 방향을 가지며 배치된 다수의 제 3 개구(op3)가 일정간격 이격하며 형성되고 있다. On the other hand, the common electrode 170 is formed, and its major axis is spaced apart from the first plurality of second openings (op2) a and a second direction different from the first orientation for a predetermined distance therein, not corresponding to the transmission region, and , spaced from the reflection area (RA) corresponding to be the long axis wherein the plurality of third openings of having a one-way arrangement (op3) in a predetermined distance and being formed.

이때, 본 발명에 따른 실시예에 있어서 특징적인 구성으로서 상기 반사영역(RA)에 있어서 평면적으로는 상기 화소전극(160)에 구비된 다수의 제 1 개구(op1)와 상기 공통전극(170)에 형성된 다수의 제 3 개구(op3)가 서로 교대하도록 배치되고 있다는 것이다. At this time, in plan view in a plurality of first openings (op1) and the common electrode 170 provided on the pixel electrode 160 in the reflective area (RA) as a characteristic configuration in the embodiment according to the present invention a plurality of third apertures (op3) formed is that it is arranged so as to shift from each other.

즉, 화소전극(160)에 구비된 다수의 제 1 개구(op1)에 대해서는 상기 공통전극(170)의 제 3 개구(op3) 사이에 형성된 공통전극 핑거부(170a)가 대응되도록 구성되며, 상기 공통전극(170)의 제 3 개구(op3)에 대해서는 상기 화소전극(160)의 제 1 개구(op1) 사이의 화소전극 핑거부(160a)가 대응되도록 구성되고 있는 것이 특징이다. That is, is configured so that the third aperture common electrode fingers (170a) formed between (op3) of the common electrode 170 corresponding for the plurality of first openings (op1) provided in the pixel electrode 160, the is characterized by being configured such that the first opening (op1) pixel electrode fingers (160a) between the pixel electrodes 160 corresponding to about the third aperture (op3) of the common electrode 170.

한편, 상기 다수의 제 2 및 제 3 개구(op2, op3)를 갖는 공통전극(170) 상부에는 제 1 배향막(미도시)이 구비되고 있다. On the other hand, the common electrode 170 having a plurality of second and third aperture (op2, op3), the upper part being provided with a first alignment layer (not shown).

전술한 구성을 갖는 어레이 기판(102)에 대응하여 컬러필터 기판(181)이 구비되고 있다. In correspondence with the array substrate 102 having the above configuration is provided with a color filter substrate (181).

상기 컬러필터 기판(181)에 있어 상기 어레이 기판(102)과 마주하는 내측면에는 상기 각 화소영역(P)의 경계 즉, 게이트 및 데이터 배선(103, 125)에 대응하여 블랙매트릭스(183)가 형성되어 있으며, 상기 블랙매트릭스(183)를 덮으며 각 화소영역(P)에 대응하여 순차 반복되는 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴(R, G, 미도시)으로 구성된 컬러필터층(185)이 형성되어 있다. The color filter substrate boundary that is, the black matrix 183 corresponding to the gate and data lines (103, 125) of the inner surface has the pixel regions (P) in 181 facing the array substrate 102 is is formed, was covered with the black matrix 183 corresponding to the sequential repeating red, green, and blue color filter pattern is a color filter layer 185 is composed of (R, G, not shown) in the pixel regions (P) are formed It is. 이때, 상기 컬러필터층(185)은 각 화소영역(P) 내의 반사영역(RA)의 중앙부에 대응해서는 패터닝되어 제거됨으로써 투과홀(TH)을 구비하고 있는 것이 특징이다. In this case, the color filter layer 185 is characterized in that it comprises a penetration hole (TH) being removed is not the patterning corresponding to the central portion of the reflection areas (RA) within the pixel regions (P). 이러한 투과홀(TH)을 반사영역(RA)에 구성하는 것은 반사영역(RA)에서의 휘도를 향상시키기 위한 것으로 생략될 수도 있다. These What constitutes a penetration hole (TH) to the reflective area (RA) may be omitted as to enhance the brightness in the reflective area (RA).

상기 투과홀(TH)을 갖는 컬러필터층(185)을 덮으며 상기 컬러필터 기판(181) 전면에 오버코트층(187)이 형성되어 있으며, 상기 오버코트층(187)을 덮으며 제 2 배향막(미도시)이 구비되고 있다. Covers the color filter layer 185 having the penetration hole (TH) and the overcoat layer 187 on the entire surface of the color filter substrate 181 has been formed, and covers the said top coat layer 187, the second alignment layer (not shown ) it may be provided.

또한, 상기 어레이 기판(102)과 컬러필터 기판(181) 각각의 외측면에는 서로 직교하는 편광축을 가지며 제 1 및 제 2 편광판(193, 195)이 구비되고 있다. Further, in each outer side surface of the array substrate 102 and the color filter substrate 181 has a polarization axis orthogonal to each other being provided with a first and a second polarizing plate (193, 195).

한편, 상기 제 1 및 제 2 배향막(미도시) 사이에는 투과영역(TA)에 대응해서는 제 1 두께(d1)를 가지며 상기 반사영역(RA)에서는 상기 제 1 두께(d1)보다 얇은 제 2 두께(d2)를 갖는 액정층(190)이 구비되고 있다. On the other hand, the first and second alignment layers (not shown) between, the transmission region not corresponding to the (TA) has a first thickness (d1), the reflection area (RA) in the thin second thickness greater than the first thickness (d1) it is provided with a liquid crystal layer 190 having a (d2). 이때, 상기 제 2 두께(d2)는 상기 제 1 두께(d1)의 1/2 인 것이 특징이다. At this time, the second thickness (d2) is characterized by one-half of the first thickness (d1).

한편, 도면에 나타내지 않았지만, 상기 투과영역(TA)에서의 제 2 개구(op2)의 장축 방향인 제 2 방향은 상기 데이터 배선(125)이 연장한 방향 즉, 상기 데이 터 배선(125)과 나란한 방향이 되는 것이 바람직하며, 상기 반사영역(RA)에서의 제 1 및 제 3 개구(op1, op3)의 장축 방향인 제 2 방향은 상기 데이터 배선(125)과 직교하도록 형성된 상기 게이트 배선(미도시)에 대해 시계방향 또는 반시계방향으로 30도 내지 60도 정도의 각도를 이루는 것이 특징이다. On the other hand, although not shown in the figure, the transmission area (TA) that is the direction of a second opening (op2), the major axis in a second direction will extend the data line 125 of the in, parallel with the data wiring 125, preferably that direction, the first and third openings wherein the gate wire long-axis direction of the second direction is formed so as to be perpendicular to the data line 125 of the (op1, op3) in the reflection region (RA) (not shown in ) is characterized by clockwise or counter-clockwise 30 degrees to 60 degrees, an angle of about about.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 횡전계 모드 액정표시장치에 있어 어레이 기판의 반사영역에 구성된 화소전극과 공통전극 및 반사판만을 간략히 도시한 단면도로서 외부광의 경로를 함께 도시하였다. 4 is shown with the external light path as a sectional view showing briefly only the pixel electrode and the common electrode and the reflector are configured in the reflective region of the array substrate in the horizontal electric field mode liquid crystal display device according to an embodiment of the invention.

도시한 바와 같이, 전술한 구성을 갖는 횡전계 모드 액정표시장치의 어레이 기판(102)의 경우, 외부광 대부분이 공통전극(170) 1회, 화소전극(160) 1회만을 통과하여 사용자의 눈으로 입사되므로 화소전극(160)과 공통전극(170)을 각각 2회씩 통과하는 종래의 횡전계형 액정표시장치(도 1 참조) 대비 반사효율을 향상시키는 것이 특징이다. As shown, if the transverse electric field mode, the array substrate 102 of the liquid crystal display device having the above-described configuration, external light most of the common electrode 170, one pixel electrode 160 is once passed through only the eyes of the user it is characterized in that incident, because improved reflection efficiency compared to the pixel electrode 160 and the common electrode of a conventional transverse jeongyehyeong liquid crystal display device through each of the two times 170 (see Fig. 1) to.

상기 공통전극(170)과 화소전극(160)은 통상 투명 도전성 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어지고 있으며, 이러한 투명 도전성 물질을 통상 전극으로 이용할 수 있는 두께 예를 들면 1000Å 내지 3000Å 정도의 두께를 통과하게 되면 7% 내지 11%의 광손실이 발생한다. The common electrode 170 and pixel electrode 160 of indium conventional transparent conductive material-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-and made of oxide (IZO), access to the transparent conductive material in a conventional electrode for example, the thickness of which is a light loss of 7% to 11% occurred when passed through a thickness on the order of 1000Å to 3000Å.

따라서 종래의 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치(도 1 참조)는 외부광이 상기 공통전극과 화소전극을 각각 2회씩 통과하게 됨으로써 광손실이 상대적으로 크게 발생하고 있지만, 본 발명의 실시예에 따른 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치의 경우, 반사영역(RA)에 대응하여 화소전극(160) 내부에도 공통전극(170)에 구비된 제 3 개구(op3)와 교대하는 형태로 다수의 제 1 개구(op1)가 구비됨으로서 외부광 대부분이 공통전극(170) 1회 화소전극(160) 1회만 통과하게 되므로 투명 도전성 물질층을 통과함으로서 발생되는 광손실을 최소화하여 종래대비 약 17% 정도 반사효율을 향상시킬 수 있었다. Therefore, the conventional transverse electric field mode reflection type liquid crystal display (see Fig. 1) is a representation of light loss relatively large emitted by the external light passes through each of two times the common electrode and the pixel electrode, according to an embodiment of the present invention a horizontal electric field mode reflective transmissive when the liquid crystal display device, the reflection areas (RA), the third opening first plurality of openings in the form of alternating and (op3) having the pixel electrode 160, the common electrode 170 from the inside in response to the that by being the most outer light having (op1) are a common electrode 170, one pixel electrode 160 is approximately 17% reflective efficiency of the conventional contrast by minimizing the light loss caused by passing through the transparent conductive material layer, so to pass through only once It could be improved.

한편, 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 횡전계 모드 액정표시장치에 있어 어레이 기판의 반사영역에 구성된 화소전극과 공통전극 및 반사판만을 간략히 도시한 단면도로서 제 1 개구 폭과 제 3 개구의 폭 및 공통전극 핑거부의 폭간의 관계를 나타낸 도면이다. On the other hand, Figure 5 is the width of the transverse electric field mode, a first aperture width and a second as a sectional view showing briefly only the pixel electrode and the common electrode and the reflector are configured in the reflective region of the array substrate in the liquid crystal display device three openings according to an embodiment of the present invention and a view showing the relationship between the common electrode finger portion width. 이때, 점선 부분은 화소전극 핑거부 양측단이 공통전극 핑거부와 최대로 중첩할 경우를 도시한 것이다. At this time, the dotted line shows a case to overlap only the pixel electrode rejected ping both sides to the common electrode fingers and a maximum.

도시한 바와 같이, 상기 화소전극(160)에 구비되는 다수의 제 1 개구(op1)는 그 폭(w3)이 그 상부에 대응되는 공통전극 핑거부(170a) 폭(w1)의 1.2배 보다는 같거나 작도록 그리고 패터닝 한계치인 2㎛보다는 같거나 큰 값을 갖도록 형성되는 것(2㎛≤w3≤w1*1.2)이 특징이다. Equal than, 1.2 times the number of the first opening (op1) has a width (w3), the common electrode fingers (170a), the width (w1) corresponding to the upper portion which is provided on the pixel electrode 160, as shown What is to or less so, and formed to have a value equal to or greater than the patterned 2㎛ limit (2㎛≤w3≤w1 * 1.2) is characterized.

이때, 상기 화소영역 내에 구비된 다수의 제 1 개구(op1)의 폭(w3)이 그 상부에 위치하는 공통전극 핑거부(170a) 폭(w1)의 1.2배보다 큰 경우는 상기 공통전극(170)의 제 3 개구(op3)와 화소전극(160)간에 발생하는 프린지 필드의 세기 및 형태에 영향을 주어 더 큰 구동 전압을 필요로 하게 됨을 실험적으로 알 수 있었으며, 따라서 프린지 필드 세기 및 형태 등에 거의 영향을 주지 않는 상기 제 1 개구(op1)의 폭(w3)은 그 상부에 위치하는 공통전극 핑거부(170a) 폭(w1)의 1배 내지 1.2배가 됨을 알 수 있었다. At this time, when a width (w3) of the plurality of first openings (op1) equipped in the pixel region is larger than 1.2 times that of the common electrode fingers (170a) the width (w1) which is located in the upper part of the common electrode (170 ) a third substantially opening (op3) and the pixel electrodes 160 were able to experimentally seen that it needs a larger driving voltage affects the intensity and shape of the fringe fields that occur between, and thus the fringe field strength and shape or the like of of the first opening (op1) does not affect the width (w3) it was found that the times to 1.2 times the one of the common electrode fingers (170a) the width (w1) which is located on its top.

상기 제 1 개구(op1)의 폭(w3)이 그 상부에 위치하는 공통전극 핑거부(170a) 폭(w1)보다 작은 경우 프린지 필드에 대해서는 판형태의 화소전극을 형성하는 것과 동일한 프린지 필드 세기 및 형태를 갖게 되므로 문제 되지 않는다. Said first opening (op1) width (w3), the same fringe field strength as a pixel electrode of a plate shape for small, if the fringe field than the common electrode fingers (170a) the width (w1) which is located in the upper part of and so have the form does not matter.

하지만, 본 발명의 특성 상 상기 화소전극(160) 내에 구성되는 다수의 제 1 개구(op1)의 폭(w3)이 크면 클수록 외부광의 반사효율이 증대되므로 상기 공통전극 핑거부(170a) 폭(w1)에 비례하여 크게 형성하는 것이 바람직하다. However, the greater the width (w3) of the plurality of first openings (op1) is configured in the nature of the present invention, the pixel electrodes 160 is large, so external light reflection efficiency is increased the common electrode fingers (170a), the width (w1 ) relative to it is preferable to largely formed.

따라서 이러한 관점에서 상기 제 1 개구(op1)의 폭(w3) 양 끝단 더욱 정확히는 상기 제 1 개구(op1) 사이에 위치하는 화소전극 핑거부(160a)의 양 끝단 각각의 이와 인접한 상기 공통전극 핑거부(170a) 양끝단과의 중첩폭(w4)은 상기 공통전극 핑거부(170a)의 폭(w1)의 10%보다 작은 범위에서 중첩(w4 < w1*0.1)되도록 형성하는 것이 바람직하며, 이때, 패터닝 공정 특성상 현 기술단계에서는 2㎛정도가 최소로 형성할 수 있는 한계가 되므로 상기 제 1 개구(op1)의 폭(w3)은 2㎛보다는 크게 형성하는 것이 바람직하다. Therefore, the width (w3) at both ends more precisely the first opening (op1) both ends of each of these adjacent the common electrode finger of the pixel electrode fingers (160a) disposed between the first opening (op1) In view of (170a) at both ends overlap width (w4) of the end is, it is preferable to form so as to overlap (w4 <w1 * 0.1) in a range between 10% of the width (w1) of the common electrode fingers (170a), this time, the patterning the nature of the state of the art process step, so that the limit 2㎛ degree can be formed with a minimum width (w3) of the first opening (op1) are preferably formed larger than 2㎛.

한편, 상기 공통전극 핑거부(170a)는 그 폭(w1)이 2㎛ 내지 10㎛ 정도가 되며, 공통전극 핑거부(170a)의 폭(w1)이 2㎛ 내지 10㎛인 경우 공통전극 핑거부(170a)와 핑거부(170a) 사이에 위치하는 상기 제 3 개구(op3)의 폭(w3)은 상기 공통전극 핑거부(170a) 폭(w1)의 1.5배 내지 2.5배 정도가 되도록 하는 것이 바람직하므로 본 발명의 실시예에 있어서는 상기 제 3 개구(op3)의 폭(w2)은 3㎛ 내지 25㎛ 정도가 되는 것이 특징이다. On the other hand, the common electrode fingers (170a) is a 2㎛ 10㎛ to approximately the width (w1), when the width (w1) is to 2㎛ 10㎛ of the common electrode fingers (170a) the common electrode fingers the width of the third aperture (op3) positioned between (170a) and the finger (170a) (w3) is preferably such that about 1.5 to 2.5 times that of the common electrode fingers (170a) the width (w1) because the width (w2) of the in the embodiment of the present invention, the third opening (op3) is characterized by that the degree to 3㎛ 25㎛.

일례로 상기 공통전극 핑거부(170a) 폭(w1)이 2㎛ 인 경우, 상기 제 3 개 구(op3)의 폭(w2)은 2배인 4㎛가 될 수 있으며, 이때 상기 화소전극(160) 내에 구비되는 제 1 개구(op1)는 그 폭(w3)이 2㎛ 내지 2.4㎛정도가 되도록 형성될 수 있다. If as an example wherein the common electrode fingers (170a), the width (w1) is 2㎛, the first can be a two times 4㎛, wherein the pixel electrodes 160, the width (w2) of three old (op3) the first opening is provided in the (op1) may be formed such that 2㎛ 2.4㎛ to about the width (w3).

도 6은 본 발명의 실시예의 변형예에 따른 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치의 하나의 화소영역에 대한 단면도이다. 6 is a cross-sectional view of one pixel region of the transverse electric field mode reflection type liquid crystal display according to an embodiment variant of the invention. 이때 설명의 편의를 위해 실시예와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였으며, 차별점이 있는 부분을 위주로 설명한다. At this time were the same reference numerals are provided to the same components as the embodiment for convenience of description, it will be described mainly the parts of the differentiator.

본 발명의 실시예의 변형예에 있어서 실시예와 차별점이 있는 부분은 투과영역(TA)에 구성된 화소전극(160)의 형태에 있다. Example differentiator and a part according to an embodiment variant of the invention is in the form of a pixel electrode 160 composed of the transmission area (TA). 실시예에 있어서는 투과영역에 대응하여 판 형태의 화소전극이 형성되고 있었지만, 변형예의 경우 투과영역(TA)에 대해서는 화소영역(P) 내부에 그 상부에 위치하는 공통전극 핑거부(170a)에 대응하여 상기 공통전극(170)에 구비된 다수의 제 2 개구(op2)와 나란한 제 2 방향으로 장축을 갖는 다수의 제 4 개구(op4)가 구성되고 있는 것이 특징이다. In the embodiment corresponding to the transmission region, but the pixel electrode of the plate shape is formed, and a modified example, if corresponding to a pixel region common electrode finger (170a) which is located in the upper portion within the (P) for the transmission area (TA) it is characterized by that a plurality of fourth openings (op4) having a second plurality of openings with the long axis (op2) and parallel to the second direction provided on the common electrode 170 is configured. 이때, 상기 제 4 개구(op4)의 폭의 범위는 전술한 제 1 개구의 폭과 동일한 범위를 가지며, 그 이외의 구성요소는 전술한 실시예와 동일하므로 그 설명은 생략한다. In this case, the range of the width of the opening 4 (op4) is the same as having the same range as the width of the aforementioned first opening, the other elements the above-described embodiment and a description thereof will be omitted.

전술한 구성을 갖는 본 발명의 실시에의 변형예의 경우, 실시예와 같이 반사영역(RA)에 대해서는 반사효율을 향상시킬 수 있으며, 더불어 투과영역(TA)에 있어서도 공통전극(170)과 화소전극(160) 중 어느 하나의 전극에 대해서만 백라이트 유닛(미도시)으로부터 나온 빛이 대부분 통과하게 되는 구조가 되므로 투과효율을 향 상시킬 수 있다. Also in the transmission region (TA), and to improve the reflection efficiency for the reflection areas (RA), such as modification of the case, embodiments of the present invention, with having the aforementioned configuration the common electrode 170 and the pixel electrode 160, so that any one of a structure in which the light emitted from the backlight unit (not shown) pass through only for the most of the electrode it is possible to improves the transmission efficiency.

판 형태로 화소전극이 형성되는 경우, 상기 화소전극과 공통전극 핑거부는 완전 중첩하도록 형성되므로 공통전극 핑거부에 대응하는 부분은 화소전극과 공통전극 모두를 백라이트 유닛으로부터 나온 빛이 통과하지만, 본 발명의 실시예의 변형예의 경우, 상기 화소전극(160) 내에 상기 공통전극 핑거부(170a)에 대응하여 제 4 개구(op4)가 형성됨으로써 백라이트 유닛(미도시)으로 나온 빛 대부분이 화소전극(160) 또는 공통전극(170) 중 어느 하나의 전극만 통과하게 되므로 투명 도전성 물질층을 통과함으로써 발생하는 빛 손실을 최소화할 수 있다. If the pixel electrode formed of a plate shape, is formed so as to completely overlap the pixel electrode and the common electrode finger unit portion corresponding to the common electrode finger to pass the light from both the pixel electrode and the common electrode from the back-light unit, but the present invention of the embodiment variation of the case, the pixel electrode a fourth opening (op4) is formed by many light from a backlight unit (not shown) and a pixel electrode 160 in response to the common electrode fingers (170a) in 160 or because of the pass through which only a single electrode common electrode 170 can minimize the light loss caused by passing through the transparent conductive material layer.

본 발명은 전술한 실시예에 한정되지 아니하며, 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 이상 다양한 변화와 변형이 가능하다. The present invention is not limited to the embodiments described above, unless departing from the spirit of the invention, it is possible that various changes and modifications.

도 1은 종래의 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치의 반사영역 및 투과영역에 대한 간략한 단면도. 1 is a simplified cross-sectional view of a reflection region and a transmission region in a conventional transverse electric field mode reflection type liquid crystal display.

도 2는 종래의 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치의 어레이 기판에 있어 반사영역에 대한 단면도로서 공통전극과 화소전극 및 반사판과 반사영역에서의 외부광 경로를 간략하게 도시한 도면. Figure 2 is a conventional transverse electric field mode in the transflective type reflective array substrate of a liquid crystal display device, the common electrode as a cross-sectional view of a reflection region and a pixel electrode and a reflective plate with a view briefly showing an external view of the optical path in the reflecting region.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치의 하나의 화소영역에 대한 단면도. 3 is a cross-sectional view of one pixel region of the transverse electric field mode reflection type liquid crystal display according to an embodiment of the invention.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 횡전계 모드 액정표시장치에 있어 어레이 기판의 반사영역에 구성된 화소전극과 공통전극 및 반사판만을 간략히 도시한 단면도. Figure 4 is the pixel electrode and the common electrode, and only a brief sectional view showing a reflective plate configured to the reflective region of the array substrate in the horizontal electric field mode liquid crystal display device according to an embodiment of the invention.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 횡전계 모드 액정표시장치에 있어 어레이 기판의 반사영역에 구성된 화소전극과 공통전극 및 반사판만을 간략히 도시한 단면도로서 제 1 개구 폭과 제 3 개구의 폭 및 공통전극 핑거부의 폭간의 관계를 나타낸 도면. 5 is wide and a common horizontal electric field mode, a first aperture width and a second as a sectional view showing briefly only the pixel electrode and the common electrode and the reflector are configured in the reflective region of the array substrate in the liquid crystal display device three openings according to an embodiment of the present invention a graph showing the relationship between the electrode finger width portion.

도 6은 본 발명의 실시예의 변형예에 따른 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치의 하나의 화소영역에 대한 단면도. Figure 6 is a cross-sectional view of one pixel region of the transverse electric field mode reflection type liquid crystal display according to an embodiment variant of the invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 > <Description of the Related Art>

101 : 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치 101: a horizontal electric field mode reflection type liquid crystal display

102 : 어레이 기판 106 : 게이트 전극 102: an array substrate 106: gate electrode

110 : 제 1 스토리지 전극 115 : 게이트 절연막 110: first storage electrode 115: gate insulating film

120 : 반도체층 120a : 액티브층 120: 120a semiconductor layer: an active layer

120b : 오믹콘택층 125 : 데이터 배선 120b: the ohmic contact layer 125: the data line

130 : 소스 전극 133 : 드레인 전극 130: source electrode 133: drain electrode

136 : 제 1 보호층 140 : 제 2 보호층 136: first protective layer 140: second protective layer

142 : 제 3 보호층 150 : 반사판 142: third passivation layer 150: a reflector

152 : 제 4 보호층 160 : 화소전극 152: the fourth protective layer 160: pixel electrode

160a : 화소전극 핑거부 163 : 제 5 보호층 160a: a pixel electrode finger 163: fifth protective layer

170 : 공통전극 170 : 공통전극 핑거부 170: the common electrode 170: a common electrode fingers

181 : 컬러필터 기판 183 : 블랙매트릭스 181: color filter substrate 183: black matrix

185 : 컬러필터층 187 : 오버코트층 185: color filter layer 187: overcoat layer

190 : 액정층 193 : 제 1 편광판 190: Liquid crystal layer 193: a first polarizer

195 : 제 2 편광판 195: Second polarizer

d1, d2 : 제 1 및 제 2 셀갭 d1, d2: first and second cell gap

op1, op2, op3 : 제 1, 2 및 제 3 개구 op1, op2, op3: first, second and third openings

P : 화소영역 RA : 반사영역 P: pixel region RA: reflection region

TA : 투과영역 Tr : 박막트랜지스터 TA: transmitting region Tr: Thin Film Transistor

TrA : 소자영역 TrA: element region

Claims (13)

  1. 서로 마주하는 제 1 기판 및 제 2 기판과; A first substrate and a second substrate facing each other;
    상기 제 1 기판의 내측면에 게이트 절연막을 개재하여 서로 교차하여 반사영역과 투과영역을 갖는 화소영역을 정의하며 형성된 게이트 배선 및 데이터 배선과; Defining a pixel region by intersecting with each other via a gate insulating film on the inner surface of the first substrate having a reflective region and a transmission region, and the gate wiring is formed and the data line and;
    상기 게이트 배선과 나란하게 형성된 공통배선과; A common wiring formed in parallel with the gate line and;
    상기 화소영역에 게이트 배선 및 상기 데이터 배선과 연결되며 형성된 박막트랜지스터와; Connected to the gate lines and the data line in the pixel region and a thin film transistor formed with;
    상기 데이터 배선 및 상기 박막트랜지스터를 덮으며 형성된 제 1 보호층과; The first protective layer was formed to cover the data lines and the thin film transistors and;
    상기 제 1 보호층 위로 상기 반사영역에 형성된 반사판과; Over the first passivation layer formed on the reflection plate and the reflection region;
    상기 반사판 위로 형성된 제 2 보호층과; A second protective layer formed over the reflection plate, and;
    상기 제 2 보호층 상부로 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하며 상기 투과영역에 대해서는 상기 투과영역 전면에 대응하여 판 형태로 형성되며, 상기 반사영역에 대해서는 제 1 방향으로 그 장축을 갖는 다수의 제 1 개구를 포함하는 화소전극과; The second by the protective layer top through the drain contact hole that exposes a drain electrode of the thin film transistor in contact with the drain electrode for the transmission region corresponding to the front surface of the transmissive region is formed of a plate shape, for the reflection area a pixel electrode comprising a first plurality of openings with the long axis in a first direction and;
    상기 화소전극 위로 형성된 제 3 보호층과; The third protective layer formed over the pixel electrode;
    상기 제 3 보호층 위로 상기 공통배선과 공통 콘택홀을 통해 연결되며 상기 투과영역에는 상기 게이트 배선과 직교하는 제 2 방향으로 그 장축을 가지며 이격하는 다수의 제 2 개구와, 상기 반사영역에는 상기 제 1 방향으로 그 장축을 가지며 이격하는 다수의 제 3 개구를 포함하여 구성된 공통전극과; And above the third passivation layer is connected through the common wiring and the common contact hole, a plurality of second openings spaced from having its long axis wherein the transmitting region is in a second direction intersecting with the gate wiring, the second is the reflection area a common electrode configured to have its major axis comprises a plurality of third apertures spaced in a first direction and;
    상기 제 2 기판의 내측면에 형성된 컬러필터층과; A color filter layer formed on the inner surface of the second substrate;
    상기 제 1 및 제 2 기판 사이에 개재된 액정층 The first and the liquid crystal sandwiched between two substrate layers
    을 포함하며, 상기 제 1 개구와 상기 제 3 개구는 평면적으로 교대하도록 배치된 것이 특징인 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치. The inclusion, and the first opening and the third opening is a horizontal electric field mode is characterized by the reflection type liquid crystal display arranged to shift in plan.
  2. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 제 2 개구 사이 및 제 3 개구 사이에 위치하는 공통전극 부분을 공통전극 핑거부라 정의하고, 상기 제 1 개구의 폭을 제 1 폭, 상기 공통전극 핑거부의 폭을 제 2 폭, 상기 제 2 개구 또는 제 3 개구의 폭을 제 3 폭이라 정의할 때, The second opening and between the third aperture common electrode fingers bridle define a common electrode portion which is located, and between the width of the first opening first width, wherein the common electrode finger portion width a second width, the second opening or the width of the third aperture when defined as a third width,
    상기 제 1 폭은 2㎛와 같거나 이보다 크고 상기 제 2 폭의 1.2배와 같거나 이보다 작은 크기를 갖는 것이 특징인 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치. The first width is greater than or equal to the 2㎛ the claim is characterized by the transverse electric field mode reflection type liquid crystal display having a small size equal to or less than the 1.2 times the second width.
  3. 제 2 항에 있어서, 3. The method of claim 2,
    상기 제 1 개구는 상기 공통전극 핑거부와 중첩하도록 형성된 것이 특징인 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치. It said first opening is a lateral electric field mode reflection type liquid crystal display is characterized by formed so as to overlap with the common electrode fingers.
  4. 제 3 항에 있어서, 4. The method of claim 3,
    상기 제 1 개구 사이의 화소전극 부분은 화소전극 핑거부라 정의할 때, 상기 화소전극 핑거부 양 끝단은 상기 공통전극 핑거부의 양 끝단과 상기 공통전극 핑거부 폭의 10%이하로 중첩되도록 형성된 것이 특징인 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치. Wherein when the pixel electrode portion between the first opening is defined bridle pixel electrode fingers, the pixel electrode fingers each end is characterized formed so as to overlap with more than 10% of the common electrode finger portions at both ends and the common electrode finger width the transverse electric field mode reflection type liquid crystal display.
  5. 삭제 delete
  6. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 반사영역에서의 액정층의 두께는 상기 투과영역에서의 액정층의 두께의 1/2인 것이 특징인 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치. The thickness of the liquid crystal layer in the reflection area is a horizontal electric field mode is characterized by a thickness of the liquid crystal layer in the transmission region half reflection type liquid crystal display.
  7. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 공통배선에서 상기 반사영역으로 분기하는 제 1 스토리지 전극과, 상기 데이터 배선과 중첩하도록 분기하는 제 2 스토리지 전극이 형성되며, And a second storage electrode which branches so as to overlap the first storage electrode, and the data line, which branches to the reflection region is formed in the common wiring,
    상기 드레인 전극은 연장하여 상기 제 1 스토리지 전극과 중첩하도록 형성됨으로서 서로 중첩하는 상기 제 1 스토리지 전극과 상기 게이트 절연막과 드레인 전극은 제 1 스토리지 커패시터를 이루며, The drain electrode is formed by being extended so as to overlap the first storage electrode of the first storage electrode and the gate insulating film and a drain electrode which overlap each other and is formed of the first storage capacitor,
    서로 중첩하는 상기 제 2 스토리지 전극과 상기 게이트 절연막과 상기 데이터 배선은 제 2 스토리지 커패시터를 이루는 것이 특징인 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치. It said second storage electrode and the gate insulating film and the data line is the second storage is characterized by the transverse electric field mode reflection type liquid crystal display that make up the capacitor to overlap each other.
  8. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 제 1 보호층은 유기절연물질로 이루어지며 상기 반사영역에서는 그 표면이 올록볼록한 요철형태를 이루며, 상기 제 1 보호층 상부에 형성된 상기 반사판 또한 그 표면이 올록볼록한 요철형태를 이루는 것이 특징인 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치. The first protective layer is characterized that make up the reflector also convex irregularities form embossed is a surface formed on its surface is embossed upper portion forms an embossed concave and convex shape, the first protective layer, composed of an organic insulating material, the reflection area transverse field mode reflection type liquid crystal display.
  9. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 박막트랜지스터와 상기 제 1 보호층 사이에는 무기절연물질로 이루어진 제 4 보호층이 형성되며, Between the thin film transistor and the first protective layer, a fourth protective layer made of an inorganic insulating material is formed,
    상기 제 1 보호층과 상기 반사판 사이에 무기절연물질로 이루어진 제 5 보호층이 형성된 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치. The first protective layer and a horizontal electric field mode, between the reflection plate to the fifth protective layer made of an inorganic insulating material formed with reflection-transmission type liquid crystal display device.
  10. 제 9 항에 있어서, 10. The method of claim 9,
    상기 제 2 보호층과 상기 제 3 보호층 사이에는 유기절연물질로 상기 반사영역에 대응하여 제 6 보호층이 형성된 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치. The second passivation layer and the third passivation layer between the reflective mode, the horizontal electric field type liquid crystal display is the sixth protective layers formed corresponding to the reflective region of the organic insulating material.
  11. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 제 2 기판의 내측면과 상기 컬러필터층 사이에 상기 게이트 및 데이터 배선에 대응하여 블랙매트릭스가 형성되며, Between the inner surface of the second substrate and the color filter layer and a black matrix formed corresponding to the gate and data lines,
    상기 컬러필터층을 덮으며 상기 제 2 기판 전면에 오버코트층이 형성된 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치. It covers the transverse electric field mode, the color filter layer reflection type liquid crystal display having a top coat layer to the second substrate.
  12. 제 11 항에 있어서, 12. The method of claim 11,
    상기 컬러필터층은 상기 반사영역에 대응하여 그 중앙부에 대해서는 패터닝되어 제거됨으로써 투과홀이 형성된 것이 특징인 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치. The color filter layer is characterized by the transverse electric field mode reflection type liquid crystal display it passes through the hole formed by removing the pattern for the central portion corresponding to the reflection region.
  13. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 제 1 및 제 2 기판 외측면에 각각 구성되며 그 편광축이 서로 직교하도록 배치된 제 1 및 제 2 편광판과; The first and the second are each configured on the outer surface substrate that polarization axes of the first and second polarizing plates disposed so as to be perpendicular to each other;
    상기 공통전극을 덮으며 형성된 제 1 배향막과; A first alignment layer formed covers the said common electrode;
    상기 컬러필터층을 덮으며 형성된 제 2 배향막 The second alignment layer covers the color filter layer was formed
    을 포함하는 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치. A horizontal electric field mode reflection type liquid crystal display comprising a.
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